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Data Sheet
AEC-Q101準拠
中電力増幅用 (50V,0.5A)
2SD1949 / 2SD1484K
2SD1949FRA
/ 2SD1484KFRA
外形寸法図 (Unit : mm)
特長
1) 大電流である。 (Ic=0.5A)
2) VCE(sat)が低い。(Typ.0.1V at Ic/IB=150/15mA)
UMT3
(SC-70)
<SOT-323>
絶対最大定格 (Ta=25 C)
Symbol
VCBO
Limits
Unit
50
V
VCEO
50
V
VEBO
5
V
IC
0.5
A
コレクタ損失
PC
0.2
W
接合部温度
保存温度範囲
Tj
150
C
Tstg
−55 ~ +150
C
Parameter
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
(1) エミッタ
(2) ベース
(3) コレクタ
SMT3
(SC-59)
<SOT-346>
2.9
1.1
0.4
0.8
1.6
2.8
(3)
(2)
(1) エミッタ
(2) ベース
(3) コレクタ
1.9
0.15
0.3Min.
(1)
0.95 0.95
電気的特性 (Ta=25 C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
Parameter
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
エミッタ・ベース降伏電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
Min.
50
50
5
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
Typ.
Max.
Unit
−
−
−
0.5
0.5
390
V
V
V
−
−
120
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
250
6.5
0.4
fT
Cob
−
−
µA
µA
−
V
MHz
pF
Conditions
IC=100µA
IC=1mA
IE=100µA
VCB=30V
VEB=4V
VCE/IC=3V/10mA
IC/IB=150mA/15mA
VCE=5V , IE= −20mA , f=100MHz
VCB=10V , IE=0A , f=1MHz
包装仕様及び
2SD1949
2SD1949FRA
UMT3
Type
パッケージ名
hFE
QR
QR
Y
Y
T106
3000
標印
包装記号
基本発注単位
2SD1484K
2SD1484KFRA
SMT3
T146
3000
はhFE
hFEの値により下表のように分類します
Item
Q
R
hFE
120~270
180~390
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2011.06 - Rev.E
2SD1949FRA
/ 2SD1484KFRA
2SD1949 / 2SD1484K
Data Sheet
電気的特性曲線
100
200
1000
0.50
VCE=6V
Ta=25℃
0.45
2
1
-25 C
5
25 C
C
20
10
0.5
500
0.40
80
DC CURRENT GAIN hFE
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
50
Ta=100
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
VCE=6V
100
0.35
0.30
60
0.25
0.20
40
0.15
0.10
20
1V
100
50
0.05
0.2
VCE=3V
200
IB=0mA
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2
3
4
0.1 0.2 0.5 1 2
5
5 10 20
50 100 200 500
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
Fig.1 エミッタ接地伝達静特性
Fig.2 エミッタ接地出力静特性
Fig.3 直流電流増幅率−コレクタ電流特性 ( )
Ta=25℃
VCE=10V
25 C
-25 C
100
50
COLLECTOR SATURATION
VOLTAGE : VCE (sat) (V)
Ta=75 C
IC/IB=10
0.5
COLLECTOR SATURATION
VOLTAGE : VCE (sat) (V)
500
200
1
BASE TO VOLTAGE : VBE (V)
1000
DC CURRENT GAIN hFE
0
0
1.2
0.2
100/1
IC/IB=
0.1
50/1
20/1
0.05
10/1
0.5
0.2
0.1
0.05
25 C
Ta=75 C
-25 C
20
1
2
5
10 20
0.02
50 100 200 500 1000
5
10
20
50 100 200
500
0.02
5
10 20
50 100 200 500 1000
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
Fig.4 直流電流増幅率−コレクタ電流特性 ( )
Fig.5 コレクタ・エミッタ飽和電圧−
コレクタ電流特性
Fig.6 コレクタ・エミッタ飽和電圧−
コレクタ電流特性
Ta=25 C
f=1MHz
IE=0A
50
Cib
20
Cob
10
Ta=25 C
5
VCE=6V
500
TRANSITION
FREQUENCY: fT (MHZ)
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob (pF)
EMITTER INPUT CAPACITANCE : Cib (pF)
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
200
100
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
-1
-2
-5
-10
-20
-50
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V)
EMITTER CURRENT : IE (mA)
Fig.7 入出力容量−電圧特性
Fig.8 利得帯域幅積・エミッタ電流特性
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R1120A