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対応機種
PHEMOS-1000
THEMOS-1000
iPHEMOS-MP
TriPHEMOS
N a n oLenso L ens-SHR
SHR システム
着脱容易な SIL キャップ方式を採用し、
発光解析、光照射アプリケーションの両方に対応した
超高 N.A. 固浸レンズ！
NanoLens-SHR
SIL キャップ
正立型設置例
▲測定例（詳しくは裏面を参照ください。）
特長
倒立型設置例
開口数（N.A.）
3.1
・ 最小分解能：約 120 nm
・ 感度：従来比 10 倍（当社標準 100 倍レンズとの比較）
発光解析と IR-OBIRCH 解析、EO プロービング等の光照射アプリケーションに対応
様々な Si 基板厚みに対応し、着脱容易かつ確実な密着を実現する専用 SIL キャップ
・ 薄片化したチップから厚い基板の状態のウェーハまでの様々な Si 基板厚みに対応
・ SIL キャップは、ガイドにあわせてワンタッチで装着
・Si 基板の表面の傾きにあわせて SIL キャップの角度を自動補正し、Si 基板面と密着
用途
先端デバイス裏面解析
・ 発光解析
・ 時間分解発光解析
・ IR-OBIRCH 解析
・ DALS 解析
・ EO プロービング解析
Failure Analysis Systems Option
測定例
■ 目的
NanoLens-SHR の実サンプルにおける分解能評価。
■ 方法
市販 38 nm DRAM を裏面研磨し、1.3 μm レーザ顕微鏡による観察をしました。
■ 結果
10 μm
■ 結論
2 μm
視野 52μm × 52μm において周辺歪のない画像を取得することができました。
また、赤枠の部分をデジタルズームし、10μm × 10μm 程度まで拡大しましたが、
十分構造を確認できました。
原理
標準レンズ
NanoLens-HSR
対物レンズ
対物レンズ
レーザ集光
固浸レンズ
発光
裏面
全反射
裏面
Si
Si
パターン面
N.A.小
N.A.大
レーザスポット
パターン面
レーザスポット
”詳細情報は、半導体故障解析専用サイトから”
ホトニクス 半導体故障解析装置
LSIの基板であるシリコンは、屈折率が
大きく、対物レンズで捉えられる光は中
央付近のみとなり、有効利用されていま
せん。NanoLens-HSRは、LSI基板に
シリコンレンズを密着させることにより、
今までシリコン基板境界で反射してい
た 発 光 を 対 物レンズに 導 き 、開 口 率
（N.A.)を上げ、解像度と集光効率を大
幅に向上させます。
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★ PHEMOS、THEMOSは、浜松ホトニクス（株）の登録商標です。
その他の記載商品名、ソフト名等は該当商品製造会社の商標または登録商標です。
※本カタログの記載内容は2015年1月現在のものです。 本内容は改良のため予告なく変更する場合があります。
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JAN/2015 HPK
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