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第 4 回半導体デバイスの放射線照射効果研究会
～様々な地上・宇宙用部品、さらに宇宙飛行士の放射線影響～
HIREC 株式会社は、宇宙航空研究開発機構殿、日本大学殿と共に、『第 4 回 半導体デバイスの
放射線照射効果研究会』（以下、「勉強会」）を開催いたします。第 4 回勉強会では、半導体デバイス
の放射線照射効果に関する講演の他に、宇宙用途・地上用途の半導体デバイスに関する耐放射線
性技術や人工衛星搭載機器の部品採用方針に関連した講演、さらに、宇宙飛行士の健康管理につ
いての招待講演も企画しました。なお、参加費は無料です。
【趣 旨】
宇宙機に使用する半導体デバイスは、宇宙放射線による誤動作や劣化が避けて通れない問
題です。また、宇宙から地表に降り注ぐ中性子によるソフトエラーやハードエラーも懸念されてい
ます。本勉強会は、宇宙のみならず地上も含めた半導体デバイスの放射線照射効果について、
初心者からベテラン技術者の BTB（Back To Basic）のために、本分野の第一人者の方々に、わ
かりやすく基礎的な内容を重点に解説していただく勉強会です。第 2 回以降、将来的には基礎
的な内容に加えて先端の内容も含め、参加者のレベルアップを目指します。
今回も第 2 回／第 3 回勉強会と同じように、午後の講演「半導体デバイスの宇宙放射線効果
基礎」を補足するため、午前中に事務局による集中基礎講座を行います（定員 50 名）。
【対 象 者】
初心者や他分野の方を主な対象者とし、宇宙用機器開発に初めて携わる方、小型衛星開発
に携わっている方、衛星プロジェクト関連の方、本分野に興味を持っている方を想定します。ま
た、BTB を視野にベテラン技術者も対象に含みます。
【開 催 日】
2015 年 2 月 27 日（金曜日）10:30～12:00 ：集中基礎講座
13:00～17:10 ：第 4 回勉強会 （懇親会：17:30～19:30）
【開 催 場 所】
日本大学理工学部 駿河台キャンパス 1 号館 3F 131 教室
JR 中央・総武線「御茶ノ水」駅 下車徒歩 3 分
東京メトロ千代田線「新御茶ノ水」駅 下車徒歩 3 分
東京メトロ丸ノ内線「御茶ノ水」駅 下車徒歩 5 分
http://www.cst.nihon-u.ac.jp/campus/index.html
【参 加 費】
無料
（懇親会費：2000 円）
【主 催 ／ 共 催】
HIREC 株式会社 ／ 宇宙航空研究開発機構, 日本大学
【プ ロ グ ラ ム】 （講演者敬称略）
＜午前の部 ： 集中基礎講座＞
10:30～12:00 “半導体デバイスの放射線効果基礎”
HIREC 事務局
＜午後の部 ： 第 4 回半導体デバイスの放射線照射効果研究会＞
13:00～13:05 “開会挨拶”
寺西 知幸 （HIREC）
13:05～13:30 “本研究会の趣旨説明（最新デバイスの耐放射線性強化技術
に関する検討委員会活動内容含む）”
杉本 憲治 （HIREC）
13:30～14:10 “半導体デバイスの宇宙放射線効果基礎”
高橋 芳浩 （日本大学）
14:10～14:50 “地上環境における放射線効果”
上村 大樹 （富士通セミコンダクター）
14:50～15:30 “化合物半導体デバイスの放射線照射効果”
佐々木 肇 （三菱電機）
15:30～15:50 “休憩”(20 分)
15:50～16:30 “人工衛星搭載機器の部品採用方針と放射線評価手法の紹介”
堀江 裕樹 （NEC 東芝スペースシステム）
【招待講演】
16:30～17:00 “宇宙飛行士の宇宙放射線被ばく管理（仮題）”
TBD （JAXA）
17:00～17:10 “閉会挨拶”
久保山 智司 （JAXA）
17:30～19:30 “懇親会”
（場所：1 号館 2F 食堂）
【申 込 方 法】
下記情報を添えて 2015 年 2 月 6 日（金）までに [email protected] へお申し込み下さい。
定員は、午前の部（集中基礎講座）50 名／午後の部（第 4 回勉強会）120 名です。
定員に限りがございますので、例えば 1 社（1 大学）から多数の申込があった場合や過去に参
加実績のある方については、調整させていただくことがありますので、予めご了承下さい。
なお、当日受付時に名刺を頂戴いたしますので、名刺をお持ちの方は、事前のご準備をお願
い致します。
----------------------------------------参加申込フォーム---------------------------------------・お名前（よみがな）：
・ご所属・役職*： *学生の場合は学年もご記入下さい
・電話番号：
・電子メール：
・午前の部（集中基礎講座）：
参加
不参加
・午後の部（第 4 回勉強会）：
参加
不参加
・懇親会
：
参加
不参加
（参加・不参加どちらかを消して下さい）
--------------------------------------------------------------------------------------------------------【午前の部 ： 集中基礎講座について】
集中基礎講座は、午後に講演される「半導体デバイスの放射線効果基礎」の内容を補うもの
です。
本講座の参加可否を判断していただくために以下に設問を用意しました。席に限りがあります
ので、全項目(No)の方についてのみ、本講座への参加をご検討下さい。
設問１:宇宙開発でよく登場する用語・略語（例：SAA, LEO, GEO, TID）をある程度理解している。（Y/N）
設問２:半導体が放射線を浴びると誤動作することは知っている。誤動作の起き方は部品の種類や使用状況により、
いろいろな種類があると知っている。（Y/N）
設問３:トータルドーズ効果とシングルイベント効果の区別が分かる。(Y/N)
設問４:人工衛星の軌道の違い (静止軌道、周回軌道等)により、その宇宙放射線環境が異なることが分かる。(Y/N)
設問５:半導体デバイスの放射線評価試験を実施したことがある。または、その試験データを見たことがある。(Y/N)
【問い合わせ先】
HIREC 株式会社
技術部 浅井／倉持 （TEL:029-868-6770）
mailto:[email protected]
★会場周辺マップ
東京メトロ丸ノ内線
御茶ノ水駅
御茶ノ水ソラシティ
研究会会場
会場：日本大学理工学部 駿河台キャンパス 1 号館 3 階 131 教室
JR 中央・総武線「御茶ノ水」駅 聖橋口：徒歩 3 分
東京メトロ千代田線「新御茶ノ水」駅 B1 口：徒歩 3 分
東京メトロ丸ノ内線「御茶ノ水」駅 出入口 1：徒歩 5 分