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データシート
R1EV5801MB シリーズ
1M EEPROM (128-kword×8-bit)
Ready/Busy and RES function
R10DS0209JJ0100
Rev.1.00
2014.06.09
概要
R1EV5801MB シリーズは，131072 ワード×8 ビット EEPROM（電気的書き換え可能な ROM）です。最新の MONOS
メモリ技術，CMOS プロセスおよび回路技術を採用し，高速・低消費電力および高信頼性を実現しています。また，128
バイトページ書き換え機能により，データ書き換えが高速化されています。
特長
• 単一電源：2.7V∼5.5V
• アクセス時間：
150ns (max) @ Vcc=4.5V∼5.5V
250ns(max) @ Vcc=2.7V∼5.5V
• 消費電力：
動作時： 20mW/MHz (typ)
スタンバイ時：110µW (max)
• アドレス，データ，CE，OE，WE ラッチ
• 自動バイト書き換え：10 ms (max)
• 自動ページ書き換え（128 バイト）：10 ms (max)
• Data ポーリング，RDY/Busy
• 電源 ON/OFF 時のデータ保護機能
• JEDEC Byte-wide Standard に準拠
• CMOS および MONOS プロセス
• 書き換え回数 104 回以上
• データ保持 10 年以上
• ソフトウェアデータプロテクション
• リセット機能によるデータ保護
• 本製品は鉛フリーです。
R10DS0209JJ0100 Rev.1.00
2014.06.09
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R1EV5801MB シリーズ
製品ラインアップ
Orderable Part Name
R1EV5801MBSDRDI#B0
Access time
Package
150ns/250ns 525mil 32-pin plastic SOP
PRSP0032DC-A (FP-32DV)
Shipping Container
Quality
Tube
Max. 22 pcs/tube
Max. 880 pcs/inner box
150ns/250ns 32-pin plastic TSOP
Tray
Max. 60 pcs/reel
PTSA0032KD-A (TFP-32DAV)
Max. 600 pcs/inner box
R1EV5801MBTDRDI#B0
ピン配置
R1EV5801MBSDR Series
RDY/Busy
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
RES
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
R1EV5801MBTDR Series
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
CE
A10
OE
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A4
A5
A6
A7
A12
A14
A16
RDY/Busy
VCC
A15
RES
WE
A13
A8
A9
A11
(Top view)
(Top view)
ピン説明
ピ
ン
A0∼A16
I/O0∼I/O7
OE
CE
WE
VCC
VSS
RDY/Busy
RES
R10DS0209JJ0100 Rev.1.00
2014.06.09
ピン名称
アドレス入力
データ入出力
出力イネーブル
チップイネーブル
ライトイネーブル
電源
接地
レディビジー
リセット
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R1EV5801MB シリーズ
ブロックダイアグラム
I/O0 to I/O7
V CC
High voltage generator
V SS
RDY/Busy
Voltage detector
RES
I/O buffer
and
input latch
OE
CE
Control logic and timing
WE
RES
A0
to
Y decoder
Y gating
X decoder
Memory array
A6
Address
buffer and
latch
A7
to
A16
Data latch
ピン接続
ピ
モード
CE
Read
VIL
Standby
VIH
Write
VIL
Deselect
VIL
Write inhibit
×
Write inhibit
×
Data polling
VIL
Program reset
×
【注】 1. 推奨 DC 動作条件を参照
2. ×：任意
R10DS0209JJ0100 Rev.1.00
2014.06.09
OE
VIL
×*2
VIH
VIH
×
VIL
VIL
×
WE
VIH
×
VIL
VIH
VIH
×
VIH
×
ン
RES
VH*1
×
VH
VH
×
×
VH
VIL
RDY/Busy
High-Z
High-Z
High-Z to VOL
High-Z
—
—
VOL
High-Z
I/O
Dout
High-Z
Din
High-Z
—
—
Dout (I/O7)
High-Z
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R1EV5801MB シリーズ
絶対最大定格
項
目
記 号
電源電圧（VSS に対して）
VCC
入力電圧（VSS に対して）
Vin
動作温度*2
Topr
保存温度
Tstg
【注】 1. パルス幅が 50ns 以下の場合は，–3.0V
2. データ保持を含む
定 格 値
–0.6∼+7.0
–0.5*1∼+7.0
–40∼+85
–55∼+125
単
位
V
V
°C
°C
推奨 DC 動作条件
項
目
記号
Min
VCC
2.7
VSS
0
1
入力電圧
–0.3*
VIL
2
1.9*
VIH
VH
VCC – 0.5
動作温度
Topr
–40
【注】 1. パルス幅が 50ns 以下の場合は，–1.0V。
2. VCC = 3.6∼5.5V の場合は，2.2V。
Typ
3.0
0
—
—
—
—
電源電圧
単位
Max
5.5
0
0.8
VCC + 0.3
VCC + 1.0
+85
V
V
V
V
V
°C
DC 特性
(Ta = –40∼+85°C, VCC = 2.7V∼5.5V)
項
目
入力漏洩電流
出力漏洩電流
スタンバイ時電源電流
動作時電源電流
記号
ILI
ILO
ICC1
ICC2
ICC3
出力電圧
Min
—
—
—
—
—
Typ
—
—
—
—
—
Max
2*1
2
20
1
15
単位
—
—
6
mA
—
—
50
mA
—
—
15
mA
—
—
0.4
—
V
V
VOL
—
VOH
VCC×0.8
【注】 1. RES ピンの場合は，100µA (max)。
µA
µA
µA
mA
mA
測定条件
VCC = 5.5V, Vin = 5.5V
VCC = 5.5V, Vout = 5.5V/0.4V
CE = VCC
CE = VIH
Iout = 0mA,duty = 100%,
cycle =1µs, VCC = 5.5V
Iout = 0mA,duty = 100%,
cycle =1µs, VCC = 3.3V
Iout = 0mA,duty = 100%,
cycle = 150ns, VCC = 5.5V
Iout = 0mA,duty = 100%,
cycle = 250ns, VCC = 3.3V
IOL = 2.1mA
IOH = –400µA
容量
(Ta = +25˚C, f = 1MHz)
項
目
記号
単位
Min
Typ
Max
入力容量*1
Cin
—
—
6
pF
Vin = 0V
出力容量*1
Cout
—
—
12
pF
Vout = 0V
【注】 1. このパラメータは，全数測定されたものではなく，サンプル値です。
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測定条件
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R1EV5801MB シリーズ
AC 特性
(Ta = –40∼+85°C, VCC = 4.5V∼5.5V)
測定条件
•
•
•
•
入力パルスレベル：0.4∼2.4V, 0V∼VCC (RES)
入力立ち上がり／立ち下がり時間：≤ 20ns
出力負荷：1TTL Gate + 100pF
入出力タイミング参照レベル：0.8V, 2.0V
リードサイクル
項
アクセス時間
目
CE・出力遅延時間
OE・出力遅延時間
データ出力ホールド時間
出力ディスエイブル遅延時間
RES・出力遅延時間
記
Min
—
—
Max
150
150
単位
測
tACC
tCE
号
ns
ns
CE = OE = VIL, WE = VIH
OE = VIL, WE = VIH
定
条
件
tOE
tOH
tDF*1
tDFR*1
tRR
10
0
0
0
0
75
—
50
350
450
ns
ns
ns
ns
ns
CE = VIL, WE = VIH
CE = OE = VIL, WE = VIH
CE = VIL, WE = VIH
CE = OE = VIL, WE = VIH
CE = OE = VIL, WE = VIH
書き換えサイクル
Typ
—
—
—
Max
—
—
—
単位
tAS
tAH
tCS
Min*2
0
150
0
tCH
0
—
—
ns
WE セットアップ時間（CE 制御）
tWS
0
—
—
ns
WE ホールド時間（CE 制御）
OE セットアップ時間
tWH
tOES
0
0
—
—
—
—
ns
ns
OE ホールド時間
データセットアップ時間
データホールド時間
WE パルス幅（WE 制御）
tOEH
0
—
—
ns
tDS
tDH
tWP
100
10
250
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
CE パルス幅（CE 制御）
データラッチ時間
バイトロードサイクル
バイトロード時間
ライトサイクル時間
tCW
250
—
—
ns
項目
アドレスセットアップ時間
アドレスホールド時間
CE セットアップ時間（WE 制御）
CE ホールド時間（WE 制御）
記号
ns
ns
ns
tDL
tBLC
tBL
tWC
tDB
300
—
—
ns
0.55
—
30
µs
100
—
—
µs
3
10*
ms
—
—
RDY/Busy 遅延時間
120
—
—
ns
書き換え待機時間
150*4
tDW
—
—
ns
リセット解除時間
tRP
100
—
—
µs
リセットハイ時間*5
tRES
1.0
—
—
µs
【注】 1. tDF, tDFR は出力が開放状態に達し，出力レベルを参照できなくなった場合で定義します。
2. 使用時の Min 値です。
3. RDY/Busy あるいは，データポーリングを使用しない場合は，tWC を 10ms 以上に設定してください。10ms
以内に書き換えは自動的に終了します。
4. RDY/Busy あるいは，データポーリングを用いて書き換え終了検出を行う場合は，終了検出後ただちに（tDW
経過後），次の書き換えに入ることができます。
5. このパラメーターは全数測定されたものでなく，サンプル値です。
6. A7 から A16 までのページアドレスは，WE の最初の立ち下がりでラッチされます。
7. A7 から A16 までのページアドレスは，CE の最初の立ち下がりでラッチされます。
8. リードサイクルを参照してください。
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R1EV5801MB シリーズ
AC 特性
(Ta = –40∼+85°C, VCC = 2.7V∼5.5V)
測定条件
•
•
•
•
入力パルスレベル：0.4∼2.4V, 0V∼VCC (RES)
入力立ち上がり／立ち下がり時間：≤ 20ns
出力負荷：1TTL Gate + 100pF
入出力タイミング参照レベル：0.8V, 2.0V
リードサイクル
項
アクセス時間
目
CE・出力遅延時間
OE・出力遅延時間
データ出力ホールド時間
出力ディスエイブル遅延時間
RES・出力遅延時間
記
Min
—
—
Max
250
250
単位
測
tACC
tCE
号
ns
ns
CE = OE = VIL, WE = VIH
OE = VIL, WE = VIH
定
条
件
tOE
tOH
tDF*1
tDFR*1
tRR
10
0
0
0
0
120
—
50
350
600
ns
ns
ns
ns
ns
CE = VIL, WE = VIH
CE = OE = VIL, WE = VIH
CE = VIL, WE = VIH
CE = OE = VIL, WE = VIH
CE = OE = VIL, WE = VIH
書き換えサイクル
Typ
—
—
—
Max
—
—
—
単位
tAS
tAH
tCS
Min*2
0
150
0
tCH
0
—
—
ns
WE セットアップ時間（CE 制御）
tWS
0
—
—
ns
WE ホールド時間（CE 制御）
OE セットアップ時間
tWH
tOES
0
0
—
—
—
—
ns
ns
OE ホールド時間
データセットアップ時間
データホールド時間
WE パルス幅（WE 制御）
tOEH
0
—
—
ns
tDS
tDH
tWP
100
10
250
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
CE パルス幅（CE 制御）
データラッチ時間
バイトロードサイクル
バイトロード時間
ライトサイクル時間
tCW
250
—
—
ns
項目
アドレスセットアップ時間
アドレスホールド時間
CE セットアップ時間（WE 制御）
CE ホールド時間（WE 制御）
記号
ns
ns
ns
tDL
tBLC
tBL
tWC
tDB
750
—
—
ns
1.0
—
30
µs
100
—
—
µs
3
10*
ms
—
—
RDY/Busy 遅延時間
120
—
—
ns
書き換え待機時間
250*4
tDW
—
—
ns
リセット解除時間
tRP
100
—
—
µs
リセットハイ時間*5
tRES
1.0
—
—
µs
【注】 1. tDF, tDFR は出力が開放状態に達し，出力レベルを参照できなくなった場合で定義します。
2. 使用時の Min 値です。
3. RDY/Busy あるいは，データポーリングを使用しない場合は，tWC を 10ms 以上に設定してください。10ms
以内に書き換えは自動的に終了します。
4. RDY/Busy あるいは，データポーリングを用いて書き換え終了検出を行う場合は，終了検出後ただちに（tDW
経過後），次の書き換えに入ることができます。
5. このパラメーターは全数測定されたものでなく，サンプル値です。
6. A7 から A16 までのページアドレスは，WE の最初の立ち下がりでラッチされます。
7. A7 から A16 までのページアドレスは，CE の最初の立ち下がりでラッチされます。
8. リードサイクルを参照してください。
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R1EV5801MB シリーズ
タイミング波形
リードタイミング波形
Address
tACC
CE
tOH
tCE
OE
tDF
tOE
WE
High
Data Out
Data out valid
tRR
tDFR
RES
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R1EV5801MB シリーズ
バイト書き換えタイミング波形-1（WE 制御）
tWC
Address
tCS
tAH
tCH
CE
tAS
tBL
tWP
WE
tOES
tOEH
OE
tDS
tDH
Din
tDW
High-Z
RDY/Busy
tDB
High-Z
tRP
tRES
RES
VCC
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バイト書き換えタイミング波形-2（CE 制御）
Address
tWS
tAH
tBL
tWC
tCW
CE
tAS
tWH
WE
tOES
tOEH
OE
tDS
tDH
Din
tDW
RDY/Busy
tDB
High-Z
High-Z
tRP
tRES
RES
VCC
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R1EV5801MB シリーズ
ページ書き換えタイミング波形-1（WE 制御）
*6
Address
A0 to A16
tAS
tAH
tBL
tWP
WE
tDL
tCS
tBLC
tWC
tCH
CE
tOEH
tOES
OE
tDH
tDS
Din
RDY/Busy
High-Z
tDB
tDW
High-Z
tRP
RES
tRES
VCC
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R1EV5801MB シリーズ
ページ書き換えタイミング波形-2（CE 制御）
*7
Address
A0 to A16
tAS
CE
tAH
tBL
tCW
tDL
tWS
tBLC
tWC
tWH
WE
tOEH
tOES
OE
tDH
tDS
Din
RDY/Busy
High-Z
tDB
tDW
High-Z
tRP
RES
tRES
VCC
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R1EV5801MB シリーズ
データポーリング(Data polling)タイミング波形
Address
An
An
CE
WE
tOEH
tCE *8
tOES
OE
tDW
tOE *8
I/O7
Din X
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Dout X
Dout X
tWC
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R1EV5801MB シリーズ
トグルビット
トグルビット機能により，EEPROM が書き換え中かどうかを識別することができます。
トグルビットは I/O6
に割り当てられています。書き換え中に読み出しを行うと，読み出すごとに"1"と"0"が交互に出力されます。
したがって，I/O6 に同一データが 2 回以上続けて出力された時点が書き換え終了となります。書き換え終了
検出後，ただちに（tDW 後）次のモードに入ることができます。
トグルビット波形
【注】 1.
2.
3.
4.
I/O6 初期状態は，High 状態です。
I/O6 終了状態は，変化します。
リードサイクルを参照してください。
アドレスは任意ですが，期間中は変化させないでください。
Next mode
*4
Address
tCE *3
CE
WE
*3
tOE
OE
tOES
tOEH
*1
I/O6
Din
Dout
Dout
tWC
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*2
*2
Dout
Dout
tDW
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R1EV5801MB シリーズ
ソフトウェアデータプロテクションタイミング波形-1（プロテクトモード時）
VCC
CE
WE
tBLC
Address
5555
Data
AA
5555
AAAA or
2AAA
55
A0
tWC
Write address
Write data
ソフトウェアデータプロテクションタイミング波形-2（プロテクトモード解除）
VCC
tWC
Normal active
mode
CE
WE
Address
Data
R10DS0209JJ0100 Rev.1.00
2014.06.09
5555
AAAA
or
2AAA
5555
5555
AAAA
or
2AAA
5555
AA
55
80
AA
55
20
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R1EV5801MB シリーズ
機能説明
自動ページ書き換え
本製品は，ページモードでの書き換え機能を持っており，複数バイトのデータを一度に書き換えることが
できます。1 ページで書き換え可能なバイト数は最大 128 バイトであり，128 バイト以内の任意のデータ数を
任意のアドレス(A0-A6)順序で書き換えることができます。最初の 1 バイトデータを入力すると，2 番目のバ
イトデータのために 30µs のデータ入力窓が開き，この 30µs 以内ならば次のバイトデータを入力することが
できます。以後データを 1 バイト入力するごとに 30µs のデータ入力窓が開き，順次データを入力していくこ
とができます。また，データを入力したのち 100µs の期間 CE または WE 端子を High 状態に保った場合には，
書き換えモードに自動的に入り，それまでに入力したデータが書き換わります。
Data polling（データポーリング）
データポーリングとは，書き換え時間中に EEPROM を読み出しモードにすると，最終入力データの反転
データが I/O7 から出力され，EEPROM が書き換え中であることを表示する機能です。
データポーリング機能を用いることにより，EEPROM の動作状態が読み出し可能状態かどうかを識別する
ことができます。
RDY/Busy 信号
RDY/Busy 信号は，EEPROM が書き換え中のとき，Low 状態になり，読み出し可能なとき，High-Z 状態に
なります。この RDY/Busy 信号出力でも EEPROM の動作状態を識別できます。
RES 信号の機能
RES=Low の場合，書き換え禁止状態になるため，VCC 電源投入・解除時に RES=Low に保つことにより，
データを保護することができます。RES 端子には，ラッチ機能が付いていないため，読み出し中・書き換え
中は必ず High に保ってください。
VCC
Read inhibit
Read inhibit
RES
Program inhibit
Program inhibit
WE, CE 信号の機能
書き換えサイクル中，アドレスは WE または CE の立ち下がりで，I/O（データ）は WE または CE の立ち
上がりで，それぞれラッチされます。
書き換え回数について
書き換え回数は，104 回（累積不良率 1%以下）です。書き換え後のデータ保持 10 年間が可能です。
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R1EV5801MB シリーズ
データ保護について
本製品は，動作中および電源投入・解除時のデータ保護対策として，次のような機能を内蔵しています。
1. 動作中に制御ピン(CE, OE, WE)に加わるノイズに対するデータ保護
制御ピンに加わるノイズがトリガーとなって，読み出し中，または待機中に書き換えモードに誤って入る
可能性があります。このような場合の対策として，ノイズ幅が 20ns 以内ならば，書き換えモードに入ら
ないようなノイズキャンセル機能を持っています。20ns 幅以上のノイズが制御ピンに加わらないようにご
注意ください。
WE
CE
VIH
0V
VIH
OE
0V
20 ns max
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R1EV5801MB シリーズ
2. VCC 電源投入・解除時のデータ保護，誤書き込み防止
VCC 電源投入・解除時に CPU 等からのノイズが制御ピンに加わった場合，
誤って EEPROM が書き換えモー
ドに入る可能性があります。したがって VCC 電源投入・解除時には EEPROM を書き換え禁止，待機また
は読み出し状態に保ってください。
【注】 CPU のリセット信号等を利用して電源投入・解除時における EEPROM の誤書き込みを阻止してくだ
さい。
VCC
CPU
RESET
* Unprogrammable
* Unprogrammable
2.1 RES によるデータ保護
電源投入・解除時には CPU リセット信号を RES 端子に入力して EEPROM を書き換え禁止状態に保っ
てください。
また，RES 端子が Low になると，書き換え動作が停止します。書き換え動作中 RES 端子を Low にし
た場合は正常な書き換えは行われません。最終書き換えパルスを入力後，10ms 以上経ってから RES
端子を Low にしてください。
VCC
RES
Program inhibit
WE
or CE
R10DS0209JJ0100 Rev.1.00
2014.06.09
1 µs min 100 µs min
Program inhibit
10 ms min
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R1EV5801MB シリーズ
3. ソフトウェアデータプロテクション
本製品は，実装時に外部回路から発生するノイズに起因する誤書き換えを防止するために，ソフトウェア
データプロテクション機能を設けています。プロテクションは次のような 3 バイトコードおよび書き換え
データを入力することにより設定できます。3 バイトコードのみの入力ではプロテクションモードには入
りません。プロテクションモード時に書き換えを行う場合は，設定時と同様に書き換えデータの前に 3 バ
イトコードを入力する必要があります。
Address
Data
5555
AA
↓
↓
AAAA or 2AAA
55
↓
↓
5555
A0
↓
↓
Write address Write data } Normal data input
ソフトウェアデータプロテクションモードを解除するには， 次の 6 バイトコードを入力します。解除サ
イクル中に時に書き換えデータを入力しても，データの書き換えはできません。
Address
Data
5555
↓
AAAA or 2AAA
↓
5555
↓
5555
↓
AAAA or 2AAA
↓
5555
AA
↓
55
↓
80
↓
AA
↓
55
↓
20
出荷時はノンプロテクション状態になっています。
【注】 他社品と当社品でソフトウェアデータプロテクションの設定/解除方法が異なる場合がありますので
ご注意ください。なおご不明な点がごさいましたら，弊社営業窓口までお問い合わせください。
R10DS0209JJ0100 Rev.1.00
2014.06.09
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R1EV5801MB シリーズ
受注型名ルール
Orderable part Number Guide of Parallel EEPROM
R1EV58 01MB SD
Parallel EEPROM
R
D
I #B0
Packaging, Environmental
Memory density
064B : 64Kbit
256B : 256Kbit
01MB : 1Mbit
#S0 :
Embossed tape (Pb free)
#B0 :
Tray or Tube (Pb free)
Quality grade
I : –40 to +85 deg C (Industry)
Package type
DA :
DiLP-28pin
SC :
SOP-28pin
SD :
SOP-32pin
TC :
TSOP-28pin
TD :
TSOP-32pin
Access time
B:
D:
85/100/120ns
150ns/250ns
Function
R : Reset function suported
N : Reset function not suported
R10DS0209JJ0100 Rev.1.00
2014.06.09
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R1EV5801MB シリーズ
外形寸法図
R1EV5801MBSD シリーズ(PRSP0032DC-A / Previous Code: FP-32DV)
JEITA Package Code
P-SOP32-11.3x20.45-1.27
RENESAS Code
PRSP0032DC-A
*1
Previous Code
FP-32D/FP-32DV
MASS[Typ.]
1.3g
NOTE)
1. DIMENSIONS"*1 (Nom)"AND"*2"
DO NOT INCLUDE MOLD FLASH.
2. DIMENSION"*3"DOES NOT
INCLUDE TRIM OFFSET.
F
D
32
17
bp
Index mark
Terminal cross section
1
16
*3
e
Z
bp
x
L1
M
A1
θ
A
S
L
Detail F
y S
c
c1
HE
*2
E
b1
Reference
Symbol
Dimension in Millimeters
Min Nom
D
20.45
E
11.30
A2
A1 0.05 0.15
A
bp 0.32 0.40
b1
0.38
c
0.17 0.22
c1
0.20
θ
0°
HE 13.84 14.14
e
1.27
x
y
Z
L
0.60 0.80
L1
1.42
Max
20.95
0.27
3.00
0.48
0.27
8°
14.44
0.15
0.10
1.00
1.00
R1EV5801MBTD シリーズ(PTSA0032KD-A / Previous Code: TFP-32DAV)
JEITA Package Code
P-TSOP(1)32-8x12.4-0.50
RENESAS Code
PTSA0032KD-A
Previous Code
TFP-32DA/TFP-32DAV
MASS[Typ.]
0.26g
NOTE)
1. DIMENSION"*1"AND"*2(Nom)"
DO NOT INCLUDE MOLD FLASH.
2. DIMENSION"*3"DOES NOT
INCLUDE TRIM OFFSET.
HD
A
y S
32
*3
1
D
x M
*1
bp
Index mark
bp
17
Z
16
c
c1
e
*2
E
b1
S
Terminal cross section
F
A1
θ
L1
L
Detail F
R10DS0209JJ0100 Rev.1.00
2014.06.09
Reference
Symbol
D
E
A2
A1
A
bp
b1
c
c1
θ
HD
e
x
y
Z
L
L1
Dimension in Millimeters
Min
0.08
Nom
12.40
8.00
Max
8.20
0.13
0.18
1.20
0.22 0.30
0.20
0.12 0.17 0.22
0.125
0
5
13.80 14.00 14.20
0.50
0.08
0.10
0.45
0.40 0.50 0.60
0.80
0.14
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改訂記録
R1EV5801MB シリーズ データシート
Rev.
発行日
ページ
0.01
0.02
1.00
2013.10.17
2013.10.18
2014.06.09
—
19
—
改訂内容
ポイント
新規登録
受注形名ルール：Access time 記号の A と C を削除
暫定解除
すべての商標および登録商標は，それぞれの所有者に帰属します。
C-1
ࡈὀព᭩ࡁ
1. ᮏ㈨ᩱ࡟グ㍕ࡉࢀࡓᅇ㊰ࠊࢯࣇࢺ࢙࢘࢔࠾ࡼࡧࡇࢀࡽ࡟㛵㐃ࡍࡿ᝟ሗࡣࠊ༙ᑟయ〇ရࡢືస౛ࠊᛂ⏝౛ࢆㄝ᫂ࡍࡿࡶࡢ࡛ࡍࠋ࠾ᐈᵝࡢᶵჾ࣭ࢩࢫࢸ࣒ࡢタィ࡟࠾࠸
࡚ࠊᅇ㊰ࠊࢯࣇࢺ࢙࢘࢔࠾ࡼࡧࡇࢀࡽ࡟㛵㐃ࡍࡿ᝟ሗࢆ౑⏝ࡍࡿሙྜ࡟ࡣࠊ࠾ᐈᵝࡢ㈐௵࡟࠾࠸࡚⾜ࡗ࡚ࡃࡔࡉ࠸ࠋࡇࢀࡽࡢ౑⏝࡟㉳ᅉࡋ࡚ࠊ࠾ᐈᵝࡲࡓࡣ➨୕
⪅࡟⏕ࡌࡓᦆᐖ࡟㛵ࡋࠊᙜ♫ࡣࠊ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ
2. ᮏ㈨ᩱ࡟グ㍕ࡉࢀ࡚࠸ࡿ᝟ሗࡣࠊṇ☜ࢆᮇࡍࡓࡵៅ㔜࡟సᡂࡋࡓࡶࡢ࡛ࡍࡀࠊㄗࡾࡀ࡞࠸ࡇ࡜ࢆಖドࡍࡿࡶࡢ࡛ࡣ࠶ࡾࡲࡏࢇࠋ୓୍ࠊᮏ㈨ᩱ࡟グ㍕ࡉࢀ࡚࠸ࡿ᝟ሗ
ࡢㄗࡾ࡟㉳ᅉࡍࡿᦆᐖࡀ࠾ᐈᵝ࡟⏕ࡌࡓሙྜ࡟࠾࠸࡚ࡶࠊᙜ♫ࡣࠊ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ
3. ᮏ㈨ᩱ࡟グ㍕ࡉࢀࡓ〇ရࢹ㸫ࢱࠊᅗࠊ⾲ࠊࣉࣟࢢ࣒ࣛࠊ࢔ࣝࢦࣜࢬ࣒ࠊᛂ⏝ᅇ㊰౛➼ࡢ᝟ሗࡢ౑⏝࡟㉳ᅉࡋ࡚Ⓨ⏕ࡋࡓ➨୕⪅ࡢ≉チᶒࠊⴭసᶒࡑࡢ௚ࡢ▱ⓗ㈈⏘ᶒ
࡟ᑐࡍࡿ౵ᐖ࡟㛵ࡋࠊᙜ♫ࡣࠊఱࡽࡢ㈐௵ࢆ㈇࠺ࡶࡢ࡛ࡣ࠶ࡾࡲࡏࢇࠋᙜ♫ࡣࠊᮏ㈨ᩱ࡟ᇶ࡙ࡁᙜ♫ࡲࡓࡣ➨୕⪅ࡢ≉チᶒࠊⴭసᶒࡑࡢ௚ࡢ▱ⓗ㈈⏘ᶒࢆఱࡽチ
ㅙࡍࡿࡶࡢ࡛ࡣ࠶ࡾࡲࡏࢇࠋ
4. ᙜ♫〇ရࢆᨵ㐀ࠊᨵኚࠊ」〇➼ࡋ࡞࠸࡛ࡃࡔࡉ࠸ࠋ࠿࠿ࡿᨵ㐀ࠊᨵኚࠊ」〇➼࡟ࡼࡾ⏕ࡌࡓᦆᐖ࡟㛵ࡋࠊᙜ♫ࡣࠊ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ
5. ᙜ♫ࡣࠊᙜ♫〇ရࡢရ㉁Ỉ‽ࢆࠕᶆ‽Ỉ‽ࠖ࠾ࡼࡧࠕ㧗ရ㉁Ỉ‽ࠖ࡟ศ㢮ࡋ࡚࠾ࡾࠊ
ྛရ㉁Ỉ‽ࡣࠊ௨ୗ࡟♧ࡍ⏝㏵࡟〇ရࡀ౑⏝ࡉࢀࡿࡇ࡜ࢆពᅗࡋ࡚࠾ࡾࡲࡍࠋ
ᶆ‽Ỉ‽㸸
ࢥࣥࣆ࣮ࣗࢱࠊOAᶵჾࠊ㏻ಙᶵჾࠊィ ᶵჾࠊAVᶵჾࠊ
ᐙ㟁ࠊᕤసᶵᲔࠊࣃ࣮ࢯࢼࣝᶵჾࠊ⏘ᴗ⏝ࣟ࣎ࢵࢺ➼
㧗ရ㉁Ỉ‽㸸 ㍺㏦ᶵჾ㸦⮬ື㌴ࠊ㟁㌴ࠊ⯪⯧➼㸧ࠊ஺㏻⏝ಙྕᶵჾࠊ
㜵⅏࣭㜵≢⿦⨨ࠊྛ✀Ᏻ඲⿦⨨➼
ᙜ♫〇ရࡣࠊ┤᥋⏕࿨࣭㌟య࡟༴ᐖࢆཬࡰࡍྍ⬟ᛶࡢ࠶ࡿᶵჾ࣭ࢩࢫࢸ࣒㸦⏕࿨⥔ᣢ⿦⨨ࠊேయ࡟ᇙࡵ㎸ࡳ౑⏝ࡍࡿࡶࡢ➼㸧 ࠊࡶࡋࡃࡣከ኱࡞≀ⓗᦆᐖࢆⓎ⏕ࡉ
ࡏࡿ࠾ࡑࢀࡢ࠶ࡿᶵჾ࣭ࢩࢫࢸ࣒㸦ཎᏊຊไᚚࢩࢫࢸ࣒ࠊ㌷஦ᶵჾ➼㸧࡟౑⏝ࡉࢀࡿࡇ࡜ࢆពᅗࡋ࡚࠾ࡽࡎࠊ౑⏝ࡍࡿࡇ࡜ࡣ࡛ࡁࡲࡏࢇࠋ ࡓ࡜࠼ࠊពᅗࡋ࡞࠸⏝
㏵࡟ᙜ♫〇ရࢆ౑⏝ࡋࡓࡇ࡜࡟ࡼࡾ࠾ᐈᵝࡲࡓࡣ➨୕⪅࡟ᦆᐖࡀ⏕ࡌ࡚ࡶࠊᙜ♫ࡣ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ ࡞࠾ࠊࡈ୙᫂Ⅼࡀ࠶ࡿሙྜࡣࠊᙜ♫Ⴀᴗ࡟࠾ၥ࠸
ྜࢃࡏࡃࡔࡉ࠸ࠋ
6. ᙜ♫〇ရࢆࡈ౑⏝ࡢ㝿ࡣࠊᙜ♫ࡀᣦᐃࡍࡿ᭱኱ᐃ᱁ࠊືస㟁※㟁ᅽ⠊ᅖࠊᨺ⇕≉ᛶࠊᐇ⿦᮲௳ࡑࡢ௚ࡢಖド⠊ᅖෆ࡛ࡈ౑⏝ࡃࡔࡉ࠸ࠋᙜ♫ಖド⠊ᅖࢆ㉸࠼࡚ᙜ♫〇
ရࢆࡈ౑⏝ࡉࢀࡓሙྜࡢᨾ㞀࠾ࡼࡧ஦ᨾ࡟ࡘࡁࡲࡋ࡚ࡣࠊᙜ♫ࡣࠊ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ
7. ᙜ♫ࡣࠊᙜ♫〇ရࡢရ㉁࠾ࡼࡧಙ㢗ᛶࡢྥୖ࡟ດࡵ࡚࠸ࡲࡍࡀࠊ༙ᑟయ〇ရࡣ࠶ࡿ☜⋡࡛ᨾ㞀ࡀⓎ⏕ࡋࡓࡾࠊ౑⏝᮲௳࡟ࡼࡗ࡚ࡣㄗືసࡋࡓࡾࡍࡿሙྜࡀ࠶ࡾࡲ
ࡍࠋࡲࡓࠊᙜ♫〇ရࡣ⪏ᨺᑕ⥺タィ࡟ࡘ࠸࡚ࡣ⾜ࡗ࡚࠾ࡾࡲࡏࢇࠋᙜ♫〇ရࡢᨾ㞀ࡲࡓࡣㄗືసࡀ⏕ࡌࡓሙྜࡶࠊே㌟஦ᨾࠊⅆ⅏஦ᨾࠊ♫఍ⓗᦆᐖ➼ࢆ⏕ࡌࡉࡏ
࡞࠸ࡼ࠺ࠊ࠾ᐈᵝࡢ㈐௵࡟࠾࠸࡚ࠊ෕㛗タィࠊᘏ↝ᑐ⟇タィࠊㄗືస㜵Ṇタィ➼ࡢᏳ඲タィ࠾ࡼࡧ࢚࣮ࢪࣥࢢฎ⌮➼ࠊ࠾ᐈᵝࡢᶵჾ࣭ࢩࢫࢸ࣒࡜ࡋ࡚ࡢฟⲴಖド
ࢆ⾜ࡗ࡚ࡃࡔࡉ࠸ࠋ≉࡟ࠊ࣐࢖ࢥࣥࢯࣇࢺ࢙࢘࢔ࡣࠊ༢⊂࡛ࡢ᳨ドࡣᅔ㞴࡞ࡓࡵࠊ࠾ᐈᵝࡢᶵჾ࣭ࢩࢫࢸ࣒࡜ࡋ࡚ࡢᏳ඲᳨ドࢆ࠾ᐈᵝࡢ㈐௵࡛⾜ࡗ࡚ࡃࡔࡉ࠸ࠋ
8. ᙜ♫〇ရࡢ⎔ቃ㐺ྜᛶ➼ࡢヲ⣽࡟ࡘࡁࡲࡋ࡚ࡣࠊ〇ရಶู࡟ᚲࡎᙜ♫Ⴀᴗ❆ཱྀࡲ࡛࠾ၥྜࡏࡃࡔࡉ࠸ࠋࡈ౑⏝࡟㝿ࡋ࡚ࡣࠊ≉ᐃࡢ≀㉁ࡢྵ᭷࣭౑⏝ࢆつไࡍࡿ
RoHSᣦ௧➼ࠊ㐺⏝ࡉࢀࡿ⎔ቃ㛵㐃ἲ௧ࢆ༑ศㄪᰝࡢ࠺࠼ࠊ࠿࠿ࡿἲ௧࡟㐺ྜࡍࡿࡼ࠺ࡈ౑⏝ࡃࡔࡉ࠸ࠋ࠾ᐈᵝࡀ࠿࠿ࡿἲ௧ࢆ㑂Ᏺࡋ࡞࠸ࡇ࡜࡟ࡼࡾ⏕ࡌࡓᦆᐖ࡟
㛵ࡋ࡚ࠊᙜ♫ࡣࠊ୍ษࡑࡢ㈐௵ࢆ㈇࠸ࡲࡏࢇࠋ
9. ᮏ㈨ᩱ࡟グ㍕ࡉࢀ࡚࠸ࡿᙜ♫〇ရ࠾ࡼࡧᢏ⾡ࢆᅜෆእࡢἲ௧࠾ࡼࡧつ๎࡟ࡼࡾ〇㐀࣭౑⏝࣭㈍኎ࢆ⚗Ṇࡉࢀ࡚࠸ࡿᶵჾ࣭ࢩࢫࢸ࣒࡟౑⏝ࡍࡿࡇ࡜ࡣ࡛ࡁࡲࡏࢇࠋࡲ
ࡓࠊᙜ♫〇ရ࠾ࡼࡧᢏ⾡ࢆ኱㔞◚ቯරჾࡢ㛤Ⓨ➼ࡢ┠ⓗࠊ㌷஦฼⏝ࡢ┠ⓗࡑࡢ௚㌷஦⏝㏵࡟౑⏝ࡋ࡞࠸࡛ࡃࡔࡉ࠸ࠋᙜ♫〇ရࡲࡓࡣᢏ⾡ࢆ㍺ฟࡍࡿሙྜࡣࠊࠕእ
ᅜⅭ᭰ཬࡧእᅜ㈠᫆ἲࠖࡑࡢ௚㍺ฟ㛵㐃ἲ௧ࢆ㑂Ᏺࡋࠊ࠿࠿ࡿἲ௧ࡢᐃࡵࡿ࡜ࡇࢁ࡟ࡼࡾᚲせ࡞ᡭ⥆ࢆ⾜ࡗ࡚ࡃࡔࡉ࠸ࠋ
10. ࠾ᐈᵝࡢ㌿኎➼࡟ࡼࡾࠊᮏࡈὀព᭩ࡁグ㍕ࡢㅖ᮲௳࡟᢬ゐࡋ࡚ᙜ♫〇ရࡀ౑⏝ࡉࢀࠊࡑࡢ౑⏝࠿ࡽᦆᐖࡀ⏕ࡌࡓሙྜࠊᙜ♫ࡣఱࡽࡢ㈐௵ࡶ㈇ࢃࡎࠊ࠾ᐈᵝ࡟࡚ࡈ㈇
ᢸࡋ࡚㡬ࡁࡲࡍࡢ࡛ࡈ஢ᢎࡃࡔࡉ࠸ࠋ
11. ᮏ㈨ᩱࡢ඲㒊ࡲࡓࡣ୍㒊ࢆᙜ♫ࡢᩥ᭩࡟ࡼࡿ஦๓ࡢᢎㅙࢆᚓࡿࡇ࡜࡞ࡃ㌿㍕ࡲࡓࡣ」〇ࡍࡿࡇ࡜ࢆ⚗ࡌࡲࡍࠋ
ὀ1. ᮏ㈨ᩱ࡟࠾࠸࡚౑⏝ࡉࢀ࡚࠸ࡿࠕᙜ♫ࠖ࡜ࡣࠊࣝࢿࢧࢫ ࢚ࣞࢡࢺࣟࢽࢡࢫᰴᘧ఍♫࠾ࡼࡧࣝࢿࢧࢫ ࢚ࣞࢡࢺࣟࢽࢡࢫᰴᘧ఍♫ࡀࡑࡢ⥲ᰴ୺ࡢ㆟Ỵᶒࡢ㐣༙ᩘ
ࢆ┤᥋ࡲࡓࡣ㛫᥋࡟ಖ᭷ࡍࡿ఍♫ࢆ࠸࠸ࡲࡍࠋ
ὀ2. ᮏ㈨ᩱ࡟࠾࠸࡚౑⏝ࡉࢀ࡚࠸ࡿࠕᙜ♫〇ရࠖ࡜ࡣࠊὀ㸯࡟࠾࠸࡚ᐃ⩏ࡉࢀࡓᙜ♫ࡢ㛤Ⓨࠊ〇㐀〇ရࢆ࠸࠸ࡲࡍࠋ
http://www.renesas.com
‫ڦ‬Ⴀᴗ࠾ၥྜࡏ❆ཱྀ
ͤႠᴗ࠾ၥྜࡏ❆ཱྀࡢఫᡤࡣኚ᭦࡟࡞ࡿࡇ࡜ࡀ࠶ࡾࡲࡍࠋ᭱᪂᝟ሗ࡟ࡘࡁࡲࡋ࡚ࡣࠊᘢ♫࣮࣒࣮࣍࣌ࢪࢆࡈぴࡃࡔࡉ࠸ࠋ
ࣝࢿࢧࢫ ࢚ࣞࢡࢺࣟࢽࢡࢫᰴᘧ఍♫ࠉࠛ100-0004ࠉ༓௦⏣༊኱ᡭ⏫2-6-2㸦᪥ᮏࣅࣝ㸧
‫ڦ‬ᢏ⾡ⓗ࡞࠾ၥྜࡏ࠾ࡼࡧ㈨ᩱࡢࡈㄳồࡣୗグ࡬࡝࠺ࡒࠋ
ࠉ⥲ྜ࠾ၥྜࡏ❆ཱྀ㸸http://japan.renesas.com/contact/
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Colophon 3.0