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〈 スズ 常温 音波接合〉
Si チップ
セラミック絶縁基板
銅ヒートシンク
の 3 層構造を一瞬に一括接合
世界初 !!
パワー半導体の
「常温 ダイボンド」が
純スズシートで可能に !!
Up-Down SoundBonding
純スズシート 拡散合金接合
［Si/絶縁基板/Cu 3 層構造接合］
［400℃加熱後］
［接合断面］
接合層厚み：2.5 μm
Si
Cu
絶縁基板
(A) Si - 絶縁基板
絶縁基板
接合層厚み：3.0 μm
Cu
［接合試料］
Si チップ　（□ 5 / t 0.10 mm）
絶縁基板　（20 x 30 / t 0.90 mm）
Cu プレート（30 x 40 / t 2 mm）
［接合環境］
温　度：常温
雰囲気：N2
［Up-Down SoundBonding］
通常とは逆に、ホーンを受け治具
側に配置した接合方法
Cu
剥離無し！
(B) 絶縁基板 - Cu
Press
Si or SiC
Cu
Pure Sn sheets
Ceramic
Cu
Si or SiC
Ceramic
Cu
Cu
Sound Vibration
【接合後】
(A)
Diffusion and Alloy
Layers
(B)
-Patents pending-
【Si/絶縁基板/Cu 3 層構造 接合イメージ】
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TI-J-0049A4-2015022601