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LA4425AN
モノリシックリニア集積回路
カーラジオ, カーステレオ用
外付超極少 5Wパワーアンプ
http://onsemi.jp
概要
LA4425ANは、外付超極少の5Wパワーアンプである。
小型パッケージ[SIP-5H(TO-126タイプ)]に封入し、しかも外付2
点(入/出力結合コンデンサのみ)であり、パワーICとして、評価、
調整、検討などがほとんど不要となり、管理簡素化が可能である。
機能
・オペレーション電源範囲が広い : 5～16V
・各種プロテクション内蔵 :
過電圧プロテクション
過熱プロテクション
出力 D・C プロテクション
・ポップ音軽減回路内蔵
SIP5 9.5x11.8 / SIP5H
最大定格/Ta=25℃
項目
記号
条件
定格値
unit
最大電源電圧
VCC max
Rg=0
18
V
サージ最大電源電圧
VCC surge
ジャイアントパルス200ms
50
V
最大出力電流
IO peak
3.3
A
許容消費電力
Pd max
7.5
W
動作周囲温度
Topr
－40～＋85
℃
保存周囲温度
Tstg
－40～＋150
℃
ライズタイム1ms
無限大放熱板付き
最大定格を超えるストレスは、デバイスにダメージを与える危険性があります。これらの定格値を超えた場合は、デバイスの機能性を損ない、ダメージが
生じたり、信頼性に影響を及ぼす危険性があります。
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information on page 10 of this data sheet.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014
September 2014 - Rev. 0
1
Publication Order Number :
LA4425ANJP/D
LA4425AN
動作条件/Ta=25℃
項目
記号
推奨電源電圧
VCC
推奨負荷抵抗
RL
動作電源電圧範囲
VCC op
動作負荷抵抗範囲
RL op
条件
定格値
最大定格を超えない条件にて
unit
13.2
V
4
Ω
5～16
V
2～8
Ω
推奨動作範囲を超えるストレスでは推奨動作機能を得られません。推奨動作範囲を超えるストレスの印加は、デバイスの信頼性に影響を与える危険性があります。
電気的特性/Ta=25℃,VCC=13.2V,RL=4Ω,f=1kHz,Rg=600Ω,指定基板/指定回路,30301.5mm3厚Al使用にて
項目
記号
条件
無信号電流
ICCO
電圧利得
VG
VO=0dBm
出力電力
PO1
min
typ
max
unit
65
130
mA
43
45
47
dB
13.2V/4Ω,THD=10%
4
5
W
PO2
14.4V/4Ω,THD=10%
5
6
W
全高調波ひずみ率
THD
VO=2V
出力雑音電圧
VNO
Rg=0,BPF=20Hz～20kHz
リップル除去率
SVRR1
Rg=0,BPF=20Hz～20kHz
30
0.1
1.0
%
0.15
0.5
mV
40
dB
47
dB
21.5
V
0.35
s
VR=0dBm,fR=100Hz
SVRR2
Rg=0,BPF=20Hz～20kHz
VR=0dBm,fR=1kHz
過電圧アタック
VCCX
Rg=0
スターティングタイム
tS
入力抵抗
RIN
50
kΩ
ロールオフ周波数
fL
40
Hz
fH
90
kHz
Tc
125
℃
サーマル動作温度
製品パラメータは、特別な記述が無い限り、記載されたテスト条件に対する電気的特性で示しています。異なる条件下で製品動作を行った時には、電気的特性で
示している特性を得られない場合があります。
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2
LA4425AN
Pd max -- Ta
10
8
7.5
6
5.7
4.3
4
2.9
2
1.2
0
-30 -20
0
20
40
外形図
unit : mm
SIP5 9.5x11.8 / SIP5H
CASE 127AF
ISSUE O
http://www.onsemi.jp
3
60
80
100
LA4425AN
応用回路例
VCC 13.2V
Ci 2.2μF
+
+
5
・過電圧プロテクション内蔵
・過熱プロテクション内蔵
・ポップ音軽減回路内蔵
・出力 D・C ショートプロテクション内蔵
1000μF
1
Co 1000μF
LA4425AN
4
+
2
speaker
4Ω
3
各端子電圧
(VCC=13.2V)
名称
入力
ピン No.
1
端子電圧
(≒2VBE)
(参考値)
1.4V
小信号
大信号
GND
GND
2
3
0V
0V
出力
VCC
4
5
(≒1/2VCC)
(VCC)
6.5V
13.2V
IC 使用上の注意
・最大定格
最大定格付近で使用した場合、わずかの条件変動でも最大定格を超えることがあり、破壊事故を招
くので充分な注意が必要である。
・プリント基板
基板を作成する場合、プリントパターン例を参考にし、入出力の帰還ループができないようにする。
外付点数比較表
外付部品名称
当社従来 IC
LA4425AN
出力結合コンデンサ
○
○
入力結合コンデンサ
○
○
ブート・ストラップコンデンサ
○
－
帰還コンデンサ
○
－
フィルタコンデンサ
○
－
位相補償コンデンサ
○
－
発信補正用マイラ
○
－
発信補正用抵抗
○
－
8点
2点
合計
注：電源コンデンサは、パワーIC 部品として、共にカウントしていない。
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4
LA4425AN
プリントパターン例
LA4425AN
GND
CVCC=1000μF
−
5
1
+
VCC
+
−
−
IN
+
OUT
Co=1000μF
Ci=2.2μF GND
ICCO -- VCC
100
VN -- VCC
12
10
80
8
60
6
40
4
20
0
0
2
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
0
24
PO -- VIN
10
7
5
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
5
7
10
7 10k
2
3
THD -- PO
10
7
5
3
2
3
2
1.0
7
5
1.0
7
3
2
5
3
2
0.1
7
5
0.1
3
2
1.0
7
2
3
5
7
10
2
3
5
7
5
5
100
7
0.1
2
3
f Response
5
7
2
1.0
3
THD -- f
1
3
0
2
-1
1.0
-2
7
-3
fL
-4
fH
5
3
-5
2
-6
-7
0.1
-8
7
-9
5
-10
10
2 3
5
100
2 3
5
1k
2 3
5
10k
2 3
3
3
5 100k
http://www.onsemi.jp
5
5
7 100
2
3
5
7 1k
2
3
5
LA4425AN
THD -- VCC
5
PO -- VCC
12
3
10
2
8
1.0
7
6
5
3
4
2
2
0.1
7
5
6
8
10
12
14
16
18
ICC, Pd -- PO
700
7
600
6
500
5
400
4
300
3
200
2
100
1
0
7
2
0.1
3
5
7
2
1.0
0
8
20
3
5
7
12
16
18
20
1000
10
800
8
600
6
400
4
200
2
0
7 0.1
0
10
14
ICC, Pd -- PO
1200
VNO -- Rg
1.0
10
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
0
2
SVRR -- VCC
50
0.9
40
0.8
0.7
0.6
30
0.5
0.4
20
0.3
0.2
10
0.1
0
7
1k
2
3
5
7 10k
2
3
5
7 100k
0
8
2
SVRR -- VR
50
40
30
30
20
20
10
10
200
400
600
800
10
11
1000
0
0
1200
http://www.onsemi.jp
6
12
13
14
15
16
17
18
19
SVRR -- fR
50
40
0
0
9
5
7
100
2
3
5
7
1k
2
LA4425AN
ICCO -- Ta
80
VN -- Ta
10
8
60
6
40
4
20
2
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
40
60
80
100
0
-60
PO -- Ta
6
5
4
3
2
1
0
-60
-40
-20
0
20
http://www.onsemi.jp
7
-40
-20
0
20
40
60
80
100
LA4425AN
取扱いの説明および注意事項
・外乱パスは、①－②ピン間に1000pF等挿入する。
・プリント基板のレイアウトにてGNDラインのアウトワークに注意する。Sg路と負荷電流の流入出路
が重ならないよう工夫する。推奨プリント基板を参考にするか2, 3ピンのスリット化法をすること。
DUAL基板参考例
GND
OUT1
1
IN1
GND
VCC
IN2
1
OUT2
・各種短絡テスト
SW1
+
SW3
+
13.2V
+
LA4425AN
SW2
SW4
当社推奨基板：30×30×1.5mm3厚A1板使用にてVCC＝13.2Vを印加し、上記SW1～SW4の個別のDC/AC
短絡に対してIC保護がなされる。ただし、DCショート(SW1 or SW2)オン状態にてVCC「ON」させ
るとICは破壊するので注意する。
・電源正サージ
2.2μF
0.15μF
+
Rg
620Ω
LA4425AN
13.2V
+
1000μF
RL
電源ラインの正サージ耐量をアップさせるためにIC内部の過電圧プロテクタ（VCCX≒21.5V）に
よって、全バイアス路の遮断/出力ステージ素子のB－E間逆バイアスを図っている。つまり周知
の如く、VCEO(VCER)型となっている出力ステージ素子をVCES(VCBO)型にしてその耐量アップを図
っている。
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8
LA4425AN
・負荷対抗と誤動作
RL＜2Ωにし、かつVCCが高くなると、有信号(THD＝10％)設定でSWを「ON」した時、瞬時的に地絡
検出(電流×電圧シュミット回路)が動作するので注意する。
・TaBの取扱いと注意
ICのSubストレート(セットでは放熱板)に電源電圧が印加されるとIC構造上、各種PNジャンクショ
ンが損傷(劣化および破壊)するので取扱いに注意する。そのエネルギー耐量(電圧波高値，パルス
幅)については、当社品質保証部に相談すること。なお、ICのTaB(Subストレート)は③pin大信号GND
と共通になっている。
・出力端への＋VCCテスト
+
+
b
+
LA4425AN
13.2V
a
電源ピンが電源コンデンサ挿入条件でフローティングとなっており、上図のような＋VCCが出力ラ
イン○
a および○
b にてタッチした時、一般にはIC内部に上側パワートランジスタが破壊する。
・スターティングタイム(tS)
0.35s/typにしてあるが入力コンデンサCiを小さくすると早くなり、大きくすると遅くなる。
・ポップ音
Rg＝50kΩまではポップ音防止回路が軽減動作する。ただし、Rg＝openでは入力コンデンサCiの充
電路がなくなるのでポップ音軽減回路は動作しなくなり、クリック・ノイズは大きくなる。
・VG/OSC
電圧利得はIC内部にて45dB/Fixedになっている。外部で可変することは不可能である。
IC内部の各段間に位相補償容量(350pF/TOTAL)を内蔵し、またオープンループゲインを浅くしてい
る。
さらに上/下の駆動形態を等価にし、終段の電流ゲインの合わせ込みを図ることにより、パワーIC
特有の高域奇生発振対策をIC内部で行っている。
・BTL結合
IC自身での結合は不可能である。
・ICの逆挿入
破壊しないようにピン配列を考慮してある。
ICC,PO
・T.S.D動作温度について
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
Tc (°C)
T.S.D動作温度は実力的にTc120～130℃で動作を開始する。これを下記式をもとにジャンクション
温度（Tj）に換算すると
Tj≒165℃
Tj＝Qjc・Pd＋Tc
T.S.D動作が進むと、出力端子のバイアス電圧が下がり上側波形がドライブされにくくなる。
したがって電流（ICC）や電力（PO）が低下する傾向を示す。
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9
LA4425AN
LA4425AN放熱板取付け時の注意
1．締付けトルクは、39～59N・cmの範囲とする。
2．放熱板のネジ穴間隔はICのネジ穴間隔と一致させる。
3．取付けのネジはJISで規定されたトラス小ネジや、バインド小ネジ相当の頭部を持つネジを使用
する。また、ICケースを保護するためにワッシャを併用する。
4．ICのヒートシンクと放熱板の間には切削クズ等の異物をはさまないこと。また、接合面にグリス
を塗布する。
5．放熱板取付のタブ，ヒートシンクは、チップのGNDと同電位になっているため、他のデバイスと
共用の放熱板に取付ける場合、この点に注意すること。
6．ICに放熱板を取付けた後、ICリードピンをプリント基板に半田付けする。
ORDERING INFORMATION
Device
LA4425AN-D-E
Package
SIP5 9.5x11.8 / SIP5H
(Pb-Free)
Shipping (Qty / Packing)
50 / Fan-Fold
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(参考訳)
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