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Powering
Your Innovation
Powering Your Innovation
主要な IP
(Intellectual Property)
高周波での電力変換
インテグレートされた
電源管理システム
インダクタ
コントローラ
磁気工学
特別に設計された即使用
可能なソリューション
完全にシミュレーション、
特性評価、検証済み
システム・レベルで検証済み
電源のパッケージ化と構造
MOSFET x 2
インダクタとキャパシタの
選択作業が不要に
高周波フィルタ・
キャパシタ
Enpirion の利点
システム電源デザインに関する、現在と未来の課題に対応します。
PowerSoC の比較
最高の電力密度と最小の実装面積
PowerSoC - 他のソ
リューションに比べ、
25% ∼ 75% 小さい実
装面積を実現
他のディスクリート・スイッチングレギュレータやモジュールと比べて、
Point-of-load として要求されるプリント基板の面積、および高さのプロファ
イルを大幅に縮小しました。
高い効率と熱のパフォーマンス
最高 96% の効率で最適化されています。高効率デバイスは工業用グレー
ドで、85℃ の周囲温度でも負荷ディレーティングやエアフローは必要あり
ません。
競合他社のモジュール
最少の部品点数と信頼性の向上
PowerSoC は完全な電源システムとして設計され、シミュレーション、特性
評価、製造検査されています。部品点数の削減と、綿密に制御された IC
製造プロセスにより、MTBF が 280,000 year という最高の信頼性が実現さ
れています。
容易な設計と市場投入期間の短縮
競合他社のディスクリート・
レギュレータ
インダクタと補償回路を内蔵した PowerSoC により、即使
用可能なデザインが実現できます。ディスクリート・スイッ
チング・レギュレータと比べて、開発工数を大幅に削減する
PWM
コントローラ
ことができます。
補償回路
完全に検証された電源ソリューション
完全に検証されたプリント基板のレイアウトと技術資料に
より、ほぼ 100% の確率で初回のテストに合格できます。
BMUFSBDPKQFOQJSJPO
イネーブル
ゲート・
ドライブ
インダクタ
詳細
低放射ノイズ
Enpirion
競合製品
QSPR 22 クラス B 10m
dB (µV/メータ)
レベル (dBµV/m 単位)
CFR 47 パート 15 クラス H 10m
CISPR クラス A 10m
CFR 47 パート 15 クラス B 10m
CISPR クラス B 10m
周波数 (Hz 単位)
周波数 (MHz)
低リップル
高速ダイナミック応答
競合製品
Enpirion
競合製品
Enpirion
5 V 入力
5 V 入力
5 V 入力
5 V 入力
3.3 V 出力
3.3 V 出力
3.3 V 出力
3.3 V 出力
500 MHz 帯域幅
500 MHz 帯域幅
アプリケーション
装置メーカーは市場からのプレッシャーを受け、フォーム・ファクタを小型化しエネルギー効率の改善を目指しながら、
より多くの特長や機能を追加し、広帯域化を図っています。最新の 28nm および 20nm FPGA、プロセッサ、およびそ
の他の SoC は、より細かく精密な電源管理を導入することで、これらの課題に対応しています。その結果、電源レール
数が増加し、パワーアップ・シーケンス要件が複雑化し、ノイズ許容値が厳しくなっています。アルテラの Enpirion® 電源
ソリューションは、電源デザインに関するこれらの課題を解決し、多くのアプリケーションで幅広く使用されています。
コンピュータ
サーバーのマザーボード
企業向けストレージ
NIC および HBA カード
SATA、SAS、mSATA、
マイクロ・サーバー
ストレージ・システム
RAID コントローラ
ネットワークと通信機器
無線基地局
PCI Express® (PCIe®)
テスト & 計測機器
ネットワーク・アナライザ
( マクロ、ピコ、フェムト )
自動テスト装置 (ATE)
( マイクロウェーブ、有線 )
スコープ、アナライザ、
バックホール
データ収集
メディア・ゲートウェイ
信号ジェネレータ
(ATCA/AMC)
産業用および組み込み
半導体ドライブ (SSD)：
セキュリティ・システム／
デジタル・ビデオ・レコーダ (DVR)
産業用コンピューティング
産業用通信モジュール
光ネットワーク
光モジュール：SFP、XFP、
CXP、CFP
アクティブ光ケーブル
再プログラム可能な Add/
Drop 多重
BMUFSBDPKQFOQJSJPO パッ
ケー
ジ・
サイ
ズ
(ピ
ン
)
0.6−VIN
0.6
2.4−5.5
0.6−VIN
EP5368QI
0.6
EP5388QI
0.8
EP53A8xQI
1
EP53A7xQI
EN6310QI
囲
2.4−5.5
0.6
1
1
2.4−5.5
2.4−5.5
2.4−5.5
2.4−5.5
2.4−5.5
2.7−5.5
uQFN16
0.6−VIN
QFN16
0.6−VIN
0.6−VIN
0.6−VIN
0.6−VIN
QFN24
2
2.4−5.5
0.6−VIN
EN5337QI
EN5339QI
EN5365/6QI
EN5367QI
EN5395QI
EN5396QI
3
3
6
6
9
9
6 V 入力製品
EN5311QI
EN5335/6QI
EN6337QI
EN6347QI
EN5364QI
EN6360QI
EN5394QI
EN63A0QI
1
2.4−5.5
9
12 V 入力製品
2.4−6.6 0.6−VIN
2.4−6.6 0.6−VIN
2.4−6.6 0.6−VIN
2.4−6.6 0.6−VIN
2.4−6.6 0.6−VIN
2.4−6.6 0.6−VIN
QFN24
4.5−6.6
QFN58
QFN20
EQC1240QI
4
4
0.6−1.2
1−1.8
0.6−1.2
2.9−14
2.9−14
BMUFSBDPKQFOQJSJPO
NA−NA
NA−NA
28
1.1
21
1.1
5
1.85
6
1.1
21
65
1.1
40
1.1
58
7
1.85
75
12
1.85
229
12
1.85
277
3
6
6
6
5
1.1
1.1
3
1.85
1.1
55
55
55
210
282
36
4
7
1.85
75
QFN68
QFN68
QFN68
4
7
1.85
1.85
8
11
8
11
1.85
8
11
11
3
3
QFN76
10
QFN36
5.5
5.5
0.9
QFN68
8
11
3
QFN68
0.60−3.3
1.1
QFN38
QFN38
0.60−3.3
4.5−14
4
・ ・
157
4.5−14
0.75−5.0
10
21
1.85
QFN68
1−1.8
NA
4
・ ・
10
0.75−5.0
8
NA
4
1.1
14
7.5
8
8
11
11
11
3
QFN16
3.3
3.3
0.9
QFN
8
11
3
QFN24
QFN24
4
4
10
4
4
190
3
3
0.75
0.75
・
・ ・
・ ・
・ ・
・
・
・
・
・ ・
・ ・
・ ・
・ ・ ・
・
・
・
・
・ ・
・
・
・ ・ ・
・
・
・
・
・
・
・ ・
・
・
・ ・
・ ・
・
・ ・ ・
・
・ ・
・
・ ・
・
・
・ ・
・
・ ・ ・
・ ・
・ ・
・
・ ・
・
・ ・ ・
・
・
・ ・ ・
・
・
・ ・ ・
・
・ ・ ・
・
・ ・ ・
・
・
・ ・
・ ・
200
・ ・
・ ・
・ ・
・ ・
・ ・
235
・ ・
325
・
・ ・
・
・ ・
・
・ ・ ・
・ ・ ・ ・ ・
・
・ ・ ・ ・ ・
・
・
・ ・ ・
・
・ ・ ・
・ ・ ・
・ ・
・
・
・
・ ・ ・ ・
・
・ ・ ・ ・
・
・
・
・
・
・
・ ・ ・
・
・
・
・ ・ ・ ・
・
・
・ ・ ・ ・
200
・ ・
・ ・
・
40
・ ・
・
140
125
・ ・
・
・
・
・ ・
・ ・
・ ・
227
200
12
5.5
195
3
13
QFN54
160
200
10
QFN92
75
3
QFN76
電流検知およびモニタリング製品
EQC1241QI
3
1.1
QFN44
4.5−14
0.5−0.9
EV1380QI
4
3
12
1−1.8
5
3
10
DDR メモリ終端製品
EV1340QI
3
3
QFN58
3
EV1320QI
3
3
2.4−5.5 0.75−VIN
0.60−3.3
15
3
10
4.5−14
EN23F0QI
3
5.5
4.5−14
9
14
QFN54
4
6
1.1
2.5−5.5 0.75−VIN
EN2340QI
EN2390QI
0.6−VIN
2.4−5.5 0.75−3.3
8.0−13
EN2360QI
2.5 2.25
10
4
4
20
QFN58
EC2630QI
EN2342QI
0.9
2.4−5.5 0.75−VIN
2.4−5.5
2.4−6.6 0.6−VIN
12
1.75
2
2.5 2.25
4
4
8
QFN24
H
QFN38
2.4−6.6 0.75−VIN
6
QFN16
W
2.4−5.5 0.75−VIN
3
3
QFN16
QFN24
EN5322QI
2
QFN16
0.6−VIN
0.6−VIN
EN5329QI
QFN16
QFN38
2.4−5.5
2.4−5.5
uQFN16
0.6−3.3
1.5
1.5
uQFN14
0.6−VIN
EP53F8QI
EN5319QI
パッ
ケー
ジ
V in
0.4
EP5357xUI
EP5358xUI
( VD
C)
EP5348QI
Vo
範
C)
( VD
)
t(A
Iou
PN
5 V 入力標準製品
L
(m
ソリ
m)
ュー
ショ
抵
ン
抗デ
・サ
イズ
VID ィバイ
(m
ダ
VO
m2
VO
UT
)
PO
UT
セ
Kフ
ット
セッ
ト
ソフ ラグ
ト・
スタ
高
ート
精度
をプ
イ
ネー
入
ログ
力同
ブル
ラム
クロ 期
可能
ック
並列 出力
機
スイ 能
ッチ
ン
低
負荷 グ周
波
プリ モード 数を
バイ
(AB プロ
グラ
-L
過電 アス
ム可
・ス LM)
圧
保
能
ター
護
過電
トア
流
ップ
保
過
護
熱
保
護
IBC
へ
の
使
VD
用承
DQ
認
トラ
外部
ッキ 済み
リフ
ン
グ
マー
ァ
ジニ レン
ス
ング
・ピ
ン
プロダクト・セレクター・ガイド
・
・
・ ・
・
・ ・
・ ・
・ ・
・ ・
EP5368QI 600mA PowerSoC
■仕様：
■特長：
・入力電圧範囲：2.4 V ∼ 5.5 V
・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.4 V)
・低リップル (5 mVp-p (Typ))
・ノイズ・センシティブ RF に対応
・出力電圧精度：3 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・3 mm x 3 mm x 1.1 mm QFN パッケージ
・3-PIN VID 出力プログラミング
・2 つの小型 MLCC コンデンサのみ必要
・連続出力電流：600 mA
・保護：OCP、熱、UVLO
・外部ディバイダで Comp を変更可能
・抵抗ディバイダ・オプション
3 mm x 3 mm x 1.1 mm
・動作周波数：4 Mhz
・ソリューション・フットプリント：<24 mm2
表 1 VID 電圧選択設定
VS2
VS1
VS0
0
0
1
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
0
1
1
0
0
1
VOUT
3.3V
2.5V
1.8V
1.5V
0
1.25V
0
0.8V
1
1
・VID ピンを動的に変更可能
・イネーブル・ピン
1
1.2V
ユーザーが選択可能
EP5388QI 800mA PowerSoC
■特長：
■仕様：
・入力電圧範囲：2.4 V ∼ 5.5 V
・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.4 V)
・低リップル (5 mVp-p (Typ))
・ノイズ・センシティブ RF に対応
・出力電圧精度：3 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・3 mm x 3 mm x 1.1 mm QFN パッケージ
・3-PIN VID 出力プログラミング
・2 つの小型 MLCC コンデンサのみ必要
・連続出力電流：800 mA
・保護：OCP、熱、UVLO
・外部ディバイダで Comp を変更可能
・抵抗ディバイダ・オプション
3 mm x 3 mm x 1.1 mm
・動作周波数：4 Mhz
・ソリューション・フットプリント：<28 mm2
表 1 VID 電圧選択設定
・VID ピンを動的に変更可能
・イネーブル・ピン
VS2
VS1
VS0
0
0
1
2.5V
1
1.5V
0
0
0
1
1
1
1
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
1
0
1
VOUT
3.3V
1.8V
1.25V
1.2V
0.8V
ユーザーが選択可能
BMUFSBDPKQFOQJSJPO EN6310QI 1A 高効率 PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：2.7 V ∼ 5.5 V
・VOUT 範囲 :0.6 V ∼ 3.3 V
・連続出力電流：1 A
・動作周波数：2.2 MHz
・4 mm x 5 mm x 1.85 mm QFN
・ソリューション・フットプリント：65 mm2
4 mm x 5 mm x 1.85 mm
・高精度出力：
項目
条件
初期 DC 精度 VIN=5.0 V または 3.3 V；I_Load=100 mA；TA=25 ℃
VIN=3.3 V；0 A I_Load 1 A；-40 ℃ TA +85 ℃
VIN=5.0 V；0 A I_Load 1 A；-20 ℃ TA +85 ℃
DC 精度
VIN=5.0 V；0 A I_Load 1 A；-40 ℃ TA +85 ℃
■特長：
・低 VOUT に最適化
・高い変換効率
・SERDES および IO 用に極めて低いリップル
・クラス最高の過渡応答
・抵抗ディバイダ VOUT プログラミング
・ソフト・スタートをプログラム可能
・シーケンシング用イネーブルおよび POK
・過電流と短絡から保護
・熱保護：140 ℃/30 ℃
・低入力電圧ロックアウト：2.2 V
最小 最大 単位
%
+1
-1
-2 +2.25 %
%
+2
-2
%
+2
-3
EP53F8QI 1.5 A PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：2.4 V ∼ 5.5 V
・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.6 V)
・出力電圧精度：3 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：1500 mA
・動作周波数：4 Mhz
・ソリューション・フットプリント：40 mm2
■特長：
・低リップル ( 最小 8 mVp-p (Typ))
・ノイズ・センシティブ RF に対応
・3 x 3 x 1.1 mm QFN パッケージ
・高出力密度：275 mW/mm2
・エラー・モニタリング用 POK フラグ
・保護：OCP、熱、UVLO
・イネーブル・ピン
3 mm x 3 mm x 1.1 mm
EN6337QI 3 A 高効率 PowerSoC
4 mm x 7 mm x 1.85 mm
BMUFSBDPKQFOQJSJPO
■仕様：
・入力電圧範囲：2.375 V ∼ 6.6 V
・出力電圧範囲：0.75 V ∼ (VIN-0.5 V)
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：3 A
・静止電流 (LLM)：650 uA
・ソリューション・フットプリント：
・上面最大面積：75 mm2
・裏面最大面積：50 mm2
■特長：
・IBC と 互換
・ピーク効率：95 %
・過電流保護：4.5 A (Typ)
・低入電圧ロックアウト：2.2 V
・バイアス低負荷モード (LLM)
・ソフト・スタートをプログラム可能
・カスタマイズ可能な制御ループ
・EN6347QI 4 A と ピン互換
・EN5337QI 3 A と準ピン互換
・外部クロックに同期
・イネーブル兼 POK フラグ
EN6347QI
4 A 高効率 PowerSoC
4 mm x 7 mm x 1.85 mm
■仕様：
・入力電圧範囲：2.375 V ∼ 6.6 V
・出力電圧範囲：0.75 V ∼ (VIN-0.5 V)
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：4 A
・静止電流 (LLM モード )：650 uA
・ソリューション・フットプリント：
・上面最大面積：75 mm2
・裏面最大面積：50 mm2
■特長：
・ IBC と 互換
・ピーク効率：95 %
・過電流保護：6 A (Typ)
・低電圧ロックアウト：2.2 V
・バイアス低負荷モード (LLM)
・ソフト・スタートをプログラム可能
・カスタマイズ可能な制御ループ
・EN6337QI 3 A と 互換
・EN5337QI 3 A と 準ピン互換
・外部クロックに同期
・イネーブル兼 POK フラグ
EN6360QI 8 A 高効率 PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：2.5 V ∼ 6.6 V
・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.6 V)
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：8 A
・スイッチ周波数：1.2 MHz
・ソリューション・フットプリント：190 mm2
11 mm x 8 mm x 3 mm
■特長：
・IBC と 互換
・最大 96 % の高い効率
・熱ディレーティングは不要
・スイッチング周波数をプログラム可能
・外部クロックに同期
・高精度イネーブルしきい値
・ソフト・スタートをプログラム可能
・並列動作可能
・保護：熱、OC、SC、UVLO
・ソフト・シャットダウン
EN63A0QI 12 A 高効率 PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：2.5 V ∼ 6.6 V
・出力電圧範囲：0.6 V ∼ (VIN-0.6 V)
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：12 A
・スイッチ周波数：1.2 MHz
・ソリューション・フットプリント：230 mm2
11 mm x 10 mm x 3 mm
■特長：
・IBC と 互換
・最大 96 % の高い効率
・スイッチング周波数をプログラム可能
・外部クロック同期可能
・高精度イネーブルしきい値
・ソフト・スタートをプログラム可能
・ソフト・シャットダウン
・並列動作可能
・保護：熱、OC、SC、UVLO
・RoHS 準拠、MSL レベル 3、リフロー：260 C
BMUFSBDPKQFOQJSJPO EN2342QI 12 V/4 A PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：4.5 V ∼ 14.0 V
・出力電圧範囲：0.75 V ∼ 5 V
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：4 A
・動作温度範囲：-40 ℃ ∼ 85 ℃
・ダイ温度範囲：-40 ℃ ∼ 125 ℃
・ソリューション・フットプリント：200 mm2
8 mm x 11 mm x 3 mm
Q)
9,1
■特長：
・効率：94 %
・外部クロックに同期
・ソフト・スタートをプログラム可能
・保護：OCP、短絡、UVLO、過熱
・EN2340QI 4 A、EN2360QI 6 A、EN2362QI 6 A と
ピン互換
・イネーブル兼 POK フラグ
・熱ディレーティングなし
+)
9287
3* %703 9''% %*1'
9287
39,1
59%
N
+)
21
2))
(14,
(1$%/(
& 287
5$
&$
$9,12
+)
+)
$9,1
5 &$
9)%
66
Q)
3*1'
3*1'
)$'-
$*1'
5)6
5&/;
5%
5&/;
EN2360QI 12 V/6 A PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：4.5 V ∼ 14.0 V
・出力電圧範囲：0.75 V ∼ 5 V
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：6 A
・動作温度範囲：-40 ℃ ∼ 85 ℃
・ダイ温度範囲：-40 ℃ ∼ 125 ℃
・ソリューション・フットプリント： 200 mm2
■特長：
・効率：93 %
・外部クロック同期可能
・ソフト・スタートをプログラム可能
・保護：OCP、短絡、UVLO、過熱
・EN2340QI 4 A、EN2342QI 4 A とピン互換
・イネーブル兼 POK フラグ
・制限付き熱ディレーティング
8 mm x 11 mm x 3 mm
EN2390QI 12 V/9 A PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：4.5 V ∼ 14.0 V
・出力電圧範囲：0.75 V ∼ 3.3 V
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：9 A
・ソリューション・フットプリント：235 mm2
10 mm x 11 mm x 3 mm
BMUFSBDPKQFOQJSJPO
■特長：
・効率：93 %
・外部クロック同期可能
・ソフト・スタートをプログラム可能
・周囲温度範囲：-40 ℃ ∼ 85 ℃
・ダイ温度範囲：-40 ℃ ∼ 125 ℃
・保護：短絡、UVLO、熱
・イネーブル兼 POK フラグ
・並列可能
EN23F0QI 12 V/15 A PowerSoC
■仕様：
・入力電圧範囲：4.5 V ∼ 14.0 V
・出力電圧範囲：0.65 V ∼ 5 V
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・抵抗ディバイダ・プログラミング
・連続出力電流：15 A
・ソリューション・フットプリント：308 mm2
■特長：
・効率：93 %
・外部クロック同期可能
・ソフト・スタートをプログラム可能
・動作温度範囲：-40 ℃ ∼ 85 ℃
・ダイ温度範囲：-40 ℃ ∼ 125 ℃
・保護：短絡、UVLO、熱
・イネーブル兼 POK フラグ
・並列可能
12 mm x 13 mm x 3 mm
EV1320QI 2 A 高効率 DDR 終端
■仕様：
・入 DDR2、DDR3、DDR4 対応 VTT
・VDDQ VIN 範囲：1.0 V ∼ 1.8 V
・3.3 V AVIN
・VOUT = ½ VDDQ
・VDDQ でトラック
・ソースおよびシンク能力：2 A
・ソリューション・フットプリント：40 mm2
3 mm x 3 mm x 0.55 mm
■特長：
・VTT アプリケーションに最適化
・ピーク効率：96 %
・8 A VTT には最大 4 個のデバイスを並列
・ソフト・スタートをプログラム可能
・過電流および短絡保護
・熱的過負荷保護
・低電圧保護
・RoHS 準拠、MSL 3、リフロー：260 C
・ソフト・シャットダウン
EV1340QI 5 A 高効率 DDR 終端
10 mm x 5.5 mm x 3 mm
■仕様：
・DDR2、DD3、DD4 対応
・VDDQ VIN 範囲：1.0 V ∼ 1.8 V
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・AVIN 供給：3.3 V
・VOUT = ½ VDDQ
・VDDQ でトラック
・公称 Fsw：1.5 MHz
・ソースおよびシンク能力：5 A
・ソリューション・フットプリント：125 mm2
■特長：
・VTT アプリケーションに最適化
・ピーク効率：91.5 %
・プリバイアス対応
・ソフト・スタートをプログラム可能
・ソフト・シャットダウン
・過電流および短絡保護
・熱的過負荷保護
・低電圧保護
BMUFSBDPKQFOQJSJPO EV1380QI 8 A 高効率 DDR 終端
11 mm x 8 mm x 3 mm
■仕様：
・DDR2、DD3、DD4 対応
・VDDQ VIN 範囲：1.16 V ∼ 1.65 V
・出力電圧精度：2 % ( 入力電圧、負荷、温度 )
・AVIN 供給：3.3 V
・VOUT = ½ VDDQ
・VDDQ でトラック
・公称 Fsw：1.5 MHz
・ソースおよびシンク能力：8 A
・ソリューション・フットプリント：200 mm2
■特長：
・VTT アプリケーションに最適化
・ピーク効率：94 %
・並列可能
・プリバイアス対応
・ソフト・スタートをプログラム可能
・ソフト・シャットダウン
・過電流および短絡保護
・熱的過負荷保護
・低電圧保護
EC7401QI + ET4040 40 A ソリューションの機能
EC7401QI
・2、3、または 4 フェーズ動作
・フェーズごとに周波数を 1 MHz まで調整可能
・差動リモート電圧検知
・出力電圧精度 ±0.5 %（入力電圧、負荷、温度、経年）
・差動電流検知
・各フェーズの電流バランス
・VR11 と拡張 VR10 準拠。6.25 mV ／ビットで 8 ビット VID 入力
・動的 VID テクノロジ
・0.5 V ∼ 1.6 V の Vout 範囲
・高精度イネーブルしきい値
・熱モニタリング
・プログラム可能な温度補償
・過電流保護
・過電圧保護
BMUFSBDPKQFOQJSJPO
ET4040QI
・40 A の高密度モノリシック FET スイッチ
・40 A の連続動作電流
・FPGA、プロセッサ、および DDR メモリ向けコア電圧を対象として
最適化された低デューティ・サイクル動作
・最大 1 MHz の動作周波数で高い効率
・50 ∼ 75 % 低いインダクタンスと低容量出力コンデンサを実現
・500 KHz で 95 % のピーク効率 (1.8 Vout、10 A)
・POSCAP や電解コンデンサは不要
・上面ヒートシンク取り付け可能
ED8106N0xQI + ET4040 40 A ソリューション仕様／機能
ET4040QI
・デジタル単相 PWM コントローラ
・デジタル制御ループをプログラム可能
・ET4040 での使用に最適化してプリプログラム済み
・5.0 V または 3.3 V 単一電源で動作
・Stratix® V、Stratix 10、および Arria® 10 コア条件に対応
・最小のフットプリントで最大の電力密度
・デジタル制御ループで過渡応答と安定した定常状態を保証
・プリバイアス・スタートアップをサポート
・保護機能：
・過電流保護
・過電圧保護 (Vin、Vout)
・低電圧保護 (Vin、Vout)
・過負荷でのスタートアップ
・障害状況での連続リトライ 「ヒカッ
(
プ」) モード
,6 ( 1
76 ( 1
3:0
5( ), 1
('
・40 A の高密度モノリシック FET スイッチ
・FPGA、プロセッサ、および DDR メモリ向けコア電圧を対象として
最適化された低デューティ・サイクル動作
・最大 1 MHz の動作周波数で維持される高い効率
・50 ∼ 75 % 低いインダクタンスと低容量出力コンデンサを実現
・500 KHz で 95 % のピーク効率 (1.8 Vout、10 A)
・40 A の連続動作電流
・POSCAP や電解コンデンサは不要
・インダクタ DCR センシングを必要としない電流検知
・上面ヒートシンク取り付け可能
ED8106N0xQI
2))
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3*1'
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BMUFSBDPKQFOQJSJPO 400 mA
2x1.75 mm
600 mA
600 ∼1500 mA
2.5x2.25 mm
3x3 mm
1.5∼3 A
6x4 mm
3∼4 A
7x4 mm
電源ソリューションで最小の実装面積
4∼9 A
11x8 mm
9∼12 A
10x11 mm
15 A
13x12 mm
（パッケージ・サイズは実寸大）
Enpirion サイト：www.altera.co.jp/enpirion
〒163-1332
東京都新宿区西新宿6-5-1
新宿アイランドタワー32F 私書箱1594号
TEL. 03-3340-9480 FAX. 03-3340-9487
www.altera.co.jp
E-mail: [email protected]
Altera Corporation
101 Innovation Drive, San Jose, CA 95134 USA
www.altera.com
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Broch-Enpirion-2.0/JP.