5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ SBD, LLD の特長 Features of the SBD, LLD 超低IR-SBD (Schottky-Barrier Diode) Ultra Low-IR SBD ■特長 Features 接合部溫度(Tj) ℃保證 ・従来品に對し髙溫動做可能 従来品に對し VF は仝等で、IR を 1/10 以下に低 ・熱暴走のリスクを低 。髙溫時の髙信賴性を確保 従来品に對し VF は 10% 低 し、IR も 1/10 以下に低 ・LLD からの 換え、 に低い耐壓の SBD を 擇可能 LLD (Low Loss Diode) Guaranteed Tj=175°C · It can operate at a high pemparature. VF is same level and IR is tens of one lower than existing type. · It reduce thermal runaway risk. And provide high reliability at a high pemparature. VF is 10% lower and IR is tens of one lower than existing type. · It make us possible to replace from LLD Or select more lower voltage SBD Super LLD series for PFC circuit Diode ■特長 Features Super LLD-3(電流連続モード PFC 用) 従来品に対し VF-trr トレードオフラインを改善 従来品に対し高速化と低 VF 化を実現。 MOSFET とダイオードの温度低減、低損失化が可能。 Super LLD-3 for CCM-PFC 'Y"Z~#@@YY& &}&&Z~Y model. And reduced temparature and power loss of MOSFET and Diode. Super LLD-2(臨界モード PFC 用) 低 VF 特性による低損失化 ソフトリカバリーによる低ノイズ化 Super LLD-2 for DCM-PFC !"&&$&Z~ !"&$@"$ ■型式の見方 Part numbers FDRW50C60L (example) F DR 社名 機種コード Company code Device code Fuji DR FWD 62 W パッケージコード Package code P TO-220 W TO-247 50 定格電流 Current ×1 C S C 極性 Polarity Single Cathode Common 60 定格電圧 Voltage 60 600V 120 1200V L 製品シリーズ Series Ultra Fast L Recovery Sort/Fast J Recovery 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■型式の見方 Part numbers YA875C10R (example) YA パッケージコード Package code KP K-Pack (L) KS K-Pack (S) MS TFP PA TO-3P PG TO-3PF PH TO-247 TP T-Pack (L) TS T-Pack (S) YA TO-220 YG TO-220F 87 シリーズ Series 8x SBD 9x LLD 1 2 3 4 5 6 8 9 0 5 C 10 R 定格電流 Current 5A 10A 15A 15A 20A 30A 30A 40A 40A 極性 Polarity S Single Cathode C Common 定格電圧 Voltage 20V 30V 40V 60V LLD 80V 90V 100V 120V 150V 200V 付加コード Additional code R or RR 02 03 04 06 08 SBD 09 10 12 15 20 2 3 4 6 8 10 12 15 200V 300V 400V 600V 800V 1000V 1200V 1500V ■型式の見方 Part numbers ESAD92M02R (example) D 92 定格電流 Current ERA ≦1A ERB ≦2A リード ERC ≦3A ERD ERC ≦5A ESAB 5A-10A TOPKG ESAC 10A-20A ESAD 20A-30A シリーズ Series 8x SBD 9x LLD M パッケージコード Package code 無し フィン 004 M フルモールド SBD 006 009 02 R 電圧定格 Voltage 40V LLD 60V 90V 付加コード Additional code R or RR 02 03 200V 300V Diode ESA チップ構成 Chip ESA ツインチップ ER シングルチップ 63 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes(SBD) #~ Schottky-Barrier Diodes(SBD) 結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR (mA) シングル 40 5 0.55 5 45 60 デュアル 20 30 40 60 90 100 10 5 15 7 5 5 10 20 30 5 10 15 20 30 5 5 10 20 30 0.60 0.59 0.63 0.39 0.47 0.55 0.55 0.6 0.53 0.58 0.58 0.58 0.58 0.58 0.9 0.8 0.8 0.8 0.8 2 5 20 10 5 5 5 15 8 5 5 5 15 3 5 0.7 1.2 2.5 20 #% #%~ #{ #{_ ¥#{ ¥#{_ TFP Diode シングル #{ 型式 Device type KS826S04 YG811S04R YG812S04R YG811S06R YG804S06R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 40 5.0 (Tc=110℃) 40 5.0 (Tc=122℃) 45 10 (Tc=124℃) 60 5.0 (Tc=127℃) 60 15 (Tc=99℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 80 # ¤ 120 # ¤ 120 # ¤ 80 # ¤ 120 # ¤ ( ) 条件 ( ) Conditions *1}方形波 *1}Square *2 *2 duty=1/2 *3 V =V 正弦波 10ms. R RRM 記号 Letter symbols VRRM ピーク繰返し逆電圧 VRSM ピーク非繰返し逆電圧 平均出力電流 IO サージ電流 IFSM 接合温度 Tj 周囲温度 Ta ケース温度 Tc 64 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ Characteristics Package VFM IRRM*3 # Max. Volts Max.mA ℃/W 0.55 (IF=5.0A) 5 10 ¥#{_ 5 5.0 #~ 0.55 (IF=5.0A) 2 2.5 #~ 0.6 (IF=10A) 5 5.0 #~ 0.59 (IF=5.0A) 20 2.2 #~ 0.63 (IF=15A) wave duty=1/2 Sine wave, 10ms *3 VR=VRRM Repetitive peak reverse voltage #"{""& Average output current Surge current Junction temperature Ambient temperature Case temperature Tstg VFM IRRM trr R# Tl IF(AV) 保存温度 順電圧 逆電流 逆回復時間 熱抵抗 ( 接合ケース間 ) リード温度 平均順電流 Storage temperature Forward voltage Reverse current Reverse recovery time Thermal resistance (Junction to case) Lead temperature Average forward current 質 量 Net mass Grams 0.6 1.7 1.7 1.7 1.7 整流ダイオード/Rectifier Diodes 5 ■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes(SBD) デュアル #{ KP883C02 KS883C02 KS823C03 KS823C04 YG801C04R YG802C04R YG805C04R YG838C04R MS838C04 YG801C06R YG802C06R YG803C06R YG805C06R MS808C06 KS823C09 YG801C10R YG802C10R YG805C10R YG808C10R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 20 7.0 (Tc=89℃) 20 7.0 (Tc=89℃) 30 5.0 (Tc=117℃) 40 5.0 (Tc=107℃) 40 5.0 (Tc=125℃) 40 10 (Tc=110℃) 40 20 (Tc=100℃) 40 30 (Tc=85℃) 40 30 (Tc=111℃) 60 5.0 (Tc=125℃) 60 10 (Tc=118℃) 60 15 (Tc=94℃) 60 20 (Tc=108℃) 60 30 (Tc=118℃) 90 5.0 (Tc=100℃) 100 5.0 (Tc=117℃) 100 10 (Tc=102℃) 100 20 (Tc=91℃) 100 30 (Tc=80℃) ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) *3 正弦波 10ms. 1チップあたり 1チップあたり *4 V =V R RRM 1チップあたり *2 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 60 # ¤ 60 # ¤ 60 # ¤ 60 # ¤ 100 # ¤ 120 # ¤ 120 # ¤ 180 # ¤ 180 # ¤ 60 # ¤ 80 # ¤ 100 # ¤ 80 # ¤ 150 # ¤ 60 # ¤ 60 # ¤ 80 # ¤ 100 # ¤ 180 # ¤ 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM*4 VFM*3 Max. Volts Max.mA 0.39 (IF=2.5A) 10 10 0.39 (IF=2.5A) 5 0.47 (IF=2.5A) 5 0.55 (IF=2.5A) 5 0.55 (IF=2.0A) 5 0.55 (IF=4.0A) 15 0.6 (IF=10A) 8 0.53 (IF=12.5A) 8 0.53 (IF=12.5A) 5 0.58 (IF=2.0A) 5 0.58 (IF=4.0A) 5 0.58 (IF=6.0A) 15 0.58 (IF=8.0A) 3 0.58 (IF=12.5A) 5 0.9 (IF=2.5A) 0.7 0.8 (IF=1.5A) 1.2 0.8 (IF=3.0A) 2.5 0.8 (IF=5.0A) 20 0.8 (IF=10A) パッケージ Package # ℃/W 10.0 10.0 10.0 10.0 5.0 3.5 2.5 2.0 1.2 5.0 3.5 3.0 2.5 1.2 10.0 5.0 3.5 2.5 2.0 ¥#{ ¥#{_ ¥#{_ ¥#{_ #~ #~ #~ #~ TFP #~ #~ #~ #~ TFP ¥#{_ #~ #~ #~ #~ 質 量 Net mass Grams 0.6 0.6 0.6 0.6 1.7 1.7 1.7 1.7 0.8 1.7 1.7 1.7 1.7 0.8 0.6 1.7 1.7 1.7 1.7 ( ) Conditions *1}Square *2 *4 wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) *3 per element Sine wave, 10ms per element VR=VRRM per element Diode 型式 Device type 65 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 超低 IR ショットキーバリアダイオード Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes 結線 デュアル VRRM (V) 100 120 150 200 Io (A) 10 20 30 10 20 30 10 20 30 10 20 30 VF (V) 0.82 0.86 0.86 0.84 0.88 0.88 0.86 0.89 0.89 0.89 0.93 0.93 # #~ IR (mA) 0.015 0.02 0.03 0.015 0.02 0.03 0.015 0.02 0.03 0.015 0.02 0.03 デュアル #{ Diode 型式 Device type YG872C10R YA872C10R YG875C10R YA875C10R YG878C10R YA878C10R YG872C12R YA872C12R YG875C12R YA875C12R YG878C12R YA878C12R YG872C15R YA872C15R YG875C15R YA875C15R YG878C15R YA878C15R YG872C20R YA872C20R YG875C20R YA875C20R YG878C20R YA878C20R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 100 10 (Tc=146℃) 100 10 (Tc=158℃) 100 20 (Tc=131℃) 100 20 (Tc=144℃) 100 30 (Tc=122℃) 100 30 (Tc=142℃) 120 10 (Tc=143℃) 120 10 (Tc=158℃) 120 20 (Tc=127℃) 120 20 (Tc=144℃) 120 30 (Tc=116℃) 120 30 (Tc=141℃) 150 10 (Tc=144℃) 150 10 (Tc=157℃) 150 20 (Tc=130℃) 150 20 (Tc=143℃) 150 30 (Tc=120℃) 150 30 (Tc=140℃) 200 10 (Tc=143℃) 200 10 (Tc=157℃) 200 20 (Tc=127℃) 200 20 (Tc=141℃) 200 30 (Tc=116℃) 200 30 (Tc=138℃) ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) *2 正弦波 10ms. 1チップあたり *3 I =0.5Io 1チップあたり F *4 V =V R RRM 1チップあたり 66 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 125 # ¤ 125 # ¤ 145 # ¤ 145 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 125 # ¤ 125 # ¤ 145 # ¤ 145 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 125 # ¤ 125 # ¤ 145 # ¤ 145 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 125 # ¤ 125 # ¤ 145 # ¤ 145 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ Characteristics Package IRRM*4 # VFM*3 Max.mA ℃/W Max. Volts 0.82 3.5 #~ 0.015 0.82 0.015 2.0 #!^ 0.86 0.020 2.5 #~ 0.86 0.020 1.75 #!^ 0.86 0.030 2.0 #~ 0.86 0.030 1.25 #!^ 0.84 0.015 3.5 #~ 0.84 0.015 2.0 #!^ 0.88 0.020 2.5 #~ 0.88 0.020 1.75 #!^ 0.88 0.030 2.0 #~ 0.88 0.030 1.25 #!^ 0.86 0.015 3.5 #~ 0.86 0.015 2.0 #!^ 0.89 0.020 2.5 #~ 0.89 0.020 1.75 #!^ 0.89 0.030 2.0 #~ 0.89 0.030 1.25 #!^ 0.89 0.015 3.5 #~ 0.89 0.015 2.0 #!^ 0.93 0.020 2.5 #~ 0.93 0.020 1.75 #!^ 0.93 0.030 2.0 #~ 0.93 0.030 1.25 #!^ ( ) Conditions *1}Square *2 *4 wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) *3 I =0.5Io per element Sine wave, 10ms per element F VR=VRRM per element 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 整流ダイオード/Rectifier Diodes 5 ■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes # #~ 結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR (mA) シングル 120 5 0.88 0.15 デュアル 150 45 60 80 100 120 150 5 20 30 10 20 30 40 10 20 30 40 10 20 30 40 10 20 30 30 40 10 20 30 40 0.9 0.63 0.63 0.68 0.74 0.74 0.7 0.76 0.76 0.76 0.71 0.86 0.86 0.86 0.82 0.88 0.88 0.88 1.01 0.95 0.9 0.9 0.9 0.97 0.15 0.175 0.2 0.15 0.175 0.2 0.2 0.15 0.175 0.2 0.2 0.15 0.175 0.2 0.2 0.15 0.15 0.2 0.2 0.2 0.15 0.15 0.2 0.2 #% #%~ # #{ #{_ TFP Diode Low IR Schottky-Barrier Diodes シングル #{ 型式 Device type YG861S12R YG861S15R ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 *2 正弦波 10ms. *3 I =Io F 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 120 5 (Tc=104℃) 150 5 (Tc=94℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 75 # ¤ 75 # ¤ 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ Characteristics Package IRRM*4 # VFM*3 Max. Volts Max.mA ℃/W 0.88 0.15 5.0 #~ 0.90 0.15 5.0 #~ 質 量 Net mass Grams 1.7 1.7 ( ) Conditions *1}Square *4 VR=VRRM *2 wave duty=1/2 Sine wave, 10ms *3 IF=Io *4 VR=VRRM 67 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes デュアル #{ Diode 型式 Device type YG865C04R YA865C04R TS865C04R MS865C04 YG868C04R YA868C04R TS868C04R MS868C04 YG862C06R YA862C06R TS862C06R YG865C06R YA865C06R TS865C06R YG868C06R YA868C06R TS868C06R YG869C06R YA869C06R TP869C06R YG862C08R YA862C08R TS862C08R MS862C08 YG865C08R YA865C08R TS865C08R MS865C08 YG868C08R YA868C08R TS868C08R YG869C08R YA869C08R TP869C08R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 45 20 (Tc=115℃) 45 20 (Tc=126℃) 45 20 (Tc=126℃) 45 20 (Tc=125℃) 45 30 (Tc=105℃) 45 30 (Tc=122℃) 45 30 (Tc=122℃) 45 30 (Tc=122℃) 60 10 (Tc=124℃) 60 10 (Tc=136℃) 60 10 (Tc=136℃) 60 20 (Tc=109℃) 60 20 (Tc=122℃) 60 20 (Tc=122℃) 60 30 (Tc=101℃) 60 30 (Tc=119℃) 60 30 (Tc=119℃) 60 40 (Tc=105℃) 60 40 (Tc=114℃) 60 40 (Tc=114℃) 80 10 (Tc=109℃) 80 10 (Tc=126℃) 80 10 (Tc=126℃) 80 10 (Tc=115℃) 80 20 (Tc=89℃) 80 20 (Tc=107℃) 80 20 (Tc=107℃) 80 20 (Tc=108℃) 80 30 (Tc=72℃) 80 30 (Tc=105℃) 80 30 (Tc=105℃) 80 40 (Tc=86℃) 80 40 (Tc=98℃) 80 40 (Tc=98℃) ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) *2 正弦波 10ms. 1チップあたり *3 I =0.5Io 1チップあたり F *4 V =V R RRM 1チップあたり 68 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 145 # ¤ 145 # ¤ 145 # ¤ 145 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 125 # ¤ 125 # ¤ 125 # ¤ 145 # ¤ 145 # ¤ 145 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 125 # ¤ 125 # ¤ 125 # ¤ 125 # ¤ 145 # ¤ 145 # ¤ 145 # ¤ 145 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM*4 VFM*3 Max. Volts Max.mA 0.63 0.175 0.63 0.175 0.63 0.175 0.63 0.175 0.63 0.20 0.63 0.20 0.63 0.20 0.63 0.20 0.68 0.15 0.68 0.15 0.68 0.15 0.74 0.175 0.74 0.175 0.74 0.175 0.74 0.20 0.74 0.20 0.74 0.20 0.70 0.20 0.70 0.20 0.70 0.20 0.76 0.15 0.76 0.15 0.76 0.15 0.76 0.15 0.76 0.175 0.76 0.175 0.76 0.175 0.76 0.175 0.76 0.20 0.76 0.20 0.76 0.20 0.71 0.20 0.71 0.20 0.71 0.20 パッケージ Package # ℃/W 2.5 1.75 1.75 1.75 2.0 1.25 1.25 1.25 3.5 2.0 2.0 2.5 1.75 1.75 2.0 1.25 1.25 1.2 1.0 1.0 3.5 2.0 2.0 3.0 2.5 1.75 1.75 1.75 2.0 1.25 1.25 1.2 1.0 1.0 #~ #!^ #{_ TFP #~ #!^ #{_ TFP #~ #!^ #{_ #~ #!^ #{_ #~ #!^ #{_ #~ #!^ #{ #~ #!^ #{_ TFP #~ #!^ #{_ TFP #~ #!^ #{_ #~ #!^ #{ ( ) Conditions *1}Square *2 *4 wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) Sine wave, 10ms per element *3 IF=0.5Io per element VR=VRRM per element 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 整流ダイオード/Rectifier Diodes 5 ■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes 型式 Device type YG862C10R YA862C10R TS862C10R YG865C10R YA865C10R TS865C10R MS865C10 YG868C10R YA868C10R TS868C10R TP868C10R MS868C10 PA868C10R YG869C10R YA869C10R TP869C10R YG862C12R YA862C12R TP862C12R TS862C12R YG865C12R YA865C12R PH865C12 TP865C12R TS865C12R MS865C12 YG868C12R YA868C12R PH868C12 TS868C12R MS868C12 YG869C12R YA869C12R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 100 10 (Tc=118℃) 100 10 (Tc=132℃) 100 10 (Tc=132℃) 100 20 (Tc=103℃) 100 20 (Tc=117℃) 100 20 (Tc=117℃) 100 20 (Tc=117℃) 100 30 (Tc=91℃) 100 30 (Tc=113℃) 100 30 (Tc=113℃) 100 30 (Tc=113℃) 100 30 (Tc=114℃) 100 30 (Tc=107℃) 100 40 (Tc=94℃) 100 40 (Tc=105℃) 100 40 (Tc=105℃) 120 10 (Tc=122℃) 120 10 (Tc=137℃) 120 10 (Tc=137℃) 120 10 (Tc=137℃) 120 20 (Tc=116℃) 120 20 (Tc=126℃) 120 20 (Tc=126℃) 120 20 (Tc=126℃) 120 20 (Tc=126℃) 120 20 (Tc=126℃) 120 30 (Tc=116℃) 120 30 (Tc=122℃) 120 30 (Tc=122℃) 120 30 (Tc=122℃) 120 30 (Tc=115℃) 120 40 (Tc=95℃) 120 40 (Tc=104℃) ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) *2 正弦波 10ms. 1チップあたり *3 I =0.5Io 1チップあたり F *4 V =V R RRM 1チップあたり 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 125 # ¤ 125 # ¤ 125 # ¤ 145 # ¤ 145 # ¤ 145 # ¤ 145 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 160 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 75 # ¤ 75 # ¤ 75 # ¤ 75 # ¤ 150 # ¤ 150 # ¤ 150 # ¤ 150 # ¤ 150 # ¤ 150 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ # ¤ 190 190 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM*4 VFM*3 Max. Volts Max.mA 0.86 0.15 0.86 0.15 0.86 0.15 0.86 0.175 0.86 0.175 0.86 0.175 0.86 0.175 0.86 0.20 0.86 0.20 0.86 0.20 0.86 0.20 0.86 0.20 0.86 0.20 0.82 0.20 0.82 0.20 0.82 0.20 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.20 0.88 0.20 0.88 0.20 0.88 0.20 0.88 0.20 0.95 0.20 0.95 0.20 パッケージ Package # ℃/W 3.5 2.0 2.0 2.5 1.75 1.75 1.75 2.0 1.25 1.25 1.25 1.2 1.5 1.2 1.0 1.0 3.00 1.20 1.50 1.50 1.75 1.25 1.50 1.25 1.25 1.25 1.20 1.00 1.20 1.00 1.20 1.20 1.00 #~ #!^ #{_ #~ #!^ #{_ TFP #~ #!^ #{_ #{ TFP #% #~ #!^ #{ #~ #!^ #{ #{_ #~ #!^ # #{ #{_ TFP #~ #!^ # #{_ TFP #~ #!^ 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 1.6 0.8 5.1 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.6 1.7 2.0 4.9 1.6 1.6 0.8 1.7 2.0 4.9 1.6 0.8 1.7 2.0 ( ) Conditions *1}Square *2 *4 wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) Sine wave, 10ms per element *3 IF=0.5Io per element VR=VRRM per element 69 Diode デュアル #{ 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes デュアル #{ 型式 Device type YG862C15R YA862C15R TP862C15R TS862C15R YG865C15R PH865C15 PG865C15R YA865C15R TP865C15R TS865C15R MS865C15 YG868C15R YA868C15R TS868C15R MS868C15 PA868C15R PH868C15 YG869C15R YA869C15R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 150 10 (Tc=117℃) 150 10 (Tc=134℃) 150 10 (Tc=134℃) 150 10 (Tc=134℃) 150 20 (Tc=101℃) 150 20 (Tc=109℃) 150 20 (Tc=80℃) 150 20 (Tc=115℃) 150 20 (Tc=115℃) 150 20 (Tc=115℃) 150 20 (Tc=115℃) 150 30 (Tc=113℃) 150 30 (Tc=119℃) 150 30 (Tc=119℃) 150 30 (Tc=113℃) 150 30 (Tc=129℃) 150 30 (Tc=129℃) 150 40 (Tc=90℃) 150 40 (Tc=100℃) Diode ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) *2 正弦波 10ms. 1チップあたり *3 I =0.5Io 1チップあたり F *4 V =V R RRM 1チップあたり 70 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 75 # ¤ 75 # ¤ 75 # ¤ 75 # ¤ 150 # ¤ 150 # ¤ 150 # ¤ 150 # ¤ 150 # ¤ 150 # ¤ 150 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 190 # ¤ 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM*4 VFM*3 Max. Volts Max.mA 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.20 0.90 0.20 0.90 0.20 0.90 0.20 0.90 0.20 0.90 0.20 0.97 0.20 0.97 0.20 パッケージ Package # ℃/W 3.00 1.50 1.50 1.50 1.75 1.50 2.50 1.25 1.25 1.25 1.25 1.20 1.00 1.00 1.20 1.20 1.20 1.20 1.00 #~ #!^ #{ #{_ #~ # #%~ #!^ #{ #{_ TFP #~ #!^ #{_ TFP #% # #~ #!^ ( ) Conditions *1}Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) Sine wave, 10ms per element *3 IF=0.5Io per element *4 V =V R RRM per element *2 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.6 1.6 1.7 4.9 6.0 2.0 1.6 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 0.8 5.5 4.9 1.7 2.0 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ スーパー LLD 2 ( 臨界モード PFC 回路用 ) Super LLD 2 (Critical mode PFC) Super LLD 2 (Critical mode PFC) 結線 VRRM (V) シングル 600 デュアル 800 600 Io (A) 8 10 5 10 VF (V) 1.55 1.55 2.2 1.55 IR(μA) 10 10 10 10 Trr (μsec) 0.05 0.05 0.05 0.05 # #~ # シングル #{ 型式 Device type YA971S6R YG971S6R YA972S6R YG972S6R YG971S8R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 IFSM*2 Volts Amps. Amps. 600 70 8 (Tc=116℃) 600 70 8 (Tc=89℃) 600 10 (Tc=115℃) 100 600 100 10 (Tc=89℃) 800 60 5 (Tc=93℃) ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 *2 正弦波 10ms. *3 V =V R RRM *4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 接合、保存温度 Thermal rating Tj and Tstg ℃ # ¤ # ¤ # ¤ # ¤ # ¤ 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM*3 Max. Volts Max.μA 1.55 (IF=8A) 10 1.55 (IF=8A) 10 1.55 (IF=10A) 10 1.55 (IF=10A) 10 2.2 (IF=5A) 10 パッケージ Package trr*4 μsec. 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 # ℃/W 2.5 4.5 2.0 3.5 4.5 #!^ #~ #!^ #~ #~ 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 2.0 1.7 1.7 ( ) Conditions *1}Square wave duty=1/2 *2 Sine wave, 10ms *3 V =V R RRM *4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F デュアル #{ YA975C6R YG975C6R PH975C6 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 IFSM*2 Volts Amps. Amps. 600 20 (Tc=106℃) 100 600 100 20 (Tc=89℃) 600 100 20 (Tc=97℃) ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) *2 正弦波 10ms. 1チップあたり *3 V =V R RRM 1チップあたり *4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 接合、保存温度 Thermal rating Tj and Tstg ℃ # ¤ # ¤ # ¤ 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM*3 Max. Volts Max.μA 1.55 (IF=10A) 10 1.55 (IF=10A) 10 1.55 (IF=10A) 10 パッケージ Package trr*4 μsec. 0.05 0.05 0.05 # ℃/W 1.25 1.75 1.5 #!^ #~ # 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 4.9 Diode 型式 Device type ( ) Conditions *1}Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) *2 Sine wave, 10ms per element *3 V =V R RRM per element *4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 71 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ スーパー LLD 3 ( 連続モード PFC 回路用 ) Super LLD 3 (Continuous mode PFC) Super LLD 3 (Continuous mode PFC) 結線 VRRM (V) Io (A) シングル 600 8 デュアル 600 10 16 20 VF (V) IR(μA) Trr (μsec) 3 25 0.026 3 30 0.028 3 25 0.026 3 30 0.028 # #~ #% # #{_ シングル #{ 型式 Device type YA981S6R YG981S6R YA982S6R YG982S6R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 600 8 (Tc=99℃) 600 8 (Tc=58℃) 600 10 (Tc=99℃) 600 10 (Tc=60℃) IFSM*2 Amps. 40 40 50 50 ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 *2 正弦波 10ms. *3 V =V R RRM *4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 接合、保存温度 Thermal rating Tj and Tstg ℃ # ¤ # ¤ # ¤ # ¤ 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM*3 Max. Volts Max.μA 3.0 (IF=8A) 25 3.0 (IF=8A) 25 30 3.0 (IF=10A) 30 3.0 (IF=10A) パッケージ Package trr*4 μsec. 0.026 0.026 0.028 0.028 # ℃/W 2.5 4.5 2.0 3.5 #!^ #~ #!^ #~ 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 2.0 1.7 ( ) Conditions *1}Square wave duty=1/2 *2 Sine wave, 10ms *3 VR=VRRM *4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F デュアル #{ Diode 型式 Device type YA982C6R TS982C6R YG982C6R YA985C6R TS985C6R YG985C6R PH985C6 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 600 16 (Tc=88℃) 600 16 (Tc=88℃) 600 16 (Tc=68℃) 600 20 (Tc=86℃) 600 20 (Tc=86℃) 600 20 (Tc=60℃) 600 20 (Tc=73℃) IFSM*2 Amps. 40 40 40 50 50 50 50 ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2(センタータップ平均出力電流) *2 正弦波 10ms. 1チップあたり *3 V =V R RRM 1チップあたり *4 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A F 72 接合、保存温度 Thermal rating Tj and Tstg ℃ # ¤ # ¤ # ¤ # ¤ # ¤ # ¤ # ¤ 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM*3 Max. Volts Max.μA 3.0 (IF=8A) 25 3.0 (IF=8A) 25 25 3.0 (IF=8A) 30 3.0 (IF=10A) 30 3.0 (IF=10A) 30 3.0 (IF=10A) 30 3.0 (IF=10A) パッケージ Package trr*4 μsec. 0.026 0.026 0.026 0.028 0.028 0.028 0.028 # ℃/W 1.5 1.5 2 1.25 1.25 1.75 1.5 #!^ #{_ #~ #!^ #{_ #~ # 質 量 Net mass Grams 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 4.9 ( ) Conditions *1}Square wave duty 1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) *2 Sine wave, 10ms per element *3 V =V R RRM per element *4 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A F 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 低損失超高速ダイオード Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) 結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(μA) Trr (μsec) シングル 200 5 0.95 100 0.035 デュアル 300 200 300 10 5 5 10 20 5 10 20 0.98 1.2 0.95 0.95 0.98 1.2 1.2 1.2 200 100 100 100 200 100 100 200 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 #~ ¥#{ ¥#{_ TFP シングル #{ KP926S2 KS926S2 YG911S2R YG912S2R YG911S3R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 200 5 (Tc=106℃) 200 5 (Tc=106℃) 200 5 (Tc=134℃) 200 10 (Tc=116℃) 300 5 (Tc=128℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 70 # ¤ 70 # ¤ 50 # ¤ 80 # ¤ 40 # ¤ ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 *2 正弦波 10ms. *3 I =Io *4 V =V F R RRM *5 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM*4 VFM*3 Max. Volts Max.μA 0.95 100 0.95 100 0.95 100 0.98 200 1.2 100 パッケージ Package trr*5 μsec. 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 ( ) Conditions *1}Square wave duty 1/2 *2 Sine wave, 10ms *3 IF=Io *5 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A F # ℃/W 10.0 10.0 3.5 3.5 3.5 *4 ¥#{ ¥#{_ #~ #~ #~ 質 量 Net mass Grams 0.6 0.6 1.7 1.7 1.7 VR=VRRM Diode 型式 Device type デュアル #{ 型式 Device type KP923C2 KS923C2 YG901C2R YG902C2R YG906C2R MS906C2 YG901C3R YG902C3R MS906C3 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 200 5 (Tc=103℃) 200 5 (Tc=103℃) 200 5 (Tc=120℃) 200 10 (Tc=115℃) 200 20 (Tc=102℃) 200 20 (Tc=105℃) 300 5 (Tc=105℃) 300 10 (Tc=101℃) 300 20 (Tc=95℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 50 # ¤ 50 # ¤ 25 # ¤ 50 # ¤ 80 # ¤ 80 # ¤ 25 # ¤ 40 # ¤ 80 # ¤ ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) *2 正弦波 10ms. 1チップあたり *3 I =0.5Io 1チップあたり F *4 V =V R RRM 1チップあたり *5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM*4 VFM*3 Max. Volts Max.μA 0.95 100 0.95 100 0.95 100 0.95 100 0.98 200 0.98 200 1.2 100 1.2 100 1.2 200 パッケージ Package trr*5 μsec. 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 # ℃/W 10.0 10.0 5.0 3.5 2.5 2.0 5.0 3.5 2.0 ¥#{ ¥#{_ #~ #~ #~ TFP #~ #~ TFP 質 量 Net mass Grams 0.6 0.6 1.7 1.7 1.7 0.8 1.7 1.7 0.8 ( ) Conditions *1}Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) Sine wave, 10ms per element *3 IF=0.5Io per element *4 V =V R RRM per element *5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F *2 73 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 低損失超高速低ノイズダイオード Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD) # Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD) #~ #%~ #{_ ¥#{_ 結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(μA) Trr (μsec) シングル 300 5 1.3 20 0.04 デュアル 400 300 400 5 10 20 10 20 1.45 1.3 1.3 1.45 1.45 20 20 35 20 35 0.05 0.04 0.04 0.05 0.05 TFP シングル #{ 型式 Device type KS986S3 KS986S4 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 300 5 (Tc=128℃) 400 5 (Tc=125℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 90 # ¤ 80 # ¤ ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 *2 正弦波 10ms. *3 I =Io *4 V =V F R RRM *5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM*4 VFM*3 Max. Volts Max.μA 1.3 20 1.45 20 パッケージ Package trr*5 μsec. 0.04 0.05 # ℃/W 3.5 3.5 ¥#{_ ¥#{_ 質 量 Net mass Grams 0.6 0.6 ( ) Conditions *1}Square wave duty=1/2 *3 I =Io per element Sine wave, 10ms F *5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F *2 *4 VR=VRRM Diode デュアル #{ 型式 Device type YG982C3R YA982C3R TS982C3R YG985C3R YA985C3R TS985C3R MS985C3 PG985C3R YG982C4R YA982C4R TS982C4R YG985C4R YA985C4R TS985C4R MS985C4 PG985C4R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 300 10 (Tc=112℃) 300 10 (Tc=128℃) 300 10 (Tc=128℃) 300 20 (Tc=105℃) 300 20 (Tc=118℃) 300 20 (Tc=118℃) 300 20 (Tc=118℃) 300 20 (Tc=73℃) 400 10 (Tc=107℃) 400 10 (Tc=125℃) 400 10 (Tc=125℃) 400 20 (Tc=100℃) 400 20 (Tc=114℃) 400 20 (Tc=114℃) 400 20 (Tc=114℃) 400 20 (Tc=64℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 90 # ¤ 90 # ¤ 90 # ¤ 110 # ¤ 110 # ¤ 110 # ¤ 110 # ¤ 110 # ¤ 80 # ¤ 80 # ¤ 80 # ¤ 100 # ¤ 100 # ¤ 100 # ¤ 100 # ¤ 100 # ¤ ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) *2 正弦波 10ms. 1チップあたり *3 I =0.5Io 1チップあたり F *4 V =V R RRM 1チップあたり *5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 74 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM*4 VFM*3 Max. Volts Max.μA 1.3 20 1.3 20 1.3 20 1.3 35 1.3 35 1.3 35 1.3 35 1.3 35 1.45 20 1.45 20 1.45 20 1.45 35 1.45 35 1.45 35 1.45 35 1.45 35 パッケージ Package trr*5 μsec. 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 # ℃/W 3 1.75 1.75 1.75 1.25 1.25 1.25 3 3 1.75 1.75 1.75 1.25 1.25 1.25 3 #~ #!^ #{_ #~ #!^ #{_ TFP #%~ #~ #!^ #{_ #~ #!^ #{_ TFP #%~ 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 0.8 6.0 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 0.8 6.0 ( ) Conditions *1}Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) *2 Sine wave, 10ms per element *3 IF=0.5Io per element *4 V =V R RRM per element *5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes (SBD) #% Schottky-Barrier Diodes (SBD) 結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(μA) 40 10 0.55 5 シングル / 20 0.6 15 デュアル 60 30 30 0.55 0.58 #%~ 20 20 #{_ ¥#{_ シングル / デュアル #{#{ 型式 Device type 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 40 10 (Tc=116℃) 40 10 (Tc=116℃) 40 20 (Tc=110℃) 40 30 (Tc=105℃) 40 30 (Tc=118℃) 60 30 (Tc=106℃) 60 30 (Tc=115℃) 60 30 (Tc=119℃) TP802C04R TS802C04R TS805C04R ESAD83M-004RR ESAD83-004R ESAD83M-006RR TS808C06R ESAD83-006R 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 120 # ¤ 120 # ¤ 120 # ¤ 150 # ¤ 150 # ¤ 120 # ¤ 120 # ¤ 120 # ¤ ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) *2 正弦波 10ms. 1チップあたり *3 1チップあたり *4 V =V *5 シングル品 R RRM 1チップあたり 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM*4 VFM*3 Max.mA Max. Volts 0.55 (IF=4.0A) 5 0.55 (IF=4.0A) 5 0.6 (IF=10A) 15 0.55 (IF=12.5A) 20 0.55 (IF=12.5A) 20 0.58 (IF=12.5A) 20 0.58 (IF=12.5A) 20 0.58 (IF=12.5A) 20 パッケージ Package # ℃/W 3.0 3.0 2.0 1.7 1.2 1.7 1.2 1.2 質 量 Net mass Grams 1.6 1.6 1.6 6.0 5.5 6.0 1.6 5.5 #{ #{_ #{_ #%~ #% #%~ #{_ #% ( ) Conditions *1}Square wave duty=1/2 (Average *2 Sine wave, 10ms per element *4 V =V R RRM per element forward current of centertap full wave connection) *3 per element *5#{ Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) # 結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(μA) Trr (μsec) シングル / 200 5 0.95 100 0.035 10 0.95 100 0.035 デュアル 300 400 20 20 10 20 20 0.95 0.98 1.2 1.2 1.5 200 200 100 200 500 #% 0.04 0.035 0.035 0.04 0.05 #%~ #{_ ¥#{_ Diode ■ 低損失超高速ダイオード Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) シングル / デュアル #{#{ 型式 Device type TP901C2R TP902C2R TS902C2R ESAD92M-02RR TP906C2R TS906C2R ESAD92-02R TP902C3R TS902C3R ESAD92-03R ESAD92M-03RR PA905C4R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 200 5 (Tc=120℃) 200 10 (Tc=125℃) 200 10 (Tc=125℃) 200 20 (Tc=108℃) 200 20 (Tc=110℃) 200 20 (Tc=110℃) 200 20 (Tc=115℃) 300 10 (Tc=115℃) 300 10 (Tc=115℃) 300 20 (Tc=110℃) 300 20 (Tc=96℃) 400 20 (Tc=107℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 25 # ¤ 50 # ¤ 50 # ¤ 100 # ¤ 80 # ¤ 80 # ¤ 100 # ¤ 40 # ¤ 40 # ¤ 80 # ¤ 80 # ¤ 70 # ¤ ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) *2 正弦波 10ms. 1チップあたり *3 1チップあたり *4 V =V *5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A R RRM 1チップあたり F *6 シングル品 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM*4 VFM*3 Max. Volts Max.μA 0.95 (IF=2.5A) 100 0.95 (IF=5A) 100 0.95 (IF=5A) 100 0.95 (IF=10A) 200 0.98 (IF=10A) 200 0.98 (IF=10A) 200 0.95 (IF=10A) 200 1.2 (IF=5A) 100 1.2 (IF=5A) 100 1.2 (IF=10A) 200 1.2 (IF=10A) 200 1.5 (IF=10A) 500 パッケージ Package trr*5 μsec. 0.035 0.035 0.035 0.04 0.035 0.035 0.04 0.035 0.035 0.04 0.04 0.05 # ℃/W 5.0 2.5 2.5 2.0 2.0 2.0 1.5 2.5 2.5 1.5 2.0 1.5 #{ #{ #{_ #%~ #{ #{_ #% #{ #{_ #% #%~ #% 質 量 Net mass Grams 1.6 1.6 1.6 6.0 1.6 1.6 5.5 1.6 1.6 5.5 6.0 5.5 ( ) Conditions *1}Square wave duty=1/2 (Average *2 Sine wave, 10ms per element *4 V =V R RRM per element *6#{ forward current of centertap full wave connection) *3 per element *5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A 75 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 600V 超高速ダイオード Ultra Fast Recovery Diodes Ultra Fast Recovery Diodes 結線 シングル VRRM (V) 600 デュアル 600 Io (A) 15 25 35 50 70 VF (V) 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 IR(μA) 250 250 250 250 250 Trr (μsec) 0.031 0.033 0.036 0.033 0.036 # # # シングル 1 in one-package 型式 Device type FDRP15S60L FDRW15S60L FDRP25S60L FDRW25S60L FDRW35S60L 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 600 15 (Tc=98°C) 600 15 (Tc=85°C) 600 25 (Tc=86°C) 600 25 (Tc=86°C) 600 35 (Tc=91°C) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 110 # ¤ 110 # ¤ 125 # ¤ 125 # ¤ 140 # ¤ ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 *2 正弦波 10ms. 1 パルス *3 I =Io F *4 V =V *5 V =30V, I '#! R RRM R F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM*4 trr*5 VFM*3 Max. Volts Max.μA μsec. 2.6 250 0.031 2.6 250 0.031 2.6 250 0.033 2.6 250 0.033 2.6 250 0.036 パッケージ Package # ℃/W 1.6 2.0 1.2 1.2 0.8 #!^ # # #!^ # # # # 質 量 Net mass Grams 2.0 4.9 2.0 4.9 4.9 ( ) Conditions *1}_|"$ *2 *4 *3 I =Io Sine wave, 10ms 1shot F *5 V =30V, I '#! VR=VRRM R F Diode デュアル 2 in one-package 型式 Device type FDRW50C60L FDRW70C60L 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 600 50 (Tc=86°C) 600 70 (Tc=91°C) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 125 # ¤ 140 # ¤ duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) *3 I =0.5 Io, 1チップあたり 正弦波 10ms. 1チップあたり F *4 V =V R RRM 1チップあたり *5 V =30V, I '#!チップあたり R F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM*4 trr*5 VFM*3 Max. Volts Max.μA μsec. 2.6 250 0.033 2.6 250 0.036 パッケージ Package # ℃/W 0.6 0.4 # # # # ( ) 条件 ( ) Conditions *1}方形波 *1}_|"$@@&&" *2 *2 76 質 量 Net mass Grams 4.9 4.9 *3 I =0.5 Io, Rating per element Sine wave, 10ms 1shot, Rating per element F VR=VRRM, Rating per element *5 V =30V, I '#!&Y R F *4 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 1200V 低ノイズ高速ダイオード Soft Recovery Fast Recovery Diodes Soft Recovery Fast Recovery Diodes 結線 シングル VRRM (V) 1200 デュアル 1200 Io (A) 12 20 30 40 60 VF (V) 2.8 2.8 2.8 2.8 2.8 IR(μA) 250 250 250 250 250 Trr (μsec) 0.042 0.055 0.063 0.055 0.063 # # # シングル 1 in one-package FDRP12S120J FDRW12S120J FDRP20S120J FDRW20S120J FDRW30S120J 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 1200 12 (Tc=100°C) 1200 12 (Tc=97°C) 1200 20 (Tc=98°C) 1200 20 (Tc=88°C) 1200 30 (Tc=89°C) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 100 # ¤ 100 # ¤ 120 # ¤ 120 # ¤ 150 # ¤ ( ) 条件 *1}方形波 duty=1/2 *2 正弦波 10ms. 1 パルス *3 I =Io F *4 V =V *5 V =30V, I '#! R RRM R F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM*4 trr*5 VFM*3 Max. Volts Max.μA μsec. 2.8 250 0.042 2.8 250 0.042 2.8 250 0.055 2.8 250 0.055 2.8 250 0.063 パッケージ Package # ℃/W 1.5 1.6 1.0 1.2 0.781 #!^ # # #!^ # # # # 質 量 Net mass Grams 2.0 4.9 2.0 4.9 4.9 ( ) Conditions *1}_|"$ *2 *4 *3 I =Io Sine wave, 10ms 1shot F *5 V =30V, I '#! VR=VRRM R F デュアル 2 in one-package 型式 Device type FDRW40C120J FDRW60C120J 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO*1 Volts Amps. 1200 40 (Tc=98°C) 1200 60 (Tc=87°C) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM*2 Tj and Tstg Amps. ℃ 120 # ¤ 150 # ¤ duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) *2 正弦波 10ms. 1チップあたり *3 I =0.5 Io, 1チップあたり F *4 V =V R RRM 1チップあたり *5 V =30V, I '#!チップあたり R F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM*4 trr*5 VFM*3 Max. Volts Max.μA μsec. 2.8 250 0.055 2.8 250 0.063 パッケージ Package # ℃/W 0.5 0.397 # # # # ( ) 条件 ( ) Conditions *1}方形波 *1}_|"$@@&&" 質 量 Net mass Grams 4.9 4.9 *2 *3 I =0.5 Io, Rating per element Sine wave, 10ms 1shot, Rating per element F VR=VRRM, Rating per element *5 V =30V, I '#!&Y R F *4 77 Diode 型式 Device type
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