平成25年度成果報告会 (2014年3月10-11日 東京大学工学部6号館) 新規磁性半導体の物質探索 と磁性の研究 筑波大学 数理物質系 黒田 眞司 共同研究者 筑波大学 数理物質系・ 数理物質科学研究科 金澤 研、秋山 了太、張 珂、 及川 晴義、石塚 智史、櫻井 隆太郎 物質・材料研究機構 三留 正則*、板東 義雄* 高輝度光科学研究センター 大淵 博宣 *ナノテクノロジー総合支援プロジェクト 研究計画と発表の概要 磁性半導体のMBE成長 物質探索、強磁性特性の制御 ⇒ スピントロニクスへの応用 • (Zn,Cr)TeにおけるCr凝集と磁性の制御 ドーピングによるCrの価数変調 → Cr凝集、強磁性の制御 ドナー(ヨウ素)のドーピング ⇒ Cr凝集、強磁性増強 アクセプター(窒素)のドーピング ⇒ 強磁性の抑制、消失 定量的評価、磁性とCr電子状態の相関 ・ 四元混晶DMS のMBE成長と磁性 異種の磁性元素間の相互作用による磁性の発現 (Cd,Mn,Cr)Te : Cr添加により Mn間の相互作用が強磁性的に変化 (Zn,Cr,Fe)Te : Fe添加により飽和磁化減少 ⇒ Cr, Fe間に反強磁性相互作用 ・ IV-VI族ベースDMSのMBE成長と磁性 (Sn,Mn)Te薄膜のMBE成長 室温強磁性半導体の物質探索 Search for ferromagnetic semiconductors --- various kind of DMSs have been studied. (Pb,Mn,Sn)Te (In,Mn)As (Ga,Mn)As (Cd,Mn)Te:N Mn 5%, p = 3.5x1020cm-3 Story et al. (1986) 4K (30K) Munekata & Ohno (1991) 35K (90K) Ohno et al. (1996) 110K (180K) Cibert et al. (1997) 2K (10K) Carrier-mediated mechanism (Holes mediates FM interaction between TM) GaN ZnO + Mn + Cr + Gd + Co TC ~ 900K (Sonoda) vs PM (Munekata) > RT (Asahi) > RT (Ploog) TC > RT (Tabata) vs PM (Kawasaki) TiO2 + Co TC > RT (Kawasaki) ZnTe + Cr TC ~ 300K (Saito) CdGeP2 + Mn TC > RT Ge TC ~ 120K (Park) 170K (Tanaka) + Mn + Fe (Satoh) Intrinsic FM ? Mechanism ? Theoretical prediction (Zener model) T. Dietl et al. (2000) Curie Temperature TC [K] ドーピングによる強磁性の変化 I-doped 50nm 300 I-doped 200 undoped (Te-rich) Undoped 50nm 100 N-doped 0 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 Cr composition x アクセプター(N) ドープ ⇒ 強磁性の抑制 ドナー (I) ⇒ 強磁性の増強 N. Ozaki et al., APL 87, 192116 (2005), PRL 97, 037201 (2006). 強磁性増強の起源 --- Cr凝集領域の形成 S. Kuroda et al.,Nat. Mater. 6, 440 (2007) N-doped 50nm Magnetic Moment [B / Cr] 窒素ドーピングによる強磁性の抑制 2 Cr ~ 1% #1 1 #2 0 #3 C.B. -1 T = 2K H plane -2 -1.0 -0.5 0.0 0.5 20 4 3 [N] ~ 1020cm -3 10 x= x= 2 10 1 0 10 0.0 32 10 0 50 100 150 200 Temperature [K] N-acceptor 0.2 eV 0.05 eV V.B. アクセプターのドーピング ⇒ Cr 3d電子数の減少 ⇒ 強磁性相互作用の抑制 x = 0.01 x = 0.004 -2 1.1 eV Cr2+/3+ -1 10 I-donor Cr2+/1+ 0.0 5 x = 0.02 2 x = 0.014 10 0.02 eV 1.1 eV 1.0 -3 Zn1-xCrMagnetic ~ 10 Field [T]cm xTe:N [N] 10 Resistivity [ cm . ] #0 [N] (cm-3) [N]/[Cr] Undoped ― 1.9×10 18 0.016 1.23 2.3×10 20 5.98 1.1×10 21 250 N. Ozaki et al., APL 87,192116 (2005) 窒素ドーピングによる強磁性の抑制 Magnetic Moment [B /Cr] Cr ~ 6% [N] (cm-3) [N]/[Cr] 0.003 #0 3.2×1018 0.009 #1 1.0×1019 #0 #1 #2 1 #3 0 -1 -1.0 #2 9.1×1019 #3 1.2×1020 T = 2K H plane -0.5 0.0 0.5 Magnetic Field [T] 窒素濃度[N] 増加 (Cr組成一定) 1.0 ヒステリシスの縮小・消失 飽和磁化の減少 0.077 0.110 窒素ドーピングによる強磁性の抑制 H = 500 Oe H plane #0 5 #1 0 0 [N] (cm-3) [N]/[Cr] 0.003 #0 3.2×1018 0.009 #1 1.0×1019 C ZF Magnetization [emu/cc] Cr ~ 6% #2 9.1×1019 #3 1.2×1020 #2 #3 50 Temperature [K] 窒素濃度[N] 増加 (Cr組成一定) 100 磁化の減少 ブロッキング温度の減少 0.077 0.110 強磁性転移温度の窒素ドープ濃度依存性 Cr 6~9 % 40 30 150 P TC 100 20 50 10 TB 0 18 10 19 -3 0 20 10 10 Conduction band Energy Nitrogen concentration [cm ] 18 19 20 10 10 10 50 200 P [K] Critical temperature [K] -3 10 -2 10 [N]/[Cr] ratio K. Zhang et al., pss (c), in press -1 10 Cr 3d level ta e EF p-doping acceptor level Valence band DOS XMCD測定によるCr価数変化の評価 Cr 6~9 % XANES undoped EXAFS BL14B2@SPring-8 [N]/[Cr] 0.005 0.155 CrN & Cr2N [N]/[Cr] 0.005 0.038 3 0.077 F. T. {k (k)} [arb. u.] Absorbance [arb. u.] 0.038 undoped 0.077 0.155 CrN & Cr2N 6000 6050 Photon Energy [eV] 0 1s→ 4p 遷移のピーク@ 5.993 keV 窒素濃度の増加に伴い消失 ([N]/[Cr] ~ 0.08) 1 2 3 4 5 6 Radial Distance [Å] K. Zhang et al., pss (c), in press XMCD測定によるCr価数変化の評価 山崎、藤森 (東大理) Cr 6 % Undoped N-doped ([N] ~ 1020cm-3) Cr2+ Cr2+ + Cr3+ Y. Yamazaki et al., J. Phys. Condens. Matter 23, 176002 (2011) 強磁性抑制の起源に関する考察 強磁性の抑制・消失 XASスペクトルに現れるCr電子状態の変化 両者の相関 [N]/[Cr]比 ~ 0.08で臨界的な変化 E E electron hole Cr 3d Cr 3d ta e N Impurity band up down N Impurity band up down 単純な計算では、Cr 1原子あたりの3d電子数は ~0.08個減少 ー Cr価数の変化としては小さい ⇒ Cr, Nの分布が変化する可能性 ? 超格子中の正孔の拡散による強磁性の抑制 (Zn,Cr)Te/ZnTe:N 超格子 [N] (cm-3) [N]/[Cr] 1 #0 #0 ~ 5x1018 #1 #1 ~ 5x1018 #2 #3 #2 ~ 7x1019 0.009 薄膜 0.009 超格子 Magnetic Moment [B /Cr] Cr 3%, 10nm x 20周期 #3 ~ 1x1020 0.19 0 T = 2K H plane -1 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0 Magnetic Field [T] 窒素濃度[N] 増加による磁化の減少 正孔の拡散による強磁性の抑制 0.013 XMCD測定によるCr価数変化の評価 (Zn,Cr)Te/ZnTe:N 超格子 3 BL14B2@SPring-8 XANES undoped [N] (cm-3) [N]/[Cr] Absorbance [normalized] #1 2 #2 #0 ~ 5x1018 0.009 薄膜 #1 ~ 5x1018 0.009 #2 ~ 7x1019 0.013 超格子 #0 #3 ~ 1x1020 0.19 #3 1 1s→ 4p 遷移のピーク@ 5.993 keV 窒素濃度の増加に伴い、弱くなる 0 6000 6050 Photon Energy [eV] Cr-N化合物等の析出ではなく、 正孔によるCr価数の変化 p型変調ドープヘテロ構造における磁性の変化 p型変調ドープへテロ構造 (Zn,Cr)Te/ZnTe:N CB Cr 3d EF VB ZnTe:N (Zn,Cr)Te (Zn,Cr)Te/(Zn,Mg)Te:N CB 2K H⊥plane (Zn,Cr)Te /ZnTe /ZnTe:N /(Zn,Mg)Te /(Zn,Mg)Te:N Cr 3d EF VB (Zn,Mg)Te:N (Zn,Cr)Te (Cr ~ 5%, Mg ~ 25%) p型変調ドープ構造における磁性の変化 p型変調ドープへテロ構造 (Zn,Cr)Te/ZnTe:N (Zn,Cr)Te/(Zn,Mg)Te:N TC = 50K, TB = 8.7K (Zn,Cr)Te/ZnTe TC = 40K, TB = 3.5K TC = 65K, TB = 9.4K CB CB Cr 3d Cr 3d EF VB ZnTe:N (Zn,Cr)Te EF VB (Zn,Mg)Te:N (Zn,Cr)Te 外部電界の印加による磁性制御の可能性 (Sn,Mn)Te薄膜のMBE成長 IV-VI族用MBE装置 Growth chamber (譲渡品) + Load-lock chamber (自作) K-cell Sn, Ge, Te, Sb, Mn BaF2(333) SnTe(400) BaF2(222) SnTe(222) SnTe(200) BaF2(111) (Sn,Mn)Te 薄膜のXRD測定 Mn 4% 5.7% 8.6% 16.7% 21.9% BaF2(111)基板上に(Sn,Mn)Te薄膜の成長 ・ (100)面と(111)面の混在 ・ 異相の析出物は見られない まとめ 新規磁性半導体の物質探索と磁性の研究 • (Zn,Cr)Teにおけるドーピングにより磁性変化の起源 アクセプター(窒素)のドーピングによる強磁性の抑制・消失 磁性の変化とXASに現れるCr電子状態との相関変化 [N]/[Cr] ~ 0.08で臨界的な変化 Cr 3d電子数の減少による相互作用の抑制 • 四元混晶DMS のMBE成長と磁性 異種の磁性元素間の相互作用による磁性の発現 (Cd,Mn,Cr)Te : Cr添加により Mn間の相互作用が 反強磁性 → 強磁性 (Zn,Cr,Fe)Te : Fe添加により飽和磁化減少 ⇒ Cr, Fe間に反強磁性相互作用 • IV-VI族DMS (Sn,Mn)TeのMBE成長と磁性 Mn ≦20%の薄膜成長 ― 異相の析出は見られない 磁化曲線にヒステリシス(@2K) ー intrinsicな強磁性 ? アニールによる強磁性の増強
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