1. No category

14tf-B-3
電源用パワーデバイス（パワーMOSFET & SiC SBD）
Power MOSFET & SiC SBD for Switching Mode Power Supply
トップクラスの特性で各種電源の高効率化を実現し、幅広いラインアップで電源システム全体を総合的にサポートします
▼例）サーバ向け電源システムと提案製品群
ブレードサーバ
● シングルエピタキシャル技術導入により業界トップクラスのRonAを実現
● 高温時の低オン抵抗特性
88
● Coss低減による軽負荷時の効率改善
● 高速ボディダイオード品、高速スイッチング特性品などの
86
幅広いラインアップ
AC入力
PFC
∼
12V Bus
DC-DC
300-400V DC
Non-Isolated
DC-DC (VRM)
1.xV
Non-Isolated
DC-DC (POL)
1.8V
CPU
Memory
PFC
ダイオード
650V
SiC SBD
DC-DC
MOSFET
HVMOS
DTMOS IV
600V/650V
1次側
HVMOS
DTMOS IV
(HSD)
600V/650V
VRM / POL
2次側（同期整流）
ORing
ハイサイド
ローサイド
LVMOS
U-MOS VIII-H
25-30V
LVMOS
LVMOS
U-MOSVIII-H/IX-H U-MOS VIII-H
25-30V
40∼100V
LVMOS
U-MOS VIII-H
25-30V
E-Fuse
RonA (mΩcm2)
40
B社
A社
DTMOS I
C社
DTMOS III
30
A社
A社
B社
（240W電源PFC部）
DTMOS V
20
A社
A社99mΩ品
DTMOS IV（TK31E60W）
DTMOS IV-H（TK31E60X）
76
最新世代品
DTMOS IV
I
0
'00
80
78
(目標値)
(目標値
目標値)
10
82
次世代品
DTMOS II
LVMOS
U-MOS VIII-H
25-30V
電源効率比較
84
50
電源効率（%）
AC-DC電源
HVMOS : DTMOS IV (VDSS=600V/650V)
'02
'04
'06
'08
'10
74
'12
'14
'16
0
50
LVMOS : U-MOS IX-H (VDSS=40V)
● 業界トップレベルの高温時の低VF特性
● 高温時の低リーク電流
● 温度依存性の無いリカバリ特性
● 業界トップレベルの低オン抵抗と低Qoss特性
● 両面放熱パッケージをラインアップ
VRRM
(V)
D2PAK
TO-220FP
TO-247
(2Leads)
(1pin N.C.)
(2Leads)
(Center Tap)
TO-3P(N)
IF
(A)
150
200
250
電源出力（W）
SiC SBD
TO-220
100
品名
パッケージ
VDSS
RDS(ON)(max)
@VGS=10V
RON・QOSS
TPHR8504PL
SOP Advance
40V
0.85mΩ
60mΩ・nC
TPWR8004PL
DSOP Advance
40V
0.80mΩ
56mΩ・nC
160
650
12
16
20
24
1200
20
MP : OK
TRS10E65C
MP : OK
TRS12E65C
MP : OK
TRS8G65C
ES : OK
MP : 14年9月予定
TRS10G65C
ES : OK
MP : 14年9月予定
TRS12G65C
ES : OK
MP : 14年9月予定
Competitor B
MP : OK
140
TRS8A65C
MP : OK
TRS10A65C
MP : OK
TRS12A65C
TRS12N65D
MP : OK
MP : OK
TRS16A65C
TRS16N65D
MP : OK
MP : OK
120
110
No.1
Performance
MP : OK
90
TRS24N65D
（Vin=48V, Vout=12V）
Next Best Competitor
TPHR8504PL
TOSHIBA SiC SBD
100
TRS20N65D
96
120
Competitor C
130
300W Half Bridge DC-DC 二次側FET効率比較
Ron・Qoss - VDS
EFFICIENCY (%)
10
TRS8E65C
ES : OK
MP : 14年9月予定
Competitor A
150
TRS6A65C
Ron・Qoss (mΩ・nC)
8
MP : OK
TRS6G65C
Normalized VF (%)
6
TRS6E65C
80
40
95
Next Best Competitor
UMOS IX-H, TPHR8504PL
東芝のSiC SBDはVFの温度係数が他社品よりも小さくなっています
MP : OK
80
TRS20J120C
MP :OK
0
50
100
Tc Case Temperature (℃)
150
200
0
0.1
94
1
10
Drain-Source voltage VDS (V)
100
5
10
15
OUTPUT CURRENT (A)
20
25