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Infineon Technologies社
徹底検証 ∼Dr.Bladeの秘密∼
お問い合わせ先／マーケティングBU マーケティング第一部 Infineonグループ ☎03-5462-9641
Infineonの英知を結集させた新パッケージが遂に登場 !
従来のハイスペックなMOSFETと新パッケージング技術を組み合わせたBladeパッケージの
MOSFET。MOSFET・ドライバー＋新パッケージング技術を融合したDr.Bladeがライン
ナップとして追加されました。この機会に是非ご検討ください。
■BSN Series
（Blade package OptiMOS）
VDSS
BSN011NE2LS
BSN011NE2LSI
BSN045NE2LS
BSN012N03LS
BSN012N03LSI
BSN048N03LS
（V）
25
25
25
30
30
30
m
Drain pards
Gate pards
Source pards
I（T
RDS(on) max.
D
C=25℃）
@4.5V
（A）
（mΩ）
50
1.5
50
1.5
50
6.5
50
1.6
50
1.6
50
6.6
RDS(on) max.
@10V
（mΩ）
1.1
1.1
4.5
1.2
1.2
4.8
■Dr.Blade Series（Blade package Dr.MOS）
TDA21310
Iout max.
（A）
40
fswitch max.
（MHz）
1.2
Rthjc bottom
Rthjc top
（K/W）
1.6
1.6
3.2
1.6
1.6
3.2
（K/W）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
従来のPackaging Technology
5.0
mm
mm
5.0
特長
®
● Intel VR12 DriverとDrMOSとの機能互換性
● 高い電流特性
（Iout）
：40A
● 高速スイッチング特性
（fsw）
：1.2MHｚ
● 小型パッケージ：5mm×5mm×0.5mm
● DC/DCのレイアウトおよびPCBへの放熱を
改善した最適なフットプリント
● パッケージトップ側における低い熱抵抗
● RoHS対応およびハロゲンフリー
■Packaging Technologyの比較
（Dr.Blade VS Dr.MOS）
3.0mm
3.4m
特長
● 高さ0.55mmの薄型パッケージ
● DrainとSourceの大きなパッド、最適化され
たピン配置
● パッケージトップ側における低い熱抵抗
● RoHS対応およびハロゲンフリー
● DC/DCにとって小さく簡略化されたレイアウト
● 低いループインダクタンスによる最適化され
たレイアウト
Balde Packaging Technology
Rthjc typ. bottom side
low-side
（K/W）
1.0
Rthjc typ. top side
low-side
（K/W）
2.0
Next generation DrBlade in development
■効率
（Dr.Blade VS Dr.MOS）
4-Phase DC/DCコンバータの効率
測定条件：Vin 12V、Vout 1.2V、Lout 210nH
■熱特性
（Dr.Blade VS Dr.MOS）
（DCR 0.29mΩ）
、fsw 313kHz、Ta=25℃
Dr.Blade
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
約3%の差
新製品
Efficiency (%)
測定条件：40A/10min、Vin 12V、Vout 1.2V、fsw 450kHz、Ta=25℃、1-phase、ヒートシンクなし
Dr. Blade
Dr. MOS
0
20
40
60
80
Output Current (A)
Dr.MOS
トーメンエレクトロニクス
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