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<IGBTモジュール>
CM100RX-12A
大電力スイッチング用
絶縁形
コレクタ電流 IC
....................................... 1 0 0 A
コレクタ・エミッタ間電圧 V CES ............... 6 0 0 V
最大接合温度 T jmax ............................... 1 5 0 °C
●フラットベース形
●銅ベース板（めっきレス）
●RoHS 指令対応
●UL Recognized under UL1557, File E323585
7素子入
用途
インバータ装置，サーボアンプ，電源装置 など
外形及び接続図
単位：mm
TERMINAL
t=0.8
SECTION A
接続図
Tolerance otherwise specified
Division of Dimension
GUP(34)
GVP(26)
GWP(18)
EUP(33)
EVP(25)
EWP(17)
U(1)
N(36)
NTC
P(35)
V(2)
W(3)
B(4)
GUN(30)
GVP(22)
GWN(14)
GB(6)
EUN(29)
EVP(21)
EWN(13)
EB(5)
2014.08 作成
1
CMH-10277
Ver.2.0
TH2(11)
3
Tolerance
0.5
to
over
3
to
6
±0.3
over
6
to
30
±0.5
over
30
to 120
±0.8
TH1(10)
±0.2
over 120 to 400
±1.2
All dimensions with tolerance
of
<IGBTモジュール>
CM100RX-12A
大電力スイッチング用
絶縁形
最大定格（指定のない場合，Tj=25 °C）
インバータ部 IGBT/FWD
定格値
単位
VCES
記号
コレクタ・エミッタ間電圧
G-E 間短絡
600
V
VGES
ゲート・エミッタ間電圧
C-E 間短絡
± 20
V
IC
項目
条件
コレクタ電流
ICRM
コレクタ損失
Pt ot
IE
（注１）
IERM
（注１）
直流, TC=75 °C
（注２, ４）
100
パルス, 繰返し
（注３）
200
TC=25 °C
直流
エミッタ電流
（注２，４）
A
400
（注２）
W
100
パルス, 繰返し
（注３）
A
200
ブレーキ部 IGBT/DIODE
定格値
単位
VCES
記号
コレクタ・エミッタ間電圧
G-E 間短絡
600
V
VGES
ゲート・エミッタ間電圧
C-E 間短絡
± 20
V
IC
項目
条件
コレクタ電流
ICRM
直流, TC=97 °C
（注２, ４）
パルス, 繰返し
（注３）
Pt ot
コレクタ損失
TC=25 °C
VRRM
ピーク繰返し逆電圧
G-E 間短絡
IF
直流
順電流
IFRM
50
A
100
（注２，４）
（注２）
280
W
600
V
50
パルス, 繰返し
（注３）
A
100
モジュール
記号
項目
条件
定格値
単位
2500
V
Visol
絶縁耐電圧
全端子・ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間
Tj
接合温度
-
-40 ~ +150
Tst g
保存温度
-
-40 ~ +125
TCmax
最大ケース温度
（注４）
125
°C
°C
電気的特性（指定のない場合，T j =25 °C）
インバータ部 IGBT/FWD
記号
項目
規格値
条件
最小
標準
最大
単位
ICES
コレクタ・エミッタ間遮断電流
VCE=VCES, G-E 間短絡
-
-
1.0
mA
IGES
ゲート・エミッタ間漏れ電流
VGE=VGES, C-E 間短絡
-
-
0.5
μA
V G E (t h )
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
IC=10 mA, VCE=10 V
5
6
7
V
T j =25 °C
-
1.7
2.1
T j =125 °C
-
1.9
-
IC=100 A, VGE=15 V,
V C E sa t
コレクタ･エミッタ間飽和電圧
試験回路図参照
（注５）
IC=100 A, VGE=15 V, チップ
Cies
入力容量
Coes
出力容量
Cres
帰還容量
QG
ゲート電荷量
td(on)
ターンオン遅延時間
tr
上昇時間
td(off)
ターンオフ遅延時間
tf
下降時間
rg
内部ゲート抵抗
VCE=10 V, G-E 間短絡
VCC=300 V, IC=100 A, VGE=15 V
VCC=300 V, IC=100 A, VGE=±15 V,
RG=6.2 Ω, 誘導負荷
1 素子あたり, TC=25 °C
2014.08 作成
2
CMH-10277
（注５）
Ver.2.0
（注４）
-
1.6
-
-
-
13.3
-
-
1.4
-
-
0.45
-
270
-
-
-
100
-
-
100
-
-
300
-
-
600
-
0
-
V
nF
nC
ns
Ω
<IGBTモジュール>
CM100RX-12A
大電力スイッチング用
絶縁形
電気的特性（続き：指定のない場合，T j =25 °C）
インバータ部 IGBT/FWD
記号
項目
規格値
条件
最小
標準
最大
T j =25 °C
-
2.0
2.8
T j =125 °C
-
1.95
-
-
1.9
-
IE=100 A, G-E 間短絡,
（注１）
VEC
エミッタ・コレクタ間電圧
試験回路図参照
（注５）
（注５）
IE=100 A, G-E 間短絡, チップ
単位
V
trr
（注１）
逆回復時間
VCC=300 V, IE=100 A, VGE=±15 V,
-
-
200
ns
Qrr
（注１）
逆回復電荷
RG=6.2 Ω, 誘導負荷
-
3.6
-
μC
Eon
E of f
Err
（注１）
ターンオンスイッチング損失
VCC=300 V, IC=IE=100 A,
-
1.6
-
ターンオフスイッチング損失
VGE=±15 V, RG=6.2 Ω, T j =125 °C,
-
5.2
-
逆回復損失
誘導負荷, 1 パルスあたり
-
1.1
-
mJ
mJ
ブレーキ部 IGBT/DIODE
記号
項目
規格値
条件
最小
標準
最大
単位
ICES
コレクタ・エミッタ間遮断電流
VCE=VCES, G-E 間短絡
-
-
1.0
mA
IGES
ゲート・エミッタ間漏れ電流
VGE=VGES, C-E 間短絡
-
-
0.5
μA
V G E (t h )
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
IC=5 mA, VCE=10 V
5
6
7
V
T j =25 °C
-
1.7
2.1
T j =125 °C
-
1.9
-
-
1.6
-
-
-
9.3
-
-
1.0
-
-
0.3
-
200
-
nC
mA
IC=50 A, VGE=15 V,
V C E sa t
コレクタ･エミッタ間飽和電圧
試験回路図参照
（注５）
IC=50 A, VGE=15 V, チップ
（注５）
Cies
入力容量
Coes
出力容量
Cres
帰還容量
QG
ゲート電荷量
VCC=300 V, IC=50 A, VGE=15 V
IRRM
逆電流
VR=VRRM, G-E 間短絡
VCE=10 V, G-E 間短絡
IF=50 A, G-E 間短絡,
順電圧
VF
試験回路図参照
（注５）
IF=50 A, G-E 間短絡, チップ
内部ゲート抵抗
rg
1 素子あたり, TC=25 °C
-
-
1.0
T j =25 °C
-
2.0
2.8
T j =125 °C
-
1.95
-
-
1.9
-
-
0
-
（注５）
（注４）
V
nF
V
Ω
NTC サーミスタ部
記号
項目
条件
（注４）
R25
ゼロ負荷抵抗値
TC=25 °C
ΔR/R
抵抗値許容差
R100=493 Ω, TC=100 °C
B(25/50)
B 定数
計算式による値
P25
電力損失
TC=25 °C
（注４）
（注６）
（注４）
規格値
最大
単位
最小
標準
4.85
5.00
5.15
kΩ
-7.3
-
+7.8
%
-
3375
-
K
-
-
10
mW
熱的特性
記号
項目
条件
接合・ケース間, インバータ部 IGBT,
1 素子あたり （注４）
接合・ケース間, インバータ部 FWD,
1 素子あたり （注４）
接合・ケース間, ブレーキ部 IGBT （注４）
接合・ケース間, ブレーキ部 DIODE （注４）
ケース・ヒートシンク間, 1 モジュールあたり,
Rt h(j -c)Q
熱抵抗
Rt h(j -c)D
Rt h(j -c)Q
Rt h(j -c)D
熱抵抗
Rt h(c-s)
接触熱抵抗
熱伝導性グリース塗布
2014.08 作成
3
CMH-10277
Ver.2.0
（注４，７）
規格値
単位
最小
標準
最大
-
-
0.31
-
-
0.59
-
-
0.44
0.85
K/W
-
15
-
K/kW
K/W
<IGBTモジュール>
CM100RX-12A
大電力スイッチング用
絶縁形
機械的特性
記号
項目
規格値
条件
最小
標準
最大
単位
Ms
締付けトルク
主端子
M 5 ねじ
2.5
3.0
3.5
N·m
Ms
締付けトルク
取付け
M 5 ねじ
2.5
3.0
3.5
N·m
端子間
10.28
-
-
端子・ベース板間
12.46
-
-
端子間
9.88
-
-
端子・ベース板間
10.12
-
-
-
350
-
g
±0
-
+100
μm
ds
沿面距離
da
空間距離
m
質量
－
ec
ベース板平面度
X, Y 各中心線上
（注８）
mm
mm
注 1.
2.
3.
4.
フリーホイールダイオード（FWD）の定格又は特性を示します。
接合温度は，最大接合温度（T j m a x ）以下です。
パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が，最大接合温度（T j m a x ）を越えない値とします。
ケース温度（T C ）及びヒートシンク温度（T s ）の定義点は，チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です。
チップ中心位置は，チップ配置図のとおりです。
5. パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が無視できる値とします。
R
1
1
6. B( 25 / 50) = ln( 25 ) /(
)
−
R 50
T25 T50
－：凹
＋：凸
R25：絶対温度 T25 [K] におけるゼロ負荷抵抗値；T25 [K]=25 [°C]+273.15=298.15
R50：絶対温度 T50 [K] におけるゼロ負荷抵抗値；T50 [K]=50 [°C]+273.15=323.15
7. 接触熱抵抗の標準値は，熱伝導率 λ=0.9 W/(m·K) の放熱用グリースを使用したときの値です。
8. ベース板（取付面）平面度測定箇所は，下図のとおりです。
Y
X
取付面
取付面
－：凹
取付面
＋：凸
9. プリント基板をスタンドオフにねじ止めする場合は，下記仕様のタッピンねじをご使用ください。
〈呼び径（φ）2.3×10 又は 呼び径（φ）2.3×12, B1 タッピンねじ〉
※ねじの長さは，プリント基板の厚み（t1.6～t2.0）によります。
推奨動作条件
記号
項目
条件
VCC
電源電圧
P-N 端子間
VGEon
ゲート（駆動）電圧
RG
外部ゲート抵抗
G*P-E*P1/G*N-E*N2/GB-EB 端子間
インバータ部
1 素子あたり
ブレーキ部
2014.08 作成
4
CMH-10277
Ver.2.0
規格値
最小
標準
最大
単位
-
300
400
V
13.5
6.0
13
15.0
-
16.5
62
125
V
Ω
<IGBTモジュール>
CM100RX-12A
大電力スイッチング用
絶縁形
チップ配置図 (Top view)
単位：mm, 公差：±1 mm
Tr*P/Tr*N/TrBr: IGBT, Di*P/Di*N: FWD, DiBr: ブレーキ DIODE, Th: NTC サーミスタ
記号は，それぞれのチップの中心を示します。
iE
*: U, V, W
～
～
試験回路及び試験波形
vGE
P
90 %
0V
IE
iC
VCC
+
*
t
90 %
RG
0
0A
Irr
vCE
vGE
-VGE
0.5×I r r
G*N
10%
iC
0A
E*N
N
tr
td(on)
tf
td(off)
t
スイッチング特性試験回路及び試験波形
逆回復特性試験波形
iE
iC
iC
ICM
vCE
VCC
0.1×ICM
vEC
VCC
vCE
0.1×VCC
t
IEM
ICM
VCC
0.1×VCC
0
trr
～
～
E*P
+VGE
Q r r =0.5×I r r ×t r r
t
Load
G*P
-VGE
iE
0
0.02×ICM
0
ti
ti
IGBT ターンオンスイッチング損失
IGBT ターンオフスイッチング損失
t
0A
t
0V
t
ti
FWD 逆回復損失
ターンオン / ターンオフスイッチング損失及び逆回復損失試験波形（積分時間説明図）
2014.08 作成
5
CMH-10277
Ver.2.0
<IGBTモジュール>
CM100RX-12A
大電力スイッチング用
絶縁形
試験回路
35
35
VGE=15V
35
VGE=15V
33
V
VGE=15V
IC
34
IC
26
25
V
1
3
G-E 間短絡
G-E 間短絡
22
30
29
36
21
14
36
13
G-E 間短絡
26
V
18
V
25
4
VGE=15V
UP / UN IGBT
IC
14
36
21
G-E 間短絡
VGE=15V
IC
22
36
GVP-EVP GVN-EVN,
GWP-EWP, GWN-EWN,
GB-EB
V
3
VGE=15V
IC
30
29
V
17
2
1
VGE=15V
35
G-E 間短絡
G-E 間短絡
34
33
36
35
35
35
G-E 間短絡
17
V
2
G-E 間短絡
IC
18
36
13
G-E 間短絡
GUP-EUP, GUN-EUN,
GWP-EWP, GWN-EWN,
GB-EB
VP / VN IGBT
5
G-E 間短絡
GUP-EUP, GUN-EUN,
GVP-EVP, GVN-EVN,
GB-EB
IC
6
36
GUP-EUP, GUN-EUN,
GVP-EVP, GVN-EVN,
GWP-EWP, GWN-EWN
Brake IGBT
WP / WN IGBT
V C E s a t 試験回路
35
35
G-E 間短絡
IE
G-E 間短絡
34
G-E 間短絡
IE
26
33
V
35
25
V
1
3
G-E 間短絡
30
G-E 間短絡
22
36
21
35
14
36
13
35
34
V
V
IE
3
G-E 間短絡
G-E 間短絡
IE
22
36
GVP-EVP GVN-EVN,
GWP-EWP, GWN-EWN,
GB-EB
UP / UN DIODE
21
G-E 間短絡
36
13
G-E 間短絡
GUP-EUP, GUN-EUN,
GWP-EWP, GWN-EWN,
GB-EB
6
CMH-10277
Ver.2.0
V
G-E 間短絡
6
36
GUP-EUP, GUN-EUN,
GVP-EVP, GVN-EVN,
GB-EB
WP / WN DIODE
VEC / VF 試験回路
4
IE
14
VP / VN DIODE
2014.08 作成
V
17
2
30
29
IE
18
25
1
G-E 間短絡
35
G-E 間短絡
26
33
36
35
G-E 間短絡
G-E 間短絡
G-E 間短絡
17
V
2
G-E 間短絡
29
IE
18
5
G-E 間短絡
36
GUP-EUP, GUN-EUN,
GVP-EVP, GVN-EVN,
GWP-EWP, GWN-EWN
Brake DIODE
<IGBTモジュール>
CM100RX-12A
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
インバータ部
2014.08 作成
7
CMH-10277
Ver.2.0
<IGBTモジュール>
CM100RX-12A
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
インバータ部
2014.08 作成
8
CMH-10277
Ver.2.0
<IGBTモジュール>
CM100RX-12A
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
ブレーキ部
NTC サーミスタ部
温度特性
（代表例）
100
抵抗値 R (kΩ)
10
1
0.1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
温度 T (°C)
2014.08 作成
9
CMH-10277
Ver.2.0
<IGBTモジュール>
CM100RX-12A
大電力スイッチング用
絶縁形
安全設計に関するお願い
弊 社 は 品 質 ，信 頼 性 の 向 上 に 努 め て お り ま す が ，半 導 体 製 品 は 故 障 が 発 生 し た り ，誤 動 作 す る 場 合 が あ り
ま す 。弊 社 の 半 導 体 製 品 の 故 障 又 は 誤 動 作 に よ っ て 結 果 と し て ，人 身 事 故 ，火 災 事 故 、社 会 的 損 害 な ど を 生
じ さ せ な い よ う な 安 全 性 を 考 慮 し た 冗 長 設 計 ，延 焼 対 策 設 計 ，誤 動 作 防 止 設 計 な ど の 安 全 設 計 に 十 分 ご 留 意
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2014.08 作成
10
CMH-10277
Ver.2.0