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ＬＥＤデバイスの解析技術
構造確認から不具合モード解析まで一貫して対応します
メルコセミコンダクタエンジニアリング(株) お問い合わせ先： ＴＥＬ（０９２）８０５−３８３４ ＵＲＬ： ｈｔｔｐ：//ｗｗｗ．ｍｓｅｃ‐ｍｅｌｃｏ．ｃｏ．ｊｐ
パッケージ構造の断面解析（ＦＥ-ＳＥＭ観察→ＥＤＸ分析）
蛍光体
Ａｕワイヤ
ＬＥＤチップ
Ａｕパッド
Ｃｕパターン
100μm
光学像
①Ｘ線像
Ｂａ
②断面ＳＥＭ像
非破壊解析
① Ｘ線透過観察
→ ワイヤボンディング破断確認
ＬＥＤチップ
２μｍ
②ワイヤ接合部の拡大ＳＥＭ像
イオンビーム断面加工
② ＳＥＭ観察→ 接合部状態確認
③ ＥＤＸ分析→ 蛍光体の成分および
分布状態確認
③蛍光体のＥＤＸ元素マッピング
素子発光層の断面構造解析（ＦＩＢサンプリング→ＳＴＥＭ-ＥＤＸ分析）
ＥＤＸ元素マッピング領域
ＡｌＡｓとＧａＡｓが
約９０ｎｍピッチで
１５層積層されて
いることを確認
１.５μｍ
Ａｌ
Ｇａ
発光層のＳＴＥＭ-ＥＤＸ元素マッピング
発光層のＳＴＥＭ像
Ａｓ
基板ＡｇめっきＰａｄ部変色原因調査（ＸＰＳ分析，ＴＯＦ-ＳＩＭＳ分析）
Ａｇ
Ａｇ
Ａｇ
Ｏ
Ｏ
Ａｇ
Ａｇ-Ｓ
ｏｒ
Ａｇ単体
Ａｇ-Ｓ
Ｃ
Ｓｉ
Ｓ Ｓ
Ａｇ
Ｃｌ Ｃｌ
Ｏ
１ｍｍ
変色Ｐａｄの光学像
ＳＯ４
Ａｇ単体由来の
プラズモンロスピークが無い
→ Ａｇ-Ｓを示唆
ＸＰＳ：（ワイド）Ａｇ以外にＣ，Ｏ，Ｓｉ，Ｓ，Ｃｌを検出 （ナロー）Ｓは主に硫化銀として存在
。
Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｕｍ[ｍ/ｚ：１∼３００]
Ｎｅｇａｔｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｕｍ[ｍ/ｚ：１∼３００]
Ａｇ化合物成分
シロキサン成分
Ｓｉ
ＳｉＣ３Ｈ９
Ａｇ
ＣＮＡｇ２
Ｓｉ２Ｃ５Ｈ１５Ｏ
Ａｇ２Ｓ
Ａｇ２Ｃｌ
ＳＯ４Ｈ
Ｃｌ
Ｓ
Ａｇ化合物成分
無機酸成分
Ｂｒ
ＡｇＣｌ２
ＳＯ４
ＡｇＳ
Ａｇ
ＡｇＣｌ
ＴＯＦ-ＳＩＭＳ：Ａｇは硫化銀・塩化銀・アミン塩として存在し，有機物としてシロキサン成分を確認
Ｓ