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高温逆バイアス試験装置
パワー半導体の絶縁膜の経時破壊試験として高温 、
高電圧によるストレス条件下でのリーク電流挙動を測
定評価します 。
IGBT 、パワー MOSFETを中心としたパワー半導体の
G 端子にピンチオフ電圧を印加した状態で、ストレス電
圧としてD−S 間に数 100 ∼ 3,000V の逆バイアスを印
加 、Ice・Idsリーク電流値を測定し、定期的にロギング
します 。ロギングデータはCSV 形式のファイルに保存し
経時変化を評価できます 。
高温逆バイアス試験装置では、劣化加速として高温に
よる加速をおこないます 。
高温チャンバーにおきましても、評価サンプル数に適し
たさまざまなテストエリアサイズや温度制御範囲の半
導体評価専用チャンバーをご用意しています 。
高温逆バイアス試験では、高電圧 、高温度をストレスと
高温逆バイアス試験装置
するためデバイス保護 、作業者の安全にも留意し、
さら
にユーザーの設備安全仕様にもお応えいたします 。
この装置は IGBT 、パワー MOSFET 、ダイオードに限
らず 、その他の素子でも耐電圧評価装置としてもお使
いいただけます 。
350℃の高温下で試験に対応できる独自開発のセラミッ
ク材料や 、コンタクトピン材料を使用した 350℃耐熱ソ
ケット冶具をご用意しています 。
内槽
システムブロック図
ラック
チャンバー
TEG ボード
電流測定回路
保護ヒューズ
D
直流電源装置
0V∼＋3,000V
デバイス
PC
S
PLC
G
直流電源装置
−35V∼＋35V
電流測定回路
無停電電源
D
デバイス
S
G
主な仕様
型式
ドレイン電源
0 ∼ 2000V または 0 ∼ 3000V
ゲート電源
0 ∼± 30V または 0 ∼± 35V
チャンネル数
温度制御
DUT ボード
12ch・24ch・48ch
DUT ボード槽内接続タイプ
200℃または 350℃
耐熱ボード
200℃または 350℃
YF11E24L01 （2012 年 11 月現在）