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目標仕様書 データシート
RJF0409JSP
40V, 5A シリコン N チャネルサーマル FET
電力スイッチング
R07DS1228JJ0200
Rev.2.00
2014.12.02
概要
本製品はゲート印加電圧によりドレイン・ソース間の ON-OFF 制御ができるパワースイッチです。構造は
パワーMOS FET のゲート部に過熱遮断回路を内蔵しており，異常な周囲温度上昇，過電力，過電流による発
熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。
特長
•
•
•
•
•
•
•
•
ロジックレベル (4 V) 駆動型パワーMOS FET です。
過熱遮断回路を内蔵しており，高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能。
負荷短絡に対する耐量が向上しています。
過熱遮断方式はラッチ型です。過熱遮断回路動作後は，ゲート電圧 0 バイアスで復帰します。
電流制限回路を内蔵しております。
高密度実装が可能。
電源電圧 12 V 適用
AEC-Q101 準拠
外観図
RENESAS
(
8
7
: PRSP0008DD-D
SOP-8 (FP-8DAV))
65
1
23
4
1, 3
2, 4
5, 6, 7, 8 ドレイン
D
D
7
D
8
2
4
G
G
MOS1
1
MOS2
S
5
D
6
3
S
絶対最大定格
(Ta = 25°C)
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
記号
定格値
40
16
–2.5
ドレイン電流
5
逆ドレイン電流
5
IDR
3
アバランシェ電流
IAP 注
1.5
3
アバランシェエネルギー
EAR 注
15
注1
許容チャネル損失
Pch
1
2
許容チャネル損失
Pch 注
1.5
チャネル温度
Tch
150
保存温度
–55～+150
Tstg
【注】 1. 1 素子動作時：ガラスエポキシ基板 (FR4 40 × 40 × 1.6 mm) 使用, PW ≤ 10 s 時の許容値
2. 2 素子動作時：ガラスエポキシ基板 (FR4 40 × 40 × 1.6 mm) 使用, PW ≤ 10 s 時の許容値
3. Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ωにおける許容値
4. 電流制限下限値にて規定します。
R07DS1228JJ0200 Rev.2.00
2014.12.02
VDSS
VGSS
VGSS
4
ID 注
単位
V
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
°C
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RJF0409JSP
目標仕様書
代表動作特性
(Ta = 25°C)
記号
Min
Typ
Max
単位
測定条件
入力電圧
項目
VIH
入力電流
(ゲート非遮断時)
IIH1
IIH2
IIL
3.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.8
0.35
175
—
1.2
100
50
1
—
—
—
V
V
μA
μA
μA
mA
mA
°C
Vi = 8 V, VDS = 0
Vi = 3.5 V, VDS = 0
Vi = 1.2 V, VDS = 0
Vi = 8 V, VDS = 0
Vi = 3.5 V, VDS = 0
チャネル温度
3.5
5
—
—
12
—
V
A
VIL
入力電流
(ゲート遮断動作時)
遮断温度
ゲート動作電圧
ドレイン電流 (電流制限値)
【注】 5. パルス測定
IIH (sd) 1
IIH (sd) 2
Tsd
VOP
ID limit
VGS = 5 V, VDS = 10 V 注
5
電気的特性
(Ta = 25°C)
項目
ドレイン電流
記号
Min
Typ
Max
単位
測定条件
ID1
—
—
5
40
16
–2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.8
0.35
—
14
10
—
—
—
—
100
50
1
–100
—
—
10
A
mA
A
V
V
V
μA
μA
μA
μA
mA
mA
μA
VGS = 3.5 V, VDS = 10 V 注
—
7
81
70
245
2.2
—
100
86
—
V
S
mΩ
mΩ
pF
1.65
4.50
2.35
3.0
0.89
106
—
—
—
—
—
—
μs
μs
μs
μs
V
ns
ID2
ID3
ドレイン・ソース破壊電圧
ゲート・ソース破壊電圧
V (BR) DSS
V (BR) GSS
ゲート遮断電流
V (BR) GSS
IGSS1
IGSS2
IGSS3
IGSS4
入力電流 (ゲート遮断動作時)
IGS (op) 1
ドレイン遮断電流
IGS (op) 2
IDSS
ゲート・ソース遮断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソースオン抵抗
VGS (off)
|yfs|
RDS (on)
出力容量
RDS (on)
Coss
1.4
4
—
—
—
td (on)
tr
td (off)
tf
VDF
trr
—
—
—
—
—
—
ターン・オン遅延時間
上昇時間
ターン・オフ遅延時間
下降時間
ダイオード順電圧
逆回復時間
負荷短絡遮断動作時間注 7
tos
—
0.37
—
ms
【注】 6. パルス測定
7. 過負荷によるパワーMOS FET の温度上昇による動作時間のシフト分も含む
R07DS1228JJ0200 Rev.2.00
2014.12.02
6
VGS = 1.2 V, VDS = 10 V
6
VGS = 5 V, VDS = 10 V 注
ID = 10 mA, VGS = 0
IG = 800 μA, VDS = 0
IG = –100 μA, VDS = 0
VGS = 8 V, VDS = 0
VGS = 3.5 V, VDS = 0
VGS = 1.2 V, VDS = 0
VGS = –2.4 V, VDS = 0
VGS = 8 V, VDS = 0
VGS = 3.5 V, VDS = 0
VDS = 32 V, VGS = 0
Ta = 125°C
ID = 1 mA, VDS = 10 V
ID = 2.5A, VDS = 10 V
6
ID = 2.5A, VGS = 5 V 注
6
ID = 2.5 A, VGS = 10 V 注
VDS = 10 V, VGS = 0
f = 1 MHz
ID = 2.5A
VGS = 10 V
RL = 12 Ω
IF = 5 A, VGS = 0 注
6
IF = 5 A, VGS = 0
diF/dt = 50 A/μs
VGS = 5 V, VDD = 16 V
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RJF0409JSP
目標仕様書
主特性
許容チャネル損失の
周囲温度による変化
安全動作領域
100 Ta = 25°C
測定条件：
ガラスエポキシ基板 (FR4 40 x40x1.6mm)
使用, PW≦10s時の許容値
2.0
0.01
0.01
200
m
s
0.1
s注
150
1
10
この範囲の動作は
RDS(on)の値によって
制限されます
100
=
<
0.1
動作
時
50
s
PW
時
m
n
io
0
作
1
PW
t
ra
0
1素
子
子
動
10
pe
1.0
10
O
ドレイン電流 ID (A)
3.0
2素
熱遮断領域
1 shot Pulse
1素子動作時
DC
許容チャネル損失 Pch (W)
4.0
1
10
100
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
周囲温度 Ta (°C)
注: ガラスエポキシ基板
(FR 40 x 40 x 1.6 mm)使用時の許容値
ソース接地伝達静特性
ソース接地出力静特性
6V
8V
10 V
15
5
パルス測定
5V
4V
10
VGS = 3.5 V
5
0
2
4
6
8
ドレイン電流 ID (A)
ドレイン電流 ID (A)
20
VDS = 10 V
パルス測定
4
150°C
3
25°C
2
TC = −40°C
1
0
0
10
1
パルス測定
800
600
5A
2.5 A
200
ID = 1 A
0
0
2
4
6
8
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
R07DS1228JJ0200 Rev.2.00
2014.12.02
10
ドレイン・ソースオン抵抗 RDS(on) (mΩ)
ドレイン・ソース飽和電圧 VDS(on) (mV)
ドレイン・ソース飽和電圧対
ゲート・ソース電圧特性
400
3
4
5
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
1000
2
ドレイン・ソースオン抵抗対
ドレイン電流特性
1000
パルス測定
100
VGS = 5 V
10 V
10
0.1
1
10
ドレイン電流 ID (A)
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目標仕様書
ドレイン・ソースオン抵抗対
ケース温度特性
ソース・ドレイン間ダイオード逆方向回復時間
1000
200
5A
150
100
逆回復時間 trr (ns)
ドレイン・ソースオン抵抗 RDS(on) (mΩ)
RJF0409JSP
ID = 1 A, 2.5 A
VGS = 5 V
ID = 1 A, 2.5 A, 5 A
50
100
10 V
0
−50
パルス測定
−25
0
25
50
di / dt = 50 A /μs
VGS = 0
10
0.1
75 100 125 150
1
10
ケース温度 Tc (°C)
逆ドレイン電流 IDR (A)
スイッチング特性
容量対ドレイン・ソース電圧特性
10000
10
VGS = 0
f = 1 MHz
tf
td(off)
容量 C (pF)
スイッチング時間 t (μs)
tr
td(on)
1
VGS = 10 V, VDD = 30 V
PW = 300 μs, duty ≤ 1 %
0.1
0.1
1
0
10
20
30
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
逆ドレイン電流対
ソース・ドレイン電圧特性
ゲート・ソース電圧対
負荷短絡遮断時間特性
40
16
3
5V
VGS = 0 V
1
パルス測定
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ソース・ドレイン電圧 VSD (V)
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1.2
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
逆ドレイン電流 IDR (A)
100
ドレイン電流 ID (A)
4
0
Coss
10
10
5
2
1000
14
12
10
VDD = 16 V
8
6
4
2
0
0.1
1
10
負荷短絡遮断時間 Pw (ms)
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RJF0409JSP
目標仕様書
順伝達アドミタンス対
ドレイン電流特性
遮断温度対
ゲート･ソース電圧特性
200
180
Tc = –40°C
10
遮断温度 Tc (°C)
順伝達アドミタンス |yfs| (S)
100
25°C
150°C
1
1
140
120
VDS = 10 V
Pulse Test
0.1
0.1
160
10
ドレイン電流 ID (A)
過渡熱抵抗 γs (t)
2
4
6
8
10
ゲート･ソース電圧 VGS (V)
1素子動作時の規格化過渡熱抵抗特性
10
1
ID = 0.2A
100
0
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001
θch-f(t) = γs (t) · θch - f
θch-f = 125 °C/W, Ta = 25 °C
ガラスエポキシ基板
(FR4 40 x 40 x 1.6 mm) 使用時
0.01
1
o
sh
tp
uls
e
P DM
D=
PW
T
PW
T
0.0001
10 μ
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
パルス幅 PW (S)
2素子動作時(1素子当たり)の規格化過渡熱抵抗特性
10
過渡熱抵抗 γs (t)
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001
θch-f(t) = γs (t) · θch - f
θch-f = 166 °C/W, Ta = 25 °C
ガラスエポキシ基板
(FR4 40 x 40 x 1.6 mm) 使用時
0.01
ho
1s
tp
e
uls
P DM
D=
PW
T
PW
T
0.0001
10 μ
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
パルス幅 PW (S)
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RJF0409JSP
目標仕様書
スイッチング時間測定回路
形状波形特性
90%
Vout
Monitor
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
RL
10%
10%
Vout
Vin
10V
50 Ω
VDD
= 30 V
90%
td(on)
アバランシェ測定回路
VDS
Monitor
tr
Vin
10 V
L
EAR =
D. U. T
tf
td(off)
1
2
L · IAP2 ·
V(BR)DSS
V(BR)DSS – VDD
V(BR)DSS
IAP
VDD
ID
50 Ω
0
R07DS1228JJ0200 Rev.2.00
2014.12.02
90%
アバランシェ動作波形
IAP
Monitor
Rg
10%
VDS
VDD
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目標仕様書
外形寸法図
JEITA Package Code
P-SOP8-3.95 x 4.9-1.27
RENESAS Code
PRSP0008DD-D
Previous Code
FP-8DAV
MASS[Typ.]
0.085g
F
Package Name
SOP-8
*1 D
bp
1
c
*2 E
Index mark
HE
5
8
4
Z
NOTE)
1. DIMENSIONS "*1(Nom)" AND "*2"
DO NOT INCLUDE MOLD FLASH.
2. DIMENSION "*3" DOES NOT
INCLUDE TRIM OFFSET.
Terminal cross section
(Ni/Pd/Au plating)
* 3 bp
x M
e
Reference
Symbol
D
E
A2
A1
A
bp
b1
c
c1
A1
A
L1
L
y
HE
e
x
y
Z
L
L1
Detail F
Dimension in Millimeters
Min
Nom Max
4.90 5.3
3.95
0.10 0.14 0.25
1.75
0.34 0.40 0.46
0.15 0.20
0.25
8°
0°
5.80 6.10 6.20
1.27
0.25
0.1
0.75
0.40 0.60 1.27
1.08
発注情報
発注型名
梱包数量
梱包形態
2500 個
テーピング
RJF0409JSP-00-J0
【注】 型名中の"-"は"#"と置き換えて表示されることがあります。
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2014.12.02
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ࡈὀព᭩ࡁ
1. ᮏ㈨ᩱ࡟グ㍕ࡉࢀࡓᅇ㊰ࠊࢯࣇࢺ࢙࢘࢔࠾ࡼࡧࡇࢀࡽ࡟㛵㐃ࡍࡿ᝟ሗࡣࠊ༙ᑟయ〇ရࡢືస౛ࠊᛂ⏝౛ࢆㄝ᫂ࡍࡿࡶࡢ࡛ࡍࠋ࠾ᐈᵝࡢᶵჾ࣭ࢩࢫࢸ࣒ࡢタィ࡟࠾࠸
࡚ࠊᅇ㊰ࠊࢯࣇࢺ࢙࢘࢔࠾ࡼࡧࡇࢀࡽ࡟㛵㐃ࡍࡿ᝟ሗࢆ౑⏝ࡍࡿሙྜ࡟ࡣࠊ࠾ᐈᵝࡢ㈐௵࡟࠾࠸࡚⾜ࡗ࡚ࡃࡔࡉ࠸ࠋࡇࢀࡽࡢ౑⏝࡟㉳ᅉࡋ࡚ࠊ࠾ᐈᵝࡲࡓࡣ➨୕
⪅࡟⏕ࡌࡓᦆᐖ࡟㛵ࡋࠊᙜ♫ࡣࠊ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ
2. ᮏ㈨ᩱ࡟グ㍕ࡉࢀ࡚࠸ࡿ᝟ሗࡣࠊṇ☜ࢆᮇࡍࡓࡵៅ㔜࡟సᡂࡋࡓࡶࡢ࡛ࡍࡀࠊㄗࡾࡀ࡞࠸ࡇ࡜ࢆಖドࡍࡿࡶࡢ࡛ࡣ࠶ࡾࡲࡏࢇࠋ୓୍ࠊᮏ㈨ᩱ࡟グ㍕ࡉࢀ࡚࠸ࡿ᝟ሗ
ࡢㄗࡾ࡟㉳ᅉࡍࡿᦆᐖࡀ࠾ᐈᵝ࡟⏕ࡌࡓሙྜ࡟࠾࠸࡚ࡶࠊᙜ♫ࡣࠊ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ
3. ᮏ㈨ᩱ࡟グ㍕ࡉࢀࡓ〇ရࢹ㸫ࢱࠊᅗࠊ⾲ࠊࣉࣟࢢ࣒ࣛࠊ࢔ࣝࢦࣜࢬ࣒ࠊᛂ⏝ᅇ㊰౛➼ࡢ᝟ሗࡢ౑⏝࡟㉳ᅉࡋ࡚Ⓨ⏕ࡋࡓ➨୕⪅ࡢ≉チᶒࠊⴭసᶒࡑࡢ௚ࡢ▱ⓗ㈈⏘ᶒ
࡟ᑐࡍࡿ౵ᐖ࡟㛵ࡋࠊᙜ♫ࡣࠊఱࡽࡢ㈐௵ࢆ㈇࠺ࡶࡢ࡛ࡣ࠶ࡾࡲࡏࢇࠋᙜ♫ࡣࠊᮏ㈨ᩱ࡟ᇶ࡙ࡁᙜ♫ࡲࡓࡣ➨୕⪅ࡢ≉チᶒࠊⴭసᶒࡑࡢ௚ࡢ▱ⓗ㈈⏘ᶒࢆఱࡽチ
ㅙࡍࡿࡶࡢ࡛ࡣ࠶ࡾࡲࡏࢇࠋ
4. ᙜ♫〇ရࢆᨵ㐀ࠊᨵኚࠊ」〇➼ࡋ࡞࠸࡛ࡃࡔࡉ࠸ࠋ࠿࠿ࡿᨵ㐀ࠊᨵኚࠊ」〇➼࡟ࡼࡾ⏕ࡌࡓᦆᐖ࡟㛵ࡋࠊᙜ♫ࡣࠊ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ
5. ᙜ♫ࡣࠊᙜ♫〇ရࡢရ㉁Ỉ‽ࢆࠕᶆ‽Ỉ‽ࠖ࠾ࡼࡧࠕ㧗ရ㉁Ỉ‽ࠖ࡟ศ㢮ࡋ࡚࠾ࡾࠊ
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