1. No category

Doc No. TT4-EA-14996
Revision. 2
製品規格
ショットキバリアダイオード
DB2L33400L
DB2L33400L
整流用
Unit: mm
 特長
0.3
 順電流(平均値) IF(AV) ≦ 0.5 A の整流が可能
 順電圧VFが低い
 高許容損失CSPパッケージ採用
(EU RoHS / MSL:Level 1 適合)
0.6
2
 形名表示記号 : C5
1
20 000 個 / 巻 （標準）
 絶対最大定格
項目
記号
VR
VRM
IF(AV)
IF(AV)
IFSM
Tj
Ta
Tstg
逆電圧 *1
最大ピーク逆電圧 *1
順電流(平均値) *2,3
順電流(平均値) *2,4
非繰返し尖頭順サージ電流 *1,5
動作接合温度 *6
周囲温度
保存温度
注) *1:
*2:
*3:
*4:
*5:
*6:
2
0.4
エンボスタイプ（熱圧着方式）：
0.215 0.115
0.0425
 包装仕様
最小
-40
-55
最大
30
30
0.5
0.5
5
150
+150
+150
0.115
1
単位
V
V
A
A
A
°C
°C
°C
0.1
0.215
1. Cathode
2. Anode
Panasonic
JEITA
Code
DCSP0603010-N1
—
—
Ta = Tj = 25℃
Squre wave : σ = 0.5
Ta ≦ 82℃、ガラス・エポキシ (FR4) 基板実装時 (25.4mm×25.4mm 厚み 1mm)、 銅箔ランド (面積 108.0mm2 厚み 36 μm)
Tsp ≦ 138℃
Squre wave : Tp = 5 ms
IF
Tp
(定義波形)
Tj < 150℃となるようディレーティングを行ってください。
Duty Cycle : σ =
 電気的特性 Ta = 25 °C ± 3 °C
項目
T
Time
T
記号
VF
IR
Ct
trr
順電圧
逆電流
端子間容量
逆回復時間 *1
Tp
条件
最小 標準 最大
-
IF = 0.5 A
VR = 30 V
VR = 10 V, f = 1 MHz
IF = IR = 100 mA, Irr = 10 mA
-
0.45
10
10
3.5
0.54
45
-
単位
V
μA
pF
ns
注) 1. 測定方法は、日本工業規格JIS C 7031 ダイオード測定方法によります。
2. 本製品は、静電気などの電気的ショックに弱いため，人体の帯電，使用機器の漏電には十分ご注意ください。
3. *1: trr測定回路、入力パルス、出力パルス
(測定回路)
(入力パルス)
tr
(2)
(1)
DUT
(3)
tp
10%
VR
90%
(出力パルス)
t
IF
trr
t
Irr = IR ÷10
IR
(1) Bias Insertion Unit (N-50BU)
tp = 2 μs
IF = 100 mA
(2) Pulse Generator (PG-10N), RS = 50 Ω
tr = 0.35 ns
IR = 100 mA
(3) Wave Form Analyzer (SAS-8130), Ri = 50 Ω
σ = 0.05
Irr = 10 mA
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ショットキバリアダイオード
DB2L33400L
Electrical Characteristics Technical Data (Reference)
IF - VF / Typical Data
Ct - VR / Typical Data
1.0E+00
50
(1)
(2)
Terminal Capacitance : Ct [pF]
Forward Current : IF [A]
1.0E-01
1.0E-02
(3)
1.0E-03
(4)
1.0E-04
40
30
20
(4)
10
(5)
0
1.0E-05
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0.6
Forward Voltage : VF [V]
10
20
30
Reverse Voltage : VR [V]
IR - VR / Typical Data
1.0E-01
1.0E-02
Reverse Current : IR [A]
(2)
1.0E-03
(グラフ凡例)
(1)
Ta =
(2)
Ta =
(3)
Ta =
(4)
Ta =
(5)
Ta =
150
125
85
25
-40
℃
℃
℃
℃
℃
(3)
1.0E-04
1.0E-05
(4)
1.0E-06
1.0E-07
(5)
1.0E-08
1.0E-09
0
10
20
30
Reverse Voltage : VR [V]
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ショットキバリアダイオード
DB2L33400L
Electrical Characteristics Technical Data (Reference)
PF(AV) - IF(AV) / Typical Data
Average Forward Power Dissipation : PF(AV) [W]
0.40
(1)
(2)
Tj = 25°C
0.35
(定義波形)
(3)
IF
0.30
Tp
(4)
0.25
Time
T
0.20
Duty Cycle : σ =
Tp
T
0.15
(グラフ凡例)
(1)
σ= 1.0
(2)
σ= 0.8
(3)
σ= 0.5
(4)
σ= 0.3
0.10
0.05
0.00
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
Average Forward Current : IF(AV) [A]
PR(AV) - VR / Typical Data
Average Reverse Power Dissipation : PR(AV) [W]
0.00030
(1)
Tj = 25°C
(定義波形)
0.00025
T
0.00020
Time
(2)
VR
0.00015
Tp
Duty Cycle : σ =
(3)
Tp
T
0.00010
(グラフ凡例)
(1)
σ= 1.0
(2)
σ= 0.7
(3)
σ= 0.5
(4)
σ= 0.2
(4)
0.00005
0.00000
0
5
10
15
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Reverse Voltage : VR [V]
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ショットキバリアダイオード
DB2L33400L
Electrical Characteristics Technical Data (Reference)
PF(AV) - IF(AV) / Typical Data
Average Forward Power Dissipation : PF(AV) [W]
0.40
(1)
Tj = 150°C
0.35
(定義波形)
(2)
(3)
0.30
IF
Tp
(4)
0.25
Time
T
0.20
Duty Cycle : σ =
Tp
T
0.15
(グラフ凡例)
(1)
σ= 1.0
(2)
σ= 0.8
(3)
σ= 0.5
(4)
σ= 0.3
0.10
0.05
0.00
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
Average Forward Current : IF(AV) [A]
PR(AV) - VR / Typical Data
Average Reverse Power Dissipation : PR(AV) [W]
0.12
(定義波形)
(1)
Tj = 125°C
0.10
T
Time
0.08
(2)
VR
0.06
Tp
Duty Cycle : σ =
(3)
Tp
T
0.04
(グラフ凡例)
(1)
σ= 1.0
(2)
σ= 0.7
(3)
σ= 0.5
(4)
σ= 0.2
(4)
0.02
0.00
0
5
10
15
20
25
30
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Reverse Voltage : VR [V]
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ショットキバリアダイオード
DB2L33400L
 熱抵抗
項目
記号
条件
最小 標準 最大
単位
熱抵抗 （接合－接合半田間)
Rth(j-sp)
Ta = 25℃, in free air
-
35
-
°C/W
熱抵抗（接合－周囲間) *1
Rth(j-a)
Ta = 25℃, in free air
-
610
-
°C/W
熱抵抗（接合－周囲間) *2
Rth(j-a)
Ta = 25℃, in free air
-
202
-
°C/W
注) *1: ガラス・エポキシ (FR4) 基板実装時 (25.4mm×25.4mm 厚み 1mm)、銅箔ランド (面積 27.6mm2 厚み 36 μm)
*2: ガラス・エポキシ (FR4) 基板実装時 (25.4mm×25.4mm 厚み 1mm)、 銅箔ランド (面積 108.0mm2 厚み 36 μm)
(評価基板図)
銅箔ランド
銅箔ランド
(27.6mm2)
(108.0mm2)
25.4mm
25.4mm
ガラス・エポキシ(FR4) 基板
ガラス・エポキシ(FR4) 基板
25.4mm
25.4mm
Thermal Characteristics Technical Data (Reference)
Rth - T *1 / Typical Data
1000
Thermal Resistance : Rth [℃/W]
(1)
(2)
100
10
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Applying Time : T [s]
注)
*1: シングルパルス測定
(定義波形)
(グラフ凡例)
ガラス・エポキシ (FR4) 基板実装時 (25.4mm×25.4mm 厚み 1mm)、
(1)
銅箔ランド (面積 27.6mm2 厚み 36 μm)
ガラス・エポキシ (FR4) 基板実装時 (25.4mm×25.4mm 厚み 1mm)、
(2)
銅箔ランド (面積 108.0mm2 厚み 36 μm)
Power
Time
Applying Time : T
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ショットキバリアダイオード
DB2L33400L
Thermal Characteristics Technical Data (Reference)
Effective Transient Thermal Resistance - Tp *1 / Typical Data
Effective Transient Thermal Resistance [℃/W]
1000
(評価基板図)
(1)
(定義波形)
Power
Tp
(2)
100
(5)
(6)
0.0001
Tp
Duty Cycle : σ =
(4)
10
Time
T
(3)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Tp [s]
(グラフ凡例)
(1)
σ=
(2)
σ=
(3)
σ=
(4)
σ=
σ=
(5)
(6)
σ=
T
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
Effective Transient Thermal Resistance [℃/W]
Effective Transient Thermal Resistance - Tp *2 / Typical Data
(評価基板図)
100
(定義波形)
(1)
Power
Tp
(2)
Time
T
(3)
Duty Cycle : σ =
(4)
(5)
(6)
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Tp [s]
10
100
1000
(グラフ凡例)
(1)
σ=
(2)
σ=
(3)
σ=
(4)
σ=
(5)
σ=
σ=
(6)
Tp
T
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
注) *1: ガラス・エポキシ (FR4) 基板実装時 (25.4mm×25.4mm 厚み 1mm)、 銅箔ランド (面積 27.6mm2 厚み 36 μm)
*2: ガラス・エポキシ (FR4) 基板実装時 (25.4mm×25.4mm 厚み 1mm)、銅箔ランド (面積 108.0mm2 厚み 36 μm)
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ショットキバリアダイオード
DB2L33400L
Power Derating Technical Data (Reference)
IF(AV) - Ta *1 / Typical Data
IF(AV) - Ta *2 / Typical Data
0.8
0.8
Tj =150°C
0.7
Average Forward Current : IF(AV) [A]
Average Forward Current : IF(AV) [A]
0.7
0.6
(1)
0.5
(2)
0.4
(3)
0.3
(4)
0.2
0.1
0.0
Tj =150°C
(1)
0.6
(2)
0.5
(3)
0.4
(4)
0.3
0.2
0.1
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
Ambient Temperature : Ta [℃]
25
50
75
(グラフ凡例)
(1)
(2)
(3)
(4)
0.8
Average Forward Current : IF(AV) [A]
0.7
0.6
150
Tj =150°C
(定義波形)
σ = 1.0
σ = 0.8
σ = 0.5
σ = 0.3
IF
Tp
T
(2)
0.5
125
Ambient Temperature : Ta [℃]
IF(AV) - Tsp / Typical Data
(1)
100
Duty Cycle : σ =
(3)
Time
Tp
T
注)
*1: ガラス・エポキシ (FR4) 基板実装時 (25.4mm×25.4mm 厚み 1mm)、
0.4
2
銅箔ランド (面積 27.6mm 厚み 36 μm)
(4)
(評価基板図)
0.3
0.2
0.1
*2: ガラス・エポキシ (FR4) 基板実装時 (25.4mm×25.4mm 厚み 1mm)、
2
銅箔ランド (面積 108.0mm 厚み 36 μm)
0.0
0
25
50
75
100
125
150
(評価基板図)
Solder Point Temperature : Tsp [℃]
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ショットキバリアダイオード
DB2L33400L
DCSP0603010-N1
Unit: mm
0.30±0.03
1
0.215±0.030
0.115±0.030
0.4
0.10±0.02
0.0425±0.0300
2
0.115±0.030
0.60±0.03
2
1
 Land Pattern (Reference)
0.215±0.030
Unit: mm
0.215
0.4
0.215
0.3
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本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出
管理に関する法令を遵守してください。
(2)
本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、それをもってパナソニック株
式会社または他社の知的財産権もしくはその他の権利の許諾を意味するものではありません。したがって、上記技術情
報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はその責任を負うものではありません。
(3) 本書に記載の製品は、一般用途(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)および本書に個別に記載されている
用途に使用されることを意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途
− 特定用途(航空・宇宙用、輸送機器、交通信号機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)へのご使用をお考え
のお客様は、事前に当社営業窓口までご相談願います。ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては
責任を負いかねますのでご了承ください。
(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。した
がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認
ください。
(5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願
いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、
超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器
の故障、欠陥については当社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、当
社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、
誤動作防止設計などの システム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。
(6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因（ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス）による
故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。
また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた
条件を守ってご使用ください。
(7) 本書の一部または全部を当社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。
20100202