1. No category

SCTMU001F
Datasheet
N-channel SiC power MOSFET
外観図
VDSS
400V
RDS(on) (Typ.)
120m
ID
20A
PD
132W
TO220AB
内部回路図
特長
1) 低オン抵抗
(2)
(1) ゲート
(2) ドレイン
(3) ソース
2) 高速スイッチングスピード
3) 高速リカバリー
*1
(1)
4) 並列使用が容易
*1 内部ダイオード
5) 駆動回路が簡単
(3)
6) Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
包装仕様
チューブ
包装形態
用途
・音楽用
タイプ
リールサイズ (mm)
-
テープ幅 (mm)
-
基本発注単位(個)
50
テーピングコード
SCTMU001F
標印
絶対最大定格 (Ta = 25C)
Parameter
ドレイン・ソース間電圧
ドレイン電流（直流）
Tc = 25C
Symbol
Value
Unit
VDSS
400
V
ID *1
20
A
60
A
ID,pulse
ドレイン電流（パルス）
*2
ゲート・ソース間電圧
VGSS
-6 ～ 22
V
許容損失 (Tc = 25C)
PD
132
W
ジャンクション温度
Tj
150
C
Tstg
-55 to 150
C
保存温度
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2013.12 - Rev.A
Data Sheet
SCTMU001F
熱抵抗
Parameter
Symbol
Values
Min.
Typ.
Max.
Unit
熱抵抗（ジャンクション・ケース間）
RthJC
-
0.72
0.95
C/W
実装温度（ウエーブソルダリング 10秒）
Tsold
-
-
265
C
電気的特性 (Ta = 25°C)
Parameter
ドレイン・ソース降伏電圧
Symbol
V(BR)DSS
Conditions
Values
Unit
Min.
Typ.
Max.
400
-
-
V
Tj = 25C
-
0.1
1
A
Tj = 150°C
-
0.5
-
VGS = 0V, ID = 1mA
VDS = 400V, VGS = 0V
ドレイン遮断電流
IDSS
ゲート漏れ電流
IGSS+
VGS = +22V, VDS = 0V
-
-
100
nA
ゲート漏れ電流
IGSS-
VGS = -6V, VDS = 0V
-
-
-100
nA
1.6
-
4.0
V
Tj = 25C
-
120
156
m
Tj = 100°C
-
137
-
f = 1MHz, open drain
-
14
-
ゲートしきい値電圧
VGS (th)
VDS = VGS, ID = 3.3mA
VGS = 18V, ID = 10A
ドレイン・ソース間オン抵抗
ゲート抵抗
RDS(on)
RG
*3

*1 安全動作領域内でご使用ください。
*2 PW  10s, Duty cycle  1%
*3 パルス負荷
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2013.12 - Rev.A
Data Sheet
SCTMU001F
電気的特性 (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Min.
Typ.
Max.
伝達コンダクタンス
gfs *3
VDS = 10V, ID = 10A
-
2.7
-
入力容量
Ciss
VGS = 0V
-
1218
-
出力容量
Coss
VDS = 200V
-
102
-
帰還容量
Crss
f = 1MHz
-
14
-
VDD = 300V, ID = 5A
-
22
-
VGS = 18V/0V
-
23
-
RL = 60
-
67
-
RG = 0
-
30
-
ターンオン遅延時間
tr
上昇時間
ターンオフ遅延時間
*3
td(on)
*3
*3
td(off)
tf *3
下降時間
Unit
S
pF
ns
ゲート電荷量特性 (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol
ゲート総電荷量
Qg *3
ゲート・ソース間電荷量
Qgs
*3
ゲート・ドレイン間電荷量
Qgd
*3
Conditions
Values
Min.
Typ.
Max.
VDD = 200V
-
59
-
ID = 5A
-
13
-
VGS = 18V
-
18
-
Unit
nC
内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間) (Ta = 25°C)
Parameter
順方向電流
Symbol
*1
IS
ISM
*2
順方向電圧
VSD
*3
逆回復電荷量
逆回復ピーク電流
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trr
Values
Unit
Min.
Typ.
Max.
-
-
20
A
-
-
60
A
-
4.3
-
V
-
29
-
ns
-
53
-
nC
-
3.1
-
A
Tc = 25C
尖頭順サージ電流
逆回復時間
Conditions
VGS = 0V, IS = 10A
*3
Qrr
*3
Irrm
*3
IF = 10A, VR = 400V
di/dt = 165A/s
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2013.12 - Rev.A
Data Sheet
SCTMU001F
電気的特性曲線
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
140
1000
Operation in this
area is limited by RDS(ON)
100
100
Drain Current : ID [A]
Power Dissipation : PD [W]
120
80
60
40
PW =100s
PW = 1ms
PW = 10ms
PW =100ms
10
1
Ta = 25ºC
Single Pulse
20
0.1
0
0
50
100
150
200
1
10
100
1000
Drain - Source Voltage : VDS [V]
Junction Temperature : Tj [°C]
Transient Thermal Resistance : Rth [K/W]
Fig.3 Typical Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
1
0.1
Ta = 25ºC
Single Pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width : PW [s]
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2013.12 - Rev.A
Data Sheet
SCTMU001F
電気的特性曲線
Fig.4 Typical Output Characteristics
Fig.5 Tj = 150°C Typical Output
Characteristics
20
20
VGS= 18V
VGS= 16V
VGS= 14V
18
VGS = 18V
VGS = 16V
VGS = 14V
VGS = 12V
18
16
14
14
12
Drain Current : ID [A]
Drain Current : ID [A]
16
Ta = 25ºC
Pulsed
12
VGS= 12V
VGS= 10V
VGS= 8V
VGS= 6V
10
8
VGS = 10V
VGS = 8V
VGS = 6V
VGS = 4V
10
6
4
2
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
6V
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Drain - Source Voltage : VDS [V]
Drain - Source Voltage : VDS [V]
Fig.7 Gate Threshold Voltage
vs. Junction Temperature
Fig.6 Typical Transfer Characteristics
10
4
Gate Threshold Voltage : V GS(th) [V]
VDS = 10V
Pulsed
1
Drain Current : ID [A]
Ta = 150ºC
Pulsed
Ta= 150ºC
Ta= 75ºC
Ta= 25ºC
Ta= -25ºC
0.1
0.01
0.001
0
2
4
6
8
10
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-50
0
50
100
150
Junction Temperature : Tj [°C]
Gate - Source Voltage : VGS [V]
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VDS = 10V
ID = 3mA
3.5
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2013.12 - Rev.A
Data Sheet
SCTMU001F
電気的特性曲線
0.5
Ta = 25ºC
Pulsed
0.4
Fig.9 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
Static Drain - Source On-State Resistance
: RDS(on) [Ω]
Static Drain - Source On-State Resistance
: RDS(on) [Ω]
Fig.8 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate - Source Voltage
0.3
VGS = 18V
Pulsed
0.25
0.3
0.2
ID = 20A
0.15
0.2
ID = 10A
0.1
0.1
ID = 10A
0.05
0
6
8
10
12
14
16
18
20
0
-50
22
Gate - Source Voltage : VGS [V]
100
150
Fig.11 Transconductance vs. Drain Curren
1
10
VGS = 18V
Pulsed
VDS = 10V
Pulsed
Transconductance : gfs [S]
Static Drain - Source On-State Resistance
: RDS(on) [Ω]
50
Junction Temperature : Tj [ºC]
Fig.10 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current
Ta = 150ºC
Ta = 125ºC
Ta = 75ºC
Ta = 25ºC
Ta = -25ºC
1
0.1
0.1
0
1
10
100
Drain Current : ID [A]
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Ta = 150ºC
Ta = 75ºC
Ta = 25ºC
Ta = -25ºC
0.1
0.1
1
10
Drain Current : ID [A]
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2013.12 - Rev.A
Data Sheet
SCTMU001F
電気的特性曲線
Fig.12 Typical Capacitance
vs. Drain - Source Voltage
Fig.13 Dynamic Input Characteristics
20
Gate - Source Voltage : VGS [V]
Capacitance : C [pF]
10000
Ciss
1000
Coss
100
Ta = 25ºC
f = 1MHz
VGS = 0V
Crss
10
0.1
1
10
100
1000
Drain - Source Voltage : VDS [V]
Ta = 25ºC
VDD =200V
ID = 5A
Pulsed
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
Total Gate Charge : Qg [nC]
Fig.14 Switching Characteristics
1000
Ta = 25ºC
VDD = 300V
VGS = 18V
RG = 0Ω
Pulsed
Switching Time : t [ns]
tf
100
td(off)
td(on)
tr
10
0.1
1
10
100
Drain Current : ID [A]
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2013.12 - Rev.A
Data Sheet
SCTMU001F
測定回路図
Fig.1-1 スイッチング時間測定回路
VGS
Fig.1-2　スイッチング波形
Pulse width
ID
VDS
RL
D.U.T.
50%
10%
VDD
RG
90%
50%
10%
VGS
VDS
10%
90%
td(on)
90%
td(off)
tr
ton
Fig.2-1 ゲート電荷量測定回路
VGS
toff
Fig.2-2 ゲート電荷量波形
VG
ID
VDS
Qg
RL
IG(Const.)
tf
VGS
D.U.T.
Qgs
VDD
Qgd
Charge
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2013.12 - Rev.A
Data Sheet
SCTMU001F
外形寸法図 (Unit : mm)
TO-220AB
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2013.12 - Rev.A
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可能性があります。
万が一、本製品が故障・誤作動した場合であっても、その影響により人身事故、火災損害等が起こらない
ようご使用機器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、バックアップ、フェイルセーフ等の安全確保
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や使い方を説明するものです。
したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。
5) 本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、
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R1102A