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総合カタログ
富士電機半導体
FUJI SEMICONDUCTORS
25A2-W-0001b
CONTENTS
Page
SiC
Features of the IGBT Module .............................................................................. 2
Products Map ......................................................................................................... 3
IGBT Module PIM
Small PIM/Built-in converter and brake 600, 1200 volts class ............ 5
MiniSKiiP®/Built-in converter and brake 1200 volts class ..................... 6
PIM/Built-in converter and brake EconoPIM ™ 600, 1200 volts class........... 7
IGBT Module 6-Pack
6-Pack EconoPACK ™ 600, 1200, 1700 volts class ............................. 9
IGBT Module 2-Pack
Standard 2-Pack 600, 1200, 1700 volts class ......................................11
High Power Module 1200, 1700, 3300 volts class .............................. 13
PrimePACK ™ 1200, 1700 volts class ................................................... 14
IGBT Module 1-Pack
Standard 1-Pack 1200 volts class ........................................................... 15
High Power Module 1200, 1700, 3300 volts class .............................. 16
IGBT Module Chopper
Chopper 600, 1200 volts class ................................................................ 17
PrimePACK ™ 1200, 1700 volts class ................................................... 18
IGBT Module High Speed
High Speed 1200 volts class .................................................................... 19
IGBT Module 3-level
Advanced T/I-type NPC 3-level Circuits 600, 1200 volts class ........ 20
IGBT Module IPM
Small IPM (Intelligent Power Module) 600 volts class ......................... 22
IPM (Intelligent Power Module) 600, 1200 volts class......................... 23
Discrete IGBT
Discrete RB-IGBT ........................................................................................ 26
Discrete IGBT High Speed V series 600V, 1200V class..................... 26
Discrete IGBT High Speed V2 series 1200V class .............................. 27
IGBT Module for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle
Features of IGBT IPM for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle............... 28
Features of IGBT Module for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle.......... 28
IC
IGBT モジュールの特長
製品系列マップ
IGBT モジュール PIM
小容量 PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）600V, 1200V クラス
MiniSKiiP®（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）1200V クラス
PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵） EconoPIM ™ 600V, 1200V クラス
IGBT モジュール 6-Pack
６個組 EconoPACK ™ 600V, 1200V, 1700V クラス
IGBT モジュール 2-Pack
２個組 600V, 1200V, 1700V クラス
ハイパワーモジュール 1200V, 1700V, 3300V クラス
PrimePACK ™ 1200V, 1700V クラス
IGBT モジュール 1-Pack
1 個組 1200V クラス
ハイパワーモジュール 1200V, 1700V, 3300V クラス
IGBT モジュール チョッパ
チョッパ 600V, 1200V クラス
PrimePACK ™ 1200V, 1700V クラス
IGBT モジュール 高速タイプ
高速 IGBT モジュール 1200V クラス
IGBT モジュール ３レベル
アドバンスド T/I タイプ NPC３レベル回路 600V, 1200V クラス
IGBT モジュール IPM
小容量 IPM（Intelligent Power Module）600V クラス
IPM（Intelligent Power Module）600V, 1200V クラス
ディスクリート IGBT
ディスクリート RB-IGBT
ディスクリート IGBT High Speed V シリーズ 600V, 1200V クラス
ディスクリート IGBT High Speed V2 シリーズ 1200V クラス
EV, HEV 用 IGBT モジュール
EV, HEV 用 IGBT IPM の特長
EV, HEV 用 IGBT モジュールの特長
IGBT
1. パワーデバイス /Power Devices (IGBT)
SiC-SBD 搭載 IGBT ハイブリッドモジュール V シリーズ
SiC ショットキーバリアダイオード
IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series ................................................ 29
SiC Schottky-Barrier Diodes (SBD) .................................................................. 31
3. 集積回路 /Integrated Circuits
電源制御用 IC の特長
AC/DC 電源制御用 IC
ハイサイド・ローサイドドライバ IC
DC/DC 電源制御用 IC
Features of Power Supply control ICs ............................................................. 33
AC/DC Power Supply control ICs .................................................................... 35
High and Low side driver ICs ............................................................................ 44
DC/DC Power Supply control ICs.................................................................... 45
MOSFET
2. SiC デバイス /SiC Devices
Features of the Super J-MOS® series .............................................................. 46
Features of the SuperFAP-E3, E3S series ........................................................ 47
Features of the SuperFAP-G series ................................................................. 47
Super J-MOS® S1 series .................................................................................... 49
Super J-MOS® S1FD series (Built-in FRED type) .......................................... 50
SuperFAP-E3S series ........................................................................................... 51
SuperFAP-E3S Low Qg series ............................................................................ 55
SuperFAP-G series.............................................................................................. 57
SuperFAP-G Built-in FRED series .................................................................... 61
Trench Power MOSFET ..................................................................................... 62
Automotive Super J-MOS® S1 series ............................................................... 63
Automotive Super J-MOS® S1FD series (Built-in FRED type)..................... 63
Automotive MOSFET（Trench Power MOS、SuperFAP-E3S）..................... 64
Automotive SuperFAP-E3S Low Qg series ....................................................... 64
Automotive SuperFAP-E3S Low Qg Built-in FRED series ............................. 65
Automotive Trench Power MOSFET ................................................................ 65
Automotive Intelligent Power MOSFET ........................................................... 66
Automotive IPS series (Intelligent Power Switches) ...................................... 66
Pressure Sensor
Super J-MOS® シリーズの特長
SuperFAP-E3, E3S シリーズの特長
SuperFAP-G シリーズの特長
Super J-MOS® S1 シリーズ
Super J-MOS® S1FD シリーズ 高速ダイオード内蔵シリーズ
SuperFAP-E3 シリーズ
SuperFAP-E3S 低 Qg シリーズ
SuperFAP-G シリーズ
SuperFAP-G シリーズ 高速ダイオード内蔵シリーズ
中耐圧トレンチ シリーズ
自動車用 Super J-MOS® S1 シリーズ
自動車用 Super J-MOS® S1FD シリーズ（高速ダイオード内蔵タイプ）
自動車用 MOSFET（Trench Power MOS、SuperFAP-E3S）
自動車用 SuperFAP-E3S 低 Qg シリーズ
自動車用 SuperFAP-E3S 低 Qg 高速ダイオード内蔵シリーズ
自動車用トレンチ MOSFET
自動車用高機能パワー MOSFET
自動車用 IPS シリーズ（インテリジェントパワースイッチ）
Diode
4. パワー MOSFET/Power MOSFETs
SBD, LLD の特長
ショットキーバリアダイオード
超低 IR ショットキーバリアダイオード
低 IR ショットキーバリアダイオード
スーパー LLD2（臨界モード PFC 回路用）
スーパー LLD3（連続モード PFC 回路用）
低損失超高速ダイオード
低損失超高速低ノイズダイオード
ショットキーバリアダイオード
低損失超高速ダイオード
600V 超高速ダイオード
1200V 低ノイズ高速ダイオード
Features of the SBD, LLD.................................................................................. 67
Schottky-Barrier Diodes (SBD) .......................................................................... 69
Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes .............................................................. 71
Low IR Schottky-Barrier Diodes ........................................................................ 72
Super LLD 2 (Critical mode PFC) .................................................................... 75
Super LLD 3 (Continuous mode PFC) ............................................................. 76
Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD)............................................................ 77
Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD) ................................................... 78
Schottky-Barrier Diodes (SBD) .......................................................................... 79
Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD)............................................................ 79
Ultra Fast Recovery Diodes ............................................................................... 80
Soft Recovery Fast Recovery Diodes .............................................................. 81
6. 圧力センサ /Pressure Sensors
圧力センサ
外形図
注文単位
型式索引
保守移行機種
廃型機種
お知らせ
Pressure Sensors................................................................................................. 82
Outline ......................................................................................................................................................................................................... 83
Order Quantity .................................................................................................................................................................................... 100
Type Number Index ........................................................................................................................................................................ 101
Maintenance products ................................................................................................................................................................. 105
Discontinued products................................................................................................................................................................. 106
Information.............................................................................................................................................................................................. 108
Outline
5. 整流ダイオード /Rectifier Diodes
IGBT
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
富士電機の IGBT モジュールはモータの可変速駆動装置や無
停電電源装置等の電力変換器のスイッチング素子として開発
されてきました。IGBT はパワー MOSFET の高速スイッチン
グ性能とバイポーラトランジスタの高電圧・大電流処理能力
とを合わせ持った半導体素子です。
)XML(OHFWULFKDVEHHQGHYHORSLQJ,*%7PRGXOHVGHVLJQHG
WREHXVHGDVVZLWFKLQJHOHPHQWVIRUSRZHUFRQYHUWHUVRI
YDULDEOHVSHHGGULYHVIRUPRWRUVXQLQWHUUXSWDEOHSRZHU
VXSSOLHVDQGPRUH,*%7KDVVXSHULRUFKDUDFWHULVWLFV
FRPELQLQJWKHKLJKVSHHGVZLWFKLQJSHUIRUPDQFHRID
SRZHU026)(7ZLWKWKHKLJKYROWDJHKLJKFXUUHQWKDQGOLQJ
FDSDELOLWLHVRIDELSRODUWUDQVLVWRU
■ IGBTモジュールの特長 Features of the IGBT Module
■特長 Features
パッケージ小型化と出力のパワー UP を実現！
・高性能、低損失な第六世代 V シリーズ IGBT チップ・FWD
を使用
・Tj max175℃、連続動作保証 150℃
環境に優しいモジュール
・豊富な組立性、ハンダレス組立への対応
・RoHS 対応（一部除外）
ターンオン特性
・ノイズ−損失トレードオフの改善
・dv/dt, dic/dt 低減によるノイズ・振動の抑制
ターンオフ特性
・ソフトスイッチング特性・ターンオフ振動の抑制
Ɣ$FRPSDFWGHVLJQDOORZVIRUJUHDWHUSRZHURXWSXW
ā+LJKSHUIRUPDQFHWKJHQ9VHULHV,*%7):'FKLSVHW
ā7MPD[ &7MRS &
Ɣ(QYLURQPHQWDOO\IULHQGO\PRGXOHV
ā(DV\DVVHPEODJHVROGHUIUHHRSWLRQV
ā5R+6FRPSOLDQW6RPHSDUWVDUHH[FHSWLRQDO
6HH3DUWQXPEHUV
Ɣ7XUQRQVZLWFKLQJFKDUDFWHULVWLFV
ā,PSURYHGQRLVHORVVWUDGHRII
ā5HGXFHGWXUQRQGYGWH[FHOOHQWWXUQRQGLFGW
Ɣ7XUQRIIVZLWFKLQJFKDUDFWHULVWLF
ā6RIWVZLWFKLQJEHKDYLRUWXUQRIIRVFLOODWLRQIUHH
■製品系列 Product lineup
Number of IGBT Switches
Products Category
1
2
1,2
6
Standard 1-pack
Chopper
Standard 2-pack
High Speed Module
High Power Module
PrimePACK™
6-pack
4,12 AT-NPC 3 level
1
Discrete RB-IGBT
7
PIM
6,7
IPM
1
2
6
Discrete IGBT
IPM for EV/HEV
6-pack for EV/HEV
Page
15
17
11
12
19
13,16
14,18
9
10
20
26
5
6
7
22
23
26
28
28
Internal Configuration
Max VCE
IGBT Module
50A
Power
Intelligent Discrete
600V 1200V 1700V 3300V
Standard
IGBT
Integrated Power
Module
Module
Module
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Reverse-Blocking IGBTs are integrated.
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注: PrimePACK™はIn¿neon Technologies社の登録商標です。
Note: PrimePACK™ is registered trademark of In¿neon Technologies AG, Germany.
2
Rated Current
>50A >150A >300A >600A
>1200A
150A 300A 600A 1200A
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パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
■ 製品系列マップ Products Map
1-pack / 2-pack Products Map
Ic
(A)
3600
1MBI Ic
VR
VC
VC
2400
1-pack
VS
VD
VD
M152
UE
VXB
2MBI Ic
M272
VT
VG
M151
M155
M151
M156
UG
1000
V
900
M272
VXA
800
VE
VD
VE
M256
M278 VXA
M271
VX
VN
VJ
M260
VN
VJ
VX
M256 M271
M277
VH
VD
VB
M153
M275
VB
M274
225 VA
200
150
100
75 M263
VA
34 × 94 mm
VB
45 × 92 mm
VD
62 × 108 mm
VE
80 × 110 mm
VH
62 × 108 mm
VJ, VN, VX
62 × 150 mm
140 × 130 mm
VXA
89 × 172 mm
VXB
89 × 250 mm
Standard Pack
High Power
Module
PrimePACK™
M277 M254
M277
M276
M274
VN: M254
VJ: M260
VX: M282
M282
VA M276
M263
M263
600V
1200V
3300V
1700V
M□□□は外形番号を表しています。 M□□□ indicates package number.
2-pack
1-pack
VA
VH
300
0
- Vces
PrimePACK™はInfineon Technologies社の登録商
標です。
PrimePACK™ is registered trademark of Infineon
Technologies AG, Germany
VE
M275
IGBT series
&
Package type
VG, VT
M155
650
600
550
450
400
2-pack
VXB
VG
62 × 108 mm Standard Pack
VC, VR, UG 140 × 130 mm High Power
VD, VS, UE 140 × 190 mm Module
1500
1200
- Vces
V
M152
M156
1600
1400
IGBT series
&
Package type
PIM & 6-pack Products Map
Ic
(A)
550
Power Integrated Module
V
7MBR Ic
V
450
300
225
180
150
VZ
VR
VB
100
VZ
VX
VR
VN
VX
VB
VW
VA
VY
VP
VJC
IGBT series &
Package type
VJA
40 ×
42 mm
VJB
52 ×
59 mm
VJC
59 ×
82 mm
VKA, VKC
33.8 × 62.8 mm
VKB, VKD
56.7 × 62.8 mm
VA, VM, VP, VW, VY
45 × 107.5 mm
VB, VN, VR, VX, VZ
62 ×
IGBT series &
Package type
- Vces
U4B
VW
VA
6-pack
6MBI
Ic
VB, VX, U4B
VB
50
35
30
25
20
15
10
8
0
VKD
VKB
122 mm
VX
VB
VA, VW
75
- Vces
V
45 × 107.5 mm
62 ×
122 mm
150 ×
162 mm
VY
VW
VP
VM
VA
VKD
VKB VJB
VKC
VKA
VA
VKC
VJA VKA
600V
PIM
1200V
1700V
6-pack
3
IGBT
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
■ 製品系列マップ Products Map
Intelligent Power Module Products Map
Ic
(A)
400
6/7MBP Ic IGBT series
VEA
&
Package type
VR□, VS□
300
VDA
VDN
7 in 1 6 in 1
26 ×
43 mm
–
VAA
49.5 ×
70 mm
–
VBA
50.2 ×
87 mm
–
VDA, VDN
200
- Vces
84 × 128.5 mm
VEA
110 ×
142 mm
VFN*
55 ×
90 mm
VR□, VS□, type is Small IPM with High
Voltage Driver-IC.
Thermal impedance of VDN type is lower than
VDA type.
VEA
P631
150
VDA
VFN
100
VDN
P630
P631
VBA
75
VBA
VAA
50
P626
35 VR□
VS□
30
25
20
15
P633
10 P633A
0
P636
VFN
P630
P630
VAA
P626
P636
P630
P629
P629
600V
1200V
P□□□は外形番号を表しています。 P□□□ indicates package number.
■ 型式の見方 Part numbers
0%,9+H[DPSOH
2
MB
IGBT スイッチ数
IGBT モジュール
Number of IGBT
IGBT Module
Switches
I
内部構成
Internal
Configuration
300
V
H
120
50
Rated Current
定格電流
IGBT デバイス
IGBT Device
Technology
パッケージ
Package Type
最大電圧
Max. VCE
RoHS
compliant
I: Standard Modules × 1
R: Power Integrated
Modules
V: V series (6th See the
None, 01 to 49
060: 600V
Generation) Products Map
Non RoHS Compliant
U: U series (5th on the next
50 to 99
120: 1200V
Generation) pages
RoHS Compliant
P: Intelligent Power
Modules
170: 1700V
330: 3300V
■ 記号 Letter symbols
記号 Letter symbols
コレクタ・エミッタ間電圧
9&(6:
9*(6:
IC:
4
ゲート・エミッタ間電圧
コレクタ電流
&ROOHFWRUWRHPLWWHUUDWHGYROWDJH
*DWHWRHPLWWHUVKRUWFLUFXLWHG
*DWHWRHPLWWHUUDWHGYROWDJH
&ROOHFWRUWRHPLWWHUVKRUWFLUFXLWHG
5DWHGFROOHFWRUFXUUHQW
PC :
9&( (sat):
ton:
toff:
tf:
最大損失
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ターンオン時間
ターンオフ時間
立下り時間
0D[LPXPSRZHUGLVVLSDWLRQ
&ROOHFWRUWRHPLWWHUVDWXUDWLRQYROWDJH
7XUQRQWLPH
7XUQRIIWLPH
)DOOWLPH
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
:LWK17&SUHVV¿WSLQV
12
Thermistor
33
48 8
.
62
.8
M726
9
9VHULHV
7MBR10VKA120-50
7MBR15VKA120-50
Thermistor
15A
25A
35A
50A 7MBR50VKB060-50
7MBR15VKB120-50
7MBR25VKB120-50
7MBR35VKB120-50
Thermistor
10A
15A
20A
30A
7MBR10VKC060-50
7MBR15VKC060-50
7MBR20VKC060-50
7MBR30VKC060-50
7MBR10VKC120-50
7MBR15VKC120-50
Thermistor
15A
25A
35A
50A 7MBR50VKD060-50
7MBR15VKD120-50
7MBR25VKD120-50
7MBR35VKD120-50
12
.7
9
9VHULHV
7MBR10VKA060-50
7MBR15VKA060-50
7MBR20VKA060-50
7MBR30VKA060-50
Press fit pins
:LWK17&SUHVV¿WSLQV
56
Ic
10A
15A
20A
30A
IGBT
IGBT モジュール PIM
■小容量PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）600V, 1200Vクラス
Small PIM/Built-in converter and brake 600, 1200 volts class
48 8
.
62
M727
Press fit pins
12
:LWK17&VROGHUSLQV
33
48 8
.
62
.8
M728
Solder pins
12
:LWK17&VROGHUSLQV
56
.7
48 8
.
62
M729
Solder pins
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
7MBR10VKA060-50
7MBR15VKA060-50
7MBR20VKA060-50
7MBR30VKA060-50
7MBR50VKB060-50
7MBR10VKC060-50
7MBR15VKC060-50
7MBR20VKC060-50
7MBR30VKC060-50
7MBR50VKD060-50
7MBR10VKA120-50
7MBR15VKA120-50
7MBR15VKB120-50
7MBR25VKB120-50
7MBR35VKB120-50
7MBR10VKC120-50
7MBR15VKC120-50
7MBR15VKD120-50
7MBR25VKD120-50
7MBR35VKD120-50
インバータ部 InYerter [IG%T]
IC
PC
9C((sat)
9C(S
Cont.
TyS.
9ROWV
AmSs. :atts 9olts
600
10
65
1.70
600
15
80
1.70
600
20
90
1.70
600
30
115
1.70
600
50
180
1.60
600
10
65
1.70
600
15
80
1.70
600
20
90
1.70
600
30
115
1.70
600
50
180
1.60
1200
10
110
1.85
1200
15
135
1.90
1200
15
135
1.90
1200
25
180
1.85
1200
35
215
1.85
10
110
1.85
1200
1200
15
135
1.90
1200
15
135
1.90
1200
25
180
1.85
1200
35
215
1.85
ブレーキ部 %rake [IG%T+):'] コンバータ部 ConYerter ['iode]
9C(S
IC
9RR0
9RR0
I2
9)0
I)S0
Cont.
Cont.
TyS.
9ROWV
9ROWV
AmSs. 9ROWV
AmSs. 9olts
AmSs.
600
10
600
800
10
0.95
360
600
15
600
800
15
1.00
360
600
20
600
800
20
1.05
360
600
30
600
800
30
1.15
360
600
50
600
800
50
1.25
580
600
10
600
800
10
0.95
360
600
15
600
800
15
1.00
360
600
20
600
800
20
1.05
360
600
30
600
800
30
1.15
360
600
50
600
800
50
1.25
580
1200
10
1200
1600
10
0.95
245
1200
15
1200
1600
15
1.00
245
1200
15
1200
1600
15
1.00
245
1200
25
1200
1600
25
1.00
370
1200
35
1200
1600
35
1.05
370
1200
10
1200
1600
10
0.95
245
1200
15
1200
1600
15
1.00
245
1200
15
1200
1600
15
1.00
245
1200
25
1200
1600
25
1.00
370
1200
35
1200
1600
35
1.05
370
パッケージ 質量 Package Net
mass
Grams
0
25
0
25
0
25
0
25
0
45
0
25
0
25
0
25
0
25
0
45
0
25
0
25
0
45
0
45
0
45
0
25
0
25
0
45
0
45
0
45
9&(VDW9)0: at Tj=25℃&KLS
5
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
IGBT モジュール PIM
■MiniSKiiP®（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）1200Vクラス
MiniSKiiP®/Built-in converter and brake 1200 volts class
P
R
40
42
59
82
M725
S
N
Gb
Nb
N1
P
Pb
P1
B
T
M724
R
59
S
P1
B
T
M723
R
52
S
Pb
N
Gb
Nb
N1
P
Pb
P1
B
T
N
Gb
Nb
Gu
Eu
U
Gv
Ev
V
Gw
Ew
W
Gx
GY
Gz
Thermistor
T1
T2
En
Gu
Eu
U
Gv
Ev
V
Gw
Ew
W
Gx
GY
Gz
Thermistor
T1
T2
En
Gu
Eu
U
Gv
Ev
V
Gw
Ew
W
Gx
GY
Gz
N1
Thermistor
T1
T2
En
9
9VHULHV
8A 7MBR8VJA120-50
7MBR8VJA120-53
15A 7MBR15VJA120-50
7MBR15VJA120-53
Ic
25A 7MBR25VJB120-50
7MBR25VJB120-53
35A 7MBR35VJB120-50
7MBR35VJB120-53
7MBR35VJB120A-50
7MBR35VJB120A-53
50A 7MBR50VJC120-50
7MBR50VJC120-53
75A 7MBR75VJC120-50
7MBR75VJC120-53
100A 7MBR100VJC120-50
7MBR100VJC120-53
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
7MBR8VJA120-50
7MBR8VJA120-53
7MBR15VJA120-50
7MBR15VJA120-53
7MBR25VJB120-50
7MBR25VJB120-53
7MBR35VJB120-50
7MBR35VJB120-53
7MBR35VJB120A-50
7MBR35VJB120A-53
7MBR50VJC120-50
7MBR50VJC120-53
7MBR75VJC120-50
7MBR75VJC120-53
7MBR100VJC120-50
7MBR100VJC120-53
インバータ部 InYerter [IG%T] ブレーキ部 %rake [IG%T+):']
IC
9C((sat)
9C(S
IC
9RR0
9C(S
Cont.
TyS.
Cont.
9ROWV
9ROWV
9ROWV
AmSs.
9olts
AmSs.
1200
8
2.25
1200
8
1200
1200
8
2.25
1200
8
1200
1200
15
2.30
1200
15
1200
1200
15
2.30
1200
15
1200
1200
25
2.30
1200
25
1200
1200
25
2.30
1200
25
1200
1200
35
2.30
1200
35
1200
1200
35
2.30
1200
35
1200
1200
35
2.30
1200
35
1200
1200
35
2.30
1200
35
1200
1200
50
2.30
1200
50
1200
1200
50
2.30
1200
50
1200
1200
75
2.30
1200
75
1200
1200
75
2.30
1200
75
1200
1200
100
2.20
1200
100
1200
1200
100
2.20
1200
100
1200
●：新製品 NeZ ProdXcts
注1：0iniSKiiP®はS(0IKR2N INT(RNATI2NAL 社の登録商標です。
注2："50"はStandard Lid使用タイプ、"53"はSlim Lid使用タイプです。
Note1: 0iniSKiiP® is a registered trademark of S(0IKR2N INT(RNATI2NAL GmEH.
Note2: "50" indicates Standard Lid tySes and "53" indicates Slim Lid tySes.
6
コンバータ部 ConYerter ['iode]
9RR0
I2
9)0
I)S0
Cont.
TyS.
9ROWV
AmSs.
9olts
AmSs.
1600
8
1.00
220
1600
8
1.00
220
1600
15
1.10
220
1600
15
1.10
220
1600
25
1.10
370
1600
25
1.10
370
1600
35
1.20
370
1600
35
1.20
370
1600
35
1.05
700
1600
35
1.05
700
1600
50
1.10
700
1600
50
1.10
700
1600
75
1.25
700
1600
75
1.25
700
1600
100
1.15
1000
1600
100
1.15
1000
パッケージ 質量 Package Net
mass
Grams
0
40
0
40
0
40
0
40
0
65
0
65
0
65
0
65
0
65
0
65
0
95
0
95
0
95
0
95
0
95
0
95
9&(VDW9)0: at Tj=25℃&KLS
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
:LWK17&VROGHUSLQV3,0
Thermistor
P P1
R
45
S
T
7.5
10
U
B
W
V
N N1
M711
Power Flow
INV
REC
62
R S T
INPUT
2
12
M712
W
U V
OUTPUT
Thermistor
P P1
45
R
7.5
10
S
T
M719
U
B
2
12
R S T
INPUT
M720
W
U V
OUTPUT
Thermistor
P P1
R
S
T
M719
N N1
R
INPUT
S
T
62
U
B
7.5
10
2
12
M720
35A
50A
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100A 7MBR100VB060-50
7MBR35VB120-50
7MBR50VB120-50
7MBR75VB120-50
25A
35A
50A
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7MBR35VM120-50
7MBR50VM120-50
50A
75A
100A
150A
7MBR50VN120-50
7MBR75VN120-50
7MBR100VN120-50
7MBR150VN120-50
25A
35A
50A
75A
100A
50A
75A
100A
150A
7MBR25VP120-50
7MBR35VP120-50
7MBR50VP120-50
W
V
INV
REC
45
9
9VHULHV
7MBR25VA120-50
7MBR35VA120-50
N N1
Power Flow
62
9
Ic
9VHULHV
25A
35A
50A 7MBR50VA060-50
IGBT
IGBT モジュール PIM
■ PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵） EconoPIM™ 600V, 1200Vクラス
PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 600, 1200 volts class
Power Flow
REC
INV
V
W
7MBR50VP060-50
7MBR75VP060-50
7MBR100VP060-50
7MBR100VR060-50
7MBR150VR060-50
7MBR50VR120-50
7MBR75VR120-50
7MBR100VR120-50
7MBR150VR120-50
OUTPUT U V W
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
7MBR50VA060-50
7MBR75VB060-50
7MBR100VB060-50
7MBR50VP060-50
7MBR75VP060-50
7MBR100VP060-50
7MBR100VR060-50
7MBR150VR060-50
7MBR25VA120-50
7MBR35VA120-50
7MBR35VB120-50
7MBR50VB120-50
7MBR75VB120-50
7MBR25VM120-50
7MBR35VM120-50
7MBR50VM120-50
7MBR50VN120-50
7MBR75VN120-50
7MBR100VN120-50
7MBR150VN120-50
7MBR25VP120-50
7MBR35VP120-50
7MBR50VP120-50
7MBR50VR120-50
7MBR75VR120-50
7MBR100VR120-50
7MBR150VR120-50
インバータ部 InYerter [IG%T]
9C(S
IC
PC
9C((sat)
Cont.
TyS.
9ROWV
AmSs. :atts
9olts
600
50
200
1.6
600
75
300
1.6
600
100
335
1.6
600
50
200
1.6
600
75
300
1.6
600
100
430
1.85
600
100
335
1.6
600
150
485
1.6
1200
25
170
1.85
1200
35
210
1.85
1200
35
210
1.85
1200
50
280
1.85
1200
75
385
1.85
1200
25
170
1.85
1200
35
210
1.85
1200
50
280
1.85
1200
50
280
1.85
1200
75
385
1.85
1200
100
520
1.75
1200
150
885
1.85
1200
25
170
1.85
1200
35
210
1.85
1200
50
280
1.85
1200
50
280
1.85
1200
75
385
1.85
1200
100
520
1.75
1200
150
885
1.85
ブレーキ部 %rake [IG%T+):']
9C(S
IC
9RR0
Cont.
9ROWV
AmSs. 9ROWV
600
50
600
600
50
600
600
50
600
600
50
600
600
50
600
600
50
600
600
50
600
600
75
600
1200
25
1200
1200
25
1200
1200
25
1200
1200
35
1200
1200
50
1200
1200
25
1200
1200
25
1200
1200
35
1200
1200
35
1200
1200
50
1200
1200
75
1200
1200
100
1200
1200
25
1200
1200
25
1200
1200
35
1200
1200
35
1200
1200
50
1200
1200
75
1200
1200
100
1200
注: (conoPI0™はIn¿neon Technologies社の登録商標です。
Note: (conoPI0™ is registered trademarks of In¿neon Technologies AG, Germany.
コンバータ部 ConYerter ['iode]
9RR0
I2
9)0
I)S0
Cont.
TyS.
9ROWV
AmSs. 9olts
AmSs.
800
50
1.3
210
800
75
1.25
500
800
100
1.25
700
800
50
1.3
210
800
75
1.25
500
800
100
1.25
700
800
100
1.25
700
800
150
1.25
700
1600
25
1.4
155
1600
35
1.35
260
1600
35
1.35
260
1600
50
1.35
360
1600
75
1.4
520
1600
25
1.4
155
1600
35
1.35
260
1600
50
1.35
360
1600
50
1.35
360
1600
75
1.4
520
1600
100
1.5
520
1600
150
1.4
780
1600
25
1.4
155
1600
35
1.35
260
1600
50
1.35
360
1600
50
1.35
360
1600
75
1.4
520
1600
100
1.5
520
1600
150
1.4
780
パッケージ
Package
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
質量 Net
mass
Grams
180
300
300
200
200
200
310
310
180
180
300
300
300
200
200
200
310
310
310
310
200
200
200
310
310
310
310
9&( (sat), 9)0: at Tj=25℃, Chip
7
IGBT
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT モジュール PIM
■ PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵） EconoPIM™ 600V, 1200Vクラス
PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 600, 1200 volts class
:LWK17&SUHVV¿WSLQV3,0
Ic
25A
35A
50A
Thermistor
P P1
45
R
7.5
10
M721
S
T
U
B
V
9
9VHULHV
9
9VHULHV
7MBR25VW120-50
7MBR35VW120-50
7MBR50VW120-50
W
N N1
Press fit pins
Power Flow
INV
REC
R S T
INPUT
W
U V
OUTPUT
50A
75A
100A
150A
7MBR50VX120-50
7MBR75VX120-50
7MBR100VX120-50
7MBR150VX120-50
25A
35A
50A 7MBR50VY060-50
75A 7MBR75VY060-50
100A 7MBR100VY060-50
7MBR25VY120-50
7MBR35VY120-50
7MBR50VY120-50
50A
75A
100A 7MBR100VZ060-50
150A 7MBR150VZ060-50
7MBR50VZ120-50
7MBR75VZ120-50
7MBR100VZ120-50
7MBR150VZ120-50
2
12
62
M722
Press fit pins
Thermistor
P P1
45
R
7.5
10
M721
S
T
U
B
V
Press fit pins
R
INPUT
S
T
Power Flow
REC
INV
OUTPUT U V W
62
W
N N1
2
12
M722
Press fit pins
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
7MBR50VY060-50
7MBR75VY060-50
7MBR100VY060-50
7MBR100VZ060-50
7MBR150VZ060-50
7MBR25VW120-50
7MBR35VW120-50
7MBR50VW120-50
7MBR50VX120-50
7MBR75VX120-50
7MBR100VX120-50
7MBR150VX120-50
7MBR25VY120-50
7MBR35VY120-50
7MBR50VY120-50
7MBR50VZ120-50
7MBR75VZ120-50
7MBR100VZ120-50
7MBR150VZ120-50
インバータ部 InYerter [IG%T]
IC
PC
9C((sat)
9C(S
Cont.
TyS.
9ROWV
AmSs. :atts
9olts
600
50
215
1.6
600
75
300
1.6
600
100
430
1.85
600
100
335
1.6
600
150
485
1.6
1200
25
170
1.85
1200
35
210
1.85
1200
50
280
1.85
1200
50
280
1.85
1200
75
385
1.85
1200
100
520
1.75
1200
150
885
1.85
1200
25
170
1.85
1200
35
210
1.85
1200
50
280
1.85
1200
50
280
1.85
1200
75
385
1.85
1200
100
520
1.75
1200
150
885
1.85
ブレーキ部 %rake [IG%T+):']
9C(S
IC
9RR0
Cont.
9ROWV
AmSs. 9ROWV
600
50
600
600
50
600
600
50
600
600
50
600
600
75
600
1200
25
1200
1200
25
1200
1200
35
1200
1200
35
1200
1200
50
1200
1200
75
1200
1200
100
1200
1200
25
1200
1200
25
1200
1200
35
1200
1200
35
1200
1200
50
1200
1200
75
1200
1200
100
1200
注: (conoPI0™はIn¿neon Technologies社の登録商標です。
Note: (conoPI0™ is registered trademarks of In¿neon Technologies AG, Germany.
8
コンバータ部 ConYerter ['iode]
9RR0
I2
9)0
I)S0
Cont.
TyS.
9ROWV
AmSs. 9olts
AmSs.
800
50
1.3
210
800
75
1.25
500
800
100
1.25
700
800
100
1.25
700
800
150
1.25
700
1600
25
1.4
155
1600
35
1.35
260
1600
50
1.35
360
1600
50
1.35
360
1600
75
1.4
520
1600
100
1.5
520
1600
150
1.4
780
1600
25
1.42
155
1600
35
1.35
260
1600
50
1.35
360
1600
50
1.35
360
1600
75
1.4
520
1600
100
1.5
520
1600
150
1.4
780
パッケージ
Package
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
質量 Net
mass
Grams
200
200
200
310
310
200
200
200
310
310
310
310
200
200
200
310
310
310
310
9&(VDW9)0: at Tj=25℃&KLS
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
:LWK17&VROGHUSLQV
Thermistor
P
U
45
V
W
7.5
10
M636
Thermistor
P
U
9
U series
100A
150A 6MBI150VB-060-50
6MBI100VB-120-50
6MBI150VB-120-50
6MBI180VB-120-50
6MBI180VB-120-55
6MBI100U4B-170-50
6MBI150U4B-170-50
V
50A 6MBI50VW-060-50
75A 6MBI75VW-060-50
100A 6MBI100VW-060-50
6MBI50VW-120-50
6MBI75VW-120-50
6MBI100VW-120-50
100A
150A 6MBI150VX-060-50
6MBI100VX-120-50
6MBI150VX-120-50
6MBI180VX-120-50
6MBI180VX-120-55
W
2
M633
N
Solder pins
Thermistor
P
U
V
W
7.5
10
M647
N
Press fit pins
:LWK17&SUHVV¿WSLQV
Thermistor
P
62
9
9VHULHV
6MBI50VA-120-50
6MBI75VA-120-50
6MBI100VA-120-50
12
:LWK17&SUHVV¿WSLQV
45
9
Ic
9VHULHV
50A 6MBI50VA-060-50
75A 6MBI75VA-060-50
100A 6MBI100VA-060-50
N
Solder pins
:LWK17&VROGHUSLQV
62
IGBT
IGBT モジュール 6-Pack
■６個組 EconoPACK™ 600V, 1200V, 1700Vクラス 6-Pack EconoPACK™ 600, 1200, 1700 volts class
U
V
PC
W
2
12
M648
N
Press fit pins
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
6MBI50VA-060-50
6MBI75VA-060-50
6MBI100VA-060-50
6MBI150VB-060-50
6MBI50VW-060-50
6MBI75VW-060-50
6MBI100VW-060-50
6MBI150VX-060-50
6MBI50VA-120-50
6MBI75VA-120-50
6MBI100VA-120-50
6MBI100VB-120-50
6MBI150VB-120-50
6MBI180VB-120-50
6MBI180VB-120-55
6MBI50VW-120-50
6MBI75VW-120-50
6MBI100VW-120-50
6MBI100VX-120-50
6MBI150VX-120-50
6MBI180VX-120-50
6MBI180VX-120-55
6MBI100U4B-170-50
6MBI150U4B-170-50
9C(S
9G(S
IC
Cont.
9ROWV
600
600
600
600
600
600
600
600
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1700
1700
9olts
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
AmSs. :atts
50
200
75
275
100
335
150
485
50
215
75
300
100
335
150
485
50
280
75
385
100
520
100
520
150
770
150
835
150
1075
50
280
75
385
100
520
100
520
150
770
150
835
150
1075
100
520
150
735
9C((sat) (9G(=159) スイッチングタイム SZitching time
ton
TyS.
IC
toff
tf
7\S
TyS.
TyS.
9ROWV
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
AmSs.
1.6
50
0.36
0.52
0.03
1.6
75
0.36
0.52
0.03
1.6
100
0.36
0.52
0.03
1.6
150
0.36
0.52
0.03
1.6
50
0.36
0.52
0.03
1.6
75
0.36
0.52
0.03
1.6
100
0.36
0.52
0.03
1.6
150
0.36
0.52
0.03
1.85
50
0.39
0.53
0.06
1.85
75
0.39
0.53
0.06
1.75
100
0.39
0.53
0.06
1.75
100
0.39
0.53
0.06
1.75
150
0.39
0.53
0.06
1.85
200
0.39
0.53
0.06
1.85
200
0.39
0.53
0.06
1.85
50
0.39
0.53
0.06
1.85
75
0.39
0.53
0.06
1.75
100
0.39
0.53
0.06
1.75
100
0.39
0.53
0.06
1.75
150
0.39
0.53
0.06
1.85
200
0.39
0.53
0.06
1.85
200
0.39
0.53
0.06
2.25
100
0.62
0.55
0.09
2.25
150
0.62
0.55
0.09
注: (conoPACK™はIn¿neon Technologies社の登録商標です。
60%I1809%12055、60%I1809X12055は低熱抵抗パッケージ適用
Note: (conoPACK™ is registered trademarks of In¿neon Technologies AG, Germany.
60%I1809%12055, 60%I1809X12055; PremiXm tySe (LoZ Thermal ImSedance 9ersion)
パッケージ 質量
Package
Net mass
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Grams
180
180
180
300
200
200
200
300
180
180
180
300
300
300
300
200
200
200
300
300
300
300
300
300
9&(VDW: at Tj=25℃&KLS
9
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
IGBT モジュール 6-Pack
■６個組 EconoPACK™+ 1200V, 1700Vクラス 6-Pack EconoPACK™+ 1200, 1700 volts class
:LWK17&+LJKSRZHUSDFN
Thermistor
T1
T2
V+
U+
C5
15
0
2
16
C3
W+
C1
G5
G3
G1
E5
U1 E3
U2
G4
V1 E1
V2
G2
G6
E6
M629
E4
U-
W1
W2
9
Ic
9VHULHV
225A 6MBI225V-120-50
6MBI225V-120-80
300A 6MBI300V-120-50
6MBI300V-120-80
450A 6MBI450V-120-50
550A 6MBI550V-120-50
9
9VHULHV
6MBI300V-170-50
6MBI450V-170-50
E2
V-
W-
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
○
○
6MBI225V-120-50
6MBI225V-120-80
6MBI300V-120-50
6MBI300V-120-80
6MBI450V-120-50
6MBI550V-120-50
6MBI300V-170-50
6MBI450V-170-50
9C(S
9G(S
IC
Cont.
PC
9ROWV
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1700
1700
9olts
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
AmSs.
225
225
300
300
450
550
300
450
:atts
1070
1070
1600
1600
2250
2500
1665
2500
9C((sat) (9G(=159) スイッチングタイム SZitching time
ton
toff
tf
TyS.
IC
7\S
TyS.
TyS.
9ROWV
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
AmSs.
225
0.55
1.05
0.11
1.85
225
0.55
1.05
0.11
1.85
300
0.55
1.05
0.11
1.75
300
0.55
1.05
0.11
1.75
450
0.55
1.05
0.11
1.75
600
0.55
1.05
0.11
1.85
300
0.90
1.30
0.10
2.00
450
0.90
1.30
0.10
2.00
○：開発中 Under deYeloSment
注: (conoPACK™+はIn¿neon Technologies社の登録商標です。
80 : 高熱伝導体のTI0
（ThermalInterface0aterial）をモジュールベース面に塗布。
Note: (conoPACK™+ is registered trademarks of In¿neon Technologies AG, Germany.
80 : PreASSlied ThermalInterface0aterial
10
パッケージ 質量
Package
Net mass
0
0
0
0
0
0
0
0
Grams
950
950
950
950
950
950
950
950
9&(VDW9)0: at Tj=25℃&KLS
IGBT モジュール 2-Pack
■２個組 600V, 1200V, 1700Vクラス Standard 2-Pack 600, 1200, 1700 volts class
34
Ic
75A
100A
150A
200A
150A
200A
300A
400A
94
M263
45
92
9
9VHULHV
2MBI100VA-060-50
2MBI150VA-060-50
2MBI200VA-060-50
9
9VHULHV
2MBI75VA-120-50
2MBI100VA-120-50
2MBI150VA-120-50
9
9VHULHV
2MBI75VA-170-50
2MBI100VA-170-50
2MBI150VB-120-50
2MBI200VB-120-50
2MBI300VB-060-50
2MBI400VB-060-50
M274
300A
400A 2MBI400VD-060-50
600A 2MBI600VD-060-50
62
8
10
M275
* 2MBI450VH-120F-50
62
8
10
150A
200A
300A
450A
M276
80
2MBI300VD-120-50
2MBI400VD-120-50
300A
400A
450A
600A 2MBI600VE-060-50
0
11
2MBI200VH-120-50
2MBI300VH-120-50
2MBI450VH-120-50
2MBI450VH-120F-50
2MBI300VE-120-50
2MBI150VH-170-50
2MBI200VH-170-50
2MBI300VH-170-50
2MBI300VE-170-50
2MBI400VE-170-50
2MBI450VE-120-50
2MBI600VE-120-50
M277
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
●
●
●
2MBI100VA-060-50
2MBI150VA-060-50
2MBI200VA-060-50
2MBI300VB-060-50
2MBI400VB-060-50
2MBI400VD-060-50
2MBI600VD-060-50
2MBI600VE-060-50
2MBI75VA-120-50
2MBI100VA-120-50
2MBI150VA-120-50
2MBI150VB-120-50
2MBI200VB-120-50
2MBI300VD-120-50
2MBI400VD-120-50
2MBI200VH-120-50
2MBI300VH-120-50
2MBI450VH-120-50
2MBI450VH-120F-50
2MBI300VE-120-50
2MBI450VE-120-50
2MBI600VE-120-50
2MBI75VA-170-50
2MBI100VA-170-50
2MBI150VH-170-50
2MBI200VH-170-50
2MBI300VH-170-50
2MBI300VE-170-50
2MBI400VE-170-50
●：新製品 NeZ ProdXcts
9C(S
9G(S
IC
Cont.
9ROWV
600
600
600
600
600
600
600
600
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
9olts
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
AmSs. :atts
100
330
150
480
200
640
300
1360
400
1970
400
1970
600
2940
600
2940
75
390
100
555
150
785
150
1070
200
1500
300
2200
400
3330
200
1110
300
1600
450
2400
450
2400
300
2200
450
3350
600
4800
75
555
100
665
150
1110
200
1250
300
1805
300
2830
400
3840
PC
9C((sat) (9G(=159) スイッチングタイム SZitching time
ton
7\S
toff
tf
IC
7\S
TyS.
TyS.
9ROWV
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
AmSs.
1.60
100
0.65
0.60
0.04
1.60
150
0.65
0.60
0.04
1.60
200
0.65
0.60
0.04
1.60
300
0.65
0.60
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1.60
400
0.65
0.60
0.07
1.60
400
0.65
0.60
0.07
1.60
600
0.75
0.75
0.07
1.60
600
0.75
0.75
0.07
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75
0.60
0.60
0.04
1.85
100
0.60
0.60
0.04
1.85
150
0.60
0.60
0.04
1.85
150
0.60
0.80
0.08
1.75
200
0.60
0.80
0.08
1.85
300
0.60
0.80
0.08
1.75
400
0.60
0.80
0.08
1.75
200
0.60
0.80
0.08
1.75
300
0.60
0.80
0.08
1.80
450
0.60
0.80
0.08
1.80
450
0.60
0.80
0.08
1.85
300
0.60
0.80
0.08
1.80
450
0.60
0.80
0.08
1.75
600
0.60
0.80
0.08
2.00
75
1.25
1.30
0.15
2.00
100
1.25
1.30
0.15
2.00
150
0.95
1.05
0.14
2.00
200
1.15
1.05
0.14
2.00
300
1.15
1.05
0.14
2.00
300
1.15
1.05
0.14
2.00
400
1.15
1.05
0.14
パッケージ 質量
Package
Net mass
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Grams
180
180
180
240
240
370
370
470
180
180
180
240
240
370
370
370
370
370
370
470
470
470
180
180
370
370
370
470
470
9&(VDW: at Tj &&KLS
11
IGBT
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
IGBT モジュール 2-Pack
■２個組 1200V, 1700Vクラス Standard 2-Pack 1200, 1700 volts class
:LWK17&VROGHUSLQV
Ic
Thermistor
0
15
62
M254
:LWK17&3UHVV¿WSLQV
Thermistor
9
9VHULHV
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2MBI225VN-120-80
2MBI225VN-120S-50
300A 2MBI300VN-120-50
2MBI300VN-120S-50
450A 2MBI450VN-120-50
2MBI450VN-120-80
2MBI450VN-120S-50
550A
600A 2MBI600VN-120-50
2MBI600VN-120-80
225A 2MBI225VX-120-50
300A 2MBI300VX-120-50
450A 2MBI450VX-120-50
550A
600A 2MBI600VX-120-50
9
9VHULHV
2MBI300VN-170-50
2MBI450VN-170-50
2MBI550VN-170-50
2MBI225VX-170-50
2MBI300VX-170-50
2MBI450VX-170-50
2MBI550VX-170-50
0
15
62
M282
:LWK17&VSULQJFRQWDFWV
Thermistor
0
15
62
M260
225A 2MBI225VJ-120-50
300A 2MBI300VJ-120-50
450A 2MBI450VJ-120-50
2MBI450VJ-120-80
550A
600A 2MBI600VJ-120-50
2MBI600VJ-120-80
2MBI550VJ-170-50
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
○
●
●
○
●
○
●
●
●
●
○
○
●
●
●
●
2MBI225VN-120-50
2MBI225VN-120-80
2MBI225VN-120S-50
2MBI300VN-120-50
2MBI300VN-120S-50
2MBI450VN-120-50
2MBI450VN-120-80
2MBI450VN-120S-50
2MBI600VN-120-50
2MBI600VN-120-80
2MBI225VX-120-50
2MBI300VX-120-50
2MBI450VX-120-50
2MBI600VX-120-50
2MBI225VJ-120-50
2MBI300VJ-120-50
2MBI450VJ-120-50
2MBI450VJ-120-80
2MBI600VJ-120-50
2MBI600VJ-120-80
2MBI300VN-170-50
2MBI450VN-170-50
2MBI550VN-170-50
2MBI225VX-170-50
2MBI300VX-170-50
2MBI450VX-170-50
2MBI550VX-170-50
2MBI550VJ-170-50
9C(S
9G(S
IC
Cont.
9ROWV
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
9olts
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
AmSs. :atts
225
1070
225
1070
225
1360
300
1595
300
2000
450
2270
450
2270
450
3000
600
3750
600
3750
225
1070
300
1595
450
2270
600
3750
225
1070
300
1595
450
2270
450
2270
600
3750
600
3750
300
1665
450
2500
550
3750
225
1500
300
1665
450
2500
550
3750
550
3750
PC
9C((sat) (9G(=159) スイッチングタイム SZitching time
ton
7\S
toff
tf
IC
7\S
TyS.
TyS.
9ROWV
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
AmSs.
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225
0.55
1.05
0.11
1.85
225
0.55
1.05
0.11
1.85
225
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0.05
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0.55
1.05
0.11
1.75
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1.75
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1.75
450
0.55
1.05
0.11
1.75
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1.85
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1.05
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600
0.55
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1.85
225
0.55
1.05
0.11
1.75
300
0.55
1.05
0.11
1.75
450
0.55
1.05
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1.85
600
0.55
1.05
0.11
1.85
225
0.55
1.05
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1.75
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0.55
1.05
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0.55
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1.85
600
0.55
1.05
0.11
1.85
600
0.55
1.05
0.11
2.00
300
0.90
1.30
0.10
2.00
450
0.90
1.30
0.10
2.15
550
1.00
1.30
0.10
2.00
225
0.90
1.05
0.08
2.00
300
0.90
1.30
0.10
2.00
450
0.90
1.30
0.10
2.15
550
1.00
1.30
0.10
2.15
550
1.00
1.30
0.10
●：新製品 NeZ ProdXcts, ○：開発中 Under deYeloSment
注: 80 : 高熱伝導体のTI0
（ThermalInterface0aterial）をモジュールベース面に塗布。
Note: 80 : PreASSlied ThermalInterface0aterial
12
パッケージ 質量
Package
Net mass
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Grams
300
350
300
300
300
300
350
300
300
350
350
350
350
350
300
300
300
360
300
360
350
350
350
350
350
350
350
360
9&(VDW: at Tj &&KLS
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
SDFN
14
0
9
9VHULHV
Ic
&XEDVHSODWH
600A 2MBI600VG-120P
800A 2MBI800VG-120P
1200A 2MBI1200VG-120P
0
13
9
9VHULHV
&XEDVHSODWH
$,6L&EDVHSODWH
2MBI600VG-170E
2MBI600VT-170E
2MBI800VG-170E
2MBI800VT-170E
2MBI1200VG-170E 2MBI1200VT-170E
IGBT
IGBT モジュール 2-Pack
■ハイパワーモジュール 1200V, 1700V, 3300Vクラス
High Power Module 1200, 1700, 3300 volts class
9
U Series
$,6L&EDVHSODWH
M256, M278
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
2MBI600VG-120P
2MBI800VG-120P
2MBI1200VG-120P
2MBI600VG-170E
2MBI800VG-170E
2MBI1200VG-170E
2MBI600VT-170E
2MBI800VT-170E
2MBI1200VT-170E
9C(S
9G(S
IC
Cont.
9ROWV
1200
1200
1200
1700
1700
1700
1700
1700
1700
9olts
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
AmSs. :atts
600
3940
800
5170
1200
6810
600
4410
800
5760
1200
7500
600
4280
800
5370
1200
7040
Note: 0256: CXEaseSlate 0278: AlSiCEaseSlate
PC
9C((sat) (9G(=159) スイッチングタイム SZitching time
7\S
ton
IC
toff
tf
7\S
TyS.
TyS.
9ROWV
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
AmSs.
1.70
600
1.86
1.25
0.12
1.70
800
1.97
1.33
0.15
1.70
1200
2.55
1.67
0.16
2.00
600
2.28
2.07
0.58
2.00
800
2.41
2.13
0.55
2.00
1200
2.76
2.29
0.33
2.00
600
1.51
2.07
0.58
2.00
800
2.00
2.13
0.55
2.00
1200
2.14
2.29
0.33
パッケージ 質量
Package
Net mass
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Grams
1500
1500
1500
1500
1500
1500
900
900
900
9&(VDW: at Tj &&KLS6ZLWFKLQJWLPHDW7j=125°C
13
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
IGBT モジュール 2-Pack
■PrimePACK™ 1200V, 1700Vクラス PrimePACK™ 1200, 1700 volts class
SDFN
Inverter
89
Thermistor
2
17
M271
SDFN
Inverter
89
9
9VHULHV
Ic
/RZVZLWFKLQJORVV
6RIWWXUQRII
600A 2MBI600VXA-120E-50
2MBI600VXA-120E-54
650A
900A 2MBI900VXA-120E-50
2MBI900VXA-120E-54
1000A
2MBI900VXA-120P-50
2MBI900VXA-120P-54
1400A 2MBI1400VXB-120E-50
2MBI1400VXB-120E-54
2MBI1400VXB-120P-50
2MBI1400VXB-120P-54
Thermistor
0
25
9
9VHULHV
/RZVZLWFKLQJORVV
6RIWWXUQRII
2MBI650VXA-170E-50
2MBI650VXA-170E-54
2MBI650VXA-170EA-50
2MBI650VXA-170EA-54
2MBI900VXA-170E-50
2MBI900VXA-170E-54
2MBI1000VXB-170E-50
2MBI1000VXB-170E-54
2MBI1000VXB-170EA-50
2MBI1000VXB-170EA-54
2MBI1400VXB-170E-50 2MBI1400VXB-170P-50
2MBI1400VXB-170E-54 2MBI1400VXB-170P-54
M272
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
●
●
●
●
○
○
●
●
2MBI600VXA-120E-50
2MBI600VXA-120E-54
2MBI900VXA-120E-50
2MBI900VXA-120E-54
2MBI1400VXB-120E-50
2MBI1400VXB-120E-54
2MBI900VXA-120P-50
2MBI900VXA-120P-54
2MBI1400VXB-120P-50
2MBI1400VXB-120P-54
2MBI650VXA-170E-50
2MBI650VXA-170E-54
2MBI650VXA-170EA-50
2MBI650VXA-170EA-54
2MBI900VXA-170E-50
2MBI900VXA-170E-54
2MBI1000VXB-170E-50
2MBI1000VXB-170E-54
2MBI1000VXB-170EA-50
2MBI1000VXB-170EA-54
2MBI1400VXB-170E-50
2MBI1400VXB-170E-54
2MBI1400VXB-170P-50
2MBI1400VXB-170P-54
9C(S
9G(S
IC
Cont.
9ROWV
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
1700
9olts
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
AmSs. :atts
600
3350
600
3350
900
5100
900
5100
1400
7650
1400
7650
900
5100
900
5100
1400
7650
1400
7650
650
4150
650
4150
650
4150
650
4150
900
5700
900
5700
1000
6250
1000
6250
1000
6250
1000
6250
1400
8820
1400
8820
1400
8820
1400
8820
PC
9C((sat) (9G(=159)
TyS.
IC
9ROWV
1.75
1.75
1.75
1.75
1.75
1.75
1.65
1.65
1.65
1.65
2.00
2.00
2.00
2.00
2.15
2.15
2.00
2.00
2.00
2.00
2.15
2.15
1.90
1.90
AmSs.
600
600
900
900
1400
1400
900
900
1400
1400
650
650
650
650
900
900
1000
1000
1000
1000
1400
1400
1400
1400
スイッチングタイム SZitching time
ton
toff
tf
7\S
TyS.
TyS.
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.70
1.60
0.11
1.70
1.60
0.11
1.70
1.60
0.15
1.70
1.60
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.70
1.60
0.11
1.70
1.60
0.11
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.35
1.80
0.20
1.35
1.80
0.20
パッケージ 質量
Package Net mass
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Grams
850
850
850
850
1250
1250
850
850
1250
1250
850
850
850
850
850
850
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
1250
●：新製品 NeZ ProdXcts, ○：開発中 Under deYeloSment
9&(VDW: at Tj &&KLS
注: PrimePACK™はIn¿neon Technologies社の登録商標です。
54…9sat及び9)のランクをラベルに表示
本ページで(Aの付く型式は、ダイオードの負荷が厳しいアプリケーションに対応し、):'を最適化したことにより、9)および熱抵抗を低減。
Note: PrimePACK™ is registered trademark of In¿neon Technologies AG, Germany.
The SrodXcts Zith sXf¿x‘54’on this Sage are laEeled to sSecify the rank of 9sat and 9).
The SrodXcts Zith‘(A’on this Sage haYe oStimized ):' for the aSSlication caXsing heaYy load throXgh ):'. The oStimized ):' redXces 9) and thermal resis
tance.
14
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
IGBT モジュール 1-Pack
■ 1個組 1200Vクラス Standard 1-Pack 1200 volts class
9
9VHULHV
Ic
62
8
10
$OXPLQLXPR[LGH'&%
400A 1MBI400V-120-50
600A 1MBI600V-120-50
900A 1MBI900V-120-50
$OXPLQLXPQLWULGH'&%
1MBI400VF-120-50
1MBI600VF-120-50
M153
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
1MBI400V-120-50
1MBI600V-120-50
1MBI900V-120-50
1MBI400VF-120-50
1MBI600VF-120-50
9C(S
9G(S
IC
Cont.
9ROWV
1200
1200
1200
1200
1200
9olts
±20
±20
±20
±20
±20
AmSs. :atts
400 2410
600 3000
900 4280
400 3330
600 4680
PC
9C((sat) (9G(=159) スイッチングタイム SZitching time
ton
toff
tf
TyS.
IC
7\S
TyS.
TyS.
9ROWV
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
AmSs.
400
0.60
1.10
0.14
1.75
600
0.70
0.90
0.10
1.75
900
0.70
0.85
0.10
1.90
400
0.60
1.10
0.14
1.75
600
0.70
0.90
0.10
1.75
パッケージ 質量
Package
Net mass
0
0
0
0
0
Grams
380
380
380
380
380
9&(VDW: at Tj &&KLS
15
IGBT
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT モジュール 1-Pack
■ハイパワーモジュール 1200V, 1700V, 3300Vクラス
High Power Module 1200, 1700, 3300 volts class
SDFN
Ic
800A
1000A
1200A
1600A
2400A
1200A
1500A
2400A
3600A
14
0
0
13
M151, M155
SDFN
14
0
9
9VHULHV
&XEDVHSODWH
1MBI1200VC-120P
1MBI1600VC-120P
1MBI2400VC-120P
9
9VHULHV
&XEDVHSODWH
$,6L&EDVHSODWH
1MBI1200VC-170E
1MBI1600VC-170E
1MBI2400VC-170E
9
U Series
$,6L&EDVHSODWH
1MBI800UG-330
1MBI1000UG-330
1MBI1200VR-170E
1MBI1600VR-170E
1MBI2400VR-170E
1MBI1200UE-330
1MBI1500UE-330
1MBI2400VD-120P
1MBI3600VD-120P
1MBI2400VD-170E
1MBI3600VD-170E
1MBI2400VS-170E
1MBI3600VS-170E
0
19
M152, M156
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
1MBI1200VC-120P
1MBI1600VC-120P
1MBI2400VC-120P
1MBI2400VD-120P
1MBI3600VD-120P
1MBI1200VC-170E
1MBI1600VC-170E
1MBI2400VC-170E
1MBI2400VD-170E
1MBI3600VD-170E
1MBI1200VR-170E
1MBI1600VR-170E
1MBI2400VR-170E
1MBI2400VS-170E
1MBI3600VS-170E
1MBI800UG-330
1MBI1000UG-330
1MBI1200UE-330
1MBI1500UE-330
9C(S
9G(S
9ROWV 9olts
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
3300 ±20
3300 ±20
3300 ±20
3300 ±20
IC
Cont.
PC
AmSs.
1200
1600
2400
2400
3600
1200
1600
2400
2400
3600
1200
1600
2400
2400
3600
800
1000
1200
1500
:atts
7890
10340
13630
15780
20540
8820
11700
15000
17640
22380
8570
10710
14010
16120
21120
9600
10400
14700
15600
Note: 0151, 0152: CXEaseSlate 0155, 0156: AlSiCEaseSlate
16
9C((sat) (9G(=159) スイッチングタイム SZitching time
ton
TyS.
IC
toff
tf
7\S
TyS.
TyS.
9ROWV
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
AmSs.
1200
1.73
1.52
0.15
1.70
1600
2.22
1.47
0.19
1.70
2400
3.15
1.93
0.24
1.70
2400
2.38
1.64
0.21
1.70
3600
2.98
2.15
0.27
1.70
1200
2.18
2.20
0.45
2.00
1600
2.28
2.17
0.40
2.00
2400
2.63
2.41
0.38
2.00
2400
2.30
2.22
0.43
2.00
3600
2.27
2.67
0.31
2.00
1200
1.51
2.20
0.45
2.00
1600
1.83
2.17
0.40
2.00
2400
2.51
2.41
0.38
2.00
2400
2.09
2.22
0.43
2.00
3600
2.70
2.66
0.32
2.00
800
3.40
2.40
0.40
2.28
1000
2.50
2.00
0.50
2.46
1200
3.40
2.40
0.40
2.28
1500
3.10
2.60
0.50
2.46
パッケージ 質量
Package
Net mass
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Grams
1500
1500
1500
2300
2300
1500
1500
1500
2300
2300
900
900
900
1300
1300
900
900
1300
1300
9&(VDW: at Tj &&KLS6ZLWFKLQJWLPHDW7j=125°C, at Tj &9$$RQO\
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
Inverse Diode
FWD
C1
E2
NC
34
94
G1 E1 E1C2
G2 E2
M262
Inverse Diode
9
Ic
U series
50A
75A
100A
150A
200A
200A
300A 1MBI300U2H-060L-50
IGBT
IGBT モジュール チョッパ
■ チョッパ 600V, 1200Vクラス Chopper 600, 1200 volts class
9
U series
9VHULHV
1MBI50U4F-120L-50
1MBI75U4F-120L-50
1MBI100U4F-120L-50
1MBI150VA-120L-50
1MBI200VA-120L-50
1MBI200U4H-120L-50
FWD
E2
NC
62
8
10
G1 E1 E1C2
G2 E2
M259
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
●
●
1MBI300U2H-060L-50
1MBI50U4F-120L-50
1MBI75U4F-120L-50
1MBI100U4F-120L-50
1MBI200U4H-120L-50
1MBI150VA-120L-50
1MBI200VA-120L-50
●：新製品 NeZ ProdXcts
9C(S
9G(S
9ROWV 9olts
600
±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
IC
Cont.
PC
AmSs. :atts
300 1000
50
400
75
400
100
540
200 1040
150
785
200
880
9C((sat) (9G(=159) スイッチングタイム SZitching time
ton
toff
tf
TyS.
IC
7\S
TyS.
TyS.
9ROWV
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
AmSs.
300
0.40
0.48
0.07
2.45
50
0.32
0.41
0.07
2.15
75
0.32
0.41
0.07
2.20
100
0.32
0.41
0.07
2.20
200
0.32
0.41
0.07
2.25
150
0.60
0.60
0.04
1.85
200
0.60
0.60
0.04
1.80
パッケージ 質量
Package
Net mass
0
0
0
0
0
0
0
Grams
360
180
180
180
360
180
180
9&(VDW: at Tj &&KLS
17
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
IGBT モジュール チョッパ
■PrimePACK™ 1200V, 1700Vクラス PrimePACK™ 1200, 1700 volts class
&KRSSHU
Low Side
2
89
High Side
Thermistor
17
Thermistor
9
9
9VHULHV
9VHULHV
6RIWWXUQRII/RZVLGH 6RIWWXUQRII+LJKVLGH /RZVZLWFKLQJORVV
/RZVZLWFKLQJORVV
Ic
FRQ¿JXUDWLRQ
FRQ¿JXUDWLRQ
/RZVLGHFRQ¿JXUDWLRQ +LJKVLGHFRQ¿JXUDWLRQ
1MBI650VXA-170EL-50 1MBI650VXA-170EH-50
650A
1MBI650VXA-170EL-54 1MBI650VXA-170EH-54
M271
&KRSSHU
1MBI1000VXB-170EL-50 1MBI1000VXB-170EH-50
1MBI1000VXB-170EL-54 1MBI1000VXB-170EH-54
1400A 1MBI1400VXB-120PL-54 1MBI1400VXB-120PH-54 1MBI1400VXB-170EL-54 1MBI1400VXB-170EH-54
1000A
0
25
89
M272
'imension [mm]
9C(S
型 式
'HYLFHW\SH
○
○
1MBI1400VXB-120PL-54
1MBI1400VXB-120PH-54
1MBI650VXA-170EL-50
1MBI650VXA-170EL-54
1MBI1000VXB-170EL-50
1MBI1000VXB-170EL-54
1MBI1400VXB-170EL-54
1MBI650VXA-170EH-50
1MBI650VXA-170EH-54
1MBI1000VXB-170EH-50
1MBI1000VXB-170EH-54
1MBI1400VXB-170EH-54
9G(S
9ROWV 9olts
1200 ±20
1200 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
9C((sat) (9G(=159)
TyS.
IC
IC
Cont.
PC
AmSs.
1400
1400
650
650
1000
1000
1400
650
650
1000
1000
1400
:atts 9ROWV
7650 1.65
7650 1.65
4150 2.00
4150 2.00
6250 2.00
6250 2.00
8820 2.15
4150 2.00
4150 2.00
6250 2.00
6250 2.00
8820 2.15
AmSs.
1400
1400
650
650
1000
1000
1400
650
650
1000
1000
1400
スイッチングタイム SZitching time
ton
toff
tf
7\S
TyS.
TyS.
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
1.00
1.20
0.15
1.00
1.20
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
1.25
1.55
0.15
Low Side
High Side
Thermistor
89
Thermistor
2
17
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Grams
1250
1250
850
850
1250
1250
1250
850
850
1250
1250
1250
9&(VDW: at Tj=25℃&KLS
○：開発中 Under deYeloSment
注: PrimePACK™はIn¿neon Technologies社の登録商標です。
54…9sat及び9)のランクをラベルに表示
Note: PrimePACK™ is registered trademark of In¿neon Technologies AG, Germany.
The SrodXcts Zith sXf¿x‘54’on this Sage are laEeled to sSecify the rank of 9sat and 9).
&KRSSHU
パッケージ 質量
Package Net mass
9
9VHULHV
%RRVW/RZVLGH
%XFN+LJKVLGH
Ic
&KRSSHU
&KRSSHU
900A 1MBI900VXA-120PD-50 1MBI900VXA-120PC-50
1MBI900VXA-120PD-54 1MBI900VXA-120PC-54
9
9VHULHV
%RRVW/RZVLGH
%XFN+LJKVLGH
&KRSSHU
&KRSSHU
M271
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
1MBI900VXA-120PC-50
1MBI900VXA-120PC-54
1MBI900VXA-120PD-50
1MBI900VXA-120PD-54
9C(S
9G(S
9ROWV 9olts
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
9C((sat) (9G(=159)
TyS.
IC
IC
Cont.
PC
AmSs.
900
900
900
900
:atts 9ROWV
5100 1.65
5100 1.65
5100 1.65
5100 1.65
AmSs.
900
900
900
900
スイッチングタイム SZitching time
ton
toff
tf
7\S
TyS.
TyS.
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
1.10
1.20
0.15
1.10
1.20
0.15
1.10
1.20
0.15
1.10
1.20
0.15
注: PrimePACK™はIn¿neon Technologies社の登録商標です。
54…9sat及び9)のランクをラベルに表示
逆並列接続ダイオードの電流定格は120Aです。%oost%Xck choSSer回路にのみ適用願います。
Note: PrimePACK™ is registered trademark of In¿neon Technologies AG, Germany.
The SrodXcts Zith sXf¿x‘54’on this Sage are laEeled to sSecify the rank of 9sat and 9).
AntiSarallel diode cXrrent rating is 120A. ASSlication circXit is %oost%Xck choSSer only.
18
パッケージ 質量
Package Net mass
0
0
0
0
Grams
850
850
850
850
9&(VDW: at Tj=25℃&KLS
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
&KRSSHU
IGBT
IGBT モジュール 高速タイプ
■高速IGBTモジュール 1200Vクラス High Speed 1200 volts class
9
+LJK6SHHG,*%7
Ic
200A 1MBI200HH-120L-50
300A 1MBI300HH-120L-50
400A 1MBI400HH-120L-50
Thermistor
8
62
10
M249
SDFN
100A 2MBI100HB-120-50
45
92
M233
SDFN
150A 2MBI150HH-120-50
200A 2MBI200HH-120-50
62
8
10
M249
SDFN
100A
150A
200A
300A
62
2MBI100HJ-120-50
2MBI150HJ-120-50
2MBI200HJ-120-50
2MBI300HJ-120-50
8
10
M276
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
1MBI200HH-120L-50
1MBI300HH-120L-50
1MBI400HH-120L-50
2MBI100HB-120-50
2MBI150HH-120-50
2MBI200HH-120-50
2MBI100HJ-120-50
2MBI150HJ-120-50
2MBI200HJ-120-50
2MBI300HJ-120-50
9C(S
9G(S
IC
Cont.
PC
9ROWV
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
9olts
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
±20
AmSs.
200
300
400
100
150
200
100
150
200
300
:atts
1390
2090
2500
1040
1390
1790
655
925
1385
1950
9C((sat) (9G(=159) スイッチングタイム SZitching time
ton
7\S
toff
tf
IC
7\S
TyS.
TyS.
9ROWV
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
AmSs.
3.10
200
0.2
0.3
0.05
3.20
300
0.2
0.3
0.05
3.10
400
0.2
0.4
0.05
3.10
100
0.30
0.05
3.20
150
0.30
0.05
3.10
200
0.30
0.05
3.20
100
0.25
0.30
0.05
3.20
150
0.25
0.30
0.05
3.20
200
0.25
0.30
0.05
3.20
300
0.25
0.30
0.05
パッケージ 質量
Package
Net mass
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Grams
370
370
370
240
370
370
370
370
370
370
9&(VDW: at Tj &&KLS
19
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
IGBT モジュール ３レベル
■アドバンスドT/IタイプNPC３レベル回路 600V, 1200Vクラス
Advanced T/I-type NPC 3-level Circuits 600, 1200 volts class
■特長 Features
Ɣ $SSOLFDEOHWR7,W\SH13&OHYHOFLUFXLWIRUKLJKSRZHU
FRQYHUVLRQHIILFLHQF\
Ɣ 7KHUHDUHOHJRUOHJSKDVHFLUFXLWVLQRQHSDFNDJH
DQGLWLVHDVLHUWRPDNHVH[WHUQDOZLULQJRIPRGXOH
Ɣ /RZHUVXUJHYROWDJHE\VPDOOHULQWHUQDOSDFNDJHVWUD\
LQGXFWDQFH
Ɣ /RZHUSRZHUORVVFDQEHDFKLHYHGE\XVLQJ5%,*%7DVIRU
$&6:GHYLFH
Ɣ LRZHVWSRZHUORVVFDQEHDFKLHYHGE\XVLQJWK*HQ,*%7
DQG):'DVIRU0DLQ6:GHYLFH
電力変換効率に優れた T/I タイプ NPC3 レベル回路に対応
1 レッグまたは 3 レッグ（3 相分）を 1 パッケージに搭載、
またモジュールの外部配線が容易
低パッケージ内部インダクタンスにより低サージ電圧を実
現
AC-SW 部には RB-IGBT を採用、低損失を実現
メイン SW 部には最新第 6 世代 IGBT,FWD を採用し低損失
を実現
OHJ
T3
T1
9
9VHULHV
9
9VHULHV
4MBI300VG-120R-50
4MBI300VG-120R1-50
4MBI400VF-120R-50
5%,*%7
600V
900V
600V
450A
650A
900A
4MBI450VB-120R1-50
4MBI650VB-120R1-50
4MBI900VB-120R1-50
900V
900V
900V
600A
4MBI600VC-120-50
1200V
Ic
300A
400A 4MBI400VG-060R-50
80
600V
RB-IGBT
0
11
M403
T4
T2
OHJ
0
89
5%,*%7
RB-IGBT
25
M404
OHJ
0
89
25
M404
'imension [mm]
●
●
●
●
●
○
型 式
'HYLFHW\SH
T1, T2
9C(S
4MBI400VG-060R-50
4MBI300VG-120R-50
4MBI300VG-120R1-50
4MBI400VF-120R-50
4MBI450VB-120R1-50
4MBI650VB-120R1-50
4MBI900VB-120R1-50
4MBI600VC-120-50
9ROWV
600
1200
1200
1200
1200
1200
1200
1200
IC
Cont.
AmSs.
400
300
300
400
450
650
900
600
PC
:atts
1135
1250
1500
1835
2205
3060
3950
2865
9C((sat) (9G(=159)
TyS.
IC
9ROWV
AmSs.
400
1.60
300
1.85
300
1.85
400
2.00
450
1.85
650
1.80
900
1.85
600
1.85
●：新製品 NeZ ProdXcts, ○：開発中 Under deYeloSment
注: 製品名に9)が含まれる型式は低熱抵抗パッケージ適用
Note: 9) tySe is loZer thermal resistance Yersion.
20
T3, T4
9C(S
9ROWV
600
600
900
600
900
900
900
1200
IC
Cont.
AmSs.
400
300
300
450
450
650
900
600
PC
:atts
1560
1250
1550
2230
1980
2660
3675
2865
9C((sat) (9G(=159)
TyS.
IC
9ROWV
AmSs.
2.45
400
2.45
300
2.30
300
2.45
400
2.30
450
2.25
650
2.30
900
1.85
600
パッケージ
Package
0
0
0
0
0
0
0
0
質量
Net mass
460
460
460
460
1300
1300
1300
1300
9&(VDW: at Tj &&KLS
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
OHJ
Solder Pins
P
T3u
T3v
T3u
T3w
T3v
T4u
M
U
T4u
T3w
T4v
V
T4v
T4w
W
T4w
9
9VHULHV
Ic
50A
75A
100A
5%,*%7
IGBT
IGBT モジュール ３レベル
■アドバンスドT/IタイプNPC３レベル回路 1200Vクラス
Advanced T/I-type NPC 3-level Circuits 1200 volts class
9
9VHULHV
12MBI50VN-120-50
12MBI75VN-120-50
12MBI100VN-120-50
5%,*%7
600V
600V
600V
12MBI50VX-120-50
12MBI75VX-120-50
12MBI100VX-120-50
600V
600V
600V
N
2
12
62
M1203
OHJ
50A
75A
100A
Press Fit Contacts
P
T3u
T3v
T3u
T3w
T3v
T4u
M
U
T4u
T3w
T4v
T4v
V
T4w
W
T4w
N
62
2
12
M1202
'imension [mm]
●
●
●
●
型 式
'HYLFHW\SH
T1, T2
9C(S
12MBI50VN-120-50
12MBI75VN-120-50
12MBI100VN-120-50
12MBI50VX-120-50
12MBI75VX-120-50
12MBI100VX-120-50
9ROWV
1200
1200
1200
1200
1200
1200
●：新製品 NeZ ProdXcts
IC
Cont.
AmSs.
50
75
100
50
75
100
PC
:atts
230
320
430
230
320
430
9C((sat) (9G(=159)
TyS.
IC
9ROWV
AmSs.
50
1.85
75
1.85
100
1.75
50
1.85
75
1.85
100
1.75
T3, T4
9C(S
9ROWV
600
600
600
600
600
600
IC
Cont.
AmSs.
50
75
100
50
75
100
PC
:atts
235
305
400
235
305
400
9C((sat) (9G(=159)
TyS.
IC
9ROWV
AmSs.
2.45
50
2.45
75
2.45
100
2.45
50
2.45
75
2.45
100
パッケージ
Package
0
0
0
0
0
0
質量
Net mass
302
302
302
302
302
302
9&(VDW: at Tj &&KLS
21
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
IGBT モジュール IPM
■小容量IPM（Intelligent Power Module）600Vクラス
Small IPM (Intelligent Power Module) 600 volts class
Built-in protection functions
P-side fault status output (Alarm)
N-side fault status output (Alarm)
Under voltage protection (self shutdown)
Over current protection (External current detection and shutdown)
Overheating protection (self shutdown)
Temperature sensor output (Vtemp, out)
6PDOO,30ZLWK+LJK9ROWDJH'ULYHU,&
ZLWKRXW%UDNH&KRSSHU
ݱ
3.7
ݱ ݱ ݱ
3.7
26
26
43
43
P633
P633A
ݱ ݱ ݱ ݱ ݱ
9
Ic
9VHULHV
15A 6MBP15VRD060-50
6MBP15VSG060-50
6MBP15VSA060-50
20A 6MBP20VSA060-50
30A 6MBP30VSA060-50
15A 6MBP15VSH060-50
6MBP15VSC060-50
20A 6MBP20VSC060-50
30A 6MBP30VSC060-50
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
●
●
●
●
●
●
●
6MBP15VRD060-50
6MBP15VSG060-50
6MBP15VSA060-50
6MBP20VSA060-50
6MBP30VSA060-50
6MBP15VSH060-50
6MBP15VSC060-50
6MBP20VSC060-50
6MBP30VSC060-50
インバータ部 InYerter 制御部 Control
9C((sat) 9CCL %oot InSXt signal
9C(S IC
AciYe logic
Cont.
9CCH straS
9%
'iode and 9oltage
7\S
7\S
leYel
9ROWV AmSs. 9olts 9ROWV
600 15
1.55
15
%XLOWLQ +LJK9
600 15
1.50
15
%XLOWLQ +LJK9
600 15
1.80
15
%XLOWLQ +LJK9
600 20
1.44
15
%XLOWLQ +LJK9
600 30
1.44
15
%XLOWLQ +LJK9
600 15
1.50
15
%XLOWLQ +LJK9
600 15
1.80
15
%XLOWLQ +LJK9
600 20
1.44
15
%XLOWLQ +LJK9
600 30
1.44
15
%XLOWLQ +LJK9
保護機能 3URWHFWLRQIXQFWLRQ
U9
2C 9temS T2H
9CCL
※1 ※2 ※2
9CCH
9%
31VLGH 1VLGH 1VLGH
31VLGH 1VLGH 1VLGH
31VLGH 1VLGH 1VLGH
31VLGH 1VLGH 1VLGH
31VLGH 1VLGH 1VLGH
31VLGH 1VLGH 1VLGH 1VLGH℃ )
31VLGH 1VLGH 1VLGH 1VLGH℃ )
31VLGH 1VLGH 1VLGH 1VLGH℃ )
31VLGH 1VLGH 1VLGH 1VLGH℃ )
Alarm出力
9)2 faXlt oXtSXt
1VLGH892&
1VLGH892&
1VLGH892&
1VLGH892&
1VLGH892&
1VLGH892&72+
1VLGH892&72+
1VLGH892&72+
1VLGH892&72+
●：新製品 NeZ ProdXcts
※1 外部電流検出方式
※([WHUQDOFXUUHQWGLWHFWLRQ
※/9,&内での温度検出
※7HPSHUDWXUHGHWHFWLRQLQ/9,&
●ブロック図 %lock 'iagram
High side bias voltage for IGBT driving
VB(U)
VB(V)
VB(W)
Power supply VCCH
High side IN(HU)
PWM IN(HV)
signal input IN(HW)
GND COM
High-side Drv.
High-side Drv.
High-side Drv.
P
U
V
W
N(W)
N(V)
N(U)
GND COM
Power supply VCCL
Low side IN(LU)
PWM IN(LV)
signal input IN(LW)
Fault output VFO
Temperature sensor output TEMP
22
Low-side Drv.
IS OC sensing
voltage input
パッケージ 質量
Package Net
mass
P633
P633A
P633A
P633A
P633A
P633A
P633A
P633A
P633A
Grams
9.3
9.3
9.3
9.3
9.3
9.3
9.3
9.3
9.3
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
IGBT モジュール IPM
■ IPM（Intelligent Power Module）600V, 1200Vクラス
IPM (Intelligent Power Module) 600, 1200 volts class
Built-in protection functions
P-side fault status output (Alarm)
N-side fault status output (Alarm)
Under voltage protection (self shutdown)
Over current protection (self shutdown)
Overheating protection (self shutdown)
9
9VHULHV
:LWKRXW%UDNH&KRSSHU
:LWK%UDNH&KRSSHU
Ic
ݱ ݱ ݱ ݱ
49
.5
70
P629
ݱ ݱ ݱ ݱ ݱ
50
10A
15A
20A
25A
30A
50A
25A
35A
50A
75A
9
9VHULHV
:LWKRXW%UDNH&KRSSHU
:LWK%UDNH&KRSSHU
6MBP10VAA120-50
6MBP15VAA120-50
6MBP20VAA060-50
6MBP25VAA120-50
6MBP30VAA060-50
6MBP50VAA060-50
6MBP50VBA060-50
6MBP75VBA060-50
6MBP25VBA120-50
6MBP35VBA120-50
6MBP50VBA120-50
87
.2
P626
55
25A
6MBP25VFN120-50
35A
6MBP35VFN120-50
50A 6MBP50VFN060-50 7MBP50VFN060-50 6MBP50VFN120-50
ݱ ݱ ݱ ݱ ݱ
75A 6MBP75VFN060-50 7MBP75VFN060-50
100A 6MBP100VFN060-50 7MBP100VFN060-50
90
7MBP25VFN120-50
7MBP35VFN120-50
7MBP50VFN120-50
P636
'imension [mm]
型 式
'HYLFHW\SH
6MBP20VAA060-50
6MBP30VAA060-50
6MBP50VAA060-50
6MBP50VBA060-50
6MBP75VBA060-50
6MBP50VFN060-50
6MBP75VFN060-50
6MBP100VFN060-50
7MBP50VFN060-50
7MBP75VFN060-50
7MBP100VFN060-50
6MBP10VAA120-50
6MBP15VAA120-50
6MBP25VAA120-50
6MBP25VBA120-50
6MBP35VBA120-50
6MBP50VBA120-50
6MBP25VFN120-50
6MBP35VFN120-50
6MBP50VFN120-50
7MBP25VFN120-50
7MBP35VFN120-50
7MBP50VFN120-50
インバータ部
9C(S IC
Cont.
9ROWV AmSs.
600 20
600 30
600 50
600 50
600 75
600 50
600 75
600 100
600 50
600 75
600 100
1200 10
1200 15
1200 25
1200 25
1200 35
1200 50
1200 25
1200 35
1200 50
1200 25
1200 35
1200 50
InYerter
9C((sat)
7\S
9olts
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.25
1.25
1.25
1.25
1.25
1.25
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
ブレーキ部 %rake
9C(S IC
Cont.
9ROWV AmSs.
600
30
600
50
600
50
1200 15
1200 25
1200 25
制御部 Control
パッケージ
7M2+ Alarm
Package
9CC
I2C[IN9] 9U9
7\S 0in.
0LQ 2C(tyS.) U9(tyS.) Tj2H(tyS.)
9ROWV AmSs. 9ROWV
℃
ms
ms
ms
15
30
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P629
15
45
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P629
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P629
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P626
15
113
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P626
15
100
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
200
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
100
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
200
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
15
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P629
15
23
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P629
15
38
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P629
15
38
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P626
15
53
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P626
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P626
15
50
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
70
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
100
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
50
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
70
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
15
100
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P636
質量 Net
mass
Grams
80
80
80
100
100
190
190
190
190
190
190
80
80
80
100
100
100
190
190
190
190
190
190
23
IGBT
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT モジュール IPM
■ IPM（Intelligent Power Module）600V, 1200Vクラス
IPM (Intelligent Power Module) 600, 1200 volts class
Built-in protection functions
P-side fault status output (Alarm)
N-side fault status output (Alarm)
Under voltage protection (self shutdown)
Over current protection (self shutdown)
Overheating protection (self shutdown)
9
9VHULHV
Ic
:LWKRXW
%UDNH&KRSSHU
25A
35A
50A
75A
ݱ ݱ ݱ ݱ ݱ
100A
8.5
84
12
150A
P630
200A
100A
150A
200A
300A
ݱ ݱ ݱ ݱ ݱ400A
11
9
9VHULHV
:LWK
%UDNH&KRSSHU
:LWKRXW
%UDNH&KRSSHU
6MBP25VDA120-50
6MBP35VDA120-50
6MBP50VDA060-50 7MBP50VDA060-50 6MBP50VDA120-50
6MBP50VDN120-50
6MBP75VDA060-50 7MBP75VDA060-50 6MBP75VDA120-50
6MBP75VDN120-50
6MBP100VDA060-50 7MBP100VDA060-50 6MBP100VDA120-50
6MBP100VDN060-50 7MBP100VDN060-50 6MBP100VDN120-50
6MBP150VDA060-50 7MBP150VDA060-50
6MBP150VDN060-50 7MBP150VDN060-50
6MBP200VDA060-50 7MBP200VDA060-50
6MBP200VDN060-50 7MBP200VDN060-50
6MBP100VEA120-50
6MBP150VEA120-50
6MBP200VEA060-50 7MBP200VEA060-50 6MBP200VEA120-50
6MBP300VEA060-50 7MBP300VEA060-50
6MBP400VEA060-50 7MBP400VEA060-50
:LWK
%UDNH&KRSSHU
7MBP25VDA120-50
7MBP35VDA120-50
7MBP50VDA120-50
7MBP50VDN120-50
7MBP75VDA120-50
7MBP75VDN120-50
7MBP100VDA120-50
7MBP100VDN120-50
7MBP100VEA120-50
7MBP150VEA120-50
7MBP200VEA120-50
2
0
14
P631
'imension [mm]
●ブロック図 %lock 'iagram
・6MBP□VAA060-50
・6MBP□VAA120-50
・6MBP□VBA060-50
・6MBP□VBA120-50
Alarm output U
Supply voltage VCCU
Signal input VinU
GND U
Supply voltage VCCL
VinX
Signal input
VinY
for low side
VinZ
Alarm output ALM
VCCV
VinV
GND V
Pre
Driver
VCCW
VinW
GND W
Pre
Driver
Pre
Driver
VCCU
VinU
GND U
U
V
W
Pre-Driver
Tj-sensor
VinX
GND
VCCV
VinV
GND V
Pre
Driver
VCCW
VinW
GND W
Pre
Driver
Pre
Driver
VinY
Pre
Driver
VinZ
GND
N
・6MBP□VFN□-50
・6MBP□VDA□-50
・6MBP□VDN□-50
・6MBP□VEA□-50
Pre
Driver
U
V
W
Pre
Driver
N
Tj-sensor IC-sensor
・7MBP□VFN□-50
・7MBP□VDA□-50
・7MBP□VDN□-50
・7MBP□VEA□-50
Alarm output U
Alarm output V
RALM
Alarm output W
RALM
Alarm output U
RALM
Alarm output V
RALM
P
Alarm output W
RALM
RALM
P
VCCU
VinU
GND U
Pre
Driver
VCCV
VinV
GND V
Pre
Driver
VCCW
VinW
GND W
RALM
VinX
Pre
Driver
VinY
Pre
Driver
VinZ
VCCU
VinU
GND U
Pre
Driver
B
U
V
W
Supply voltage VCCL
Alarm output ALM
GND
RALM
Supply voltage VCCL
Alarm output ALM
RALM
RALM
Alarm output W
RALM
P
IC-sensor
24
Alarm output V
RALM
P
Pre
Driver
N
Tj-sensor IC-sensor
Pre
Driver
VCCV
VinV
GND V
Pre
Driver
VCCW
VinW
GND W
Pre
Driver
U
V
Supply voltage VCCL
Alarm output ALM
W
RALM
Signal input VinB
GND
VinX
Pre
Driver
VinY
Pre
Driver
VinZ
Pre
Driver
N
Tj-sensor IC-sensor
型 式
'HYLFHW\SH
6MBP50VDA060-50
6MBP75VDA060-50
6MBP100VDA060-50
6MBP100VDN060-50
6MBP150VDA060-50
6MBP150VDN060-50
6MBP200VDA060-50
6MBP200VDN060-50
7MBP50VDA060-50
7MBP75VDA060-50
7MBP100VDA060-50
7MBP100VDN060-50
7MBP150VDA060-50
7MBP150VDN060-50
7MBP200VDA060-50
7MBP200VDN060-50
6MBP200VEA060-50
6MBP300VEA060-50
6MBP400VEA060-50
7MBP200VEA060-50
7MBP300VEA060-50
7MBP400VEA060-50
6MBP25VDA120-50
6MBP35VDA120-50
6MBP50VDA120-50
6MBP50VDN120-50
6MBP75VDA120-50
6MBP75VDN120-50
6MBP100VDA120-50
6MBP100VDN120-50
7MBP25VDA120-50
7MBP35VDA120-50
7MBP50VDA120-50
7MBP50VDN120-50
7MBP75VDA120-50
7MBP75VDN120-50
7MBP100VDA120-50
7MBP100VDN120-50
6MBP100VEA120-50
6MBP150VEA120-50
6MBP200VEA120-50
7MBP100VEA120-50
7MBP150VEA120-50
7MBP200VEA120-50
インバータ部
9C(S IC
Cont.
9ROWV AmSs.
600 50
600 75
600 100
600 100
600 150
600 150
600 200
600 200
600 50
600 75
600 100
600 100
600 150
600 150
600 200
600 200
600 200
600 300
600 400
600 200
600 300
600 400
1200 25
1200 35
1200 50
1200 50
1200 75
1200 75
1200 100
1200 100
1200 25
1200 35
1200 50
1200 50
1200 75
1200 75
1200 100
1200 100
1200 100
1200 150
1200 200
1200 100
1200 150
1200 200
InYerter ブレーキ部 %rake
9C((sat) 9C(S IC
7\S
Cont.
9olts 9ROWV AmSs.
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
600
30
1.4
600
50
1.4
600
50
1.4
600
50
1.4
600
75
1.4
600
75
1.4
600
100
1.4
600
100
1.25
1.25
1.25
1.25
600
100
1.25
600
150
1.25
600
200
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1200
15
1.7
1200
15
1.7
1200
25
1.7
1200
25
1.7
1200
35
1.7
1200
35
1.7
1200
50
1.7
1200
50
1.7
1.7
1.7
1.7
1200
50
1.7
1200
75
1.7
1200
100
制御部 Control
パッケージ
7M2+ Alarm
Package
9CC
I2C[IN9] 9U9
7\S 0in.
0LQ 2C(tyS.) U9(tyS.) Tj2H(tyS.)
9ROWV AmSs. 9ROWV
℃
ms
ms
ms
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
113
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
225
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
225
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
113
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
225
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
225
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
300
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
450
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
600
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
450
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
600
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
38
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
53
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
113
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
113
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
38
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
53
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
75
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
113
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
113
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P630
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
225
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
150
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
225
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
15
300
11.0 to 12.5 150
2
4
8
P631
質量 Net
mass
Grams
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
950
950
950
950
950
950
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
290
950
950
950
950
950
950
注：本ページで9'Nの付く型式は高放熱特性。
Note：The SrodXcts Zith“9'N”on this Sage haYe high heat dissiSation characteristics.
25
IGBT
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
ディスクリート IGBT
■ディスクリートRB-IGBT Discrete RB-IGBT
■特長 Features
富士電機の独自技術により逆電圧特性を有する IGBT を
1 チップで実現
3 レベルインバータ（Tタイプ）への適用で高効率を実現
Ɣ Reverse blocking character is realized for 1 chip by Fuji s
original technology.
Ɣ High efficiency by applying to T-type 3 level inverter circuit.
■特性 Characteristics
型 式
'HYLFHW\SH
FGW85N60RB
絶対最大定格 0aximXm Ratings
IC
ICP
tsc
9C(S
Tc=100°C
9ROWV
AmSs.
AmSs. sec.
600
85
170
10
P'
IG%T
:atts
600
9C((sat)
(9G(=159)
TyS.
9ROWV
2.45
(on
(off
(Rg=10Ω)
tyS.
mJ
mJ
4.7
2.4
Qg
trr
tyS.
nC
300
tyS.
n sec
165
パッケージ
Package
質量
Net
mass
Grams
723 6.0
■ ディスクリートIGBT High Speed Vシリーズ 600V, 1200Vクラス
Discrete IGBT High Speed V series 600V, 1200V class
■特長 Features
Ɣ IGBT in Trench-gate structure and Field-stop technology
Ɣ Low VCE(sat) and low switching Loss
(High Speed V/V2 series)
Ɣ Short circuit withstand time; tsc=10µs (V series)
トレンチゲート、フィールドストップ IGBT
低 VCE(sat)、低スイッチング Loss
(High Speed V/V2 シリーズ )
短絡保証時間 tsc=10µs (V シリーズ )
IG%T in ¿eldstoS technology and trenchgate strXctXre Zith Ultra fast ):'
6009クラス 600 Yolts class
型 式
'HYLFHW\SH
FGW30N60VD
FGW35N60H
FGW35N60HD
FGW35N60HC
FGW50N60H
FGW50N60HD
FGW50N60HC
FGW50N60VD
FGW75N60H
FGW75N60HD
FGW75N60HC
絶対最大定格 0aximXm Ratings
IC
ICP
P'
9C(S
,*%7
Tc=100°C
9ROWV
AmSs.
AmSs.
:atts
600
30
60
230
600
35
105
230
600
35
105
230
600
35
105
230
600
50
150
360
600
50
150
360
600
50
150
360
600
50
100
360
600
75
225
500
600
75
225
500
600
75
225
500
9C((sat)
(9G(=159)
TyS.
9ROWV
1.6
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.6
1.5
1.5
1.5
(on
(off
(Rg=10Ω)
W\S
mJ
mJ
1.2
0.7
0.9
0.85
0.9
0.85
0.95
0.85
1.4
1.7
1.4
1.7
1.5
1.7
2.4
1.4
3.0
4.2
3.0
4.2
3.8
4.2
9C((sat)
(9G(=159)
TyS.
9ROWV
1.8
1.8
1.85
1.85
1.8
1.8
1.8
1.8
1.85
(on
(off
(Rg=10Ω)
W\S
mJ
mJ
0.6
0.8
0.6
0.8
1.1
0.8
2.2
1.4
1.6
1.5
1.6
1.5
2.8
1.8
2.8
1.8
4.3
2.2
Qg
9)
W\S
nC
225
210
210
210
305
305
305
360
460
460
460
tyS.
9ROWV
1.5
2.0
2.35
2.0
2.3
1.5
2.0
2.3
Qg
9)
W\S
nC
140
140
150
235
230
230
300
300
320
tyS.
9ROWV
2.2
1.7
1.7
2.2
2.2
1.7
Qrr
I)
$PSV
25
15
35
25
50
35
35
75
W\S
ȝ&
0.7
0.06
0.13
0.08
0.07
0.75
0.12
0.13
0.3
パッケージ
Package
723
723
723
723
723
723
723
723
723
723
723
質量
Net
mass
Grams
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
12009クラス 1200 Yolts class
型 式
'HYLFHW\SH
FGW15N120H
FGW15N120HD
FGW15N120VD
FGW25N120VD
FGW30N120H
FGW30N120HD
FGW40N120H
FGW40N120HD
FGW40N120VD
26
絶対最大定格 0aximXm Ratings
IC
ICP
P'
9C(S
,*%7
Tc=100°C
9ROWV
AmSs.
AmSs.
:atts
1200
15
45
155
1200
15
45
155
1200
15
30
155
1200
25
50
260
1200
30
90
260
1200
30
90
260
1200
40
120
340
1200
40
120
340
1200
40
80
340
Qrr
I)
$PSV
12
15
25
20
30
30
W\S
ȝ&
0.6
0.85
1.2
0.95
1.35
1.45
パッケージ
Package
723
723
723
723
723
723
723
723
723
質量
Net
mass
Grams
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
IGBT
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
■ ディスクリートIGBT High Speed V2シリーズ 1200Vクラス
Discrete IGBT High Speed V2 series 1200V class
IG%T in ¿eldstoS technology and trenchgate strXctXre Zith Ultra fast ):'
12009クラス 1200 Yolts class
型 式
'HYLFHW\SH
●
●
●
●
絶対最大定格 0aximXm Ratings
IC
ICP
P'
9C(S
,*%7
Tc=100°C
9ROWV
AmSs.
AmSs.
:atts
1200
25
100
220
1200
25
100
220
1200
40
160
360
1200
40
160
360
FGW25N120W
FGW25N120WD
FGW40N120W
FGW40N120WD
9C((sat)
(9G(=159)
TyS.
9ROWV
2.0
2.0
2.0
2.0
(on
(off
(Rg=10Ω)
W\S
mJ
mJ
0.9
1.3
0.9
1.3
2.8
1.6
2.8
1.6
Qg
9)
W\S
nC
80
80
120
120
tyS.
9ROWV
2.2
2.2
パッケージ
Package
Qrr
I)
$PSV
12
20
W\S
ȝ&
0.6
0.95
723
723
723
723
質量
Net
mass
Grams
6.0
6.0
6.0
6.0
●：新製品 NeZ ProdXcts
■ 型式の見方 Part nXmEers
FGW35N60HD (example)
F
G
W
35
N
60
HD
社名
機種コード
'HYLFHFRGH
パッケージコード
3DFNDJHW\SH
定格電流
&XUUHQW
極性
Polarity
定格電圧
9ROWDJH
シリーズ
Series
&RPSDQ\
Fuji
G
IGBT
W
TO-247
×1
N
N-ch
60
600V
H
120
1200V
HC
High Speed V w/o FWD
High Speed V with FWD
HD
VD
V series with FWD
W
High Speed V2 series w/o FWD
WD
High Speed V2 series with FWD
■ 等価回路 (qXiYalent circXit
（a）ダイオード内蔵
with Diode
（b）ダイオードなし
without Diode
コレクタ
Collector
ゲート
Gate
コレクタ
Collector
ゲート
Gate
エミッタ
Emitter
（c）ディスクリート RB-IGBT
コレクタ
Collector
ゲート
Gate
エミッタ
Emitter
エミッタ
Emitter
27
パワーデバイス/Power Devices (IGBT)
IGBT
EV, HEV 用 IGBT モジュール
■ EV, HEV用IGBT IPMの特長 Features of IGBT IPM for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle
■特長 Features
ドライブ回路、保護機能内蔵
・光絶縁
（信号入力、IGBT チップ温度モニター、異常検出時アラー
ム出力）
・短絡保護、過熱保護、制御電圧低下保護
・鉛フリー
Ɣ ,QFOXGLQJFLUFXLWERDUGZKLWFKKDV,*%7GULYHDQGSURWHFWLRQ
fanction
2SWLFDOLVRODWHG
・
VLJQDOLQSXW,*%7¶VWHPSHUDWXUHPRQLWRUDODUPRXWSXW
・'HWHFWLRQDQGSURWHFWLRQ
VKRUWFLUFXLWRYHUWHPSHUDWXUHXQGHUYROWDJH
・/HDG)UHH3DFNDJH
■ 特性 Characteristics
型 式
'HYLFHW\SH
2MBP600UN-120V
(Tj=25°C)
9C(S
9ROWV
1200
IC(Cont)
AmSs.
600
9C((sat)
7\S9ROWV
2.00
9)
7\S9ROWV
2.20
パッケージ
Package
P401
質量
Net mass Grams
680g
■ EV, HEV用IGBTモジュールの特長
Features of IGBT Module for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle
■特長 Features
第 6 世代“V シリーズ”650V-IGBT
直接水冷銅フィンベース
高パワー密度および小型パッケージ
RoHS 対応
Ɣ
Ɣ
Ɣ
Ɣ
WK*HQHUDWLRQ³9VHULHV³9,*%7
'LUHFWOLTXLG&RROLQJ)LQEDVHZLWKFRSSHU
+LJKSRZHUGHQVLW\DQGVPDOOSDFNDJHVL]H
5R+6FRPSOLDQW
P
9 C
3 G
1 G
5 G
6 E
7 T1
V
U
W
8 T2
11 G
13 G
15 G
10 E
12 E
14 E
NTC
4 E
2 E
N
■ 特性 Characteristics
○
○
型 式
'HYLFHW\SH
6MBI400VW-065V
6MBI600VW-065V
9C(S
9ROWV
650
650
○：開発中 Under deYeloSment
28
9&(VDW: at Tj &&KLS
IC(Cont)
AmSs.
200
300
IC(Peak)
AmSs.
400
600
9C((sat)
7\S9ROWV
2.00（IC=400A）
2.00（IC=600A）
9)
7\S9ROWV
1.70（I)=400A）
1.70（I)=600A）
パッケージ
Package
0
0
質量
Net mass Grams
660g
900g
SiCデバイス6L&'HYLFHV
2
SiCデバイス
SiC Devices
SiC デバイスは、高耐圧、低損失、高周波動作および高温動作
を実現する優れた特性を持っています。SiC を適用したパワー
半導体は、大幅な省エネと搭載製品の小型・軽量化を実現す
ることができます。
SiC
6L&GHYLFHVKDYHH[FHOOHQWFKDUDFWHULVWLFVWKDWUHDOL]HKLJK
EORFNLQJYROWDJHORZSRZHUGLVVLSDWLRQKLJKIUHTXHQF\
RSHUDWLRQDQGKLJKWHPSHUDWXUHRSHUDWLRQ
3RZHUVHPLFRQGXFWRUVWKDWPDNHXVHRI6L&DFKLHYHVLJQLILFDQW
UHGXFWLRQLQHQHUJ\FRQVXPSWLRQDQGFDQEHXVHGWRGHYHORS
VPDOOHUDQGOLJKWHUSURGXFWV
■ SiC-SBD搭載IGBTハイブリッドモジュールVシリーズ IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series
Ɣ +LJKSHUIRUPDQFHFKLSV
■特長 Features
ā9VHULHV,*%7IRUORZORVVRSHUDWLRQ
高性能チップ適用
・低損失の V シリーズ IGBT
ā6L&6%'IRUORZORVVRSHUDWLRQ
・低損失の SiC-SBD
Ɣ 7KHVDPHSDFNDJHOLQHXSDVWKHFRQYHQWLRQDO6L,*%7
従来の Si-IGBT モジュール製品とパッケージ互換
PRGXOHV
■２個組 1700V クラス Standard 2-pack 1700 volts class
,F
$ 06,9(
9
96HULHV6L&6%'
M277
'LPHQVLRQ>PP@
9&(6
型 式
'HYLFHW\SH
○
9*(6
9ROWV 9ROWV
06,9(
,&
3&
&RQW
9&(VDW9*( 9 スイッチングタイム6ZLWFKLQJWLPH
WRQ
7\S
WRII
WI
,&
7\S
7\S
7\S
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
$PSV :DWWV 9ROWV
$PSV
パッケージ 質量
3DFNDJH 1HW
PDVV
*UDPV
0
○：開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
■６個組 EconoPACK™ 1200V クラス 6-pack EconoPACK™ 1200 volts class
N
4HERMISTOR
P
,F
$ 06,9%
P
U
U
V
W
M633
Solder pins
V
9
96HULHV6L&6%'
W
N
'LPHQVLRQ>PP@
型 式
'HYLFHW\SH
○
06,9%
9&(6
9*(6
9ROWV 9ROWV
3&
,&
&RQW
9&(VDW9*( 9 スイッチングタイム6ZLWFKLQJWLPH
WRQ
7\S
WRII
WI
,&
7\S
7\S
7\S
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
$PSV :DWWV 9ROWV
$PSV
パッケージ 質量
3DFNDJH 1HW
PDVV
*UDPV
0
○：開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
注(FRQR3$&.は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。
1RWH(FRQR3$&.LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\
2
SiCデバイス6L&'HYLFHV
■ PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）EconoPIM™ 600, 1200V クラス
PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 600, 1200 volts class
4HERMISTOR
B
P P)
P
P1
N
N1
R
S
T
U
V
W
R
M712
SiC
,F
S
T
B
U
V
W
N N)
9
96HULHV6L&6%'
$
$ 0659%
$ 0659%
$ 0659%
9
96HULHV6L&6%'
0659%
0659%
'LPHQVLRQ>PP@
型 式
'HYLFHW\SH
○
○
○
○
○
0659%
0659%
0659%
0659%
0659%
ブレーキ部%UDNH>,*%7)('@ コンバータ部&RQYHUWHU>'LRGH@
インバータ部,QYHUWHU>,*%7@
3&
9&(VDW 9&(6
,&
9550 9550
,2
9)0
,)60
9&(6 ,&
7\S
7\S
&RQW
&RQW
&RQW
9ROWV $PSV :DWWV 9ROWV
9ROWV
9ROWV 9ROWV
$PSV
$PSV 9ROWV
$PSV
○：開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
注(FRQR3,0は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。
1RWH(FRQR3,0LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\
パッケージ 質量
3DFNDJH 1HW
PDVV
*UDPV
0
0
0
0
0
2
SiCデバイス6L&'HYLFHV
■ SiC ショットキーバリアダイオード SiC Schottky-Barrier Diodes (SBD)
■特長 Features
高速スイッチング特性
Ɣ +LJKVSHHGVZLWFKLQJ
・電源の高周波動作、システムの小型軽量化
ā+LJKIUHTXHQF\RSHUDWLRQPLQLDWXUL]DWLRQZHLJKWVDYLQJ
低 VF 特性
Ɣ /RZ9)
低 IR 特性
Ɣ /RZ,5
高逆サージ耐量
ā7
M &*XDUDQWHHG+LJKWHPSHUDWXUHRSHUDWLRQ
/RZ/RVV+LJKHIILFLHQF\
SiC
・Tj=175℃保証、電源の高温動作、低損失化、高効率化
Ɣ +LJKDYDODQFKHFDSDELOLW\
■ SiC-SBD シリーズ SiC-SBD Series
6L&6%'6HULHV
結線
シングル
Single
デュアル
Dual
95509
型 式
'HYLFHW\SH
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
)'&36
)'&36
)'&36
)'&3&
)'&36
)'&$6
)'&$&
)'&$6
)'&$6
)'&$6
)'&<6
)'&<&
)'&<6
)'&<&
)'&&6
)'&&&
)'&&6
)'&$6
)'&<6
)'&<&
,R$
絶対最大定格
0D[LPDXPUDWLQJ
,2
9550
9ROWV
$PSV
72
72)
,)60
$PSV
接合温度
7KHUPDOUDWLQJ
7M&
0$;
72
73DFNV
電気的特性7D &
&KDUDFWHULVWLFV
9)0
,550
0$;9ROWV
0$;$
パッケージ
3DFNDJH
72
72
72
72
72
72)
72)
72)
72)
72)
72
72
72
72
73DFN6
73DFN6
73DFN6
72)
72
72
○：開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
+] 方形波GXW\ 正弦波PV
95 9550
+]6TXDUHZDYHGXW\ 6LQHKDOIZDYHPV
95 9550
2
SiCデバイス6L&'HYLFHV
■自動車用 SiC ショットキーバリアダイオード Automotive SiC Schottky-Barrier Diodes
SiC
6L&6%'6HULHV
結線
デュアル
Dual
95509
,R$
型 式
'HYLFHW\SH
○
○
○
○
73DFNV
9550
,R
,)60
9)
PD[
9ROWV
$PSV
$PSV
9ROWV
)'&<&$
)'&&&$
)'&<&$
)'&<&$
○：開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
72
LQSDFNDJH,) ,R
,550
PD[
7KHUPDOUDWLQJ
7MDQG7VWJ
P$
&
WR
WR
WR
WR
パッケージ 質量
3DFNDJH 1HW
PDVV
*UDPV
72
7SDFN
72
72
集積回路,QWHJUDWHG&LUFXLWV
3
電源制御用IC
Integrated Circuits
富士電機の電源制御用 IC は AC/DC、DC/DC それぞれにラ
インアップを揃えており様々な電源回路に対応が可能です。
高効率、低待機電力、低ノイズを実現し、各種環境関連の規
制に対応。更に、多くの保護機能を IC に内蔵しており、電
源回路の小型化も実現できます。
IC
)XML(OHFWULFRIIHUVDOLQHXSRI$&'&DQG'&'&SRZHU
VXSSO\FRQWURO,&VWKDWVXSSRUWDYDULHW\RISRZHUFLUFXLWV
7KHVHKLJKO\HIILFLHQWORZQRLVHSURGXFWVZLWKORZVWDQGE\
SRZHUFRQVXPSWLRQDUHFRPSDWLEOHZLWKHQYLURQPHQWDO
UHJXODWLRQV)XUWKHUPRUHWKHPDQ\SURWHFWLRQIXQFWLRQVDUH
EXLOWLQWRWKH,&VWKHPVHOYHVDOORZLQJIRUVPDOOHUSRZHU
FLUFXLWV
■ 電源制御用 IC の特長 Features of Power Supply control ICs
低待機電力対応 PWM制御IC Green Mode PWM-ICs
■特長 Features
500V / 750V 耐圧起動回路内蔵
軽負荷時 スイッチング周波数低減 各種保護機能（過電圧 / ブラウンアウト /2 段階過電力）
周波数拡散機能による低 EMI ノイズ
Ɣ%XLOWLQ9ZLWKVWDQGYROWDJHVWDUWXSFLUFXLW
Ɣ5HGXFWVZLWFKLQJIUHTXHQF\DWOLJKWORDG
Ɣ3URWHFWIXQFWLRQV2YHUYROWDJH%URZQRXWVWDJH2YHUSRZHU
Ɣ/RZ(0,QRLVH
低待機電力対応 擬似共振制御IC Green Mode Quasi-resonant ICs
■特長 Features
500V 耐圧起動回路内蔵
低待機電力対応（間欠動作 / 周波数低減）
各種保護機能（過電圧 / 過負荷など）
Ɣ%XLOWLQ9ZLWKVWDQGYROWDJHVWDUWXSFLUFXLW
Ɣ*UHHQPRGHIXQFWLRQV,QWHUPLWWHQW6ZLWFKLQJ/LQHUDU\UHGXFHGVZLWFKLQJIUHTXHQF\
Ɣ3URWHFWIXQFWLRQV2YHUYROWDJH2YHUORDGHWF
力率改善制御IC Power Factor Correction ICs
■特長 Features
幅広い電力範囲（75W ∼ 1kW）
力率 0.99 以上
各種保護機能（FB ピンオープンショート / 過電圧など）
Ɣ:LGHHOHFWULFSRZHUUDQJH)URP:WRN:
Ɣ3RZHUIDFWRU ≧ Ɣ3URWHFWIXQFWLRQV)%3LQRSHQVKRUW2YHUYROWDJHHWF
3
集積回路,QWHJUDWHG&LUFXLWV
電流共振IC Current Resonant ICs
■特長 Features
ワールドワイド入力にて、1 コンバータの回路構成が可能
ハイサイド駆動回路内蔵
共振はずれ防止機能
各種保護機能
（過電流 / 過電圧 / 過負荷 / 過熱 / ブラウンアウト）
低待機電力対応（間欠動作）
Ɣ5HDOL]HFRQYHUWRUFLUFXLWVWUXFWXUHDWZRUOGZLGHLQSXWSRZHU
Ɣ%XLOWLQ+LJKVLGHGULYHU
Ɣ3ULYHQWLQJFDSDFLWLYHUHJLRQRSHUDWLRQ
Ɣ3URWHFWIXQFWLRQV
2YHUFXUUHQW2YHUYROWDJH2YHUORDG2YHUKHDW%URZQRXW
Ɣ*UHHQPRGHIXQFWLRQ,QWHUPLWWHQWVZLWFKLQJ
ハイサイド・ローサイド ドライバIC High and Low side driver IC
IC
■特長
■ Features
VS 端子の高負電圧耐量
30V までの広範囲電源電圧（FA5650/5651）
3.3V 論理入力に対応
電源電圧低下保護を内蔵
dVs/dt 耐量 50kV/us の高ノイズ耐量
高速応答：入出力遅延時間 125ns（Typ）
（FA5650/5651/5751）
Ɣ+LJKQHJDWLYHWUDQVLHQWYROWDJHRQ96WHUPLQDO
Ɣ:LGHUDQJHVXSSO\YROWDJHXSWR9)$
Ɣ9ORJLFFRPSDWLEOH
Ɣ%XLOWLQXQGHUYROWDJHORFNRXW
Ɣ$
OORZDEOHRIIVHWVXSSO\YROWDJHWUDQVLHQWG9VGWXSWRN9XV
Ɣ+
LJKVSHHGUHVSRQVH7XUQRQRIIGHOD\WLPHQV7\S
)$
■型式の見方 3DUWQXPEHUV
FA8A00N (example)
)
社名
Company Symbol
F
Fuji
$
制御方式
Control System
A
Analog
製品シリーズ
Series
1
CRMPFC
6
LLC
8
PWM
$
世代
Generation
A
1G
B
2G
C
3G
…
…
製品シリーズ
Series
3X
AC/DC
5X
AC/DC
7X
DC/DC
13X
AC/DC
系列番号
Number
2 桁の整数
Two-digit
integer
系列番号
Number
2 桁の整数
Two-digit
integer
1
パッケージコード
Package code
N
SOP
P
DIP
FA5590N (example)
)
社名
Company Symbol
F
Fuji
$
制御方式
Control System
A
Analog
1
パッケージコード
Package code
N/S
SOP
P
DIP
3
集積回路,QWHJUDWHG&LUFXLWV
■ AC/DC 電源制御用 IC
AC/DC Power Supply control ICs
低待機電力対応 PWM制御IC（電流モード） Green mode PWM-ICs (Current mode)
ブラウンアウト機能内蔵:LWKLQ%URZQRXWIXQFWLRQ
)$$1
)$$1
9
)$$1
)$$1
)$$1
)$$1
9
)$$1
ブラウンアウト機能非内蔵:LWKRXW%URZQRXWIXQFWLRQ
)$1
)$1
)$1
9
)$1
)$1
)$1
)$1
9
)$1
9
)$1
プラス
Positive
9
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
ラッチ
/DWFK
自動復帰
$XWR5HFRYHU\
自動復帰
$XWR
5HFRYHU\
プラス
Positive
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
)$$1
自動復帰
$XWR
5HFRYHU\
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
)$$1
9
プラス
Positive
9
9
)$$1
)$$1
)$$1
)$$1
)$$1
)$$1
過電圧保護 起動回路 低待機電力機能
2YHU
6WDUWXS *UHHQPRGH
IXQFWLRQ
YROWDJH FLUFXLW
SURWHFWLRQ
自動復帰
段階
$XWR5HFRYHU\ 6WDJH
233UDWLR
ラッチ
/DWFK
タイマーラッチ 段階
7LPHUODWFK 6WDJH
233UDWLR
)$1
)$$1
過電力保護
2YHU
SRZHU
SURWHFWLRQ
段階
6WDJH
自動復帰
マイナス $XWR5HFRYHU\
1HJDWLYH
電流検出 過負荷保護
&XUUHQW 2YHU
VHQVH
ORDG
SURWHFWLRQ
自動復帰
$XWR5HFRYHU\
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
リニア周波数低減
Linerary frequency
reduction
9
ラッチ
/DWFK
段階
6WDJH
リニア周波数低減
Linerary frequency
reduction
間欠動作
Intermittent opration
;&DS
放電機能
;&DS
GLVFKDUJH
IXQFWLRQ
IC
型式
デューティ 入力電圧
動作周波数
7\SH1DPH 'XW\
,QSXWYROWDJH )UHTXHQF\
9
（N+]）
ラッチ
/DWFK
9
リニア周波数低減
Linerary frequency
reduction
間欠動作
Intermittent opration
9
リニア周波数低減
Linerary frequency
reduction
間欠動作
Intermittent opration
段階
自動復帰
$XWR5HFRYHU\ 6WDJH
3.*全てSLQ $OOSLQ
3
集積回路,QWHJUDWHG&LUFXLWV
低待機電力対応 PWM-IC系列（ブラウンアウトあり） Green mode PWM-ICs with Brown Out function
低待機電力PWM IC
*UHHQ0RGH3:0,&
内蔵
:LWKLQ
ブラウンアウト機能
%URZQ 2XWIXQFWLRQ
電流検出
&XUUHQWVHQHV
プラス
3RVLWLYH
2段階
6WDJH
233UDWLR
過電力保護
2YHUSRZHUSURWHFWLRQ
IC
動作周波数
)UHTXHQF\N+]
2段階
6WDJH
233UDWLR
過負荷保護
Over load protecition
自動復帰
$XWRUHFRYHU\
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
自動復帰
$XWRUHFRYHU\
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
2/3遅延時間
2/3'HOD\WLPHPV
内蔵
:LWKLQ
内蔵
:LWKLQ
内蔵
:LWKLQ
内蔵
:LWKLQ
内蔵
:LWKLQ
内蔵
:LWKLQ
内蔵
:LWKLQ
)$$1
)$$1
)$$1
)$$1
)$$1
)$$1
)$$1
X-Cap放電機能
X-Cap discharge
型式
Product type
低待機電力対応 PWM-IC系列（ブラウンアウトなし） Green mode PWM-ICs without Brown Out function
低待機電力3:0,&
*UHHQ0RGH3:0,&
ブラウンアウト機能
%URZQ 2XWIXQFWLRQ
非内蔵
:LWKRXW
過電力保護
2YHUSRZHUSURWHFWLRQ
段階
6WDJH
電流検出
&XUUHQWVHQHV
マイナス
1HJDWLYH
軽負荷時動作
Green mode
function
リニア周波数低減間欠動作 リニア周波数低減
/LQHUDU\IUHTXHQF\UHGXFWLRQ /LQHUDU\IUHTXHQF\
DQG,QWHUPLWWHQWRSHUDWLRQ
UHGXFWLRQ
過負荷保護
Over load
protecition
自動復帰 タイマーラッチ タイマーラッチ
$XWRUHFRYHU\ 7LPHUODWFK 7LPHUODWFK
動作周波数
)UHTXHQF\N+]
段階
6WDJH
プラス
3RVLWLYH
リニア周波数低減
/LQHUDU\IUHTXHQF\
UHGXFWLRQ
自動復帰
$XWRUHFRYHU\
プラス
3RVLWLYH
リニア周波数低減間欠動作
/LQHUDU\IUHTXHQF\UHGXFWLRQ
DQG,QWHUPLWWHQWRSHUDWLRQ
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
自動復帰
$XWRUHFRYHU\
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
)$1 )$1
自動復帰
$XWRUHFRYHU\
内蔵
:LWKLQ
X-Cap放電機能
X-Cap discharge
型式
Product type
リニア周波数低減間欠動作
/LQHUDU\IUHTXHQF\UHGXFWLRQ
DQG,QWHUPLWWHQWRSHUDWLRQ
内蔵
:LWKLQ
内蔵
:LWKLQ
内蔵
内蔵
:LWKLQ :LWKLQ
)$1 )$1 )$1 )$1 )$1 )$1 )$1 )$1 )$$1 )$$1 )$$1 )$$1 )$$1 )$$1 )$$1 )$$1 )$$1
代表型式ブロック図 Block diagram(Main product)
FA8A00N（With-in Brown out)
FA8A61N（Without Brown out)
6WDUWBXS%ORFN
6WDUWBXS %ORFN
YFF
9+
XYORK
6WDUWXS
FXUUHQW
RQ
9&&89/2FRPS
;&$3
'LVFKDUJH
VWDUWXS
XYOR
UHVHW
ER
%2B7LPHU
293B9&&
6RIW
6WDUW
26&
YFF
9+
UHVHW
RYS
UHVHW
'PD[
9&& 293
&6
56))
5
)%B2))
FRPS
IE
2/3B7LPHU
UHVHW
FWUO
7
5HVHW 6&3
7
2YHUORDG
6
56))
2/3UHVHW
4
ROSBVKRUW
5
*1'
)%
9&&
FON
RYS
UHVHW
/DWFKB7LPHU
/DWFK
5HVHW
6HW
5HVHW
6WDUW8S
0DQDJHPHQW
ODWFK
ER
XYOR
PRQLWRU
FWUO
VWDUWXS
3:0
FRPS
3:0
26&
9VV
VKRW
'ULYHU
6
YFF
FON
SRZHUBRII
56))
320
&RQWURO
287
4
5
2&3 FRPS
2/3 %ORFN
9IEG
IE
2/3 FRPS
2/3 7LPHU
7
FWUO
5HVHW
UHVHW
ODWBVHW
320 FRPS
320 7LPHU
ODWBRYS
/DWFK FRPS
7
2YHU ORDG
ODWFK
UHVHW
6
2/3 UHVHW
56))
SZPBRQ
4
5
ROS
SRZHUBRII
FON
X$
/$7
RQ
/DWFK
WLPH FODPS
9&& GFKJ
ODWFK
9VV
9''
ROSBVKRUW
/DWFKFRPS
6RIW
6WDUW
'PD[
9FVVO
UHJ
/$7
9''（9）
MLWWHU
)% 2))
FRPS
&6
VWDWH VHW
6&3FRPS
/DWFK%ORFN
'PD[
9''
VXBRQ
2/3B&6
9
3:0 26& %ORFN
IE
ODWBVHW
SZPBRQ
6ORSH
&6
2/3%ORFN
7LPHU
26&
UHVHW
/LQH
&RUUHFWLRQ
&6
VWDWH VHW
21
4
RYS
SRZHUBRII
UHVHW
FON
9+ YROWDJH
GHWHFW
287
VV
UHJ
)%
'%/ 'ULYHU
6
3:0
FRPS
6ORSH
UHVHW
5HJ
XYOR
ODWFK
VKRW
3:0
26&
9UHI
*HQ
YGGBXYOR
FON
IE
9''（9）
5HJ
/DWFK
WLPHFODPS
9&&GFKJ
'PD[
/LQHB
&RUUHFWLRQ
9&&
SZPBRQ
9&& 89/2 FRPS
VV
FON
2&3FRPS
9+YROWDJH
GHWHFW
6WDUW XS
FXUUHQW
RQ
VWDUWXS
ODWFK
+\VFRPS
9&&
9
UHVHW
'LVFKDUJH
B7LPHU
FON
%URZQ,1287%ORFN
FON
9
UHJ ,QWHUQDOSRZHUVXSSO\
5()
5HJ
VXBRQ
UHVHW
ODWFK
FON
RYS
2+3
UHVHW
/DWFK 7LPHU
/DWFK
5HVHW
6HW
5HVHW
6WDUW 8S
0DQDJHPHQW
ODWFK
YFF
RQ
PRQLWRU
FWUO
VWDUWXS
*1'
集積回路,QWHJUDWHG&LUFXLWV
3
汎用PWM制御IC General PWM-ICs
型式
7\SH
1DPH
制御方式 デューティ 入力電圧 電流検出
&RQWURO 'XW\
,QSXW
&XUUHQW
PRGH
YROWDJH
VHQVH
(%)
9
低待機電力機能内蔵 :LWKLQ*UHHQPRGHIXQFWLRQ
プラス
)$31
3RVLWLYH
マイナス
)$31
1HJDWLYH
電圧
)$1
モード
9ROWDJH
)$1
PRGH
マイナス
1HJDWLYH
過負荷保護
2YHU
ORDG
SURWHFWLRQ
過電圧保護
2YHU
YROWDJH
SURWHFWLRQ
‒
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
自動復帰
$XWR5HFRYHU\
89/2
備考
8QGHUYROWDJH 5HPDUNV
ORFNRXW
212))
‒
ラッチ
/DWFK
99
低待機電力機能非内蔵 :LWKRXW*UHHQPRGHIXQFWLRQ
)$31 電流
)$31 モード
‒
)$31 &XUUHQW
)$31 PRGH
プラス
3RVLWLYH
)$36
)$31
)$31
)$31
)$31
電圧
モード
9ROWDJH
PRGH
‒
99
エラーアンプ内蔵
:LWKLQHUURUDPSOL¿HU
‒
ラッチ
/DWFK
マイナス
1HJDWLYH
)$1
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
IC
)$1
軽負荷時周波数低減開始 / 復帰 FB 電圧
99
)UHTXHQF\UHGXFWLRQVWDUWVWRS)%
YROWDJHXQGHUOLJKWORDG99
軽負荷時周波数低減開始 / 復帰 FB 電圧
99
)UHTXHQF\UHGXFWLRQVWDUWVWRS)%
YROWDJHXQGHUOLJKWORDG99
自動復帰
$XWR5HFRYHU\
99
3.*全てSLQ $OOSLQ
動作周波数：外部調整 )UHTXHQF\$GMXVWDEOH
3
集積回路,QWHJUDWHG&LUFXLWV
汎用PWM制御IC系列 General PWM-ICs
汎用PWMIC
*HQHUDO3:0,&
低待機電力機能
Green mode function
内蔵
:LWKLQ
動作モード
Control mode
電圧モード
9ROWDJHPRGH
デューティー
'XW\
電流検出
Current Sense
マイナス
1HJDWLYH
プラス
3RVLWLYH
マイナス
1HJDWLYH
自動復帰
$XWRUHFRYHU\
過負荷ヒカップ動作比率
2/3+,&&835$7(
)$1
型式
Product type
自動復帰
$XWRUHFRYHU\
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
)$31
FA3647P/N
FA5605N
FA5606N
汎用PWMIC
*HQHUDO3:0,&
非内蔵
:LWKRXW
低待機電力機能
Green mode function
動作モード
Control mode
電圧モード
9ROWDJHPRGH
デューティー
'XW\
電流モード
&XUUHQWPRGH
電流検出
Current Sense
プラス
3RVLWLYH
マイナス
1HJDWLYH
プラス
3RVLWLYH
マイナス
1HJDWLYH
低電圧誤動作防止
UVLO (ON/OFF)
その他
Other
型式
Product type
プラス
3RVLWLYH
プラス
3RVLWLYH
99
エラーアンプ内臓
:LWKLQ(5DPS
)$36
)$31
)$31
)$31
OLP※
タイマーラッチ
Timer-latch
OLP※
自動復帰
Auto-recovery
)$31
)$1
99
99
※OLP：Over Load Protection 過負荷保護
代表型式ブロック図 Block diagram (Main model)
)$1
26&FRXQWHU
)RU+LFFXS
&6
9&&
㱅
)$31
212))
9
/DWFK
6
9
N㱅
95HJ
99
,QWHUQDO
VXSSO\
4
9
89/2
95HJ
&KHFN
99
9
5 4%
6
89/2
)%
3:0
0㱅
6
9ROWDJH&RQWUROOHG
2VFLOODWRU
4
5 4%
S)
21(
6+27
(1
287387
287
4
5 4%
'PD[ 9
2XWSXWFXUUHQW
OLPLWIXQFWLRQ
9)
99
)$31 )$31 )$31 )$31
9
IC
過負荷保護
Over load protecition
2YHUORDG
6HQVLQJ
57
䋭9
,6
*1'
集積回路,QWHJUDWHG&LUFXLWV
3
低待機電力対応 擬似共振制御IC（電流モード） Green mode Quasi-resonant ICs（Current mode）
型式
7\SH
1DPH
入力電圧
最大周波数
,QSXWYROWDJH 0D[LPXP
IUHTXHQF\
9
過負荷保護
2YHU
ORDG
SURWHFWLRQ
89/2
備考
8QGHUYROWDJH 5HPDUNV
ORFNRXW
212))
±
)$1
自動復帰
$XWR5HFRYHU\
)$1
)$1
過電圧検出 起動回路 低待機電力機能
2YHU
6WDUWXS *UHHQPRGH
YROWDJH
FLUFXLW
IXQFWLRQ
VHQVH
)$1
)$1
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
自動復帰
$XWR5HFRYHU\
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
自動復帰
$XWR5HFRYHU\
=&' 端子
=&'3LQ
99
リニア周波数低減
/LQHUDU\IUHTXHQF\
UHGXFWLRQ
9&& 端子
9&&3LQ
IC
)$1
N+]
過電圧保護
ラッチ
Over voltage protection
Latch
間欠動作
,QWHUPLWWHQW
RSHUDWLRQ
)$1
9
99
)$1
)$1
)$1
自動復帰
オン−オフ幅検出
$XWR5HFRYHU\
によるボトムス
キップ数制御
Bottom skip
control by on-off
width detection
)$1
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
)$1
自動復帰
$XWR5HFRYHU\
最小周波数制限
0LQIUHTXHQF\
OLPLWDWLRQ
99
=&' 端子
=&'3LQ
間欠動作
,QWHUPLWWHQW
RSHUDWLRQ
99
最小周波数制限
Min. frequency
limitation
IS 端子ラッチ停止
Latch stop function
(IS pin)
高周波動作向け
For High SW
frequency
3.*全てSLQ $OOSLQ
3
集積回路,QWHJUDWHG&LUFXLWV
低待機電力対応 擬似共振制御IC系列 Green mode Quasi-resonant ICs
疑似共振制御,&
4XDVLUHVRQDQW,&
オン・オフ幅検出によるボトムスキップ数制御
&RQWURORIERWWRPVNLSVE\RQRIIZLGWKGHWHFWLRQ
周波数
)UHTXHQF\
最大周波数N+]
0D[IUHTXHQF\N+]
間欠動作
,QWHUPLWWHQWRSHUDWLRQ
軽負荷時動作
Green mode function
過負荷保護
Over load protecition
自動復帰
$XWRUHFRYHU\
低電圧誤動作防止
UVLO (ON/OFF)
99
間欠動作
,QWHUPLWWHQWRSHUDWLRQ
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
99 99
自動復帰
$XWRUHFRYHU\
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
自動復帰
$XWRUHFRYHU\
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
99
99
99
99
過電圧検出
Over voltage
detection
IC
周波数低減
5HGXFHGIHUTXHQF\
ZCD 端子
=&'3LQ
ZCD 端子
=&'3LQ
ZCD 端子
=&'3LQ
VCC 端子
9&&3LQ
ZCD 端子
=&'3LQ
)$1
)$1
)$1
)$1
)$1
最小周波数制限
0LQIUHTXHQF\OLPLWDWLRQ
その他
Other
,6端子ラッチ
/DWFKVWRSIXQFWLRQ
RI,6SLQ
型式
Product type )$1
)$1
)$1
高周波動作
+LJK6Z
IUHTXHQF\
)$1
)$1
)$1
)$1
代表型式ブロック図 Block diagram (Main model)
)$1
ZCD
)$1
5V
Start up
management
Logic
10.5V/9V
1 shot
(380ns)
Time out
(14μs)
CLR
VH
㻥㼒㼗㼗㼒㼐
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻽㻦㻧
Start up
Current
㻚㻑㻘㻹
㻥㼒㼗㼗㼒㼐㻃㻶㼎㼌㼓㻃
㼆㼒㼑㼗㼕㼒㼏
N
5V
Max. fsw
Blanking
(120kHz)
03
Q
㻗㻑㻛㻹
R
㻹㻦㻦
㻸㻹㻯㻲
㻔㻗㻹㻒㻛㻹
OVP
Timer
(2.3μs)
1/2
1/4:FA5671
のみ
190ms
Timer
(57μs)
IS
1520
ms
Latch
OCP2
Reset
28V
㻶
㼈㼑㼅
㻴
㻲㻸㻷
㻲㼉㼉㻃㼗㼌㼐㼈㼕
㻋㻗㻑㻘䃒㼖㻌
9LQ+
㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㼈㼑㼅
㻖㻑㻘㻒㻖㻑㻖㻹
㻲㻹㻳
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻷㼌㼐㼈㼕
㻕㻓㻓㼐㼖
㻔㻙㻓㻓㼐㼖
㻲㻹㻳㻔
㻙㻹
㻹㼗㼋㻬㻶㻃㼄㼗㻃㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜
㻓㻑㻔㻘㻹
9LQ+
㻓㻑㻔㻓㻹
㻓㻑㻘㻹
㻓㻑㻗㻘㻹
㻽㻦㻧
㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜
㻓㻑㻘㻘㻹
㻹㼗㼋㻬㻶
㻧㼕㼌㼙㼈㼕
㻵㻕
㻵㻔
9LQ+
㻦㼘㼕㼕㼈㼑㼗㻃
㼆㼒㼐㼓㼄㼕㼄㼗㼒㼕
GND
FA5671
のみ:機能あり
㻰㼄㼛㻑㻃㻷㼒㼑
㻋㻕㻗䃒㼖㻌
㻔㻒㻙
㻲㼙㼈㼕㼏㼒㼄㼇
OVP1
5570
/5671
:機能なし
㻵㼈㼖㼈㼗
㻹㼗㼋㻩㻥㻓 㻓㻑㻗㻘㻹
㻓㻑㻖㻘㻹
㻶㼒㼉㼗㻃㼖㼗㼄㼕㼗
㻋㻔㼐㼖㻌
VCC
2V
3.5/3.3V
㻬㼑㼗㼈㼕㼑㼄㼏
㼖㼘㼓㼓㼏㼜
9LQ+
㻬㻶
4.5us:FA5571
A
5570
/5671
:ZCD OVP
2.3us
(
)機能なし
㻩㻥
Timer
㻗㻑㻛㻹㻃㻵㼈㼊㻑
㻎
㻔㻓䃒㻤
ZCD
PRGHVHOHFW
VLJQDO
㻐 㻧㼌㼖㼄㼅㼏㼈
OUT
N
S
5HVLVWDQFHUDWLR
03RQRII
N
Driver
Disable
Overload
㻶㼗㼄㼕㼗㼘㼓
㻦㼘㼕㼕㼈㼑㼗
㻶㼗㼄㼕㼗㼘㼓
㼐㼄㼑㼄㼊㼈㼐㼈㼑㼗
㻔㻔㻹㻒㻜㻹
㻲㼉㼉㻃㼗㼌㼐㼈㼕㻃
㻋㻕䃒㼖㻌
㻗㻑㻛㻹
18V/8V
Soft start
(2.6ms)
1V
0.5V:FA5671
のみ
㻬㼑㼓㼘㼗㻃
㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
UVLO
Internal
supply
FB
㼈㼑㼅
㻵㼈㼖㼗㼄㼕㼗㻃㻷㼌㼐㼈㼕
㻕㻘䃒㼖
5V Reg.
Current
comparator
㻔㻃㼖㼋㼒㼗
㻋㻕㻜㻓㼑㼖㻌
9LQ+
170kHz:5571
A/5671
0.4V
VHW
㻳㼘㼏㼖㼈㻃㼚㼌㼇㼗㼋㻃
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
VCC
Reset
IS
㻹㻫
㻽㻦㻧
Valley
detection
㻯㼄㼗㼆㼋
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻲㻯㻳
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻵㼈㼖㼈㼗
㻯㼄㼗㼆㼋㻃㼗㼌㼐㼈㼕
㻙㻓䃒㼖
㻪㻱㻧
集積回路,QWHJUDWHG&LUFXLWV
3
力率改善制御IC Power factor correction ICs
型式
7\SH
1DPH
入力電圧 最大 電流検出 89/2
動作
,QSXWYROWDJH デューティ &XUUHQW 8QGHUYROWDJH 周波数
9
'XW\ VHQVH
ORFNRXW
)UHTXHQF\
212))
最大
周波数
0D[LPXP
IUHTXHQF\
ゼロ電流
検出
=HUR&XUUHQW
'HWHFWLRQ
)% オープン
ショート保護
)%RSHQ
VKRUW
SURWHFWLRQ
過電圧保護
2YHU
YROWDJH
SURWHFWLRQ
備考
5HPDUNV
臨界モード 3)&&503)&
99
)$1
99
)$$1
99
)$$1
パルス幅制御電圧制限
9ROWDJH/LPLWE\3XOVHZLGWK
固定
)L[HG
99
マイナス
1HJDWLYH
)$1
)$1
外部調整
$GMXVWDEOH
±
99
99
)$$1
99
)$$1
99
)$1
99
プラス
3RVLWLYH
)$$1ż
)$$1ż
電流検出
&XUUHQW
VHQFH
自励方式
6HOIRVFLOODWLRQ
外部調整
$GMXVWDEOH
IC
)$1
パルス幅制御電圧制限
＋電圧制限
9ROWDJH/LPLWE\3XOVHZLGWK
DQG9ROWDJH/LPLW
固定
)L[HG
外部調整
$GMXVWDEOH
99
固定
)L[HG
補助巻線
$X[LOLDU\
ZLQGLQJ
±
パルス幅制御電圧制限
9ROWDJH/LPLWE\3XOVHZLGWK
過負荷保護
2YHUORDG
SURWHFWLRQ
99
連続モード 3)& &&03)&
)$30
99
)$1
マイナス
1HJDWLYH 99
)$1
99
外部調整
$GMXVWDEOH
外部選択
&KRLFH
N+]MLWWHU
N+]
N+]
±
電圧制限
9ROWDJH/LPLW
±
±
パルス幅制御電圧制限
9ROWDJH/LPLWE\3XOVHZLGWK
○：開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
3.*)$のみSLQ他は全てSLQ )$LVSLQRWKHUVDUHSLQ
3
集積回路,QWHJUDWHG&LUFXLWV
力率改善制御IC系列 Power factor correction ICs
力率改善制御IC
3)&,&
臨界
&50
動作モード
Mode
外部調整
$GMXVWDEOH
最大動作周波数
Maximam frequency
電流検出
&XUUHQWVHQVH
固定
)L[HG
プラス
3RVLWLYH
マイナス
1HJDWLYH
低電圧誤動作防止
99
UVLO (ON/OFF)
過電圧保護
Over voltage proteciton
シングル
Single
99
シングル
Single
プラス
3RVLWLYH
99
デュアル
Dual
シングル
Single
型式
Product type
)$1
マイナス
1HJDWLYH
99
デュアル
Dual
99
シングル
Single
シングル
Single
マイナス
1HJDWLYH
99
デュアル
Dual
シングル
Single
99
)$1
)$1
)$1
)$1
)$$1
99
発振周波数
外部選択
60/65kHz/jitter
(50-70kHz) Choice
)$$1
)$$1 )$$1
)$$1
)$$1
)$1
発振周波数
外部調整
15-150kHz
Adjustable
)$1
代表型式ブロック図 Block diagram (Main model)
)$1
)$1
VCC
RT
3
８
UV
Freq
Reduce
RAMP
OSC
THD
Optimize
2.5V
+
-
Erramp
VDET
Driver
７
S
Q
F.F.
２
0.4V/0.35V
Overshoot
Reduce
2.71V/2.61V
+
Short
Comp
SP
+
-
2
SOVP
OCP
Comp
６
GND
PROT
FB
G
- 4mV
IS
- 12mV
４
OVP
UV
SP
5
ICMP
7
OUT
6
GND
G
Gate
Driver
OSC
+
ᣉᩋᶭ⬗
Dinamic O.V.P.
O.V.P.
12k
Restart
Comp
State
Set
ERR. AMP
1
2.5M
ZCD
Comp
PWM COMP
0.5V
OVP
Comp
Filter
40ns
CUR. AMP
2.5V
+
-
Bypass Diode
Short Prot
SP
VD
Multiplier
Delay
CS ５
G
VCMP
2.71V/2.61V
- 0.6V
3
R
TIMER
S
SOVP
Comp
VIN
Detector
OUT
+
-
SP
UVLO
+
Internal Bias : 5V
2.7V
Q
R
OVP
COMP
+
VREF
FB
PROT
１
SP
SOVP
FB
UVLO
UVLO
12.4V/8.8V
PWM
Comp
0.3V
8
28V
+
Dynamic
OVP
+
2.63V
VCC
28V
UVLO
Comp
REF
5.0V
4
Static O.V.P.
5.0V
VD
28k
IL
Detector
99
デュアル
Dual
ゼロ電流
検出端子
with ZCD
sense pin
ゼロ電流
検出端子
with ZCD
sense pin
その他
Other
+
-
IC
連続
&&0
O.C.P
)$30
3
集積回路,QWHJUDWHG&LUFXLWV
電流共振IC Current Resonant ICs
型式
7\SH
1DPH
制御方式
&RQWURO
PRGH
)$1
)$$1
電圧モード
9ROWDJHPRGH
)$$1
入力電圧 89/2
電流検出 動作周波数
,QSXW
8QGHUYROWDJH &XUUHQW )UHTXHQF\
VHQVH
YROWDJH9 ORFNRXW
212))
最大周波数
0D[LPXP
IUHTXHQF\
N+]
99
プラス
3RVLWLYH
99
自励方式
6HOIRVFLOODWLRQ
)$$1
過負荷保護
2YHU
ORDG
SURWHFWLRQ
過電圧保護
2YHU
YROWDJH
SURWHFWLRQ
ブラウンアウト
機能
%URZQRXW
IXQFWLRQ
固定
)L[HG
自動復帰
$XWR
5HFRYHU\
起動回路
6WDUWXS
FLUFXLW
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
9
調整可能
$GMXVWDEOH
タイマーラッチ
7LPHUODWFK
3.*全てSLQ $OOSLQ
IC
電流共振IC Current Resonant ICs
電流共振IC
&XUUHQW5HVRQDQW,&
電流検出
Current sense
プラス
Positive
ブラウンアウト機能
Brown out function
固定
Fixed
過負荷保護
Over load protection
調整可能
Adjustable
自動復帰
Auto-Recovery
周波数
Frequency
型式
Product type
タイマーラッチ
Timer-latch
自動復帰
Auto-Recovery
k+]
k+]
k+]
)$1
)$$1
)$$1
)$$1
代表型式ブロック図 Block diagram (Main model)
)$1
)$$1
㻥㼏㼒㼆㼎㻃㻧㼌㼄㼊㼕㼄㼐
㻳㻪㻶
㻹㻦㻦
㻵㻨㻩
㻹㻫
㻹㻦㻦
㻹㻥
㻘㻹
㻹㻫㻲㻹㻳
㻶㼗㼒㼓㻃㼖㼚㼌㼗㼆㼋㼌㼑㼊
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗
㻭㻩㻨㻷
㻶㼗㼄㼕㼗㻐㼘㼓㻃
㼆㼒㼐㼓
㻹㻶㻷㻲㻱㻒
㻹㻶㻷㻲㻩㻩
㻹㻦㻦㼂㻸㻹㻯㻲
㻶㼗㼄㼕㼗㻐㼘㼓
㻦㼌㼕㼆㼘㼌㼗
㻥㻲㼆㼒㼐㼓
㻬㼑㼗㼈㼕㼑㼄㼏
㻶㼘㼓㼓㼏㼜㻃㻖㻑㻖㻹
㻳㻪㻶㻃㼗㼌㼐㼈㼒㼘㼗
㻤㼅㼑㼒㼕㼐㼄㼏㻃
㻋㻲㻦㻳㻏㻃㻲㻯㻳㻃㼈㼗㼆㻑㻌
㻥㻲
㻥㻲㻃㼗㼌㼐㼈㼕
㻋㻚㻓㼐㼖㻌
㻹㼗㼋㼂㼅㼒
㻵㼈㼊㻘㻑㻓㻃
㻸㻹㻯㻲
㻫㼌㼊㼋㻐㼖㼌㼇㼈㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗
㻦㼋㼄㼕㼊㼈㻃
㼇㼈㼏㼄㼜
㻥㻬㻤㻶㻫
㻹㻫
㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻯㼈㼙㼈㼏㻐㻶㼋㼌㼉㼗
㻬㼑㼓㼘㼗㻃
㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃
㼇㼈㼗㼈㼆㼗
㻵
㻧㼕㼌㼙㼈㼕
㻶㼌㼊㼑㼄㼏㻒㻱㼒㼌㼖㼈
㻶㼈㼓㼄㼕㼄㼗㼌㼒㼑
㻫㻲
㻸㻹㻯㻲
㻕㻑㻘㼐㻤
㻷㻩㻩
㻹㻲㻯㻳㻫㻒
㻹㻲㻯㻳㻯
㻵
㻷㼌㼐㼌㼑㼊㻃
㼄㼇㼍㼘㼖㼗㼐㼈㼑㼗
㻩㻥
㻧㼕㼌㼙㼈㼕
㻦㼒㼑㼗㼌㼑㼘㼒㼘㼖㻃
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㼒㼉㼉㼂㼗㼕㼊
㻹㻲㻦㻳㻒
㻹㻲㻦㻰
㻹㻦㻶㻲㻱㻒
㻹㻦㻶㻲㻩㻩
㻷㻶㻧
㻴
㻷
㻹㼍㻲㻫
㻵
㻯㼄㼗㼆㼋㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗
㻹㻹㻺㻳
㼐㼌㼑㼘㼖㻃㼆㼘㼕㼕㼈㼑㼗㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗
㻲㻹㻳
㼓㼏㼘㼖㻃㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗
㻹㻦㻦
㻹㻦㻦㻫
㻹㻹㻺㻰
㼓㼏㼘㼖㻃㼆㼘㼕㼕㼈㼑㼗㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗
㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻰
㻹㻷㻫㻬㻶㻥㻰
㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻳
㻹㻷㻫㻬㻶㻥㻳
㼳㻘㻹㻃㼌㼑㼓㼘㼗
㻬㻶
㻹㻬㻶㻃㼏㼈㼙㼈㼏㻃
㼄㼇㼍㼘㼖㼗㼐㼈㼑㼗
㻘㻹
㻘㻹
㻹㻥㻫
㻒㻹㻥㻯㻃
㻹㻷㻫㻯㻤㻷
㻶㼐㼒㼇㼈
㻔㻓㻓㻹㼄㼆
㻒㻕㻓㻓㻹㼄㼆
㻹㻲㻦㻳㻒
㻹㻲㻦㻰
㻯㻤㻷㻦㻫
㻵
㻦㻶㻃㼓㼌㼑㻃㼆㼋㼄㼕㼊㼈㻒
㼇㼌㼖㼆㼋㼄㼕㼊㼈
㻩㼒㼕㼆㼈㼇㻃㼗㼘㼕㼑㻐㼒㼉㼉㻃
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻦㻶
㻦㼒㼑㼗㼌㼑㼘㼒㼘㼖㻃
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻪㻱㻧
㻫㻲
㻯㻲
㻲㻦㻳㻃
㼕㼈㼖㼈㼗㻃㼗㼌㼐㼈㼕
㻚㻙㼘㼖
㻔㻓㻓㻹㼄㼆
㻒㻕㻓㻓㻹㼄㼆
㻹㻦㻦
㻶㼐㼒㼇㼈
㻶㼗㼄㼑㼇㻐㼅㼜㻃
㼆㼒㼑㼗㼕㼒㼏
㻲㻫㻳
㻹㻫㻲㻹㻳
㻯㻤㻷㻦㻫
㻸㻹㻯㻲
㻲㻦㻳㻃㻶㼌㼊㼑㼄㼏
㻰㼖㼗㼅
㻩㻷㻲
㻳㼘㼏㼖㼈㻐㼅㼜㻐㼓㼘㼏㼖㼈
㻳㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻳㼘㼏㼖㼈㻐㼅㼜㻐㼓㼘㼏㼖㼈
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻹㻺㼂㻲㻯㻳
㻧㻷㼄㼇㼍
㻹㻺㻃㼒㼏㼓㻃
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻶㼐㼒㼇㼈 㻔㻓㻓㻹㼄㼆
㻒㻕㻓㻓㻹㼄㼆
㻰㼖㼗㼅
㻦㼒㼑㼗㼌㼑㼘㼒㼘㼖㻃
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻥㻲㻳
㻲㼙㼈㼕㻃㼋㼈㼄㼗㼌㼑㼊㻃
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻲㻦㻳㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻶㼈㼏㼉㻐㼄㼇㼍㼘㼖㼗㼌㼑㼊
㼇㼈㼄㼇㻐㼗㼌㼐㼈
㻦㼒㼑㼗㼌㼑㼘㼒㼘㼖
㻳㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻲㻯㻳㻃㼗㼌㼐㼈㼕
㻲㻯㻳㻃㻷㼌㼐㼈㼕
㻷㻲㻩㻩㻝㻘㻘㻓㼐㼖
㻷㼒㼆㼓
㻩㻷㻲
㻘㻹
㻦㻶
㻹㻥
㻫㻲㻃㻃㻃㻃
㻧㻵㻬㻹㻨㻵
㻳㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑㻃㼏㼒㼊㼌㼆
㻦㼌㼕㼆㼘㼌㼗㻃㼉㼒㼕㻃㼄㼙㼒㼌㼇㼌㼑㼊㻃㼆㼄㼓㼄㼆㼌㼗㼌㼙㼈㻃㼐㼒㼇㼈㻃
㻯㼄㼗㼆㼋㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗
㻹㻦㻦㻲㻹㻳
㻰㼈㼛㼏㼄㼗
㻰㼒㼓㼏㼄㼗
㻰㼒㼆㼓
㻵㻶㻩㻩
㻶
㻵
㻴
㻯㻤㻷㻦㻫
㻪㻱㻧
㻸㻹㻯㻲
㻰㼖㼖㼗㼅
㼳㻘㻹㻃㼌㼑㼓㼘㼗
㻹㻺
㻖㻓㻓㼘㼖㻃
㼗㼌㼐㼈㼕
㻸㻹㻯㻲
㼐㼌㼑㼘㼖㻃㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗
㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻳
㻒㻹㻷㻫㻲㻶㻥㻳
㻬㼇㼌㼖㼂㼆㼖
㻋㼙㼄㼕㼌㼄㼅㼏㼈㻌
㻰㼖㼖㼗㼅
㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻰
㻒㻹㻷㻫㻲㻶㻥㻰
㻬㼆㼋㼊㼂㼆㼖
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㼇㼈㼙㼌㼆㼈㼖
㻵㼈㼊㻑㻃㻘㻹
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㻬㻶
㻹㻺
3
集積回路,QWHJUDWHG&LUFXLWV
■ ハイサイド・ローサイド ドライバ IC High and Low side driver ICs
型式
7\SHQDPH
絶対最大定格 $EVROXWHPD[LPXPUDWLQJV
ハイサイド
入力電圧
出力電流
2XWSXWFXUUHQW
0D[LPXP
対地電圧
VXSSO\YROWDJH VRXUFHVLQN
+LJKVLGH
ÀRDWLQJ VXSSO\
YROWDJH
)$1
9
)$1
9
$$
)$1
+LJKVLGH
,+2$$
/RZVLGH
,/2$$
SRVLWLYH
JRLQJ
9
QHJDWLYH
JRLQJ
9
QV
/RJLF9
/RJLF9
QV
623
623
ハイサイド・ローサイド ドライバIC系列 High and Low side driver IC
ハイサイド・ローサイドドライバIC
High and Low side driver IC
ハイサイド対地電圧
High side floating supply voltage
830V
出力電流
Output current (source / sink)
パッケージ
Package
型式
Product type
624V
‒1.4A/1.8A
‒0.2A/0.35A
High Side：-0.62A/1.00A
Low side: -0.56A/0.91A
125ns
125ns
130ns
入出力遅延時間
Turn-on/off propagation delay time
623
623
623
623
)$1
)$1
)$1
)$1
代表型式ブロック図 Block diagram (Main model)
■端子配置 Pin Layout
)$1
)$1
Level-Shift
VB(8)
UV Delay=1.5us
detect
R
Driver
Signal/Noise
Separator
Input voltage
detect circuit
HIN(1)
HO(7)
VS(6)
Pulse
genatator
VREG
(5.0V)
VCC(5)
Input voltage
detect circuit
LIN(2)
Timing
adjustment
UV
detect
Delay=3us
R
Driver
LO(4)
GND(3)
)$1
)$1
+,1
1& +,1
9% 9&&
9% /,1
9% /,1
+2 +,1
+2 1&
+2 *1'
96 /,1
96 1&
96 /2
9&& /2
*1' 1&
1& *1'
1& /2
1& 9&&
1&
パッケージ
3DFNDJH
623
QV
N+]
入力系統数
1XPEHU
RI,QSXW
WHUPLQDO
IC
9
電気的特性 (OHFWULFDOFKDUDFWHULVWLFV
論理入力電圧 入出力遅延 電源電圧
/RJLF 時間
低下保護
,QSXWYROWDJH 7XUQRQRII 9&&DQG9%6
OHYHOW\S
SURSDJDWLRQ VXSSO\
GHOD\WLPH XQGHUYROWDJH
W\S
WKUHVKROGW\S
/RJLF9
/RJLF9
$$
)$1
9
最大動作
周波数
0D[LPXP
LQSXW
IUHTXHQF\
3
集積回路,QWHJUDWHG&LUFXLWV
■ DC/DC 電源制御用 IC
DC/DC Power Supply control ICs
DC/DC制御IC DC/DC Power Supply control ICs
制御方式
出力数 入力電圧
動作周波数
&RQWUROPRGH
2XWSXW ,QSXWYROWDJH )UHTXHQF\
FKDQQHO
昇圧 フライバック 降圧 反転
%RRVW )O\EDFN %XFN ,QYHUWLQJ
)$9
)$9
基準電圧 動作周囲温度 出力電流
5HIHUHQFH 2SHUDWLQJ
2XWSXW
9ROWDJH
$PELHQW
&XUUHQW
7HPSHUDWXUH
出力段 パッケージ
026)(7 3DFNDJH
2XWSXW
026)(7
9
N0+]
9
− ℃
−
−
76623
9
N0+]
9
− ℃
−
−
76623
9
N0+]
9
− ℃
−
−
76623
623
9
N0+]
9
− ℃
−
−
76623
9
)$9
)$9
)$9
9
N0+]
− ℃
−
−
76623
)$9
9
NN+] $GMXVWDEOH − ℃
−
−
76623
9
NN+]
)$$13
9
− ℃
内蔵
:LWKLQ
$
623(
DC/DC制御IC DC/DC Power Supply control ICs
DCDCコンバータ
出力段MOSFET
MOSFET
外付け
Without
出力数
Out put channel
FK
FK
9FF
WR9
Vcc
内蔵
Within
9FF
WR9
9FF
WR9
FK
FK3FK内蔵
9FF
WR9
9FF
WR9
制御方式
Control mode
昇圧/Boost
フライバック
/Flyback
降圧/Buck
降圧/Buck
昇圧/Boost
反転/Invert
フライバック
/Flyback
降圧/Buck
昇圧/Boost
フライバック
/Flyback
降圧/Buck
昇圧/Boost
反転/Invert
フライバック
/Flyback
降圧/Buck
昇圧/Boost
反転/Invert
フライバック
/Flyback
降圧/Buck
型式
Product type
)$9
)$9
)$9
)$9
)$9
)$9
)$$13
代表型式ブロック図 Block diagram (Main model)
)$9
)$$13
④ 㻃 VREF
⑱ VCC
⑯ 㻃CS3 ⑭㻃CS2 ⑪ CS1
57
Reference
voltge
Soft
start
UVLO
9
6RIW
6WDUW
(1%
9&&
&ORFN
&RXQWHU
&RPSHQVDWLRQ
26&
89/2
212))
7KHPDO
6KXWGRZQ
5HIHUHQFH
9ROWDJH
PVCC
&5(*
② RT
Oscillator
⑰ 㻃PVCC
Er. Amp.1
⑥ IN1+
䟽
⑦ IN1-
䟿
䟽
⑳ IN2-
PGND
䟽
Comp.2
PVCC
䟿
䟿
N/P ch
drive
䟽
⑲ FB2
PGND
Er. Amp.3
24
IN3+
23
IN3-
22
FB3
JP
⑫㻃 OUT1
ё
Er. Amp.2
IN2+
9ROWDJH
5HJXODWRU
9%,$6
P ch
drive
䟿
⑧ FB1
21
89/2
Comp.1
䟽
䟿
Comp.3
⑤ 㻃SEL2
N/P ch
drive
䟿
PGND
① 㻃CP
27$
③ 㻃SEL3
⑨ 㻃GND
2YHU
&XUUHQW
'HWHFWLRQ
'ULYHU
3:0B &203
⑮㻃 OUT3
䐟㻃㻳㻪㻱㻧
PGND
㻷㼌㼐㼈㼕
㼏㼄㼗㼆㼋
5
4
6
,1
PVCC
䟽
FB voltage
dtection
7LPHU/DWFKIRU
6KRUW&LUFXLW3URWHFWLRQ
⑬㻃 OUT2
6
5
4
287
,1
'LRGHRSHQ
GHWHFW
*1'
IC
型式
7\SH
1DPH
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
パワーMOSFET
Power MOSFETs
富士電機のパワー MOSFET は、低損失、低ノイズ、低オン抵
抗などの特長を有し、中耐圧から高耐圧品までラインアップして
います。
®
スーパージャンクション技術を適用した『Super J MOS 』
シリーズ
では 600V 耐圧品を中心に展開しています。
)XML(OHFWULFKDVDOLQHXSRISRZHU026)(7VUDQJLQJIURP
PHGLXPWRKLJKYROWDJHW\SHVZLWKIHDWXUHVVXFKDVORZSRZHU
ORVVORZQRLVHDQGORZRQUHVLVWDQFH
7KH³6XSHU-026´6HULHVXVHVVXSHUMXQFWLRQWHFKQRORJ\DQG
ZDVGHYHORSHGSULPDULO\IRUPRGHOVZLWKDZLWKVWDQGYROWDJHRI
9
■ Super J MOS®シリーズの特長 Features of the Super J MOS® series
スーパージャンクション技術により、従来のパワー MOSFET に比べ、素子
耐圧とオン抵抗（Ron・A) のトレードオフを大幅に改善し、ターンオフ損
失とターンオフ dV/dt とのトレードオフ特性を従来のパワー MOSFET と
同等レベルにする事で、低損失と低ノイズ特性を両立し電源の高効率化、
小型化をサポートします。
6XSHUMXQFWLRQWHFKQRORJ\KDVPXFKLPSURYHGWUDGHRIIFKDUDFWDULVLW\
EHWZHHQ2QUHVLVWDQFHDQG%UHDNGRZQYROWDJH
6XSHU - 026 KDV WKH VDPH WXUQRII ORVV DQG WXUQRII GYGW FDSDELOLWLHV DW
FRQYHQWLRQDO026)(7
$VDUHVXOW,WFRQWULEXWVWRKLJKHIILFLHQF\DQGPLQLDWXUL]DWLRQRI
SRZHUVXSSO\
■特長 Features
3
低オン抵抗 RonA を従来比（Super FAP-E ）約 75% 低減
低ターンオフ損失と低ノイズを両立
アバランシェ耐量保証
ゲートしきい値電圧 3.0±0.5V 保証
低オン抵抗化によりパッケージ小型化が可能
ex）600V/0.28Ω/TO-3P → 600V/0.28Ω/TO-220
Ɣ/RZ5'6RQORZHUWKDQRXUFRQYHQWLRQDO026)(7
Ɣ&RSLQJZLWKERWKORZWXUQRIIORVVDQGORZQRLVH
Ɣ*XDUDQWHHGDYDODQFKHUREXVWQHVV
Ɣ1DUURZEDQGRIWKHJDWHWKUHVKROGYROWDJH9
Ɣ'XHWRORZ5'6RQ6HOHFWDEOHVPDOOHUSDFNDJH
H[9ȍ723ĺ9ȍ72
■用途 Applications
サーバ、PC、パワーコンディショナー、UPS、液晶テレビ、照明、標準電源、
基地局電源などの PFC 回路・PWM コンバータ
3)& RU 3:0 FRQYHUWHU IRU 6HUYHU 3& 3&6 836 /&'79 /LJKWLQJ DQG
6WDQGDUGSRZHUVXSSO\
®
Super J MOS は、富士電機の登録商標です。
6XSHU-026®LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI)XML(OHFWULF
㻤㼕㼈㼄㻐㼖㼓㼈㼆㼌㼉㼌㼆㻃㼒㼑㻐㼕㼈㼖㼌㼖㼗㼄㼑㼆㼈㻃㻾䂿㼐㼐㻕㼀
MOSFET
■コンセプト Concept
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㻙
7
)(
26
O0
D
Q
WLR
HQ
QY
&R
U
JD
WQD
KD
%
W
L
LP 0
QO '
6
LFR
6LO I,63
UH
㻘
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6XSHU-026
㻔㻔
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㻚㻓㻓
㻚㻘㻓
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3, E3Sシリーズの特長 Features of the SuperFAP-E3, E3S series
■コンセプト Concept
第二世代擬平面接合技術により、
“低損失、低ノイズ特性”と“使い易さ”
を両立し、電源セットの設計から製品までのトータル性能向上をサポート
します。
7KHVHFRQGJHQHUDWLRQ4XDVL3ODQHU-XQFWLRQWHFKQRORJ\FRSHVZLWKERWK
ORZORVVQRLVHDQGXVDELOLW\
$QG WKLV WHFKQRORJ\ OHWV XV DFKLYH KLJK SHUIRUPDQFH IRU SRZHU VXSSO\
V
FLUFXLWGHVLQH
低損失特性と低ノイズ特性の両立
低オン抵抗特性
スイッチング時 dv/dt のゲート抵抗制御性が良い
スイッチング時の VGS のリンギングが小さい
ゲートしきい値電圧幅 ±0.5V
高アバランシェ耐量
E3コンセプト概念図
Concept
使いやすさ
(DV\WR'HVLJQ
(DV\WRXVH
低損失・低ノイズ
/RZHU(PLVVLRQ
SRZHUORVV(0,QRLVH
(FRORJ\
エコロジー
Su
pe
rF
AP
-E
3
Ɣ&RSLQJZLWKERWKORZORVVDQGORZQRLVH
Ɣ/RZ5'6RQ
Ɣ+LJKFRQWURODELOLW\RIJDWHUHFLVWDQFHGXULQJVZLWFKLQJ
Ɣ/RZ9*6ULQJLQJZDYHIRUPGXULQJVZLWFKLQJ
Ɣ1DUURZEDQGRIWKHJDWHWKUHVKROGYROWDJH9
Ɣ+LJKDYDODQFKHGXUDELOLW\
MOSFET
■特長 Features
■ SuperFAP-Gシリーズの特長 FeaturesRIWKHSuperFAP-G series
擬平面接合技術により、低 Qgd によるスイッチング損失と低オン抵抗特性を実現しました。
7KH4XDVL3ODQHU-XQFWLRQWHFKQRORJ\DFKLHYHORZ5'6RQDQGORZZLWFKLQJORVVORZ4JG
■特長 Features
ターンオフ損失の低減 従来比で約 75％低減
低ゲートチャージ 従来比で約 60％低減
高アバランシェ耐量
低オン抵抗化によりパッケージ小型化が可能
ex）500V/0.4Ω/TO-3P → 500V/0.38Ω/TO-220
Ɣ/RZWXUQRIIORVVORZHUWKDQRXUFRQYHQWLRQDOW\SH
Ɣ/RZ*DWHFKDUJHORZHUWKDQRXUFRQYHQWLRQDOW\SH
Ɣ+LJKDYDODQFKHGXUDELOLW\
Ɣ'XHWRORZ5'6RQ6HOHFWDEOHVPDOOHUSDFNDJH
H[9ȍ723ĺ9ȍ72
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■系列マップ Series map
MOSFET
5GVRQPD[ȍ
SuperFAP-G シリーズ
SuperFAP-E3 シリーズ
Super J MOS® シリーズ
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9'669
■型式の見方 3DUWQXPEHUV
FMV20N60S1 (example)
)
0
機種コード
社名
Device code
Company Symbol
Fuji
M
MOSFET
9
パッケージコード
Package code
A
TO-220F
B
D2-pack
C
T-pack (S)
H
TO-3P
I
T-pack (L)
P
TO-220
R
TO-3PF
V TO-220F (SLS)
W
TO-247
定格電流
Current
×1
®
Super J MOS は、富士電機の登録商標です。
6XSHU-026®LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI)XML(OHFWULF
1
極性
Polarity
N
N-ch
6
定格電圧
Voltage
×1/10
製品シリーズ
Series
S1
Super J MOS®
S1FD Super J MOS® (FRED)
S1A
Super J MOS® for Automotive
S1FDA Super J MOS® (FRED) for Automotive
E
SuperFAP-E3
ES
SuperFAP-E3S
G
SuperFAP-G
GF
SuperFAP-G (FRED)
T2
Trench
R
3G-Trench
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
®
®
■ Super J MOS S1シリーズ Super J MOS S1 series
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
6XSHU-0266VHULHV
9GV9
5RQȍ
,G$
72
72)6/6
7234
723
'3DFN
型 式
'HYLFHW\SH
○
○
○
○
○
○
○
)0316
)0916
)0%16
)0316
)0916
)0%16
)0316
)0916
)0%16
)0316
)0916
)0+16
)0%16
)0316
)0916
)0+16
)0:16
)0316
)0916
)0+16
)0:16
)0%16
)0316
)0916
)0+16
)0:16
)0%16
)0316
)0916
)0+16
)0:16
)0%16
)0916
)0+16
)0:16
)0916
)0+16
)0:16
)0+16
)0:16
)0:16
)0:16
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
○：開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
5'6RQ
0D[
2KPVΩ
3'
9*6
9*6WK
:DWWV
9ROWV
9ROWV
4J
W\S
Q&
パッケージ
3DFNDJH
72
72)6/6
'3DFN
72
72)6/6
'3DFN
72
72)6/6
'3DFN
72
72)6/6
7234
'3DFN
72
72)6/6
7234
723
72
72)6/6
7234
723
'3DFN
72
72)6/6
7234
723
'3DFN
72
72)6/6
7234
723
'3DFN
72)6/6
7234
723
72)6/6
7234
723
7234
723
723
723
質 量 1HWPDVV
*UDPV
Super J MOS®は、富士電機の登録商標です。
Super J MOS® is registered trademarks of Fuji Electric.
®
Super J MOS シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
7KH6XSHU-026 VHULHVSURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDOFRQVXPHUXVH
,I\RXLQWHQGWRXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\VXFKDVHTXLSPHQWIRUDXWRPRELOHVDQGPHGLFDOHTXLSPHQWSOHDVHFRQWDFW)XML(OHFWULF
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
MOSFET
■ 600Vクラス 600V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
®
■ Super J MOS S1FDシリーズ 高速ダイオード内蔵シリーズ
®
Super J MOS S1FD Series (Built-in FRED type)
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
6XSHU-026%XLOWLQ
)5('VHULHV9FODVV
9GV9
5RQȍ
,G$
72
72)6/6
7234
723
'3DFN
■ 600Vクラス 600V class
MOSFET
型 式
'HYLFHW\SH
○
○
○
)0316)'
)0916)'
)0+16)'
)0:16)'
)0%16)'
)0316)'
)0916)'
)0+16)'
)0:16)'
)0%16)'
)0316)'
)0916)'
)0+16)'
)0:16)'
)0%16)'
)0916)'
)0+16)'
)0:16)'
)0+16)'
)0:16)'
)0+16)'
)0:16)'
)0:16)'
)0:16)'
9'66
,'
9ROWV
$PSV
○：開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
,'SXOVH 5'6RQ
3'
0D[
$PSV
2KPVΩ :DWWV
9*6
9*6WK
9ROWV
9ROWV
4J
W\S
Q&
Trr
W\S
パッケージ
3DFNDJH
ns
72
72)6/6
7234
723
'3DFN
72
72)6/6
7234
723
'3DFN
72
72)6/6
7234
723
'3DFN
72)6/6
7234
723
7234
723
7234
723
723
723
質 量 1HWPDVV
*UDPV
®
Super J MOS は、富士電機の登録商標です。
®
Super J MOS is registered trademarks of Fuji Electric.
®
Super J MOS シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
7KH6XSHU-026 VHULHVSURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDOFRQVXPHUXVH
,I\RXLQWHQGWRXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\VXFKDVHTXLSPHQWIRUDXWRPRELOHVDQGPHGLFDOHTXLSPHQWSOHDVHFRQWDFW)XML(OHFWULF
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3シリーズ SuperFAP-E3 series
低オン抵抗、低ノイズ /RZRQUHVLVWDQFHDQGORZVZLWFKLQJQRLVH
9GV
9
5RQ
ȍ
,G
$
72
726/6
7234
723)
73DFN/
73DFN6
MOSFET
6XSHU)$3(VHULHV
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3シリーズ SuperFAP-E3 series
■ 500V クラス 500V class
MOSFET
型 式
'HYLFHW\SH
)031(
)091(
)0,1(
)0&1(
)031(
)091(
)0,1(
)0&1(
)031(
)091(
)031(
)091(
)0,1(
)0&1(
)031(
)091(
)0,1(
)0&1(
)0+1(
)031(
)091(
)0,1(
)0&1(
)0+1(
)091(
)0+1(
)051(
)0+1(
)051(
＊
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[ ＊
2KPVΩ
3' ＊
9*6
9*6WK
:DWWV
9ROWV
9ROWV
4J
7\S
Q&
パッケージ
3DFNDJH
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
72
72)6/6
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
7234
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
7234
72)6/6
7234
723)
7234
723)
質 量 1HWPDVV
*UDPV
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
記号 /HWWHUV\PEROV
9'66 ドレイン・ソース電圧
ドレイン電流
,'
,'SXOVH: パルスドレイン電流
5'6RQ: ドレイン・ソース オン抵抗
'UDLQVRXUFHYROWDJH
&RQWLQXRXVGUDLQFXUUHQW
3XOVHGGUDLQFXUUHQW
'UDLQVRXUFHRQVWDWHUHVLVWDQFH
0D[LPXPSRZHUGLVVLSDWLRQ
許容損失電力
3':
9*6: ゲート・ソース電圧 *DWHVRXUFHYROWDJH
9*6WK: ゲートしきい値電圧 *DWHWKUHVKROGYROWDJH
4J:
トータルゲートチャージ量 7RWDOJDWHFKDUJH
SuperFAP-E3 シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い合
わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
7KH6XSHU)$3(VHULHVSURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDOFRQVXPHUXVH
,I\RXLQWHQGWRXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\VXFKDVHTXLSPHQWIRUDXWRPRELOHVDQGPHGLFDOHTXLSPHQWSOHDVHFRQWDFW)XML(OHFWULF
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ SuperFAP-E3シリーズ SuperFAP-E3 series
型 式
'HYLFHW\SH
)031(
)091(
)0,1(
)0&1(
)031(
)091(
)0,1(
)0&1(
)031(
)091(
)031(
)091(
)0,1(
)0&1(
)031(
)091(
)0,1(
)0&1(
)031(
)091(
)0,1(
)0&1(
)031(
)091(
)0,1(
)0&1(
)091(
)0+1(
)051(
)0+1(
)051(
)091(
)091(
)091(
)0+1(
)091(
)0+1(
)091(
)0+1(
)091(
)091(
)0+1(
)0,1(
)0&1(
)091(
)0+1(
)0,1(
)0&1(
)091(
)0+1(
)091(
)0+1(
＊
5'6RQ9*6 9
＊
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[＊
2KPVΩ
3' ＊
9*6
9*6WK
:DWWV
9ROWV
9ROWV
4J
7\S
Q&
パッケージ
3DFNDJH
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
72
72)6/6
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
72)6/6
7234
723)
7234
723)
72)6/6
72)6/6
72)6/6
7234
72)6/6
7234
72)6/6
7234
72)6/6
72)6/6
7234
73DFN/
73DFN6
72)6/6
7234
73DFN/
73DFN6
72)6/6
7234
72)6/6
7234
質 量 1HWPDVV
*UDPV
3'7& &
MOSFET
■ 600 − 800V クラス 600 - 800V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3 シリーズ SuperFAP-E3 series
■ 900V クラス 900V class
型 式
'HYLFHW\SH
)0+1(
)091(
)0,1(
)0&1(
)0+1(
)091(
)0,1(
)0&1(
)0+1(
)091(
)051(
)0+1(
)091(
)051(
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
MOSFET
＊
9'66
5'6RQ
0D[＊
2KPVΩ
3' ＊
9*6
9*6WK
:DWWV
9ROWV
9ROWV
4J
7\S
Q&
パッケージ
3DFNDJH
7234
72)6/6
73DFN/
73DFN6
7234
72)6/6
73DFN/
73DFN6
7234
72)6/6
723)
7234
72)6/6
723)
質 量 1HWPDVV
*UDPV
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3S 低Qgシリーズ SuperFAP-E3S Low Qg series
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 /RZRQUHVLVWDQFHORZVZLWFKLQJQRLVHDQGORZVZLWFKLQJORVV
9GV 5RQ
9 ȍ
,G
$
72
726/6
7234
723)
73DFN6
7)3
73DFN/
■ 500V クラス 500V class
型 式
'HYLFHW\SH
)031(6
)091(6
)0,1(6
)0&1(6
)0/1(6
)031(6
)091(6
)0,1(6
)0&1(6
)0+1(6
)0/1(6
)031(6
)091(6
)0,1(6
)0&1(6
)0+1(6
)0/1(6
)091(6
)051(6
)0+1(6
)091(6
)051(6
)0+1(6
)051(6
)0+1(6
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[＊
2KPVΩ
3' ＊
9*6
:DWWV
9ROWV
9*6WK
9ROWV
4J
7\S
Q&
パッケージ
3DFNDJH
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
7)3
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
7234
7)3
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
7234
7)3
72)6/6
723)
7234
72)6/6
723)
7234
723)
7234
質 量 1HWPDVV
*UDPV
＊
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
SuperFAP-E3S シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
7KH6XSHU)$3(6VHULHVSURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDOFRQVXPHUXVH
,I\RXLQWHQGWRXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\VXFKDVHTXLSPHQWIRUDXWRPRELOHVDQGPHGLFDOHTXLSPHQWSOHDVHFRQWDFW)XML(OHFWULF
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
MOSFET
6XSHU)$3( 6
/RZ4JVHULHV
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3S 低Qgシリーズ SuperFAP-E3S Low Qg series
■ 600V クラス 600V class
MOSFET
型 式
'HYLFHW\SH
)031(6
)091(6
)0,1(6
)0&1(6
)031(6
)091(6
)0,1(6
)0&1(6
)0/1(6
)031(6
)091(6
)0,1(6
)0&1(6
)0+1(6
)0/1(6
)031(6
)091(6
)0,1(6
)0&1(6
)0+1(6
)0/1(6
)091(6
)051(6
)0+1(6
)091(6
)051(6
)0+1(6
)051(6
)0+1(6
＊
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[＊
2KPVΩ
3' ＊
9*6
:DWWV
9ROWV
9*6WK
9ROWV
4J
7\S
Q&
パッケージ
3DFNDJH
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
7)3
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
7234
7)3
72
72)6/6
73DFN/
73DFN6
7234
7)3
72)6/6
723)
7234
72)6/6
723)
7234
723)
7234
質 量 1HWPDVV
*UDPV
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
SuperFAP-E3S シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
7KH6XSHU)$3(6VHULHVSURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDOFRQVXPHUXVH
,I\RXLQWHQGWRXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\VXFKDVHTXLSPHQWIRUDXWRPRELOHVDQGPHGLFDOHTXLSPHQWSOHDVHFRQWDFW)XML(OHFWULF
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series
低オン抵抗、低ゲート容量 /RZRQUHVLVWDQFHDQGORZJDWHFKDUJH
9GV
9
5RQ
ȍ
,G
$
72
72)
726/6
723)
72
73DFN/
73DFN6
7)3
MOSFET
6XSHU)$3*
VHULHV
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series
■ 100 − 250V クラス 100 - 250V class
MOSFET
型 式
'HYLFHW\SH
6.
6.05
6./6
6.
6.05
6./6
6.
6.
6.05
6./6
6.
6.05
6./6
6.
6.05
6.
6.05
6./6
6.
6.
6.
6.05
6./6
6.
6.
6.05
6./6
6.
6.
6.05
6./6
)091*
6.
6.05
6./6
6.
6.5
6.
6.5
＊
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[＊
2KPVΩ
3' ＊
9*6
:DWWV
9ROWV
9*6WK
4J
7\S
9ROWV
Q&
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
to to to WR
to to to to to to to パッケージ
3DFNDJH
72
72)
7SDFN
72
72)
7SDFN
7)3
72
72)
7SDFN
72
72)
7SDFN
7)3
72)
72
72)
7SDFN
7)3
72
72
72)
7SDFN
7)3
72
72)
7SDFN
7)3
72
72)
7SDFN
72)6/6
72
72)
7SDFN
7)3
723)
72
723)
質 量 1HWPDVV
*UDPV
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
SuperFAP-G シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い合
わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
7KH6XSHU)$3*VHULHVSURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDOFRQVXPHUXVH
,I\RXLQWHQGWRXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\VXFKDVHTXLSPHQWIRUDXWRPRELOHVDQGPHGLFDOHTXLSPHQWSOHDVHFRQWDFW)XML(OHFWULF
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series
9'66
,'
,'SXOVH
6.05
6.
6.05
6./6
6.
6.
6.05
6.
6.05
6.
6.05
6./6
6.
6.05
6./6
6.
9ROWV
$PSV
$PSV
6.
6.05
6./6
6.
6.05
6.05
6./6
6.
6.05
6./6
6.
6.05
6./6
6.
6.05
6./6
6.
6.05
6./6
6.
)0/1*
6.
6.5
6.
型 式
'HYLFHW\SH
＊
5'6RQ
0D[＊
2KPVΩ
3' ＊
9*6
:DWWV
9ROWV
9ROWV
to WR
WR
WR
WR
9*6WK
to to to WR
WR
WR
WR
to to to WR
WR
WR
WR
4J
7\S
Q&
to to WR to to to to to to to to to to to to to to WR
to to to パッケージ
3DFNDJH
72)
72
72)
7SDFN
7)3
72
72)
72
72)
72
72)
7SDFN
72
72)
7SDFN
7)3
72
72)
7SDFN
72
72)
72)
7SDFN
72
72)
7SDFN
72
72)
7SDFN
72
72)
7SDFN
72
72)
7SDFN
72
7)3
72
723)
72
質 量 1HWPDVV
*UDPV
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
MOSFET
■ 300 − 500V クラス 300 - 500V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series
■ 600 − 900V クラス 600 - 900V class
MOSFET
型 式
'HYLFHW\SH
6.
6.05
6./6
6.
6.05
6./6
6.
6.05
6./6
6.
6.05
6./6
6.
6.05
6.5
6.
6.05
6./6
6.
6.
6.5
6.
6.5
6.
6.05
6.
6.05
6./6
6.
6.05
6./6
＊
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
5'6RQ
0D[＊
2KPVΩ
3' ＊
9*6
9*6WK
:DWWV
9ROWV
9ROWV
WR
WR
WR
to to to to to to to to to to to to to to to to to to to to to to WR
WR
WR
to to to 4J
7\S
Q&
パッケージ
3DFNDJH
72
72)
7SDFN
72
72)
7SDFN
72
72)
7SDFN
72
72)
7SDFN
72
72)
723)
72
72)
7SDFN
72
72
723)
72
723)
72
72)
72
72)
7SDFN
72
72)
7SDFN
質 量 1HWPDVV
*UDPV
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-Gシリーズ 高速ダイオード内蔵シリーズ
SuperFAP-G Built-in FRED series
6XSHU)$3*%XLOWLQ)5('VHULHV
9GV9
5RQȍ
72
72)
,G$
72
73DFN/
73DFN6
型 式
'HYLFHW\SH
6.
6.05
6.
6.05
6./6
6.
＊
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[＊
2KPVΩ
3' ＊
9*6
9*6WK
:DWWV
9ROWV
9ROWV
to to to to to to 4J
7\S
Q&
パッケージ
3DFNDJH
72
72)
72
72)
7SDFN
72
質 量 1HWPDVV
*UDPV
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
MOSFET
■ 500 − 600V クラス 500 - 600V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ 中耐圧トレンチ シリーズ Trench Power MOSFET
低オン抵抗、高ゲート耐圧 /RZRQUHVLVWDQFHDQGKLJKJDWHFDSDELOLW\
7UHQFK3RZHU026)(7
9GV
9
5RQ
ȍ
72
,G
$
72)
7234
72
73DFN/
73DFN6
'SDFN
■ 60 − 100V クラス 60 - 100V class
MOSFET
型 式
'HYLFHW\SH
●
●
6.
6.05
6.
6./6
6.66.6
6.
6.05
6.6
)0&15
)0<15
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
●：新製品 1HZ3URGXFWV ＊
5'6RQ
0D[＊
2KPVΩ
3' ＊
9*6
:DWWV
9ROWV
5'6RQ
0D[＊
2KPVΩ
3' ＊
9*6
:DWWV
9ROWV
9*6WK
W\S
9ROWV
パッケージ
3DFNDJH
9*6WK
W\S
9ROWV
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
パッケージ
3DFNDJH
質 量 1HWPDVV
*UDPV
72
72)
72
7SDFN/6 'SDFN
7SDFN6
723
72)
7SDFN
73DFN6
72
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
■ 100 − 200V クラス 100 - 200V class
型 式
'HYLFHW\SH
)0317
)0$17
)0,17
)0&17
)0317
)0$17
)0,17
)0&17
)0317
)0$17
)0,17
)0&17
＊
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
72
72)
7SDFN/
7SDFN6
72
72)
7SDFN/
7SDFN6
72
72)
7SDFN/
7SDFN6
質 量 1HWPDVV
*UDPV
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
中耐圧トレンチ シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問
い合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
7KH7UHQFK3RZHU026)(7VHULHVSURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDOFRQVXPHUXVH
,I\RXLQWHQGWRXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\VXFKDVHTXLSPHQWIRUDXWRPRELOHVDQGPHGLFDOHTXLSPHQWSOHDVHFRQWDFW)XML(OHFWULF
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ 自動車用Super J MOS® S1シリーズ$XWRPRWLYH6XSHU-0266VHULHV
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
$XWRPRWLYH6XSHU-02666HULHV
9GV9
5RQȍ
,G$
72
73DFN6
型 式
'HYLFHW\SH
)0<16$
)0<16$
)0<16$
＊
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[＊1
2KPVΩ
3'＊2
9*6
:DWWV
9ROWV
9*6WK
W\S
9ROWV
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
4J
7\S
Q&
パッケージ
3DFNDJH
72
72
72
質 量 1HWPDVV
*UDPV
®
Super J MOS は、富士電機の登録商標です。
®
自動車用Super J MOS S1シリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
6XSHU-026 LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI)XML(OHFWULF
$XWRPRWLYH6XSHU-026 6VHULHVRISURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDODXWRPRELOHXVHFRQIRUPVWR$(&4
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
■ 自動車用Super J MOS® S1FDシリーズ（高速ダイオード内蔵タイプ）
$XWRPRWLYH6XSHU-0266)'VHULHV%XLOWLQ)5('W\SH
■ 600V クラス 600V class
型 式
'HYLFHW\SH
)0&16)'$
)0<16)'$
)0<16)'$
)0<16)'$
)0<16)'$
)0<16)'$
＊
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[＊1
2KPVΩ
3'＊2
9*6
:DWWV
9ROWV
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
自動車用 Super J MOS® S1FDシリーズは、一般車載用向けの品質保証$(&4準拠製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
9*6WK
W\S
9ROWV
4J
7\S
Q&
trr
7\S
QVHF
パッケージ 質 量 3DFNDJH
1HWPDVV
*UDPV
73DFN
72
72
72
72
72
®
Super J MOS は、富士電機の登録商標です。
6XSHU-026 LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI)XML(OHFWULF
7KH$XWRPRWLYH6XSHU-026 6)'VHULHVRISURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDODXWRPRELOHXVHFRQIRUPVWR$(&4
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
MOSFET
■ 600V クラス 600V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ 自動車用MOSFET（Trench Power MOS、SuperFAP-E6）Automotive MOSFET
$XWRPRWLYH7UHQFK
3RZHU026)(7
6XSHU)$3(6/RZ4J
VHULHV
9GV
9
MOSFET
5RQ
ȍ
72
,G
$
72)
7234
72
73DFN/
73DFN6
'SDFN
■ 自動車用SuperFAP-E3S 低Qgシリーズ Automotive SuperFAP-E3S Low Qg series
■ 300 − 600V クラス 300 - 600V class
型 式
'HYLFHW\SH
)0<1(6
)0<1(6
)0<1(6
)0<1(6
)0<1(6
＊
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[＊1
2KPVΩ
3'＊2
9*6
:DWWV
9ROWV
9*6WK
W\S
9ROWV
4J
7\S
Q&
パッケージ
3DFNDJH
72
72
72
72
72
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
自動車用6XSHU)$3(6低4Jシリーズは、一般車載用向けの品質保証$(&4準拠製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
6
7KH$XWRPRWLYH6XSHU)$3( /RZ4JVHULHVRISURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDODXWRPRELOHXVHFRQIRUPVWR$(&4
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
質 量 1HWPDVV
*UDPV
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ 自動車用SuperFAP-E3S 低Qg 高速ダイオード内蔵シリーズ
$XWRPRWLYH6XSHU)$3(6/RZ4J%XLOWLQ)5('VHULHV
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
■ 300 − 600V クラス 300 - 600V class
型 式
'HYLFHW\SH
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
)0<1(6)
)0<1(6)
)0<1(6)
)0<1(6)
)0<1(6)
＊
5'6RQ
0D[＊1
2KPVΩ
3'＊2
9*6
:DWWV
9ROWV
9*6WK
W\S
9ROWV
4J
7\S
Q&
WUU
7\S
QVHF
パッケージ 質 量 3DFNDJH
1HWPDVV
*UDPV
72
72
72
72
72
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
自動車用6XSHU)$3(6低4J 高速ダイオード内蔵シリーズは、一般車載用向けの品質保証$(&4準拠製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
6
$XWRPRWLYH6XSHU)$3( /RZ4J%XLOWLQ)5('VHULHVRISURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDODXWRPRELOHXVHFRQIRUPVWR$(&4
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
■ 40 − 100V クラス 40 - 100V class
型 式
'HYLFHW\SH
6.
6.05
6.
6./6
6.66.6
)0<17※1
6.
6.05
6.6
)0&15
)0<15※1
＊
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[＊1
2KPVΩ
3'＊2
9*6
:DWWV
9ROWV
9*6WK
W\S
9ROWV
パッケージ
3DFNDJH
72
72)
72
7SDFN
'SDFN
7SDFN
72
723
72)
7SDFN
73DFN
72
質 量 1HWPDVV
*UDPV
5'6RQ9*6 9 ＊ 3'7& &
※1 FMY100N06T、FMY100N10R6は一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。
)0<17DQG)0<15VDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDODXWRPRELOHXVHFRQIRUPVWR$(&4
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
MOSFET
■ 自動車用トレンチMOSFET$XWRPRWLYH7UHQFK3RZHU026)(7
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ 自動車用高機能パワーMOSFET $XWRPRWLYH,QWHOOLJHQW3RZHU026)(7
型 式
'HYLFHW\SH
)
)
)
)
)
)
)
)
)
＊1
5'6RQ9*6 9
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[＊1
2KPVΩ
3'
9*6
:DWWV
9ROWV
9*6WK
W\S
9ROWV
パッケージ
3DFNDJH
.SDFN
7SDFN
.SDFN
623＊
623＊
.SDFN
7SDFN
7SDFN
6623＊
質 量 1HWPDVV
*UDPV
＊2
2ch入り &RQWDLQVFKDQQHOV
■ 自動車用 IPS シリーズ（インテリジェントパワースイッチ）$XWRPRWLYH,36VHULHV,QWHOOLJHQW3RZHU6ZLWFKHV
自己保護機能・診断機能内蔵 Self protection and safety check
MOSFET
型 式
'HYLFHW\SH
)+
)3
)+
)+
)/
)/
＊1
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[
2KPVΩ
＊
＊
＊
＊
＊
＊
5'6RQ9&& 9 ＊2 5'6RQ9,1 9 ＊3 2ch入り &RQWDLQVFKDQQHOV
3'
:DWWV
9*6
9ROWV
9*6WK
W\S
9ROWV
パッケージ
3DFNDJH
623
623
3623
3623
623＊
623＊
質 量 1HWPDVV
*UDPV
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
整流ダイオード
Rectifier Diodes
富士電機の整流ダイオードは、低 VF 特性、低 IR などの特長
を有し、電源の PFC 回路や二次側整流回路に対応が可能です。
)XML(OHFWULF¶VUHFWLILHUGLRGHVKDYHIHDWXUHVVXFKDVORZ9)
FKDUDFWHULVWLFVDQGORZ,5DQGDUHFRPSDWLEOHZLWK3)&
FLUFXLWVRISRZHUVXSSOLHVDQGVHFRQGDU\VLGHUHFWLILFDWLRQ
FLUFXLWV
■ SBD, LLD の特長 Features of the SBD, LLD
超低IR-SBD (Schottky-Barrier Diode)
Ultra Low-IR SBD
■特長 Features
Ɣ *XDUDQWHHG7M &
Ɣ 9)LVVDPHOHYHODQG,5LVUHGXFHGE\OHVVWKDQ
接合部温度（Tj）
℃保証
従来品に対し VF は同等で、IR を 1/10 以下に低減
LLD (Low Loss Diode)
Super LLD series for PFC circuit
Super LLD-3（電流連続モード PFC 用）
従来品に対し高速化と低 VF 化を実現。
6XSHU//'IRU&&03)&
Ɣ 5HDOL]HDFFHOHUDWLRQDQGORZ9)FRPSDLUHGZLWKH[LVWLQJ
PRGHO
Super LLD-2（臨界モード PFC 用）
低 VF 特性による低損失化
ソフトリカバリーによる低ノイズ化
6XSHU//'IRU'&03)&
Ɣ $FKLHYHGORZSRZHUORVVE\ORZ9)
Ɣ $FKLHYHGORZQRLVHE\VRIWUHFRYHU\
■型式の見方 Part numbers
)'5:&/H[DPSOH
)
'5
社名
機種コード
Company code
Device code
Fuji
DR
FWD
:
パッケージコード
Package code
P
TO-220
W
TO-247
定格電流
Current
×1
&
S
C
極性
Polarity
Single
Cathode
Common
定格電圧
Voltage
60
600V
120
1200V
/
製品シリーズ
Series
Ultra Fast
L
Recovery
Sort/Fast
J
Recovery
Diode
■特長 Features
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■型式の見方 Part numbers
<$&5H[DPSOH
<$
パッケージコード
Package code
KP
K-Pack (L)
KS K-Pack (S)
MS
TFP
PA
TO-3P
PG
TO-3PF
PH
TO-247
TP
T-Pack (L)
TS
T-Pack (S)
YA
TO-220
YG
TO-220F
シリーズ
Series
8x
SBD
9x
LLD
1
2
3
4
5
6
8
9
0
&
5
定格電流
Current
5A
10A
15A
15A
20A
30A
30A
40A
40A
極性
Polarity
S
Single
Cathode
C
Common
定格電圧
Voltage
20V
30V
40V
60V
LLD
80V
90V
100V
120V
150V
200V
付加コード
Additional code
R or RR
02
03
04
06
08
SBD
09
10
12
15
20
2
3
4
6
8
10
12
15
200V
300V
400V
600V
800V
1000V
1200V
1500V
■型式の見方 Part numbers
(6$'05H[DPSOH
'
定格電流
Current
ERA ≦1A
ERB ≦2A
リード
ERC ≦3A
ERD ERC ≦5A
ESAB 5A-10A
TOPKG
ESAC 10A-20A
ESAD 20A-30A
シリーズ
Series
8x
SBD
9x
LLD
Diode
(6$
チップ構成
Chip
ESA
ツインチップ
ER シングルチップ
0
パッケージコード
Package code
無し
フィン
004
M フルモールド SBD 006
009
5
電圧定格
Voltage
40V
LLD
60V
90V
付加コード
Additional code
R or RR
02
03
200V
300V
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes(SBD)
72)
Schottky-Barrier Diodes(SBD)
結線
95509 ,R$ 9)9 ,5P$
シングル
デュアル
.3DFN/
.3DFN6
7)3
型式
'HYLFHW\SH
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F
7F
7F
7F
7F
.66
<*65
<*65
<*65
<*65
( ) 条件
＊+]方形波GXW\
＊正弦波PV
＊
95 9550
記号 /HWWHUV\PEROV
9550 ピーク繰返し逆電圧
9560 ピーク非繰返し逆電圧
平均出力電流
,2
サージ電流
,)60
接合温度
7M
周囲温度
7D
ケース温度
7F
℃
℃
℃
℃
℃
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
WR
WR
WR
()&RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\
＊6LQHZDYHPV ＊9
5HSHWLWLYHSHDNUHYHUVHYROWDJH
1RQUHSHWLWLYHSHDNUHYHUVHYROWDJH
$YHUDJHRXWSXWFXUUHQW
6XUJHFXUUHQW
-XQFWLRQWHPSHUDWXUH
$PELHQWWHPSHUDWXUH
&DVHWHPSHUDWXUH
7VWJ
9)0
,550
WUU
5WKMF
7O
,)$9
電気的特性(7D ℃)
パッケージ
&KDUDFWHULVWLFV
3DFNDJH
9)0
,550＊ 5WKMF
0D[9ROWV
0D[P$ ℃:
,) $
.SDFN6
72)
,) $
72)
,) $
72)
,) $
72)
,) $
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
9550
5
保存温度
順電圧
逆電流
逆回復時間
熱抵抗 ( 接合ケース間 )
リード温度
平均順電流
6WRUDJHWHPSHUDWXUH
)RUZDUGYROWDJH
5HYHUVHFXUUHQW
5HYHUVHUHFRYHU\WLPH
7KHUPDOUHVLVWDQFH-XQFWLRQWRFDVH
/HDGWHPSHUDWXUH
$YHUDJHIRUZDUGFXUUHQW
Diode
シングル LQRQHSDFNDJH
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes(SBD)
デュアル LQRQHSDFNDJH
型式
'HYLFHW\SH
.3&
.6&
.6&
.6&
<*&5
<*&5
<*&5
<*&5
06&
<*&5
<*&5
<*&5
<*&5
06&
.6&
<*&5
<*&5
<*&5
<*&5
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F
7F
7F
7F
7F
7F
7F
7F
7F
7F
7F
7F
7F
7F
7F
7F
7F
7F
7F
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
Diode
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ (センタータップ平均出力電流)
＊正弦波PV１チップあたり
＊１チップあたり
＊ 9
5 9 550１チップあたり
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
電気的特性(7D ℃)
&KDUDFWHULVWLFV
,550＊
9)0＊
0D[P$
0D[9ROWV
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
パッケージ
3DFNDJH
5WKMF
℃:
.3DFN/
.SDFN6
.SDFN6
.SDFN6
72)
72)
72)
72)
7)3
72)
72)
72)
72)
7)3
.SDFN6
72)
72)
72)
72)
()&RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\ ($YHUDJHIRUZDUGFXUUHQWRIFHQWHUWDSIXOOZDYHFRQQHFWLRQ)
＊6LQHZDYHPVSHUHOHPHQW
＊SHUHOHPHQW
＊9
5 9 550SHUHOHPHQW
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
整流ダイオード/Rectifier Diodes
5
■ 超低 IR ショットキーバリアダイオード Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes
Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes
結線
デュアル
95509
,R$
9)9
,5P$
72
72)
型式
'HYLFHW\SH
<*&5
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絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ (センタータップ平均出力電流)
＊,
) ,R１チップあたり
＊ 9
5 9 550１チップあたり
＊正弦波PV１チップあたり
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
電気的特性(7D ℃)
&KDUDFWHULVWLFV
,550＊
9)0＊
0D[P$
0D[9ROWV
パッケージ
3DFNDJH
5WKMF
℃:
72)
72
72)
72
72)
72
72)
72
72)
72
72)
72
72)
72
72)
72
72)
72
72)
72
72)
72
72)
72
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
()&RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\ ($YHUDJHIRUZDUGFXUUHQWRIFHQWHUWDSIXOOZDYHFRQQHFWLRQ)
＊6LQHZDYHPVSHUHOHPHQW
＊,
) ,RSHUHOHPHQW
＊9
5 9 550SHUHOHPHQW
Diode
デュアル LQRQHSDFNDJH
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes
Low IR Schottky-Barrier Diodes
72
72)
結線
95509 ,R$ 9)9 ,5P$
シングル デュアル
Diode
7234
723)
72
73DFN/
73DFN6
7)3
シングル LQRQHSDFNDJH
型式
'HYLFHW\SH
<*65
<*65
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ ＊正弦波PV
＊,) ,R
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F ℃
7F ℃
＊9
5
9550
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
電気的特性(7D ℃)
&KDUDFWHULVWLFV
,550＊
9)0＊
0D[P$
0D[9ROWV
()&RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\ ＊6LQHZDYHPV ＊,
) ,R
＊9
5
9550
パッケージ
3DFNDJH
5WKMF
℃:
72)
72)
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
整流ダイオード/Rectifier Diodes
5
■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes
型式
'HYLFHW\SH
<*&5
<$&5
76&5
06&
<*&5
<$&5
76&5
06&
<*&5
<$&5
76&5
<*&5
<$&5
76&5
<*&5
<$&5
76&5
<*&5
<$&5
73&5
<*&5
<$&5
76&5
06&
<*&5
<$&5
76&5
06&
<*&5
<$&5
76&5
<*&5
<$&5
73&5
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ (センタータップ平均出力電流)
＊正弦波PVチップあたり ＊,
) ,R チップあたり
＊ 9
5 9 550チップあたり
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
( ) &RQGLWLRQV
電気的特性(7D ℃)
&KDUDFWHULVWLFV
,550＊
9)0＊
0D[9ROWV
0D[P$
＊+]6TXDUHZDYHGXW\
パッケージ
3DFNDJH
5WKMF
℃:
72)
72
7SDFN6
7)3
72)
72
7SDFN6
7)3
72)
72
7SDFN6
72)
72
7SDFN6
72)
72
7SDFN6
72)
72
73DFN/
72)
72
7SDFN6
7)3
72)
72
7SDFN6
7)3
72)
72
7SDFN6
72)
72
73DFN/
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
($YHUDJHIRUZDUGFXUUHQWRIFHQWHUWDSIXOOZDYHFRQQHFWLRQ)
＊,) ,RSHUHOHPHQW
＊6LQHZDYHPVSHUHOHPHQW
＊49
5
9550SHUHOHPHQW
Diode
デュアル LQRQHSDFNDJH
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes
デュアル LQRQHSDFNDJH
Diode
型式
'HYLFHW\SH
<*&5
<$&5
76&5
<*&5
<$&5
76&5
06&
<*&5
<$&5
76&5
73&5
06&
3$&5
<*&5
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73&5
<*&5
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73&5
76&5
<*&5
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3+&
73&5
76&5
06&
<*&5
<$&5
3+&
76&5
06&
<*&5
<$&5
<*&5
<$&5
73&5
76&5
<*&5
3+&
3*&5
<$&5
73&5
76&5
06&
<*&5
<$&5
76&5
06&
3$&5
3+&
<*&5
<$&5
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ (センタータップ平均出力電流)
＊正弦波PVチップあたり ＊,
) ,R チップあたり
＊ 9
5 9 550チップあたり
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
電気的特性(7D ℃)
&KDUDFWHULVWLFV
,550＊
9)0＊
0D[P$
0D[9ROWV
( ) &RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\
5
5WKMF
℃:
72)
72
7SDFN6
72)
72
7SDFN6
7)3
72)
72
7SDFN6
73DFN/
7)3
7234
72)
72
73DFN/
72)
72
73DFN/
7SDFN6
72)
72
72
73DFN/
7SDFN6
7)3
72)
72
72
7SDFN6
7)3
72)
72
72)
72
73DFN/
7SDFN6
72)
72
723)
72
73DFN/
7SDFN6
7)3
72)
72
7SDFN6
7)3
723
72
72)
72
($YHUDJHIRUZDUGFXUUHQWRIFHQWHUWDSIXOOZDYHFRQQHFWLRQ)
＊,) ,RSHUHOHPHQW
9550SHUHOHPHQW
＊6LQHZDYHPVSHUHOHPHQW
＊49
パッケージ
3DFNDJH
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ スーパー LLD 2 ( 臨界モード PFC 回路用 ) Super LLD 2 (Critical mode PFC)
Super LLD 2 (Critical mode PFC)
結線 95509
シングル
デュアル
,R$
9)9
,5$
7UUVHF
72
72)
72
シングル LQRQHSDFNDJH
型式
'HYLFHW\SH
<$65
<*65
<$65
<*65
<*65
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
,)60＊
$PSV
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ ＊正弦波PV ＊9
5 9 550 ＊ ,
) $,5 $,UHF $
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
7MDQG7VWJ
℃
WR
WR
WR
WR
WR
電気的特性(7D ℃)
&KDUDFWHULVWLFV
9)0
,550＊
0D[9ROWV
0D[μ$
,) $ ,) $ ,) $ ,) $ ,) $ パッケージ
3DFNDJH
WUU＊
μVHF
5WKMF
℃:
72
72)
72
72)
72)
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
( ) &RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\ ＊6LQHZDYHPV ＊9
5 9 550
＊ ,
) $,5 $,UHF $
デュアル LQRQHSDFNDJH
<$&5
<*&5
3+&
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F ℃
7F ℃
7F ℃
,)60＊
$PSV
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ (センタータップ平均出力電流)
＊正弦波PVチップあたり
＊9
5 9 550 1チップあたり
＊ ,
) $,5 $,UHF $ 接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
7MDQG7VWJ
℃
WR
WR
WR
電気的特性(7D ℃)
&KDUDFWHULVWLFV
9)0
,550＊
0D[9ROWV
0D[μ$
,) $ ,) $ ,) $ パッケージ
3DFNDJH
WUU＊
μVHF
5WKMF
℃:
72
72)
72
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
Diode
型式
'HYLFHW\SH
( ) &RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\ ($YHUDJHIRUZDUGFXUUHQWRIFHQWHUWDSIXOOZDYHFRQQHFWLRQ)
＊6LQHZDYHPVSHUHOHPHQW
＊9
5 9 550SHUHOHPHQW
＊4,
) $,5 $,UHF $
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ スーパー LLD 3 ( 連続モード PFC 回路用 ) Super LLD 3 (Continuous mode PFC)
Super LLD 3 (Continuous mode PFC)
結線 95509 ,R$
シングル
デュアル
9)9 ,5$ 7UUVHF
72
72)
72
73DFN6
シングル LQRQHSDFNDJH
型式
'HYLFHW\SH
<$65
<*65
<$65
<*65
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
,)60＊
$PSV
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ ＊正弦波PV ＊9
5 9 550 ＊ ,
) $,5 $,UHF $
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
7MDQG7VWJ
℃
WR
WR
WR
WR
電気的特性(7D
&KDUDFWHULVWLFV
9)0
0D[9ROWV
,) $
,) $
,) $
,) $
℃)
,550＊
0D[μ$
パッケージ
3DFNDJH
WUU＊
μVHF
5WKMF
℃:
72
72)
72
72)
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
( ) &RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\ ＊6LQHZDYHPV
＊95 9550
＊ ,
) $,5 $,UHF $
デュアル LQRQHSDFNDJH
Diode
型式
'HYLFHW\SH
<$&5
76&5
<*&5
<$&5
76&5
<*&5
3+&
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
,)60＊
$PSV
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ (センタータップ平均出力電流)
＊正弦波PV 1チップあたり＊9
5 9 550 1チップあたり
＊,
) $,5 $,UHF $
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
7MDQG7VWJ
℃
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
電気的特性(7D
&KDUDFWHULVWLFV
9)0
0D[9ROWV
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
℃)
,550＊
0D[μ$
パッケージ
3DFNDJH
WUU＊
μVHF
5WKMF
℃:
72
7SDFN6
72)
72
7SDFN6
72)
72
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
( ) &RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\($YHUDJHIRUZDUGFXUUHQWRIFHQWHUWDSIXOOZDYHFRQQHFWLRQ)
＊6LQHZDYHPVSHUHOHPHQW ＊95 9550SHUHOHPHQW
＊,
) $,5 $,UHF $
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ 低損失超高速ダイオード Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD)
Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD)
結線
95509 ,R$ 9)9 ,5$ 7UUVHF
シングル
デュアル
72)
.3DFN/
.3DFN6
7)3
シングル LQRQHSDFNDJH
.36
.66
<*65
<*65
<*65
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
WR
WR
WR
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ ＊正弦波PV ＊,
＊ 9
) ,R
5 9 550
＊,
) $,5 $,UHF $
電気的特性(7D
&KDUDFWHULVWLFV
9)0＊
0D[9ROWV
℃)
,550＊
0D[μ$
パッケージ
3DFNDJH
5WKMF
℃:
WUU＊
μVHF
( ) &RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\
＊6LQHZDYHPV
＊,) ,R
＊,
) $,5 $,UHF $
＊49
5
.3DFN/
.SDFN6
72)
72)
72)
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
9550
Diode
型式
'HYLFHW\SH
デュアル LQRQHSDFNDJH
型式
'HYLFHW\SH
.3&
.6&
<*&5
<*&5
<*&5
06&
<*&5
<*&5
06&
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ (センタータップ平均出力電流)
＊正弦波PVチップあたり ＊,
) ,R チップあたり
＊ 9
5 9 550チップあたり
＊ ,
) $,5 $,UHF $ ( ) &RQGLWLRQV
電気的特性(7D
&KDUDFWHULVWLFV
9)0＊
0D[9ROWV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\
℃)
,550＊
0D[μ$
パッケージ
3DFNDJH
WUU＊
μVHF
5WKMF
℃:
.3DFN/
.SDFN6
72)
72)
72)
7)3
72)
72)
7)3
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
($YHUDJHIRUZDUGFXUUHQWRIFHQWHUWDSIXOOZDYHFRQQHFWLRQ)
＊,) ,RSHUHOHPHQW
＊6LQHZDYHPVSHUHOHPHQW
＊49
＊5,
5
)
9550SHUHOHPHQW
$,5 $,UHF $
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ 低損失超高速低ノイズダイオード Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD)
72
Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD)
72)
723)
73DFN6
.3DFN6
結線 95509 ,R$ 9)9 ,5$ 7UUVHF
シングル
デュアル
7)3
シングル LQRQHSDFNDJH
型式
'HYLFHW\SH
.66
.66
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F ℃
7F ℃
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ ＊正弦波PV ＊,
＊ 9
) ,R
5 9 550
＊ ,
) $,5 $,UHF $
電気的特性(7D ℃)
&KDUDFWHULVWLFV
,550＊
9)0＊
0D[9ROWV
0D[μ$
パッケージ
3DFNDJH
WUU＊
μVHF
5WKMF
℃:
.SDFN6
.SDFN6
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
( ) &RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\
,RSHUHOHPHQW＊495 9550
$,5 $,UHF $
＊6LQHZDYHPV
＊5,
)
＊,
)
Diode
デュアル LQRQHSDFNDJH
型式
'HYLFHW\SH
<*&5
<$&5
76&5
<*&5
<$&5
76&5
06&
3*&5
<*&5
<$&5
76&5
<*&5
<$&5
76&5
06&
3*&5
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ (センタータップ平均出力電流)
＊正弦波PVチップあたり ＊,
) ,R チップあたり
＊ 9
5 9 550チップあたり
＊ ,
) $,5 $,UHF $ 電気的特性(7D
&KDUDFWHULVWLFV
9)0＊
0D[9ROWV
℃)
,550＊
0D[μ$
パッケージ
3DFNDJH
WUU＊
μVHF
5WKMF
℃:
72)
72
7SDFN6
72)
72
7SDFN6
7)3
723)
72)
72
7SDFN6
72)
72
7SDFN6
7)3
723)
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
( ) &RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\ ($YHUDJHIRUZDUGFXUUHQWRIFHQWHUWDSIXOOZDYHFRQQHFWLRQ)
＊6LQHZDYHPVSHUHOHPHQW
＊,) ,RSHUHOHPHQW
＊49
5 9 550SHUHOHPHQW
＊5,
) $,5 $,UHF $
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes (SBD)
7234
Schottky-Barrier Diodes (SBD)
結線 95509 ,R$ 9)9 ,5$
シングル /
デュアル
723)
73DFN6
73DFN/
シングル / デュアル LQRQHSDFNDJHLQRQHSDFNDJH
型式
'HYLFHW\SH
73&5
76&5
76&5
(6$'055
(6$'5
(6$'055
76&5
(6$'5
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ (センタータップ平均出力電流)
＊正弦波PVチップあたり ＊チップあたり
＊ 9
5 9 550チップあたり
電気的特性(7D ℃)
&KDUDFWHULVWLFV
,550＊
9)0＊
0D[P$
0D[9ROWV
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
5WKMF
℃:
パッケージ
3DFNDJH
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
73DFN/
7SDFN6
7SDFN6
723)
723
723)
7SDFN6
723
( ) &RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\ ($YHUDJHIRUZDUGFXUUHQWRIFHQWHUWDSIXOOZDYHFRQQHFWLRQ)
＊6LQHZDYHPVSHUHOHPHQW
＊SHUHOHPHQW
＊49
5 9 550SHUHOHPHQW
Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD)
結線
シングル /
デュアル
72
95509 ,R$ 9)9 ,5$ 7UUVHF
7234
723)
73DFN6
73DFN/
Diode
■ 低損失超高速ダイオード Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD)
シングル / デュアル LQRQHSDFNDJHLQRQHSDFNDJH
型式
'HYLFHW\SH
73&5
73&5
76&5
(6$'055
73&5
76&5
(6$'5
73&5
76&5
(6$'5
(6$'055
3$&5
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
7F ℃
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
( ) 条件
＊+]方形波GXW\ (センタータップ平均出力電流)
＊正弦波PVチップあたり ＊チップあたり
＊ 9
＊,) $,5 $,UHF $
5 9 550チップあたり
電気的特性(7D ℃)
&KDUDFWHULVWLFV
,550＊
9)0＊
0D[9ROWV
0D[μ$
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
,) $
WUU＊
μVHF
5WKMF
℃:
パッケージ
3DFNDJH
73DFN/
73DFN/
7SDFN6
723)
73DFN/
7SDFN6
723
73DFN/
7SDFN6
723
723)
723
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
( ) &RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\ ($YHUDJHIRUZDUGFXUUHQWRIFHQWHUWDSIXOOZDYHFRQQHFWLRQ)
＊6LQHZDYHPVSHUHOHPHQW
＊SHUHOHPHQW
＊49
＊,) $,5 $,UHF $
5 9 550SHUHOHPHQW
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ 600V 超高速ダイオード Ultra Fast Recovery Diodes
Ultra Fast Recovery Diodes
結線
シングル
95509
デュアル
,R$
9)9
,5$
72
723
7UUVHF
シングル LQRQHSDFNDJH
型式
'HYLFHW\SH
)'536/
)'5:6/
)'536/
)'5:6/
)'5:6/
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F &
7F &
7F &
7F &
7F &
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
WR
WR
WR
条件
＊+]方形波GXW\ ＊正弦波PVパルス＊,
) ,R ＊9
＊
95 9,) ,RGLGW $XV
5 9 550
電気的特性(7D ℃)
&KDUDFWHULVWLFV
,550＊
WUU＊
9)0＊
0D[9ROWV 0D[μ$ μVHF
パッケージ
3DFNDJH
5WKMF
℃:
72
723
72
723
723
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
&RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\
＊6LQHZDYHPVVKRW＊,
＊9
5
9550
＊9
5
) ,R
9,) ,RGLGW $XV
Diode
デュアル LQRQHSDFNDJH
型式
'HYLFHW\SH
)'5:&/
)'5:&/
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F &
7F &
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
パッケージ
3DFNDJH
5WKMF
℃:
条件
&RQGLWLRQV
＊+]方形波GXW\
＊+]6TXDUHZDYHGXW\
＊正弦波PVチップあたり
＊6LQHZDYHPVVKRW5DWLQJSHUHOHPHQW＊,
＊9
＊9
＊9
5
5
センタータップ平均出力電流
＊,
) ,Rチップあたり
9550チップあたり
9,) ,RGLGW $XVチップあたり
電気的特性(7D ℃)
&KDUDFWHULVWLFV
,550＊
WUU＊
9)0＊
0D[9ROWV 0D[μ$ μVHF
＊9
5
5
723
723
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
2XWSXW&XUUHQWRIFHQWHUWDSIXOOZDYHFRQQHFWLRQ
) ,R5DWLQJSHUHOHPHQW
95505DWLQJSHUHOHPHQW
9,) ,RGLGW $XV5DWLQJSHUHOHPHQW
5
整流ダイオード/Rectifier Diodes
■ 1200V 低ノイズ高速ダイオード Soft Recovery Fast Recovery Diodes
Soft Recovery Fast Recovery Diodes
結線
シングル
95509
デュアル
,R$
9)9
,5$
72
723
7UUVHF
シングル LQRQHSDFNDJH
型式
'HYLFHW\SH
)'536)'5:6)'5:6)'5:6-
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F &
7F &
7F &
7F &
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
WR
WR
条件
＊+]方形波GXW\ ＊正弦波PVパルス
＊,
) ,R
＊9
＊9
5 9 550
5 9,) ,RGLGW $XV
電気的特性(7D ℃)
&KDUDFWHULVWLFV
,550＊
WUU＊
9)0＊
0D[9ROWV 0D[μ$ μVHF
パッケージ
3DFNDJH
5WKMF
℃:
72
723
723
723
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
&RQGLWLRQV
＊+]6TXDUHZDYHGXW\
＊6LQHZDYHPVVKRW＊,
＊9
5
) ,R
9550＊95 9,) ,RGLGW $XV
型式
'HYLFHW\SH
)'5:&)'5:&-
絶対最大定格
0D[LPXPUDWLQJ
9550
,2＊
9ROWV
$PSV
7F &
7F &
接合、保存温度
7KHUPDOUDWLQJ
,)60＊ 7MDQG7VWJ
$PSV ℃
WR
WR
パッケージ
3DFNDJH
5WKMF
℃:
条件
&RQGLWLRQV
＊+]方形波GXW\
＊+]6TXDUHZDYHGXW\
＊正弦波PVチップあたり
＊6LQHZDYHPVVKRW5DWLQJSHUHOHPHQW＊,
＊9
＊9
＊9
5
5
センタータップ平均出力電流
＊,
) ,Rチップあたり
9550チップあたり
9,) ,RGLGW $XVチップあたり
電気的特性(7D ℃)
&KDUDFWHULVWLFV
,550＊
WUU＊
9)0＊
0D[9ROWV 0D[μ$ μVHF
＊9
5
5
723
723
質 量
1HW
PDVV
*UDPV
2XWSXW&XUUHQWRIFHQWHUWDSIXOOZDYHFRQQHFWLRQ
) ,R5DWLQJSHUHOHPHQW
95505DWLQJSHUHOHPHQW
9,) ,RGLGW $XV5DWLQJSHUHOHPHQW
Diode
デュアル LQRQHSDFNDJH
6
圧力センサ/Pressure Sensors
■ 圧力センサ Pressure Sensors
富士電機の圧力センサは、ピエゾ抵抗、調整回路、EMC 保護
を 1 チップに一体化しているため、システム全体の小型化に貢
献できます。また、広範囲な圧力レンジに対応可能であり、様々
な用途への適用が可能です。
)XML(OHFWULF¶VSUHVVXUHVHQVRUVFRPELQHSLH]RUHVLVWDQFH
DGMXVWPHQWFLUFXLWVDQG(0&SURWHFWLRQRQVLQJOHFKLSDQG
FRQWULEXWHWRUHGXFWLRQRIV\VWHPVL]H7KH\RSHUDWHLQZLGH
SUHVVXUHUDQJHDQGDUHDSSOLFDEOHWRYDULRXVXVHV
Ŷ)HDWXUHV
■特長 絶対圧測定
デジタルトリミングによる高精度保証
広範囲な圧力範囲に対応、フルスケール 100kPa ∼ 300kPa
センサチップに過電圧保護回路、電磁波遮断回路、サージ
保護回路を備えており、特にサージに関しては、世界的な
国際基準である ISO7637-level 4 をクリア
Vcc、Vout、GND 配線が断線した場合のダイアグ自己
検出機能搭載 EPROM の冗長性による高信頼性を確保
Ɣ $EVROXWHSUHVVXUHPHDVXUHPHQW
Ɣ +LJKDFFXUDF\ZLWKGLJLWDOWULPPLQJ
Ɣ :LGHSUHVVXUHUDQJHIXOOVFDOHRIN3DWRN3D
Ɣ 3URYLGHGZLWKRYHUYROWDJHSURWHFWLRQFLUFXLW(0&ILOWHUDQG VXUJHSURWHFWLYHGHYLFHLQWKHVHQVRUFKLS
Ɣ 6XUJHSURWHFWLRQFRQIRUPVWR,62OHYHOIRUDXWRPRWLYH
FRPSRQHQWV
Ɣ 'LDJQRVWLFVHOIGHWHFWLQJIXQFWLRQLQWKHHYHQWRIDZLUH RSHQHGDPRQJ9FF9RXWDQG*1'WHUPLQDOV
Ɣ +LJKUHOLDELOLW\HQVXUHGE\(3520ELWUHGXQGDQF\
型 式
'HYLFHW\SH
最大印加圧力
0D[DSSOLHG
YROWDJH
許容電圧
$OORZDEOH
YROWDJH
使用温度
2SHUDWLQJ
WHPSHUDWXUH
使用圧力
2SHUDWLQJ
SUHVVXUH
使用電圧
2SHUDWLQJ
YROWDJH
出力電圧範囲
2XWSXW
9ROWDJHUDQJH
N3DDEV
(3/3&56
(3/*&56
9
℃
WR
WR
N3DDEV
WR
WR
9
9
WR
WR
外形寸法 'LPHQVLRQVPP
20.6 ±0.5
9.28 ±0.1
0°
)
(ø5)
(4
(2.47)
2.47 ±0.1
12.1 ±0.2
3
(ø8.49)
1. Vout
2. Vcc
3. GND
33.3 ±0.5
43.7 ±0.3
2
1
8.6 ±0.1
4 ±0.15
0.15 ±0.1
16.6 ±0.1
17.5 ±0.2
ø6.7 ±0.1
'LUHFWPRXQWLQJW\SH
8.85 ±0.1
0.15 ±0.1
Pressure Sensors
主な製品 3URGXFWV
10.19 ±0.1
12.47 ±0.1
8.7 ±0.2
25.2
絶対圧・
相対圧
パッケージ
3DFNDJH
絶対圧
絶対圧
外装
外装
外形図/Outline
mm
< 集積回路 / ディスクリートデバイス Integrated circuits / Discrete devices>
0°~10°
Pin1 Indicator
3.9±0.15
6.0±0.2
Pin1 Indicator
4.9±0.15
0.2±0.1
0.1±0.1
1.8 Max
5.0±0.25
1.27
0.20±0.05
0.10
0.40±0.1
1.27
0.4±0.1
(0.65±0.25)
SOP-8E
0.65±0.25
3.9±0.2
6.0±0.3
0°~10°
1.7max
0.18max
SOP-8*1
0.25 M
(3.10)
0.25 M
6.3 ±0.1
5
3.9 ±0.15
2.5 ±0.15
0.5±0.1
0.8 ±0.1
7.6
2.54×3=7.62
DIP-16
0.3 +0.075
-0.025
0.4 ±0.13
7.8 ±0.1
2.6max
2.54
1
5°
~1
0°
2.45max
0.25±0.1
SOP-16(M)
0.15±0.05
16
9
0.3±
0.1
0.08
0.40±0.05
Outline
0.5 ±0.2
0.6-0.19
+0.1
SSOP-20
+0.2
6-0.2
+0.1
3.9-0.1
9.96-0.16
1.27
7.6±0.2
0°~15°
+0.65
17.78±0.3
SOP-16(N)
1.80±0.05
1.5±0.3
0.5±0.1
10
°–0
°
8
10.2±0.1
0.10±0.10
1
4.0±0.3
2.54 TYP
0.75±0.1
8
19.4±0.3
7.3±0.5
3.4±0.1
1
7.8±0.2
5.3±0.1
9
6.5±0.2
16
4.1 ±0.1
5.15 ±0.3
3.5 Max
3.4±0.2
1.5±0.3
7.5
4.5 Max
9.4±0.3
10.3 ±0.3
4
±0.1
1
5.1 ±0.1
1.6
6.5-0.5
+0.3
8
+0.15
-0.1
PSOP-12
DIP-8
0.3 ±0.15
(2.41)
0.10
+4.0
4°-4.0
0.25 M
+0.05
0.2-0.03
0.8
0.35
±0.05
+0.2
7.85 ±0.08
1.4-0.2
1.6-0.25
+0.15
1.27 0.35–0.51
Pin1 Indicator
3.6
0.10 N
*1）代表型式（FA8AxxN) のパッケージサイズです。他の IC については
個別アプリケーションノート（仕様書）を参照ください。
*1) This is the package size for the representative device type (FA8AxxN).
)RURWKHU,&VSOHDVHUHIHUWRWKHVHSDUDWHDSSOLFDWLRQQRWHVSHFL¿FDWLRQV
83
外形図/Outline
mm
5.0±0.1
10°–0°
0.5±0.2
0.22±0.1
TSSOP-24
0.15±0.1
0.65
0.65
7.8±0.1
5.6±0.1
7.6±0.2
24
Outline
84
0.17
0.27±0.02
1.0±0.1
10±0.05
0.65
12
1.20 Max
#1
1.10 Max
3.1±0.3
0.1±0.05
1.30 Max
0.575 TYP
6.4±0.1
4.40±0.05
6.4±0.3
TSSOP-16
4.4±0.2
TSSOP-8
外形図/Outline
mm
K-pack(L)/I-pack: Power MOSFET
K-pack(P)/I-pack: Diode
T-pack(S)
T-pack(L): Power MOSFET
T-pack(P): Diode
9.5 +0.3
−0.5
K-pack(S)/D-pack
（8.0）
2.54
［BSC］
1.3±0.1
0.84±0.1
2.54
［BSC］
0.25
［BSC］
85
Outline
2.69±0.1
+0.15
0.1-0.1
（10.16）
（6.6）
（1.27）
4.57±0.2
（1.27）
2.3±0.3
9.15±0.2
15.1±0.5
10.16±0.2
1.27±0.15
D2-Pack
（1.75max.）
TFP
外形図/Outline
mm
TO-220AB
TO-220F (SLS)
2Max
14.8Max
TO-220F
0.5
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±0.15
±0.15
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±0.19
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φ3.61±0.1
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±0.15
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1.2
±0.254
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±0.18
＋0.4
2.03 −0.13
4.32
＋0.4
3 −0.13
±0.15
±0.29
Outline
3.71
±0.15
6.17
±0.15
20.95
5.62
±0.15
TO-247
±0.13
±0.254
5.45
＋0.09
0.6 −0.05
2.4
±0.15
FWD
1. Anode
2. Cathode
3. Anode
86
+0.2
0
外形図/Outline
mm
TO-3PL
TO-3P(Q)
TO-3PF
Outline
TO-3P
87
外形図/Outline
< パワーデバイス
mm
Power devices>
M152
M151
130
114
61.5
18
190
171
61.5
29.5
61.5
29.5
57
13
15
20
40
40
20
45.2
6-φ7
20.25
41.25
79.4
6-M8
Screwing depth 16 max.
5
38
5
3-M4
Screwing depth 8 max.
28
10
3-M4
Screwing depth 8 max.
4-M8
Screwing depth 16 max.
38
28
130
M155
M153
20
4-φ6.5
29
C
15
40
20
20
E
45.2
G
140
124
48
62
20
C
E
29.5
20
24
114
61.5
18
40
10
140
124
15
10.35
10.55
48.8
40
20
40
45.2
20
140
124
20
20
8-ø7
93
10.55
48.8
88
4-M8
Screwing depth 16 max.
38
28
10
2-M6
Depth 13 min.
36
25.7
6
Outline
2-M4
Depth 7 min.
10.35
6-φ7
3-M4
Screwing depth 8 max.
5
108
外形図/Outline
mm
190
171
M156
M233
61.5
29.5
61.5
57
13
8-ø7
23
23
5
25
45
5
20
40
15
40
20
45.2
140
124
20
2-φ5.5
80
92
20.25
Tab type terminals
(AMP No.110 equivalent)
5
30
6-M8
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6
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22
8
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Depth 10 min.
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M249
M256
130
114
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28
14
21
20
E1
25
93
108
25
14
11.5
25
6
G1
20
35
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124
30
15
17
48
62
E2
5
G2
16
40
53
M254
6-φ7
4-M8
Screwing depth 16 max.
28
38
10
6-M4
Screwing depth 8 max.
40
57
4-M6
Depth 10.0 min.
P
22
50
62
57.5
N
150
137
110
22.4 8
8
30
3.7
Tab type terminals
(AMP No.110 equivalen)
0.5
3-M6
Depth 10.5 min.
18
Outline
28
14
6
14
5
4-φ6.5
17
20.5
94.5
6.5
4-φ5.5
89
外形図/Outline
mm
M260
M259
21
G2
E2
62
48
C2E1
E2
C1
G1
E1
22
50
62
28
6 17 6
28
150
137
110
4-φ6.5
0.1min.
94.5
93
4-φ5.5 4-M6
Depth 9.5 min
108
Tab type terminals
(AMP No.110 equivalent)
17
23
6.5
6
30
0.5
3.7
22.4 8
3-M6
Depth 10.5 min.
M263
M262
94
80
94
80
2-φ6.5
2-φ6.5
3-M5
Depth 9.5 min
6
38
25.5
M4
Screwing depth
max.8
11
4 17 4
34
39
39
14-φ5.5
M8
Screwing depth
max. 16
2
1
3
4
7
9
8
10
6
5
4
39
14
18
2
37
37
12.5
12.5
3
250
39
39
11 14
39
67
1211
8
2.5
21.5
24.5
7
39
11
10-φ5.5
M8
Screwing depth
max. 16
2.5
21.5
24.5
1
39
89
73
21
39
14 11
89
73
21
2
172
39
53
M4
Screwing depth
max.8
38
25.5
39
11
Outline
0.5
6
M272
M271
90
Tab type terminals
(AMP No.110 equivalent)
3-M5
Depth 9.5 min
6
0.5
30
Tab type terminals
(AMP No.110 equivalent)
23
22.3 8
23
2.7max.
23
22.3 8
23
E1
G1
C1
30
E2
4 17 4
34
G2
E2
C2E1
11
5
39
18
53
37
4
37
37
37
外形図/Outline
mm
M274
M275
92
80
25
23
23
4-φ6.5
23.5
25
17
5
2-φ5.5
E2
C1
25
45
G2
E2
C2E1
E2
E1
G1
C1
E1
48
62
C2E1
E2
6 15 6
G2
5
G1
93
108
E2
G2
E2
62
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C1
E1
G1
E2
4-φ6.5
21.5
C1
G2
E2
E1
G1
93
108
93
110
Tab type terminals
(DIN 46244-A2.8 0.5BZ equivalent)
30
3-M6
Depth 10.5min.
6
7
30.5
4
30.9
3-M6
Depth 10.5min.
M278
30.9
6
C2E1
25
130
114
Tab Type Terminals
(DIN 46244-A2.8 0.5BZ equivalent)
21.2 8.5
C2E1
25
M277
20
80
62
28
6 15 6
28
4-φ6.5
30.5
6
22.5 7.5
30
M276
Tab type terminals
(DIN 46244-A2.8 0.5BZ equivalent)
3-M6
Depth 10.5min.
Tab type terminals
(DIN 46244-A2.8 0.5BZ equivalent)
6 15 6
3-M5
Depth 10 min.
29.5
Outline
35
14
11.5
20
140
124
30
15
5
20
55.2
16
40
53
48
57
6-φ7
4-M8
Screwing depth 16 max.
5
28
38
10
6-M4
Screwing depth 8 max.
18
91
外形図/Outline
mm
M282
M403
110
93
4-φ6.5
N
M
P
G
ET3
G
E T2
G
T1
E T4
62
80
10
62
50
57.5
99.6±0.3
22
39.9±0.3
U
C
55 9 5 9 5
4-ø5.5
G
4-M6
16
21.2 8.5
30
10.2 8.5
7
17
Tab type terminals
(AMP No.110 equivalent)
6.5
20.5
A
19 9.59.5 19
4-M5
Depth:10.5min
min. 10
4.6
ø2.6
ø2.25
12.5
3
94.5
110
122
137
150
DETAIL A (NTS)
M404
11-M4
screwing depth max. 8
67
11
14-ø5.5±0.2
21.5
11
±0.5
position tolerance
base plate holes
Outline
12.5
39
24.5
67
21
73
89
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18
14 11
106
55
37
3
38
25.5
58
11
250
92
6-M8
screwing depth max. 16
39
37
37
外形図/Outline
mm
M629
M633
122
110
（30.11）
8-R2.25
94.5
57.5
39.9
50
62
4-φ5.5
1
1.5
6.5
2.5
17
20.5
(3.5)
99.6
Outline
M636
93
外形図/Outline
mm
M648
107.5
4-φ6.1
122
93
2-φ5.5
94.5
57.5
62
27.6
39.9
69.6
32
45
110
8-R2.25
4-φ5.5
50
M647
6.5
108
101
91
60
1
1.5
131
123
111.5
66
M652
(EV, HEV)
4-M3
Depth 7 max.
44.5
4-M3
Depth 7 max.
4
4-φ6.5
5-M6
Depth 11 max.
24
7 17 10
M712
4-φ6.1
122
107.5
8-R2.25
93
4-φ5.5
110
94.5
94
69.6
57.5
39.9
50
6.5
1
2.9
20.5
1
3.5
93
1.1
62
99.6
17
27.6
11
32
6.5
17
2.9
20.5
1.1
45
Outline
2-φ5.5
7 17 10
14.8
5.2
14.8
M711
4
5.2
4-φ5.5
5-M6
Depth 11 max.
24
50.9
46.5
105
76
57.5
113
87
65.7
41.5
M651
(EV, HEV)
2.5
6.5
21.3
(4.3)
17
1.5
1
(4.3)
2.5
21.3
17
99.6
外形図/Outline
mm
M719
M720
4-φ5.5
4-φ6.1
1
2.5
(3.5)
1.5
2-φ5.5
M721
M722
107.5
93
122
110
8-R2.25
94.5
4-φ5.5
4-φ6.1
21.3
17
2.5
6.5
1
1
(4.3)
1.5
39.9
62
50
27.6
32
(4.3)
1.5
2.5
99.6
6.5
21.3
17
45
69.6
57.5
2-φ5.5
M723
Outline
42
A
40
Pressure Lid
15.8
ø4.3
TYPE NAME
□MBR□□□□□□□□-50
□MBR□□□□□□□□-53
A
6.5
2.8
95
外形図/Outline
mm
M724
59
A
52
Pressure Lid
ø4.3
15.8
TYPE NAME
□MBR□□□□□□□□-50
□MBR□□□□□□□□-53
A
6.5
2.8
M725
82
40
A
59
Pressure Lid
2-ø4.3
15.8
TYPE NAME
□MBR□□□□□□□□-50
□MBR□□□□□□□□-53
M726
62.8
A
6.5
2.8
M727
56.7
51
53
48
42.5
53
62.8
28.1
33.8
Outline
2-4.5×5.0
48
42.5
4-φ2.3
2-4.5×5.0
12
Press fit pins
16.4
12
16.4
4-φ2.3
Press fit pins
96
外形図/Outline
mm
48
62.8
42.5
51
28.1
33.8
2-4.5×5.0
56.7
M729
62.8
53
48
42.5
53
M728
4-φ2.3
15.5
2-4.5×5.0
12
12
15.5
4-φ2.3
Solder pins
Solder pins
M1202
M1203
122
110
94.5
4-φ5.5
57.5
39.9
50
62
8-R2.25
4-φ5.5
2.5
1
1.5
(3.5)
1
1.5
2.5
6.5
P626
4-φ5.5
87
77
66
13
2-φ4.5
19
50.2
N
9
5
17
P
1
P
15.24 15.24
100
86
6-M5
4-φ2
Outline
5.5
0.5
102
88
77
22
P401
(EV, HEV)
N
V
U
7 M
0.8
6.77
15.24 15.24 15.24
3
9.5
18
0.7
2.5
2-φ2.5
29
25
9.5
W
4.4
VL 1
47.3
21.3
(4.3)
17
99.6
97
外形図/Outline
mm
P629
P630
128.5
119.5
70
64
57.6
10
7
15
2-φ2.5
1.85
2-φ4.5
1
14.3
4
0.5
1
107.4
4-φ2
9
13
19
2-φ4.5
20.8
21
84
31.5
47.3
49.5
21
60
5
N
P
N
W
V
0.8
U
18.35
P
4.1
12.3
13.8
13.8
B
U
V
W
20.5
2
25
22
22
22
25
116
0.7
2
0.64
10.9
5.9
14
9
7
9.5 2.5
18
6-M4
Depth 8 min.
125
P631
P636
90
142
136
121
67.4
1.5
80
69
4.5
2-φ
55
15.24
110
95
46
4-φ2
W
3
0.5
V
15.24
1.5
34.5
26
2-R5
0.8
20.05
N2
U
25.55
15.24
23
B
N1
26
0.64
15.24
15.24
15.24
3
0.64
9
6.4
17
25.5
6-M5
Depth 8.5 min.
38.5
27
24
9.5
Outline
98
28.4
24.5
P2
23
P1
3
24.3
4.5
19
0.64
7.62 7.62 7.62 7.62 7.62 7.62 15.24
2.54
1
24.5
2.5
4-φ5.5
23.68
1.5
2-φ2.5
16
外形図/Outline
mm
A
29.4
3.2
18x1.778 (=32.004)
0.4
P633
14.7
14
1.6
4.2
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0.15
3.7
14x2.54 (=35.56)
9.5
43
35
14
Solder Plating
Insulated Metal Substrate
0.5
4.3
13
26
13
2.5
1.2
15.2
30.4
A
29.4
3.2
18x1.778 (=32.004)
0.4
P633A
DETAIL A
14.7
14
1.6
4.2
Insulated Metal Substrate
0.15
3.7
14x2.54 (=35.56)
Outline
9.5
43
35
14
Solder Plating
Insulated Metal Substrate
0.5
4.3
13
26
13
2.5
1.2
15.2
30.4
DETAIL A
99
注文単位/2UGHU4XDQWLW\
・3OHDVHJLYHXVRUGHUDERYHPLQRUGHUXQLWDQGWKDWRILQWHJUDOPXOWLSOL
FDWLRQ
・下記一覧表は単品（テーピング品を除く）及びリール品が対象です。
・7KLVWDEOHVXEMHFWVWRVLQJOHRUUHHOSDFNDJHLWHPV([FHSWIRUWDSLQJ
・テーピング品は、仕様により注文単位が異なりますのでお問合せ願います。 LWHPV
・2UGHUXQLWRIWDSLQJSDFNDJHLVGLIIHUHQWHYHU\VSHF
,I\RX¶GOLNHWRNQRZKRZWRRUGHULW3OHDVHFRQWDFWXV
・ご注文は最小注文単位以上、且つその整数倍にてお願い致します。
種 類
Description
パッケージ
Package
型 式
Type number
パワーMOSFET
ダイオード
TO-220
全型式 All types
Power MOSFETs
Diodes
パワーMOSFET
ディスクリートIGBT
ダイオード
最小注文単位
Min. quantity per order
最小梱包単位
Min. quantity per packing
100
500
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600
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Discrete IGBTs
Diodes
集積回路 ICs
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3+&
76&5
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<*65
保守移行機種 /Maintenance products
・下記記載の機種は保守品移行機種です。
・新規設計には使用されないようお願いいたします。
・Models listed below are for maintenance products only.
・Do not use them for new designing
機種
Description
型式
Type number
機種
Description
型式
Type number
機種
Description
型式
Type number
パワーデバイス
Power Devices
6MBP100RA060
6MBP100RA120
6MBP100RTB060
6MBP100RTJ060
6MBP100TEA060-50
6MBP150RA060
6MBP150RA120
6MBP150RTB060
6MBP150RTJ060
6MBP150TEA060-50
6MBP15RA120
6MBP200RA060
6MBP20RTA060
6MBP25RA120
6MBP25RJ120
6MBP25RU2A120
6MBP25TEA120-50
6MBP300RA060
6MBP50RA060
6MBP50RA120
6MBP50RJ120
6MBP50RTB060
6MBP50RTJ060
6MBP50RU2A120
6MBP50TEA060-50
6MBP50TEA120-50
6MBP75RA060
6MBP75RA120
6MBP75RJ120
6MBP75RTB060
6MBP75RTJ060
6MBP75RU2A120
6MBP75TEA060-50
6MBP75TEA120-50
7MBP100RA060
7MBP100RA120
7MBP100RTB060
7MBP100RTJ060
7MBP100TEA060-50
7MBP150RA060
7MBP150RA120
7MBP150RTB060
7MBP150RTJ060
7MBP150TEA060-50
7MBP200RA060
7MBP25RA120
パワーデバイス
Power Devices
7MBP25RJ120
7MBP25RU2A120
7MBP25TEA120-50
7MBP300RA060
7MBP50RA060
7MBP50RA120
7MBP50RJ120
7MBP50RTB060
7MBP50RTJ060
7MBP50RU2A120
7MBP50TEA060-50
7MBP50TEA120-50
7MBP75RA060
7MBP75RA120
7MBP75RJ120
7MBP75RTB060
7MBP75RTJ060
7MBP75RU2A120
7MBP75TEA060-50
7MBP75TEA120-50
7MBR10UF120
7MBR15UF060
7MBR15UF120
7MBR20UF060
7MBR30UF060
整流ダイオード
Rectifier Diodes
CB803-03
CB863-06
CB863-12
CB863-15
ERA81-004
ERA82-004
ERA83-004
ERA83-006
ERA84-009
ERA85-009
ERA91-02
ERA92-02
ERB81-004
ERB83-004
ERB83-006
ERB84-009
ERB91-02
ERB93-02
ERC81-004
ERC81-006
ERC81S-004
ERC84-009
ERC91-02
FD867-12
FD867-15
FD868-12
FD868-15
SC802-04
SC802-06
SC802-09
SC902-2
SD832-03
SD832-04
SD833-03
SD833-04
SD833-06
SD833-09
SD834-03
SD834-04
SD862-04
SD863-04
SD863-06
SD863-10
SD882-02
SD883-02
SD883-04
105
廃型機種 / Discontinued products
・下記記載の機種は廃型機種です。
・新規設計には使用されないようお願いいたします。
機種
Description
パワーデバイス
Power Devices
106
型式
Type number
1MBI150NH-060
1MBI150NK-060
1MBI200N-120
1MBI200NH-060
1MBI200NK-060
1MBI300N-120
1MBI300NN-120
1MBI300NP-120
1MBI400N-120
1MBI400NN-120
1MBI400NP-120
1MBI600NN-060
1MBI600NP-060
2MBI100N-060
2MBI100N-120
2MBI100NB-120
2MBI100NC-120
2MBI150N-060
2MBI150N-120
2MBI150NB-120
2MBI150NC-060
2MBI150NC-120
2MBI200N-060
2MBI200N-060-03
2MBI200N-120
2MBI200NB-120
2MBI200NB-120-01
2MBI300N-060
2MBI300N-060-04
2MBI300N-120
2MBI300N-120-01
2MBI300NB-060
2MBI300NB-060-01
2MBI400N-060
2MBI400N-060-01
2MBI50N-060
2MBI50N-120
2MBI600NT-060
2MBI75N-060
2MBI75N-120
4MBI75T-060
4MBI100T-060
4MBI150T-060
4MBI200T-060
1MBI600PX-120
1MBI600PX-140
2MBI100PC-140
2MBI100SC-120
2MBI150PC-140
2MBI150SC-120
2MBI200PB-140
2MBI200S-120
2MBI300P-140
2MBI300S-120
2MBI50P-140
2MBI75P-140
6MBI100S-060
6MBI100S-120
6MBI100S-140
6MBI10S-120
6MBI15S-120
6MBI25S-120
6MBI35S-120
・Models listed below are for discontinued products only.
・Do not use them for new designing
機種
Description
パワーデバイス
Power Devices
型式
Type number
6MBI35S-140
6MBI50S-060
6MBI50S-120
6MBI50S-140
6MBI75S-060
6MBI75S-120
6MBI75S-140
6MBP15RH060-50
6MBP20RH060-50
6MBP30RH060-50
7MBR100SB060
7MBR100SD060
7MBR10SA120
7MBR10SA140
7MBR10SC120
7MBR15SA120
7MBR15SA140
7MBR15SC120
7MBR20SC060
7MBR25SA120
7MBR25SA140
7MBR25SC120
7MBR30SA060
7MBR30SC060
7MBR35SB120
7MBR35SB140
7MBR35SD120
7MBR50SA060
7MBR50SB060
7MBR50SB120
7MBR50SB140
7MBR50SC060
7MBR50SD120
7MBR75SB060
7MBR75SD060
集積回路
Integrated Circuits
FA3675F-H1
FA7709R-H1
FA7716R-H4
FA7723R-H4
FA7724R-H4
FA7724AR-H4
FA7728F-D1
FA7729R-H1
FA7730F-D1
FA7731F-D1
FA7743N-D1
IGBT ドライブ用
ハイブリッド IC
Hybrid ICs for
IGBT Drive
EXB840
EXB841
IPS
（インテリジェントパワースイッチ）
IPS
(Intelligent Power switch)
整流ダイオード
Rectifier Diodes
F5016H
F5017H
F5021H
F5022
F5038H
FDLA20C20
FDLC20C20
FDLH20C20
FDLP20C20
機種
Description
整流ダイオード
Rectifier Diodes
型式
Type number
FDLR20C20
KP823C03
KP823C04
KP823C09
PA955C6R
PG985C6R
TP858C12R
TP869C04R
TS862C04R
TS906C3R
TS952C6R
TS955C6R
YA852C12R
YA852C15R
YA855C12R
YA855C15R
YA858C12R
YA858C15R
YA862C04R
YA869C04R
YA951S6R
YA952C6R
YA952S6R
YA955C6R
YG801C09R
YG802C03R
YG802C09R
YG803C04R
YG811S09R
YG831C03R
YG831C04R
YG832C03R
YG832C04R
YG835C03R
YG835C04R
YG838C03R
YG852C12R
YG852C15R
YG855C12R
YG855C15R
YG858C12R
YG858C15R
YG862C04R
YG864S06R
YG869C04R
YG881C02R
YG882C02R
YG885C02R
YG906C3R
YG951S6R
YG952C6R
YG952S6R
YG955C6R
パワー MOSFET
Power MOSFET
2SJ314-01L, S
2SJ472-01L, S
2SJ473-01L, S
2SJ474-01L, S
2SJ475-01
2SJ476-01L, S
2SJ477-01MR
2SK2687-01
2SK2688-01L, S
廃型機種 / Discontinued products
機種
Description
パワー MOSFET
Power MOSFET
型式
Type number
2SK2689-01MR
2SK2690-01
2SK2691-01R
2SK2806-01
2SK2807-01L, S
2SK2808-01MR
2SK2809-01MR
2SK2890-01MR
2SK2891-01
2SK2892-01R
2SK2893-01
2SK2894-01R
2SK2895-01
2SK2896-01L, S
2SK2897-01MR
2SK2898-01
2SK2899-01R
2SK2900-01
2SK2901-01L, S
2SK2902-01MR
2SK2903-01MR
2SK2904-01
2SK2905-01R
2SK2906-01
2SK2907-01R
2SK3362-01
2SK3363-01
2SK3364-01
2SK3517-01
2SK3518-01MR
2SK3529-01
2SK3530-01MR
2SK3531-01
2SK3532-01MR
2SK3533-01
2SK3534-01MR
2SK3549-01
2SK3550-01R
2SK3586-01
2SK3587-01MR
2SK3588-01L, S
2SK3589-01
2SK3601-01
2SK3605-01
機種
Description
パワー MOSFET
Power MOSFET
型式
Type number
2SK3613-01
2SK3644-01
2SK3645-01MR
2SK3646-01L, S
2SK3647-01
2SK3673-01MR
2SK3674-01L, S
2SK3675-01
2SK3677-01MR
2SK3678-01
2SK3679-01MR
2SK3690-01
2SK3691-01MR
2SK3769-01MR
2SK3770-01MR
2SK3771-01MR
2SK3776-01
2SK3777-01R
2SK3780-01
2SK3781-01R
2SK3788-01
2SK3789-01R
2SK3870-01
2SK3871-01MR
2SK3872-01L, S
2SK3873-01
2SK3874-01R
2SK3875-01
2SK3876-01R
2SK3883-01
2SK3884-01
2SK3885-01
2SK3913-01MR
2SK3914-01
2SK3915-01MR
2SK3923-01
2SK3924-01L, S
2SK3925-01
2SK3926-01MR
2SK3927-01L, S
2SK4005-01MR
2SK4006-01L, S
FMA18N25G
107
お知らせ/Information
半導体グローバル Web サイトについて
弊社「半導体グローバルWebサイト」において半導体製品に関する新しい情報（新製品情報、
弊社半導体製品（廃型含む）の検索、展示会出展情報など）を世界中のお客様に一斉にご活用い
ただけるよう更に内容を充実させてまいります。
お客様におかれましては、広くご活用いただけますようお願い申し上げます。
日本語： www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/
英語： www.fujielectric.com/products/semiconductor/
中国語： www.fujielectric.com.cn/products/semiconductor/
Global semiconductor website
:HZLOOFRQWLQXHWRNHHSRXUJOREDOVHPLFRQGXFWRUZHEVLWHXSGDWHGDQGIXO¿OOHGZLWKQHZ
LQIRUPDWLRQRQRXUVHPLFRQGXFWRUSURGXFWVLQFOXGLQJQHZSURGXFWVUHOHDVHVHDUFKIXQFWLRQ
GDWDVKHHWVDQGWKHUHODWHGH[KLELWLRQIRURXUFXVWRPHUVDOORYHUWKHZRUOG
:HKRSHLWZLOOEHRIPXFKXVHWRRXUFXVWRPHUV7KDQN\RX
Japanese: www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/
(QJOLVK www.fujielectric.com/products/semiconductor/
&KLQHVH www.fujielectric.com.cn/products/semiconductor/
今後とも当社半導体製品の変わらぬご愛顧のほどよろしくお願いいたします。
:HZRXOGOLNHWRWKDQN\RXIRU\RXUFRQWLQXHGSDWURQDJHDQGIXUWKHUVXSSRUWIRURXU
semiconductor products.
108
ご 注意
1. このカタログの内容（製品の仕様、特性、データ、材料、構造など）は 2015 年 2 月現在のものです。
この内容は製品の仕様変更のため、または他の理由により事前の予告なく変更されることがあります。このカタログに記載されて
いる製品を使用される場合には、その製品の最新版の仕様書を入手して、データを確認してください。
2. 本カタログに記載してある応用例は、富士電機の半導体製品を使用した代表的な応用例を説明するものであり、本カタログによっ
て工業所有権、その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
3. 富士電機（株）は絶えず製品の品質と信頼性の向上に努めています。しかし、半導体製品はある確率で故障する可能性があります。
富士電機の半導体製品の故障が、結果として人身事故，火災等による財産に対する損害や、社会的な損害を起こさぬように冗長設
計、延焼防止設計、誤動作防止設計など安全確保のための手段を講じてください。
4. 本カタログに記載している製品は、普通の信頼度が要求される下記のような電子機器や電気機器に使用されることを意図して造ら
れています。
・コンピュータ ・OA 機器 ・通信機器（端末） ・計測機器
・工作機械
・オーディオビジュアル機器 ・家庭用電気製品 ・パーソナル機器 ・産業用ロボット など 5. 本カタログに記載の製品を、下記のような特に高い信頼度を持つ必要がある機器に使用をご予定のお客様は、事前に富士電機（株）
へ必ず連絡の上、了解を得てください。このカタログの製品をこれらの機器に使用するには、そこに組み込まれた富士電機の半導
体製品が故障しても、機器が誤動作しないように、バックアップ・システムなど、安全維持のための適切な手段を講じることが必
要です。
・輸送機器（車載、舶用など）
・幹線用通信機器
・交通信号機器
・ガス漏れ検知及び遮断機
・防災／防犯装置
・安全確保のための各種装置 ・医療機器
6. 極めて高い信頼性を要求される下記のような機器及び戦略物資に該当する機器には、本カタログに記載の製品を使用しないでくだ
さい。
・宇宙機器 ・航空機搭載用機器 ・原子力制御機器 ・海底中継機器
7. 本カタログの一部または全部の転載複製については、文書による当社の承諾が必要です。
8. このカタログの内容にご不明の点がありましたら、製品を使用する前に富士電機（株）または、その販売店へ質問してください。
本注意書きの指示に従わないために生じたいかなる損害も富士電機（株）とその販売店は責任を負うものではありません。
WARNING
7KLV&DWDORJFRQWDLQVWKHSURGXFWVSHFL¿FDWLRQVFKDUDFWHULVWLFVGDWDPDWHULDOVDQGVWUXFWXUHVDVRI)HEUXDU\
7
KHFRQWHQWVDUHVXEMHFWWRFKDQJHZLWKRXWQRWLFHIRUVSHFL¿FDWLRQFKDQJHVRURWKHUUHDVRQV:KHQXVLQJDSURGXFWOLVWHGLQWKLV&DWDORJEHVXUHWR
REWDLQWKHODWHVWVSHFL¿FDWLRQV
$OODSSOLFDWLRQVGHVFULEHGLQWKLV&DWDORJH[HPSOLI\WKHXVHRI)XML
VSURGXFWVIRU\RXUUHIHUHQFHRQO\1RULJKWRUOLFHQVHHLWKHUH[SUHVVRULPSOLHG
XQGHUDQ\SDWHQWFRS\ULJKWWUDGHVHFUHWRURWKHULQWHOOHFWXDOSURSHUW\ULJKWRZQHGE\)XML(OHFWULF&R/WGLVRUVKDOOEHGHHPHGJUDQWHG)XML
(OHFWULF&R/WGPDNHVQRUHSUHVHQWDWLRQRUZDUUDQW\ZKHWKHUH[SUHVVRULPSOLHGUHODWLQJWRWKHLQIULQJHPHQWRUDOOHJHGLQIULQJHPHQWRIRWKHU
V
LQWHOOHFWXDOSURSHUW\ULJKWVZKLFKPD\DULVHIURPWKHXVHRIWKHDSSOLFDWLRQVGHVFULEHGKHUHLQ
$OWKRXJK)XML(OHFWULF&R/WGLVHQKDQFLQJSURGXFWTXDOLW\DQGUHOLDELOLW\DVPDOOSHUFHQWDJHRIVHPLFRQGXFWRUSURGXFWVPD\EHFRPHIDXOW\:KHQ
XVLQJ)XML(OHFWULFVHPLFRQGXFWRUSURGXFWVLQ\RXUHTXLSPHQW\RXDUHUHTXHVWHGWRWDNHDGHTXDWHVDIHW\PHDVXUHVWRSUHYHQWWKHHTXLSPHQW
IURPFDXVLQJDSK\VLFDOLQMXU\¿UHRURWKHUSUREOHPLIDQ\RIWKHSURGXFWVEHFRPHIDXOW\,WLVUHFRPPHQGHGWRPDNH\RXUGHVLJQIDLOVDIHÀDPH
UHWDUGDQWDQGIUHHRIPDOIXQFWLRQ
7KHSURGXFWVLQWURGXFHGLQWKLV&DWDORJDUHLQWHQGHGIRUXVHLQWKHIROORZLQJHOHFWURQLFDQGHOHFWULFDOHTXLSPHQWZKLFKKDVQRUPDOUHOLDELOLW\
UHTXLUHPHQWV
&RPSXWHUV
2$HTXLSPHQW
&RPPXQLFDWLRQVHTXLSPHQWWHUPLQDOGHYLFHV
0HDVXUHPHQWHTXLSPHQW
0DFKLQHWRROV
$XGLRYLVXDOHTXLSPHQW
(OHFWULFDOKRPHDSSOLDQFHV
3HUVRQDOHTXLSPHQW
,QGXVWULDOURERWVHWF
,I\RXQHHGWRXVHDSURGXFWLQWKLV&DWDORJIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\WKDQQRUPDOVXFKDVIRUWKHHTXLSPHQWOLVWHGEHORZLWLV
LPSHUDWLYHWRFRQWDFW)XML(OHFWULF&R/WGWRREWDLQSULRUDSSURYDO:KHQXVLQJWKHVHSURGXFWVIRUVXFKHTXLSPHQWWDNHDGHTXDWHPHDVXUHVVXFK
DVDEDFNXSV\VWHPWRSUHYHQWWKHHTXLSPHQWIURPPDOIXQFWLRQLQJHYHQLID)XML
VSURGXFWLQFRUSRUDWHGLQWKHHTXLSPHQWEHFRPHVIDXOW\
7UDQVSRUWDWLRQHTXLSPHQWPRXQWHGRQFDUVDQGVKLSV
7UXQNFRPPXQLFDWLRQVHTXLSPHQW
7UDI¿FVLJQDOFRQWUROHTXLSPHQW
*DVOHDNDJHGHWHFWRUVZLWKDQDXWRVKXWRIIIHDWXUH
(PHUJHQF\HTXLSPHQWIRUUHVSRQGLQJWRGLVDVWHUVDQGDQWLEXUJODU\GHYLFHV
6DIHW\GHYLFHV
0HGLFDOHTXLSPHQW
'RQRWXVHSURGXFWVLQWKLV&DWDORJIRUWKHHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVWKHIROORZLQJDQGHTXLYDOHQWVWRVWUDWHJLFHTXLSPHQWZLWKRXW
OLPLWDWLRQ
6SDFHHTXLSPHQW
$HURQDXWLFHTXLSPHQW
1XFOHDUFRQWUROHTXLSPHQW
6XEPDULQHUHSHDWHUHTXLSPHQW
&RS\ULJKWE\)XML(OHFWULF&R/WG$OOULJKWVUHVHUYHG
1
RSDUWRIWKLV&DWDORJPD\EHUHSURGXFHGLQDQ\IRUPRUE\DQ\PHDQVZLWKRXWWKHH[SUHVVSHUPLVVLRQRI)XML(OHFWULF&R/WG
,I\RXKDYHDQ\TXHVWLRQDERXWDQ\SRUWLRQLQWKLV&DWDORJDVN)XML(OHFWULF&R/WGRULWVVDOHVDJHQWVEHIRUHXVLQJWKHSURGXFW
1
HLWKHU)XML(OHFWULF&R/WGQRULWVDJHQWVVKDOOEHOLDEOHIRUDQ\LQMXU\FDXVHGE\DQ\XVHRIWKHSURGXFWVQRWLQDFFRUGDQFHZLWKLQVWUXFWLRQVVHW
IRUWKKHUHLQ
安全に関するご注意
＊ご使用の前に，「取扱説明書」や
「仕様書」
などをよくお読みいただくか，当社またはお買上の販売店にご相談のうえ，正しくご使用ください。
＊取扱いは当該分野の専門の技術を有する人が行ってください。
輸出に関してのお願い：本品のうちで，戦略物資(または役務)に該当するものを輸出される場合は，
外国為替および外国貿易管理法に基づく輸出許可が必要です。
URL http: //www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/
本社（営業本部） ☎（03）5435-7156
〒141-0032 東京都品川区大崎1-11-2（ゲートシティ大崎イーストタワー）
中部支社 ☎（052）746-1023
〒460-0007 愛知県名古屋市中区新栄1-5-8（広小路アクアプレイス）
関西支社 ☎（06）6455-3871
〒553-0002 大阪府大阪市福島区鷺洲1-11-19（富士電機大阪ビル）
Power Semiconductors Group
URL http: //www.fujielectric.com/products/semiconductor/
Fuji Electric Hong Kong Co., Limited
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