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無電解Agめっきの特徴
ブラックパッドなどの層間剥離が無い
無電解Ni特有のPb混入が無い
半田付け性、接合強度に優れている
電気抵抗が低い
高周波基盤へのFinal-Finish処理として有望
ワイヤーボンディングも条件によって可能
無電解Ａｇめっき工程
クリーナ
エッチング
プレディップ
無電解Ａｇ
めっき仕様




Ａｇめっき厚
めっき方法
Ａｇめっき外観
下地
０．１～０．８μｍ
置換型めっき
無光沢
Ｃｕ素材
無電解Ａｇめっき皮膜構造
2Ag
置換反応プロセスでめっき
2e-
処理液の酸にて、Ｃｕを溶解し、その電
位をもって、Ａｇが置換する。
有機膜
Cu2+
有機膜
Cu
Ａｇ自体は、有機膜で覆われており、析
出したＡｇも有機膜で覆われる。
この析出した有機膜が、耐ﾏｲｸﾞﾚｰｼｮﾝ、
耐変色性に優れている。
無電解Ａｇめっきの表面状態
FE-SEMによる表面観察
×２０００
×１００００
ワイヤーボンディング性
プル強度(25μ ｍ　Au-Wire)
Ｗ
／
（Ｂ
ｇ プ
）ル
強
度
11.0
10.5
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
サンプル１
サンプル２
無電解Ａｇ
電解Ａｇ（下地Ｎｉ）
電解Ａｇ（Ｎｉ下地）と比較すると強度がやや劣るが、プル強度は十分
あると判断される。
マイグレーション試験結果
log　Ω
マイグレーション試験結果
11.8
11.6
11.4
11.2
11.0
10.8
10.6
10.4
96H
596H
素材
電解Ａｇ
無電解Ａｕ
無電解Ａｇ
UL796 35℃/85%RH Bias Volt=40V
日本国内では、Ａｇに於けるﾏｲｸﾞﾚｰｼｮﾝ確認不足で導入が足踏み
半田接合シェア強度
半田ボール接合強度（ボール経0.625mm)
シ
ェ
ア
強
度
／
Ｎ
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Ａｇ
NiＡｕ
PreFlux
めっき直後
耐熱試験後