1. No category

Datasheet
LVDS インタフェース LSI
35bit LVDS レシーバ
5:35 デシリアライザー
BU90R104
●概要
●重要特性
BU90R104 は、8MHz～112MHz と幅広い動作周波数範囲で
ピクセルデータを伝送することが可能です。
最大で 5 チャンネルの LVDS シリアル・データストリーム
入力を 35bit の LVCMOS レベルのパラレルデータとして
出力します。
データを７倍速で高速シリアル伝送が可能なためケーブル
の本数を 1/3 以下に削減できます。
I/O 電源電圧は 2.3V から 3.6V まで対応しており、様々な
用途での使用が可能です。
■電源電圧
■動作周波数範囲
■動作温度範囲
2.30 to 3.60 V
8 to 112 MHz
-40 to +85 ℃
●パッケージ
12.0mm×12.0mm×1.0mm
TQFP64V
●用途
■フラットパネルディスプレイ
■監視カメラ、デジタルカメラ
■タブレット
●特長
■5 チャネルの LVDS シリアル・データストリーム入力を
35bit の LVCMOS レベルのパラレルデータとして出力
■30bit RGB データ、5bit のタイミングデータと
コントロールデータを受信可能
■クロック周波数 8M～112MHz の帯域幅を保証
■コンスマー系ビデオ信号では、480i, 480P, 720P, 1080i 等
のフォーマットに対応
■PC 系ビデオ信号では VGA, SVGA, XGA, SXGA 等の
フォーマットに対応
■112MHz 動作時で、データ伝送量は LVDS 1 チャンネル
当たり 784Mbps、デバイス当たり 3.92Gbps
○製品構造：シリコンモノリシック集積回路
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■データ出力をクロックの立ち上がり/下がりのどちらかに同
期出力させる設定が可能
■30bit LVDS 送信側には、BU8254KVT を使用することを推奨
○耐放射線設計はしておりません
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BU90R104
●ブロック図
LVCMOS 出力
LVDS 差動入力
RCLK +/－
(8～112MHz)
+
－
PLL
7
CLKOUT
Sampling Clocks
7
RA +/－
+
－
Serial to Parallel
RB +/－
+
－
Serial to Parallel
RC +/－
+
－
Serial to Parallel
RD +/－
+
－
Serial to Parallel
RE +/－
+
－
Serial to Parallel
RA6-RA0
7
RB6-RB0
7
RC6-RC0
7
RD6-RD0
7
RE6-RE0
LVCMOS 入力
RESERVE
PD
OE
R/F
図 1. ブロック図
○製品構造：シリコンモノリシック集積回路
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○耐放射線設計はしておりません
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BU90R104
VDD
RA0
RA1
RA2
GND
RA3
RA4
RA5
RA6
RB0
RB1
VDD
RB2
RB3
RB4
RB5
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
●端子配置図
RA- 49
32
RB6
RA+ 50
31
CLKOUT
RB- 51
30
GND
RB+ 52
29
RC0
LVDD 53
28
RC1
RC- 54
27
RC2
RC+ 55
26
RC3
RCLK- 56
25
RC4
RCLK+ 57
24
RC5
LGND 58
23
VDD
RD- 59
22
RC6
RD+ 60
21
RD0
GND 16
RD5 15
RD6 14
RE0 13
RE1 12
RE2 11
9
VDD
RE3 10
8
RD4
RE4
17
7
64
RE5
PVDD
6
RD3
RE6
18
5
63
R/F
PGND
4
RD2
OE
19
3
62
PD
RE+
2
RD1
RESERVE
20
1
61
GND
RE-
図 2. 端子配置図(Top View)
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BU90R104
●端子説明
端子名
Pin No.
I/O
説明
RA+, RA-
50,49
LVDS Input
RB+, RB-
52,51
LVDS Input
RC+, RC-
55,54
LVDS Input
RD+, RD-
60,59
LVDS Input
RE+, RE-
62,61
LVDS Input
RCLK+, RCLK-
57,56
LVDS Input LVDS の差動クロック入力端子です。
RA6～RA0
40,41,42,4
3,45,46,47
Output
RB6～RB0
32,33,34,3
5,36,38,39
Output
RC6～RC0
22,24,25,2
6,27,28,29
Output
RD6～RD0
14,15,17,1
8,19,20,21
Output
RE6～RE0
6,7,8,10,11
,12,13
Output
RESERVE
2
Input
リザーブ端子です。
通常動作時は Low を入力しなければなりません。
LVDS の差動シリアルデータ入力端子です。
+ : 差動ペアの+側入力です。
- : 差動ペアの-側入力です。
LVCMOS レベルのデータ出力端子です。
PD
3
Input
内部システムのパワーダウン入力端子です。
High : 通常動作です。
Low : 内部システムがパワーダウン・モードになり、
データ出力は Low に固定されます。
OE
4
Input
データ出力ドライバー用のパワーダウン入力端子です。
High : 出力可能です(通常動作)。
Low : 出力不可です
(全ての出力端子はハイ・インピーダンスになります)。
R/F
5
Input
出力のクロック同期極性の設定入力端子です。
High : 出力はクロックの立ち上がりに同期出力。
Low : 出力はクロックの立ち下がりに同期出力。
VDD
9,23,37,48
Power
出力ドライバ及び内部ディジタルコアの電源です。
通常は 3.3V を入力します。
CLKOUT
31
Output
LVCMOS レベルのクロック出力端子です。
GND
1,16,30,44
Ground
出力ドライバー及び内部ディジタルシステムの絶対 GND です。
LVDD
53
Power
内部 LVDS コアの電源です。
LGND
58
Ground
内部 LVDS コアの絶対 GND です。
PVDD
64
Power
内部 PLL コアの電源です。
PGND
63
Ground
内部 PLL コアの絶対 GND です。
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BU90R104
●機能説明
データ出力
(Note1)
(Rxn)
クロック出力
PD
R/F
OE
0
0
0
ハイ・インピーダンス
ハイ・インピーダンス
0
0
1
全て Low 固定
Low 固定
0
1
0
ハイ・インピーダンス
ハイ・インピーダンス
0
1
1
全て Low 固定
Low 固定
1
0
0
ハイ・インピーダンス
ハイ・インピーダンス
1
0
1
データ出力
データ出力はクロックの立下りエッジに同期
1
1
0
ハイ・インピーダンス
ハイ・インピーダンス
1
1
1
データ出力
データ出力がクロックの立上りエッジに同期
(Note1): Rxn
x = A,B,C,D,E
n = 0,1,2,3,4,5,6
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BU90R104
●絶対最大定格
項目
定格
記号
最小
最大
単位
電源電圧
VDD
-0.3
4.0
V
入力電圧
VIN
-0.3
VDD+0.3
V
出力電圧
VOUT
-0.3
VDD+0.3
V
保存温度範囲
Tstg
-55
125
℃
●パッケージパワー
パッケージ
TQFP64V
(Note2)
許容損失
PD(W)
軽減曲線
DERATING(W/℃)
0.7
0.007
(Note3)
0.01(Note3)
1.0
(Note2) 周囲温度 Ta > 25℃ 時
(Note3) 基板実装時のパッケージパワー
基板サイズ : 70×70×1.6(mm3)
材質
: FR4 ガラエポ基板(銅箔面積 3%以下)
●推奨動作条件
項目
記号
定格
最小
標準
最大
単位
条件
電源電圧
VDD
2.3
3.3
3.6
V
許容電源ノイズ
VNOZ
-
-
0.1
V
動作温度範囲
-40
-
85
℃
クロック周波数 8～90MHz 時
TOPR
0
-
70
℃
クロック周波数 90～112MHz 時
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VDD, LVDD, PVDD
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BU90R104
●DC 特性
表 1. LVCMOS DC 特性
(VDD=2.3～3.6V, Ta=-40～85℃)
項目
記号
規格値
最小
標準
最大
単位
条件
H レベル入力電圧
VIH
VDD×0.8
-
VDD
V
L レベル入力電圧
VIL
0.0
-
VDD×0.2
V
H レベル出力電圧
VOH
VDD-0.5
-
VDD
V
IOH=-4mA (data)
IOH=-8mA (clock)
L レベル出力電圧
VOL
0.0
-
0.4
V
IOL=4mA (data)
IOL=8mA (clock)
入力電流
IINC
-
-
±10
µA
0V≦VIN≦VDD
表 2. LVDS レシーバ DC 特性
項目
(VDD=2.3～3.6V, Ta=-40～85℃)
規格値
記号
最小
標準
最大
単位
条件
差動入力電圧 H レベル
スレッシュホールド
VTH
-
-
100
mV
VOC=1.2V
差動入力電圧 L レベル
スレッシュホールド
VTL
-100
-
-
mV
VOC=1.2V
入力電流
IINL
-
-
±25
µA
VIN=2.4V / 0V
VDD=3.6V
差動入力コモンモード電圧
VOC
1.1
1.2
1.5
V
VID=200mV
差動入力振幅電圧
|VID|
100
600
mV
図 3. LVDS レシーバ DC 特性
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●消費電流
項目
記号
レシーバ消費電流
(グレースケール・パターン)
規格値
単位
条件
-
mA
fCLKOUT=90MHz
CL=8pF,
VDD=3.3V
95
-
mA
fCLKOUT=90MHz
CL=8pF,
VDD=3.3V
-
10
µA
PD=L, OE=L
標準
最大
IRCCG
52
レシーバ消費電流
(ワーストケース・パターン)
IRCCW
パワーダウン時消費電流
IRCCS
グレースケール・パターン
CLKOUT
Rx0
Rx1
Rx2
Rx3
Rx4
Rx5
Rx6
x=A,B,C,D,E
図 4.グレースケール・パターン
ワーストケース・パターン(消費電流が最大となるパターン)
CLKOUT
Rx0
Rx1
Rx2
Rx3
Rx4
Rx5
Rx6
x=A,B,C,D,E
図 5.ワーストケース・パターン
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●AC 特性
表 3. スイッチング特性(VDD= 2.3～3.6V, Ta=-40～85℃)
項目
規格値
記号
最小
標準
最大
単位
CLKOUT (出力クロック)周期
tRCP
8.93
-
125
ns
CLKOUT(出力クロック)”H”タイム
tRCH
-
0.5tRCP-1.0
-
ns
CLKOUT(出力クロック)”L”タイム
tRCL
-
0.5tRCP-1.0
-
ns
クロック・LVCMOS データ出力セットアップタイム
tRS
0.5tRCP-1.4
-
-
ns
クロック・LVCMOS データ出力ホールドタイム
tRH
0.23tRCP-1.0
-
-
ns
LVCMOS データ出力
立上り時間
tTLH
-
1.0
2.0
ns
LVCMOS データ出力
立下り時間
tTHL
-
1.0
2.0
ns
差動入力データの入力時間 0
tRIP1
-0.25
0.0
+0.25
ns
差動入力データの入力時間 1
tRIP0
tRCIP
-0.25
7
tRCIP
7
tRCIP
+0.25
7
ns
差動入力データの入力時間 2
tRIP6
2
tRCIP
-0.25
7
2
tRCIP
7
2
tRCIP
+0.25
7
ns
差動入力データの入力時間 3
tRIP5
3
tRCIP
-0.25
7
3
tRCIP
7
3
tRCIP
+0.25
7
ns
差動入力データの入力時間 4
tRIP4
4
tRCIP
-0.25
7
4
tRCIP
7
4
tRCIP
+0.25
7
ns
差動入力データの入力時間 5
tRIP3
5
tRCIP
-0.25
7
5
tRCIP
7
5
tRCIP
+0.25
7
ns
差動入力データの入力時間 6
tRIP2
6
tRCIP
-0.25
7
6
tRCIP
7
6
tRCIP
+0.25
7
ns
位相ロックループのセット時間
tRPLL
-
-
10.0
ms
入力クロック周期
tRCIP
8.93
-
125
ns
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BU90R104
●AC タイミング
■LVCMOS
80%
80%
20%
20%
tTHL
tTLH
tRCH
CLKOUT
VDD/2
VDD/2
tRCL
R/F=L
VDD/2
VDD/2
R/F=H
tRCP
tRS
Rxn
x=A,B,C,D,E
n=0,1,2,3,4,5,6
tRH
VDD/2
VDD/2
図 6. LVCMOS 出力タイミング
■位相ロックループのセット時間
3.0V
VDD
RCLK +/-
VDD/2
PD
tRPLL
VDD/2
CLKOUT
図 7. 位相ロックループ・セット時間
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BU90R104
●LVDS データ・クロック入力タイミング
Current cycle
Previous cycle
Next cycle
tRCIP
RCLK +
(Differential)
Vdiff=0V
Vdiff=0V
RA+/-
RA3
RA2
RA1
RA0
RA6
RA5
RB+/-
RB3
RB2
RB1
RB0
RB6
RB5
RC+/-
RC3
RC2
RC1
RC0
RC6
RD+/-
RD3
RD2
RD1
RD0
RE2
RE1
RE0
RE+/-
RE3
RA3
RA2
RA1
RA0
RA6
RB4
RB3
RB2
RB1
RB0
RB6
RC5
RC4
RC3
RC2
RC1
RC0
RC6
RD6
RD5
RD4
RD3
RD2
RD1
RD0
RD6
RE6
RE5
RE4
RE3
RE2
RE1
RE0
RE6
RA4
図 8. LVDS データ・クロック入力タイミング
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BU90R104
●LVDS データ・クロック入力と LVCMOS 出力タイミング
LVDS 入力
RA+/-
RA6
RA5
RA4
RA3
RA2
RA1
RA0
RB+/-
RB6
RB5
RB4
RB3
RB2
RB1
RB0
RC+/-
RC6
RC5
RC4
RC3
RC2
RC1
RC0
RD+/-
RD6
RD5
RD4
RD3
RD2
RD1
RD0
RE+/-
RE6
RE5
RE4
RE3
RE2
RE1
RE0
RCLK+/-
LVCMOS
出力
CLKOUT
(R/F=L)
CLKOUT
(R/F=H)
RA0～6
VALID
VALID
RB0～6
VALID
VALID
RC0～6
VALID
VALID
RD0～6
VALID
VALID
RE0～6
VALID
VALID
図 9. LVDS データ・クロック入力と LVCMOS 出力タイミング
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BU90R104
●パワーオンリセットについて
本製品はパワーオンリセットを必須とはしません。
(パワーオンリセットを使用しない場合、PD = High に設定してください)
VDD
PD
BU90R104
図 10. Power On Reset を使用しない場合の PD 端子処理
ただし、確実なロジック初期化のためには Power on Reset を推奨します。
その場合、考えられる方法として以下の２つが挙げられます。
① CR の時定数を用いる。
② 専用の外付け IC を用いる。
いずれにしてもアプリケーション全体を考慮しながら十分な検討をしていただきますようお願い致します。
VDD
VDD
ショットキー・
バリア・ダイオード
VDD
10KΩ
V T+
PD
220Ω
PD
内部リセット
2.2µF
td
左の時定数で td はおよそ 20ms となります。
コンデンサの温特にはくれぐれも注意願います
B 特性セラミックや機能性高分子アルミ電解を推奨します。
図 11. CR 時定数を用いた Power On Reset
VDD
VDD
検出電圧
VDD
VDD
パワーオン IC
220kΩ
(オープン・ドレイン出力)
PD
VT +
PD
VOUT
内部リセット
0.1μF
GND
B 特性
セラミックコンデンサ
td
図 12. 専用の IC を用いた Power On Reset
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●応用回路例
10bit LVCMOS Level 入力, LVCMOS レベル出力時
例:
BU8254KVT : LVCMOS レベル入力/立ち下がりでラッチ/LVDS 350mV 出力
BU90R104 : LVCMOS レベル出力/立ち下がり同期出力
V DD
F.Bead
VDD
GND
0.1uF
0.01uF
(Note4)
R0
R1
G0
G1
B0
B1
XRST
0.1uF
0.01uF
LGND
PVDD
XRST
0.1uF
0.01uF
PGND
RA100Ω
RA+
RB-
100Ω
RB+
RC-
100Ω
RC+
RCLK100Ω
100Ω
100Ω
RCLK+
RDRD
+
RERE+
CLKOUT
RA0
RA1
RA2
RA3
RA4
RA5
RA6
RB0
RB1
RB2
RB3
RB4
RB5
RB6
RC0
RC1
RC2
RC3
RC4
RC5
RC6
RD0
RD1
B90R104
RD2
RD3
RD4
RD5
RD6
RE0
RE1
RE2
RE3
RE4
RE5
RE6
PD
OE
100Ωtwist
pair Cable
or
PCB trace
V DD
0.1uF
0.1uF
0.01uF
0.1uF
0.01uF
RS (Note5)
0.1uF
0.01uF
CLKOUT
R4
R5
R6
R7
R8
R9
G4
G5
G6
G7
G8
G9
B4
B5
B6
B7
B8
B9
HSYNC
VSYNC
DE
R2
R3
G2
G3
B2
B3
OPEN
R0
R1
G0
G1
B0
B1
OPEN
PD
OE
DK
R/F
R/F
PCB(Transmitter)
V DD
(Note4)
VDD
GND
LVDD
LVDS VDD
CLKIN
TA0
LVDS GND
TA1
TA2
TA3
PLL VDD
TA4
TA5
PLL GND
TA6
TB0
TB1
TB2
TAN
TB3
TB4
TAP
TB5
TB6
TBN
TC0
TC1
TBP
TC2
TC3
TCN
TC4
TC5
TCP
TC6
TD0
TCLKN
TD1
BU8254KVT
TD2
TCLKP
TD3
TD4
TDN
TD5
TD6
TDP
TE0
TE1
TEN
TE2
TE3
TEP
TE4
TE5
TE6
CLKIN
R4
R5
R6
R7
R8
R9
G4
G5
G6
G7
G8
G9
B4
B5
B6
B7
B8
B9
HSYNC
VSYNC
DE
R2
R3
G2
G3
B2
B3
F.Bead
PCB(Receiver)
（Note4）推奨部品
F.Bead :
BLM18A-シリーズ (株式会社 村田製作所)
（Note5） RS pin=VDD の場合 LVDS のスイング幅は 350mV です。
RS pin=GND の場合 LVDS のスイング幅は 200mV です。
図 13. 応用回路例 (10bit LVCMOS Level 入力, LVCMOS レベル出力時)
●未使用の差動入力端子に関して
もし未使用の差動入力端子がある場合、入力は+/-端子とも GND に接続してください。
その場合、LVCMOS 出力としては High が出力されます。
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●応用回路例(続き)
10bit 小振幅入力,LVCMOS レベル出力時
例:
BU8254KVT : LVCMOS レベル 入力/立ち下がりでラッチ/LVDS 350mV 出力
BU90R104 : LVCMOS レベル 出力/立ち下がり同期出力
VDD
F .B e a d
VDD
GND
0 .1 u F
0 .0 1 u F
R0
R1
G0
G1
B0
B1
XRST
F .B e a d
LVD S
VDD
0 .1 u F
0 .0 1 u F
LVD S
GND
LG N D
PLL VD D
PVDD
PLL G N D
0 .1 u F
0 .0 1 u F
0 .1 u F
0 .0 1 u F
TAN
100 Ω
TAP
TBN
100 Ω
TBP
TCN
100 Ω
TCP
B U 8254K VT
PGND
RARA+
RBRB+
RCRC+
TC LKN
100 Ω
TC LK P
TDN
100 Ω
TDP
R C LK R C LK +
RDRD+
TEN
100 Ω
TEP
XRST
RERE+
VDD
GND
C LKO U T
RA0
RA1
RA2
RA3
RA4
RA5
RA6
RB0
RB1
RB2
RB3
RB4
RB5
RB6
RC0
RC1
RC2
RC3
RC4
RC5
RC6
RD0
RD1
B U90R 104
RD2
RD3
RD4
RD5
RD6
RE0
RE1
RE2
RE3
RE4
RE5
RE6
PD
OE
1 0 0 Ω tw is t
p a ir C a b le
or
P C B tra c e
*4
R S ( N o te 7 )
V DD
( N o te 6 )
LVD D
0 .1 u F
0 .0 1 u F
C L K IN
TA0
TA1
TA2
TA3
TA4
TA5
TA6
TB0
TB1
TB2
TB3
TB4
TB5
TB6
TC0
TC1
TC2
TC3
TC4
TC5
TC6
TD0
TD1
TD2
TD3
TD4
TD5
TD6
TE0
TE1
TE2
TE3
TE4
TE5
TE6
C L K IN
R4
R5
R6
R7
R8
R9
G4
G5
G6
G7
G8
G9
B4
B5
B6
B7
B8
B9
HSYNC
VSYNC
DE
R2
R3
G2
G3
B2
B3
(N o te 6 )
0 .1 u F
0 .0 1 u F
C LK O U T
R4
R5
R6
R7
R8
R9
G4
G5
G6
G7
G8
G9
B4
B5
B6
B7
B8
B9
HSYNC
VSYNC
DE
R2
R3
G2
G3
B2
B3
OPEN
R0
R1
G0
G1
B0
B1
OPEN
PD
OE
DK
R /F
R /F
P C B (R e c e iv e r)
P C B (T ra n s m itte r )
(Note6) 推奨部品
F.Bead :
BLM18A-シリーズ (株式会社 村田製作所)
(Note7) RS ピンに入力信号の半分の電圧を入力したい場合、RS ピンの近くにバイパスコンデンサーを置くことを推奨します。
例
1.8V スイングの信号を入力したい場合:(R1,R2)=(15kΩ,5.6kΩ)
VDD
R1
15k
RS pin.
R2
5.6k
C1=0.1µF
図 14. 応用回路例 (10bit 小振幅入力,LVCMOS レベル出力時)
●この文書の扱いについて
この文書の日本語版が、正式な仕様書です。この文書の翻訳版は、正式な仕様書を読むための参考として下さい。
なお、相違が生じた場合は、正式な仕様書を優先してください。
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●使用上の注意
1)本製品は、耐放射線設計はしておりません。
2)本製品は、特定の機器・装置用として特別に設計された専用品としてみなされるため、その機器・装置が外為法に定める
規制貨物に該当するか否かを判断していただく必要があります。
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●発注形名セレクション
B
U
ローム形名
9
0
R
1
0
4
品番
90R104
-
E
2
包装、フォーミング仕様
E2: リール状エンボステーピング
パッケージ
TQFP64V
●標印図
TQFP64 (TOP VIEW)
Part Number Marking
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LOT Number
1PIN MARK
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外形寸法図と包装・フォーミング仕様
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ご注意
ローム製品取扱い上の注意事項
1.
本製品は一般的な電子機器（AV 機器、OA 機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器等）への使用を
意図して設計・製造されております。従いまして、極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、
身体への危険若しくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置（医療機器(Note 1)、輸送機器、
交通機器、航空宇宙機器、原子力制御装置、燃料制御、カーアクセサリを含む車載機器、各種安全装置等）（以下「特
定用途」という）への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致し
ます。ロームの文書による事前の承諾を得ることなく、特定用途に本製品を使用したことによりお客様又は第三者に生
じた損害等に関し、ロームは一切その責任を負いません。
(Note 1) 特定用途となる医療機器分類
日本
USA
EU
CLASSⅢ
CLASSⅡb
CLASSⅢ
CLASSⅣ
CLASSⅢ
中国
Ⅲ類
2.
半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や故障が生じた場合で
あっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において
次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。
①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。
②冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する。
3.
本製品は、一般的な電子機器に標準的な用途で使用されることを意図して設計・製造されており、下記に例示するよう
な特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません。従いまして、下記のような特殊環境での本製品のご使用に
関し、ロームは一切その責任を負いません。本製品を下記のような特殊環境でご使用される際は、お客様におかれ
まして十分に性能、信頼性等をご確認ください。
①水・油・薬液・有機溶剤等の液体中でのご使用
②直射日光・屋外暴露、塵埃中でのご使用
③潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所でのご使用
④静電気や電磁波の強い環境でのご使用
⑤発熱部品に近接した取付け及び当製品に近接してビニール配線等、可燃物を配置する場合。
⑥本製品を樹脂等で封止、コーティングしてのご使用。
⑦はんだ付けの後に洗浄を行わない場合(無洗浄タイプのフラックスを使用された場合も、残渣の洗浄は確実に
行うことをお薦め致します)、又ははんだ付け後のフラックス洗浄に水又は水溶性洗浄剤をご使用の場合。
⑧本製品が結露するような場所でのご使用。
4.
本製品は耐放射線設計はなされておりません。
5.
本製品単体品の評価では予測できない症状・事態を確認するためにも、本製品のご使用にあたってはお客様製品に
実装された状態での評価及び確認をお願い致します。
6.
パルス等の過渡的な負荷（短時間での大きな負荷）が加わる場合は、お客様製品に本製品を実装した状態で必ず
その評価及び確認の実施をお願い致します。また、定常時での負荷条件において定格電力以上の負荷を印加されますと、
本製品の性能又は信頼性が損なわれるおそれがあるため必ず定格電力以下でご使用ください。
7.
許容損失(Pd)は周囲温度(Ta)に合わせてディレーティングしてください。また、密閉された環境下でご使用の場合は、
必ず温度測定を行い、ディレーティングカーブ範囲内であることをご確認ください。
8.
使用温度は納入仕様書に記載の温度範囲内であることをご確認ください。
9.
本資料の記載内容を逸脱して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは
一切その責任を負いません。
実装及び基板設計上の注意事項
1.
ハロゲン系（塩素系、臭素系等）の活性度の高いフラックスを使用する場合、フラックスの残渣により本製品の性能
又は信頼性への影響が考えられますので、事前にお客様にてご確認ください。
2.
はんだ付けはリフローはんだを原則とさせて頂きます。なお、フロー方法でのご使用につきましては別途ロームまで
お問い合わせください。
詳細な実装及び基板設計上の注意事項につきましては別途、ロームの実装仕様書をご確認ください。
Notice - GE
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Rev.002
Datasheet
応用回路、外付け回路等に関する注意事項
1.
本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品の
バラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。
2.
本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、
実際に使用する機器での動作を保証するものではありません。従いまして、お客様の機器の設計において、回路や
その定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には、外部諸条件を考慮し、お客様の判断と責任において行って
ください。これらの使用に起因しお客様又は第三者に生じた損害に関し、ロームは一切その責任を負いません。
静電気に対する注意事項
本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、
保管時において静電気対策を実施の上、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾燥
環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。
（人体及び設備のアース、帯電物からの
隔離、イオナイザの設置、摩擦防止、温湿度管理、はんだごてのこて先のアース等）
保管・運搬上の注意事項
1.
本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがあります
のでこのような環境及び条件での保管は避けてください。
①潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所での保管
②推奨温度、湿度以外での保管
③直射日光や結露する場所での保管
④強い静電気が発生している場所での保管
2.
ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性が
あります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認した上でご使用頂くことを推奨します。
3.
本製品の運搬、保管の際は梱包箱を正しい向き（梱包箱に表示されている天面方向）で取り扱いください。天面方向が
遵守されずに梱包箱を落下させた場合、製品端子に過度なストレスが印加され、端子曲がり等の不具合が発生する
危険があります。
4.
防湿梱包を開封した後は、規定時間内にご使用ください。規定時間を経過した場合はベーク処置を行った上でご使用
ください。
製品ラベルに関する注意事項
本製品に貼付されている製品ラベルに QR コードが印字されていますが、QR コードはロームの社内管理のみを目的と
したものです。
製品廃棄上の注意事項
本製品を廃棄する際は、専門の産業廃棄物処理業者にて、適切な処置をしてください。
外国為替及び外国貿易法に関する注意事項
本製品は外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物等に該当するおそれがありますので輸出する場合には、ロームに
お問い合わせください。
知的財産権に関する注意事項
1.
本資料に記載された本製品に関する応用回路例、情報及び諸データは、あくまでも一例を示すものであり、これらに
関する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません。従いまして、
上記第三者の知的財産権侵害の責任、及び本製品の使用により発生するその他の責任に関し、ロームは一切その責任を
負いません。
2.
ロームは、本製品又は本資料に記載された情報について、ローム若しくは第三者が所有又は管理している知的財産権
その他の権利の実施又は利用を、明示的にも黙示的にも、お客様に許諾するものではありません。
その他の注意事項
1.
本資料の全部又は一部をロームの文書による事前の承諾を得ることなく転載又は複製することを固くお断り致します。
2.
本製品をロームの文書による事前の承諾を得ることなく、分解、改造、改変、複製等しないでください。
3.
本製品又は本資料に記載された技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用、あるいはその他軍事用途目的で
使用しないでください。
4.
本資料に記載されている社名及び製品名等の固有名詞は、ローム、ローム関係会社若しくは第三者の商標又は登録商標
です。
Notice - GE
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Rev.002
Datasheet
一般的な注意事項
1.
本製品をご使用になる前に、本資料をよく読み、その内容を十分に理解されるようお願い致します。本資料に記載
される注意事項に反して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切
その責任を負いませんのでご注意願います。
2.
本資料に記載の内容は、本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。本製品のご購入及び
ご使用に際しては、事前にローム営業窓口で最新の情報をご確認ください。
3.
ロームは本資料に記載されている情報は誤りがないことを保証するものではありません。万が一、本資料に記載された
情報の誤りによりお客様又は第三者に損害が生じた場合においても、ロームは一切その責任を負いません。
Notice – WE
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Rev.001