1. No category

V o l t a g e
P r o t e c t i o n
D e v i c e s
September 2014
チップバリスタ
サージ電圧、静電気対策用
AVRシリーズ
AVRM0402/AVRL0402
AVRM0603/AVRL0603
AVRM1005/AVRL1005
AVRM1608/AVRL1608
AVRM2012
0402 [01005 inch]*
0603 [0201 inch]
1005 [0402 inch]
1608 [0603 inch]
2012 [0805 inch]
* 寸法コードを表します。JIS[EIA]
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Voltage Protection Devices
ご使用上の注意事項
本製品をご使用の前に、必ず納入仕様書をお取り寄せ下さい。
安全上のご注意
本製品のご使用にあたっては、注意事項に十分留意され安全設計を行って下さい。
注 意
本製品をご使用に当たっては、注意事項に十分留意され、安全設計を行って下さい。
チップバリスタの性能劣化や素子破壊の原因となる恐れがありますので、次の事項を厳守して下さい。
本製品は室温 5 ∼ 40°C、湿度 20 ∼ 70%RH の環境下で保管し、6ヶ月以内にご使用下さい。
保管状態により端部電極のはんだ付け性を劣化させますので、保管の際は湿度、結露、ホコリ、有毒ガス（水素・硫化水素・亜硫
酸・塩素・アンモニア等）
、直射日光等に十分注意して下さい。
実装時に落下した製品や取り外した製品は使用しないで下さい。
はんだ付けはリフロー方式とし、フロー（ディップ）方式では行わないで下さい。
バリスタの性能劣化や素子の原因となり、最終的に素子が発熱・発煙に至る恐れがありますので、次の事項を厳守して下さい。
直射日光の当たる所や、発熱近傍などの使用温度範囲を超える温度では使用しないで下さい。
直接風雨にさらされる所や蒸気の出る所などの高湿度の所では使用しないで下さい。
粉塵の多い所、塩分の多い所、腐食性ガスなどで汚染された雰囲気では使用しないで下さい。
製品に亀裂が入るような強い振動、衝撃（落下など）や圧力を加えないで下さい。
最大許容回路電圧を超える電圧では使用しないで下さい。
バリスタを樹脂コーティング（モジュール含む）する場合、バリスタを劣化させるような樹脂を使用しないで下さい。内部電極に
パラジウムを使用しているため、水素を発生する樹脂を絶対に使用しないで下さい。
可燃物の近傍には取り付けないで下さい。
高度な安全性や信頼性が必要とされ、または製品の故障、誤動作、不具合が人の生命、身体や財産などに損害を及ぼす恐れがあり、
もしくは社会的に重要な影響を与える恐れのある機器（自動車・航空機・医療機器・原子力装置など、以下 ‘ 特定用途 ’）に製品の使
用を検討される場合、および本カタログの範囲、条件を超えて製品を使用される場合は、弊社営業へご連絡下さい。
本製品を車載用途にご使用になる場合は、ご一報下さい。
本カタログの範囲、条件を超え、または特定用途に使用されたことにより発生した損害等については、その責任を負いかねますので
ご了承願います。
なお、本製品を使用する機器の設計にあたっては、当該機器の使用用途および態様に応じた保護回路・装置の確保やバックアップ回
路を設ける等して下さい。
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
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Voltage Protection Devices
チップバリスタ
RoHS指令対応製品
鉛フリーはんだ対応
サージ電圧、
静電気対策用
AVRシリーズの概要
チップバリスタの特性
バリスタ（Varistor）は、一定値以上の電圧が印加されると抵抗値が急減する電圧依存性の非直線抵抗素子です。バリスタは、2個直列接続の
ツェナーダイオード（Zener diode）と等価です。従って、極性を持ちません。
チップバリスタとツェナーダイオードの電圧−電流特性比較
等価回路
2 Zener Diodes
Current(A)
10–1
10–2 Zener diode
/Vz:6.8V
Positive direction
10–3
Chip varistor
/V1mA:12V
10–4
A capacitance content
10–5
–18 –14
–10
–6
–2
2
–10–5
6
10
14
18
–10–4
–10–3
Negative direction
–10–2
–10–1
Voltage(V)
バリスタの効果
バリスタがない場合
電子装置の誤動作と破損の恐れがあります。
ESD, Surge voltage
ESD, Surge voltage
Power line
Signal line
バリスタを使用した場合
バリスタを回路に挿入することで、異常電圧を抑制します。
IC
IC
Power line
Signal line
Insert a varistor between
a line and ground
: Chip varistor
RoHS指令対応製品：RoHS指令対応製品の詳細はこちらです。http://product.tdk.com/ja/environment/rohs/
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
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Voltage Protection Devices
AVR シリーズの概要
測定回路
Sample
IC
Test
board
USB2.0
board on
PC
Test set
: Chip varistor
バリスタなし
バリスタ挿入
AVRL101A3R3FTA (3.3pF)
AVRL101A6R8GTA (6.8pF)
ツェナーダイオードからの置き換えメリット
(1) 部品点数の削減
削減例
ツェナーダイオード+コンデンサ
チップバリスタ
オーディオ端子での置き換え例
Audio
connector
Audio/out
Audio
AMP
Audio/out
Audio
AMP
Audio
connector
: Chip varistor
Insulation resistance
of tested circuit(Ω)
(2) 静電気吸収能力のアップ
IC保護に関するチップバリスタとツェナーダイオードのデータ比較
AVRタイプバリスタとツェナーダイオードによるCMOS-ICのESD測定
10–7
AVR-M1608C120MT6AB
10–6
10–5
With Zener Diode
10–4
10–3
0
2
4
6
8
10
ESD voltage(kV)
12
14
CMOS: D74HC04C
ESD generator : Noise Laboratory Co.,Ltd., ESS -630A
200pF-0Ω method model equipment
Contact type discharge
ESD applied point: Vcc-ground
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
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Voltage Protection Devices
AVR シリーズの概要
特徴
電流-電圧特性が対称であるため極性がありません。ツェナーダイオード（アノードコモンタイプ）と同等です。
優れた静電気吸収能力を有します。応答性は、ツェナーダイオードと同等以上、静電気吸収後でも電流-電圧特性の対称性を維持し
ます。
積層内部電極構造を採用しました。
・幅広いバリスタ電圧をシリーズ化（6.8∼90V）
・低静電容量品をシリーズ化（1.1pF∼）
・0402、0603、1005、1608、2012サイズをシリーズ化
優れた実装信頼性、鉛フリーはんだ付けに対応しています。電気めっき（ニッケル/ スズ）を採用し、良好なはんだ付け性、はんだ
耐熱性を実現しました。
ツェナーダイオード+コンデンサからの置換が可能です。省スペース化、トータル実装コストを低減します。
アプリケーション
静電気吸収
パルスノイズ吸収
使用例
セット
携帯電話
デジタルビデオカメラ
デジタルカメラ
PDA
ノートPC
DVD-ROM、CD-ROM
CD/MD/MP3プレイヤ
ゲーム機
車載機器
対策用途
データ端子
LCDパネル
タッチパネル
ボタン・スイッチ部
バッテリ端子
オーディオ・ビデオ入出力端子
マイク・レシーバ部
コントローラ部
CAN-BUS
ECU
コネクタ
エアコンパネル
カーオーディオ
カーナビゲーション
スマートフォン
オーディオ、ビデオ
To LCD driver
Monitor
OUT
Video1
in
Video2
in
Video3
in
Video5
in
Microphone/Receiver
Digi
LCD panel
Video
Video
Video
Video
L L/MONO L/MONO L/MONO L/MONO
Button
Data terminal
Audio
: Chip varistor
USB2.0
Audio
Audio
Audio
Audio
R
VDD
USB cable
USB IC
D–
D+
: Chip varistor
USB connector
F.G.
: Chip varistor
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Voltage Protection Devices
AVR シリーズの概要
品番の呼称法
AVRM
1005
C
6R8
シリーズ名
L×W 寸法
(mm)
構造
バリスタ電圧
(V)
0402
0603
1005
1608
2012
0.4×0.2
0.6×0.3
1.0×0.5
1.6×0.8
2.0×1.2
6R8
270
N
バリスタ
電圧許容差
(%)
K
±10
M
±20
N
±30
6.8
27
T
B
T
101
N
包装形態
静電容量
または管理記号
テーピング
バルク
静電容量
許容差 (%)
M
±20
N
±30
品番内に静電容量が含まれていない場合は、静電容量許容差も表記されません。
AVRL
10
シリーズ名
L×W 寸法
(mm)
04
06
10
16
1A
最大許容
回路電圧
(Vdc)
1A
10
1C
16
1E
25
0.4×0.2
0.6×0.3
1.0×0.5
1.6×0.8
3R3
F
静電容量
(pF)
1R1
2R2
3R3
6R8
1.1
2.2
3.3
6.8
D
F
G
N
静電容量
許容差
(pF)
±0.5
±1
±2
±0.3
T
T
A
包装形態
バリスタ電圧
または管理記号
テーピング
使用温度範囲、梱包数量、製品重量
温度範囲
タイプ
AVRM0402
AVRL0402
AVRM0603
AVRL0603
AVRM1005
AVRL1005
AVRM1608
AVRL1608
AVRM2012
動作温度 （°C）
–40 to +85
–40 to +85
–40 to +85
–40 to +85
–40 to +125
–40 to +85
–40 to +125
–40 to +85
–40 to +125
保存温度 （°C）
–40 to +85
–40 to +85
–40 to +85
–40 to +85
–40 to +125
–40 to +85
–40 to +125
–40 to +85
–40 to +125
梱包数量
単重量
（個 / リール）
20,000
20,000
15,000
15,000
10,000
10,000
4,000
4,000
2,000
（mg）typ.
0.1
0.1
0.2
0.2
1.2
1.2
5
5
12
動作温度範囲は自己温度上昇を含みます。
保存温度範囲は基板実装後を示します。
使用電圧範囲
AVRM0402/AVRL0402 types
25
AVRM0603/AVRL0603 types
25
19
AVRM1005/AVRL1005 types
AVRM1608/AVRL1608 types
28
AVRM2012 type
28
0
5
10
15
20
Circuit voltage(V)
25
30
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Voltage Protection Devices
AVR シリーズの概要
用語説明
項目
バリスタ電圧
（ブレイクダウン電圧）
単位
V1mA
(V)
最大許容回路電圧
（定格電圧）
Vdc
(V)
Vcl
(V)
E
(Joule)
Ip
(A)
C
(pF)
Rdc
(M: )
クランプ電圧
エネルギー耐量
サージ電流
静電容量
絶縁抵抗
1
説明
DC1mAを流した時のバリスタ端子電圧値
DC電圧を連続して印加可能な電圧値
バリスタリーク電流値：50μA max.
（最大許容回路電圧範囲内）
規定ピーク電流値のインパルス電流
（8/20μs1）
を印加した際のバリスタ端子電圧値
バリスタ特性劣化が発生しない最大エネルギー値
インパルス電流
（10/1000μs2）を1回印加したとき、
を1回印加したとき、バリスタ特性劣化が発生しない最大電流値
インパルス電流
（8/20μs1）
オシレータ周波数1kHz
（または1MHz）、
オシレータ電圧1Vrmsでの静電容量値
規定の電圧を印加した際のバリスタ絶縁抵抗値
8/20μs 試験波形
Current
100%
90%
50%
8μs
20μs
Time
2
10/1000μs 試験波形
Energy
100%
90%
50%
10μs
1000μs
Time
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AVR シリーズの概要
推奨リフロープロファイル
Preheating
Soldering
Natural
cooling
Peak
T: Temperature
T4
T3
T2
T3
t3
T1
t1
t2
t: Time
Preheating
Temp.
T1
T2
150°C
180°C
Time
t1
120s max.
Soldering
Temp.
Time
T3
t2
230°C
40s max.
Peak
Temp.
T4
260°C max.
Time
t3
5s
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Voltage Protection Devices
AVR シリーズ
AVRM0402/AVRL0402タイプ
形状と寸法
構造図
0.4±0.02
0.2±0.02
Inner electrode
Varistor body
(Palladium) (Zinc Oxide: ZnO semiconductor ceramics)
Sn plating
Ag termination
underlayer
Ni plating
0.2±0.02
0.07 min.
Dimensions in mm
回路図
0.18 to 0.2
推奨ランドパターン
0.15 to 0.2
0.2
0.15 to 0.2
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Voltage Protection Devices
AVR シリーズ AVRM0402/AVRL0402 タイプ
電気的特性
特性規格表
AVRM0402
バリスタ電圧
（ブレイクダウン電圧）
品番
AVRM0402C6R8NT101N
AVRM0402C120MT330N
V1mA(V)
[DC1mA]
6.8 (4.76 to 8.84)
12
(9.6 to 14.4)
最大許容
回路電圧
（定格電圧）
Vdc(V)
max.
3.5
5.5
クランプ
電圧
エネルギー
耐量
サージ電流
静電容量
Vcl(V)
[8/20μs]
E(Joule)
[10/1000μsec]
max.
0.01
0.005
Ip(A)
[8/20μs]
max.
4
1
C(pF)
[1kHz, 1Vrms]
typ.
100 (70 to 130)
33 (23.1 to 43.9)
15[1A]
20[1A]
AVRL0402
品番
AVRL041E1R1NTA
バリスタ電圧
（ブレイクダウン電圧）
V1mA(V)
[DC1mA]
typ.
39
最大許容回路電圧
（定格電圧）
Vdc(V)
max.
25
静電容量
絶縁抵抗
C(pF)
[1MHz, 1Vrms]
Rdc(M:)
[3Vrms]
min.
10
1.1[0.8 to 1.4]
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Voltage Protection Devices
AVR シリーズ AVRM0402/AVRL0402 タイプ
電気的特性
電流電圧特性
インピーダンス周波数特性
100
1000000
10–1
100000
10000
V1mA=12V
Current(A)
V1mA=6.8V
V1mA=39V
Impeadance(Ω)
10–2
10–3
10–4
1.1pF
100
33pF
10–5
10
10–6
1
10–7
0
10
20
30
Voltage(V)
40
0.1
50
伝送特性
100pF
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
静電容量周波数特性
10
1000
1.1pF
0
100
–20
33pF
100pF
–30
Capacitance(pF)
–10
Insertion loss(dB)
1000
100pF
33pF
10
–40
1.1pF
1
–50
–60
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
0.1
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
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Voltage Protection Devices
AVR シリーズ
AVRM0603/AVRL0603タイプ
形状と寸法
構造図
0.6±0.03
0.3±0.03
Inner electrode
Varistor body
(Palladium) (Zinc Oxide: ZnO semiconductor ceramics)
Sn plating
Ag termination
underlayer
Ni plating
0.3±0.03
0.1 min.
Dimensions in mm
回路図
0.25 to 0.35
推奨ランドパターン
0.2 to 0.3 0.25 to 0.35 0.2 to 0.3
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Voltage Protection Devices
AVR シリーズ AVRM0603/AVRL0603 タイプ
電気的特性
特性規格表
AVRM0603
バリスタ電圧
（ブレイクダウン電圧）
品番
AVRM0603C6R8NT331N
AVRM0603C6R8NT101N
AVRM0603C080MT101N
AVRM0603C120MT101N
AVR-M0603C120MTAAB
AVRM0603C120MT150N
AVRM0603C200MT150N
V1mA(V)
[DC1mA]
6.8
6.8
8
12.8
12
12.8
20
( 4.76 to 8.84)
( 4.76 to 8.84)
( 6.4 to 9.6)
(10
to 15.6)
( 9.6 to 14.4)
(10
to 15.6)
(16.0 to 24.0)
最大許容
回路電圧
（定格電圧）
Vdc(V)
max.
3.5
3.5
5.5
5.5
7.5
5.5
12
クランプ
電圧
エネルギー
耐量
サージ電流
静電容量
Vcl(V)
[8/20μs]
E(Joule)
[10/1000μsec]
max.
0.02
0.01
0.01
0.01
0.01
0.003
0.01
Ip(A)
[8/20μs]
max.
16
10
4
5
1
1
1
C(pF)
[1kHz, 1Vrms]
typ.
330 (231 to 429)
100 ( 70 to 130)
100 ( 70 to 130)
100 ( 70 to 130)
33
15 ( 10.5 to 19.5)
15 ( 10.5 to 19.5) [1MHz]
14[1A]
14[1A]
17[1A]
20[1A]
23[1A]
35[1A]
40[1A]
AVRL0603
品番
AVRL061E1R1NTA
バリスタ電圧
（ブレイクダウン電圧）
V1mA(V)
[DC1mA]
typ.
39
最大許容回路電圧
（定格電圧）
Vdc(V)
max.
25
静電容量
絶縁抵抗
C(pF)
[1MHz, 1Vrms]
Rdc(M:)
[3Vrms]
min.
10
1.1[0.8 to 1.4]
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Voltage Protection Devices
AVR シリーズ AVRM0603/AVRL0603 タイプ
電気的特性
電流電圧特性
インピーダンス周波数特性
100
1000000
10–1
100000
10000
10–2
Current(A)
Impeadance(Ω)
V1mA=12V
V1mA=6.8V
V1mA=39V
10–3
10–4
100pF
10–6
1
10
20
30
Voltage(V)
40
0.1
50
伝送特性
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
静電容量周波数特性
10
1000
1.1pF
0
100
–20
15pF
–30
33pF
100pF
Capacitance(pF)
–10
Insertion loss(dB)
100
10
0
1.1pF
33pF
10–5
10–7
15pF
1000
100pF
33pF
15pF
10
–40
1.1pF
1
–50
–60
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
0.1
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
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Voltage Protection Devices
AVR シリーズ
AVRM1005/AVRL1005タイプ
形状と寸法
構造図
1.0±0.05
0.5±0.05
Inner electrode
Varistor body
(Palladium) (Zinc Oxide: ZnO semiconductor ceramics)
Sn plating
Ag termination
underlayer
Ni plating
0.5±0.05
0.1 min.
Dimensions in mm
回路図
0.4 to 0.6
推奨ランドパターン
0.35 to 0.45 0.3 to 0.5 0.35 to 0.45
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
(16/26)
Voltage Protection Devices
AVR シリーズ AVRM1005/AVRL1005 タイプ
電気的特性
特性規格表
AVRM1005
バリスタ電圧
（ブレイクダウン電圧）
品番
AVRM1005C6R8NT331N
AVRM1005C6R8NT101N
AVR-M1005C080MTAAB
AVR-M1005C080MTADB
AVR-M1005C080MTABB
AVR-M1005C080MTACB
AVR-M1005C120MTACC
AVR-M1005C120MTAAB
AVR-M1005C180MTAAB
AVRM1005C270KT101N
AVR-M1005C270MTAAB
AVR-M1005C270MTABB
V1mA(V)
[DC1mA]
6.8
6.8
8
8
8
8
12
12
18
27
27
27
( 4.76 to 8.84)
( 4.76 to 8.84)
( 6.4 to 9.6)
( 6.4 to 9.6)
( 6.4 to 9.6)
( 6.4 to 9.6)
( 9.6 to 14.4)
( 9.6 to 14.4)
(14.4 to 21.6)
(24
to 30)
(21.6 to 32.4)
(21.6 to 32.4)
最大許容
回路電圧
（定格電圧）
Vdc(V)
max.
3.5
3.5
5.5
5.5
5.5
5.5
7.5
7.5
11
19
15
15
クランプ
電圧
エネルギー
耐量
サージ電流
静電容量
Vcl(V)
[8/20μs]
E(Joule)
[10/1000μsec]
max.
0.008
0.02
0.04
0.04
0.02
0.01
0.01
0.05
0.06
0.06
0.06
0.05
Ip(A)
[8/20μs]
max.
24
10
25
25
3
1
24
10
16
4
4
1
C(pF)
[1kHz, 1Vrms]
typ.
330 (231 to 429)
100 ( 70 to 130)
650
480
100
33
460 [1MHz]
130
120 [1MHz]
100 ( 70 to 130)
40
15
15[1A]
14[1A]
14[1A]
14[1A]
15[1A]
19[1A]
21[1A]
20[1A]
30[1A]
44[1A]
47[1A]
49[1A]
AVRL1005
品番
AVRL101A1R1NTA
AVRL101A1R1NTB
AVRL101C2R2DTA
AVRL101A3R3FTA
AVRL101A6R8GTA
バリスタ電圧
（ブレイクダウン電圧）
V1mA(V)
[DC1mA]
typ.
90
39
90
27
27
最大許容回路電圧
（定格電圧）
Vdc(V)
max.
10
10
16
10
10
静電容量
絶縁抵抗
C(pF)
[1MHz, 1Vrms]
Rdc(M:)
[3Vrms]
min.
10
10
10
10
10
1.1[0.8 to 1.4]
1.1[0.8 to 1.4]
2.2[1.7 to 2.7]
3.3[2.3 to 4.3]
6.8[4.8 to 8.8]
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
(17/26)
Voltage Protection Devices
AVR シリーズ AVRM1005/AVRL1005 タイプ
電気的特性
電流電圧特性
インピーダンス周波数特性
1000000
100
100000
10–1
V1mA=8V
V1mA=6.8V
10–3
V1mA=39V
10–4
1000
1.1pF
100
100pF
10–5
10
10–6
1
10–7
0
10
20
30
Voltage(V)
40
33pF
15pF
6.8pF
3.3pF
10000
V1mA=27V
V1mA=12V
Impeadance(Ω)
Current(A)
10–2
0.1
50
伝送特性
650pF
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
静電容量周波数特性
10
15pF
6.8pF 3.3pF
1.1pF
10000
650pF
0
1000
650pF
100pF
100pF
Capacitance(pF)
Insertion loss(dB)
–10
–20
33pF
–30
100
33pF
15pF
6.8pF
10
3.3pF
–40
1
1.1pF
–50
–60
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
0.1
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
(18/26)
Voltage Protection Devices
AVR シリーズ
AVRM1608/AVRL1608タイプ
形状と寸法
構造図
1.6±0.1
0.8±0.1
Inner electrode
Varistor body
(Palladium) (Zinc Oxide: ZnO semiconductor ceramics)
Sn plating
Ag termination
underlayer
Ni plating
0.8±0.1
0.2 min.
Dimensions in mm
回路図
0.6 to 0.8
推奨ランドパターン
0.6 to 0.8
0.6 to 0.8
0.6 to 0.8
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
(19/26)
Voltage Protection Devices
AVR シリーズ AVRM1608/AVRL1608 タイプ
電気的特性
特性規格表
AVRM1608
バリスタ電圧
（ブレイクダウン電圧）
品番
AVR-M1608C080MTAAB
AVR-M1608C120MT6AB
AVR-M1608C120MT2AB
AVR-M1608C180MT6AB
AVR-M1608C220KT6AB
AVR-M1608C220KT2AB
AVR-M1608C270KT6AB
AVR-M1608C270KT2AB
AVR-M1608C270KTACB
AVRM1608C270KT800M
AVR-M1608C270MTAAB
AVR-M1608C270MTABB
AVRM1608C390KT271N
V1mA(V)
[DC1mA]
8
12
12
18
22
22
27
27
27
27
27
27
39
( 6.4 to 9.6)
( 9.6 to 14.4)
( 9.6 to 14.4)
(14.4 to 21.6)
(19.8 to 24.2)
(19.8 to 24.2)
(24 to 30)
(24 to 30)
(24 to 30)
(24 to 30)
(21.6 to 32.4)
(21.6 to 32.4)
(35 to 43)
最大許容
回路電圧
（定格電圧）
Vdc(V)
max.
5.5
7.5
7.5
11
16
16
19
19
19
19
17
17
28
クランプ
電圧
エネルギー
耐量
サージ電流
静電容量
Vcl(V)
[8/20μs]
E(Joule)
[10/1000μsec]
max.
0.09
0.09
0.06
0.1
0.1
0.03
0.1
0.1
0.05
0.02
0.05
0.05
0.1
Ip(A)
[8/20μs]
max.
30
50
15
30
30
10
48
20
10
28
2
2
78
C(pF)
[1kHz, 1Vrms]
typ.
650
1050
400
600
560
210
430
160
60
80 ( 64 to 96)
30
15
270 (189 to 351)
15[2A]
20[2A]
20[2A]
30[2A]
34[2A]
37[2A]
42[2A]
42[2A]
54[2A]
53[2A]
52[2A]
52[2A]
69[2A]
AVRL1608
品番
AVRL161A1R1NTA
AVRL161A1R1NTB
AVRL161A3R3FTA
AVRL161A6R8GTA
バリスタ電圧
（ブレイクダウン電圧）
V1mA(V)
[DC1mA]
typ.
90
39
27
27
静電容量
C(pF)
[1MHz, 1Vrms]
1.1[0.8 to 1.4]
1.1[0.8 to 1.4]
3.3[2.3 to 4.3]
6.8[4.8 to 8.8]
最大許容回路電圧
（定格電圧）
Vdc(V)
max.
10
10
10
10
絶縁抵抗
Rdc(M:)
[3Vrms]
min.
10
10
10
10
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
(20/26)
Voltage Protection Devices
AVR シリーズ AVRM1608/AVRL1608 タイプ
電気的特性
電流電圧特性
インピーダンス周波数特性
1000000
100
V1mA=18V
10–1
V1mA=12V
100000
V1mA=22V
V1mA=8V
Current(A)
V1mA=27V
V1mA=39V
10–3
10–4
1000
1.1pF
100
10–5
10
10–6
1
10–7
0
30pF
15pF
6.8pF
3.3pF
10000
Impeadance(Ω)
10–2
10
20
30
Voltage(V)
40
0.1
50
伝送特性
1050pF
600pF
400pF
160pF
1
10
6.8pF 3.3pF
1.1pF
10000
10000
1050pF
0
600pF
400pF
160pF
1000
1050pF
–20
600pF
400pF
–30
Capacitance(pF)
Insertion loss(dB)
1000
静電容量周波数特性
10
–10
100
Frequency(MHz)
15pF
30pF
160pF
30pF
100
15pF
6.8pF
10
3.3pF
–40
1.1pF
1
–50
–60
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
0.1
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
(21/26)
Voltage Protection Devices
AVR シリーズ
AVRM2012タイプ
形状と寸法
構造図
2.0±0.2
1.25±0.2
Inner electrode
Varistor body
(Palladium) (Zinc Oxide: ZnO semiconductor ceramics)
Sn plating
Ag termination
underlayer
Ni plating
1.0±0.2
0.2 min.
Dimensions in mm
回路図
0.9 to 1.2
推奨ランドパターン
0.7 to 0.9
0.9 to 1.2
0.7 to 0.9
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
(22/26)
Voltage Protection Devices
AVR シリーズ AVRM2012 タイプ
電気的特性
特性規格表
バリスタ電圧
（ブレイクダウン電圧）
品番
AVR-M2012C120MT6AB
AVR-M2012C220KT6AB
AVR-M2012C390KT6AB
V1mA(V)
[DC1mA]
12
22
39
( 9.6 to 14.4)
(19.8 to 24.2)
(35 to 43)
最大許容
回路電圧
（定格電圧）
Vdc(V)
max.
7.5
16
28
クランプ
電圧
エネルギー
耐量
サージ電流
静電容量
Vcl(V)
[8/20μs]
E(Joule)
[10/1000μsec]
max.
0.2
0.3
0.3
Ip(A)
[8/20μs]
max.
60
100
100
C(pF)
[1kHz, 1Vrms]
typ.
1000
800
430
20[5A]
38[5A]
62[5A]
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
(23/26)
Voltage Protection Devices
AVR シリーズ AVRM2012 タイプ
電気的特性
電流電圧特性
インピーダンス周波数特性
1000
100
10–1
100
Impeadance(Ω)
Current(A)
10–2
10–3
V1mA=12V
V1mA=22V
V1mA=39V
10–4
10–5
800pF
10
430pF
1000pF
1
10–6
10–7
0
10
20
30
Voltage(V)
40
0.1
50
伝送特性
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
静電容量周波数特性
10
10000
0
1000pF
800pF
1000pF
430pF
Capacitance(pF)
Insertion loss(dB)
–10
–20
–30
800pF
430pF
1000
–40
–50
–60
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
100
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
(24/26)
Voltage Protection Devices
AVR シリーズ
静電気放電試験
静電気放電試験（例）
AVRL101A3R3FTA
20
20
0
0
ΔC1MHz/C1MHz(%)
ΔV1mA/V1mA(%)
AVR-M1005C080MTAAB
–20
–40
–60
–80
–100
Init.
1
10
100
Number of Discharge(Times)
–40
–60
–80
–100
Init.
1000
AVR-M1608C080MTAAB
20
20
0
0
–20
–40
–60
–80
–100
Init.
1
10
100
Number of Discharge(Times)
1000
AVRL161A3R3FTA
ΔC1MHz/C1MHz(%)
ΔV1mA/V1mA(%)
–20
1
10
100
Number of Discharge(Times)
–20
–40
–60
–80
–100
Init.
1000
1
10
100
Number of Discharge(Times)
1000
○試験条件
150pF、330: 接触放電
充電電圧/8kV、0.1秒間隔
○測定器
10MΩ
High voltage
DC power supply
330Ω
Discharge gun
Test
sample
150pF
ESD simulator
ESD
simulator
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
(25/26)
Voltage Protection Devices
AVR シリーズ
静電気吸収特性
放電電流波形
放電電圧波形（例）
350
8
150pF, 330Ω,
Contact discharge, Test level 1
Discharge current(A)
7
6
Open waveform
300
AVR-M1005C120MTAAB / V1mA:12V
250
Voltage(V)
5
4
3
2
200
AVR-M1005C080MTAAB / V1mA:8V
150
Zener diode /Vz:6.2V
100
50
1
0
–1
–50
0
50
100
150
Time(ns)
200
250
300
0
–50
–50
0
50
100
150
Time(ns)
200
250
300
各種素子の静電気放電吸収特性比較（例）
Clamping voltage (V)
350
300
250
269V
down
258V
down
271V
down
200
(voltage)
100
101V
down
50
0
Peak voltage:Peak voltage of standing up part
Average voltage : Average voltage of 30 to 100ns
Peak
voltage
150
Open waveform
93V
down
96V
down
AVR-M1005C080MTAAB AVR-M1005C120MTAAB Zener diode/Vz:6.2V
Peak
316
45
58
47
Average
117
16
24
21
波形パラメータ[IEC61000-4-2] 測定レベル
ESD 充電電圧
(kV)
1
2
3
4
2
4
6
8
放電 1 次
ピーク電流
(A)
7.5
15
22.5
30
ESD (Electro Static Discharge)
absorption characteristics of V1mA-8V
is superior to Vz-6.2V Zener diode.
Average
voltage
30
100
(ns)
測定回路
10MΩ
立上り時間
(ns)
0.7 to 1.0
0.7 to 1.0
0.7 to 1.0
0.7 to 1.0
High voltage
DC power supply
330Ω
150pF
ESD simulator
Discharge gun
Test
sample
60dB attenuator
ESD
simulator
50Ω
Oscilloscope
I/O impedance: 50Ω
Frequency range: DC to 18GHz
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm
(26/26)
Voltage Protection Devices
AVR シリーズ
包装形態
リール寸法
ø60min.
2.0±0.5
1.0
8.4 +2.0
–0.0
ø13±0.2
ø21±0.8
14.4max.
ø180±2.0
Dimensions in mm
B
3.5±0.05
4.0±0.1
A
P1
8.0±0.3
2.0±0.05
1.5 +0.1
0
1.75±0.1
テープ寸法
K
Dimensions in mm
タイプ
AVRM0402/AVRL0402
AVRM0603/AVRL0603
AVRM1005/AVRL1005
AVRM1608/AVRL1608
AVRM2012
160min.
Drawing direction
Taping
A
0.26±0.04
0.38±0.05
0.65±0.1
1.1±0.2
1.6±0.2
B
0.46±0.04
0.68±0.05
1.15±0.1
1.9±0.2
2.3±0.2
P1
2.0±0.05
2.0±0.05
2.0±0.05
4.0±0.1
4.0±0.1
K
0.4max.
0.45max.
0.65max.
1.1max.
1.7max.
200min.
300min.
Dimensions in mm
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
20140922 / vpd_varistors_avr_ja.fm