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<IGBTモジュール>
CM400C1Y-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
コレクタ電流 IC .......................................
コレクタ・エミッタ間電圧 VCES
3 5 0A*
............... 1 2 0 0 V
最大接合温度 T jmax ...............................
1 7 5 °C
●フラットベース形
●銅ベース板
●RoHS 指令対応
●UL Recognized under UL1557, File E323585
2素子入（ACスイッチ）
*. 直流コレクタ電流定格は，主端子で制限されます。.
用途
中性点スイッチング用 AC パワースイッチ
外形及び接続図
単位：mm
E2 G2
(Es2)
接続図
Tolerance otherwise specified
to
3
±0.2
over
3
to
6
±0.3
over
6
to
30
±0.5
over
2014.06 作成
Tolerance
0.5
30
to 120
±0.8
over 120
to 400
±1.2
Di1
C2E1
Tr2
E2
Di2
1
Tr1
C1
G1 E1
(Es1)
Division of Dimension
<IGBTモジュール>
CM400C1Y-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
最大定格（指定のない場合，Tj=25 °C）
定格値
単位
VCES
記号
コレクタ・エミッタ間電圧
G-E 間短絡
1200
V
VGES
ゲート・エミッタ間電圧
C-E 間短絡
± 20
V
IC
項目
パルス, 繰返し
コレクタ損失
Pt ot
IE
（注１）
IERM
（注１）
（注２, ４）
直流, TC=124 °C
コレクタ電流
ICRM
条件
TC=25 °C
350 *
（注３）
（注２，４）
2670
（注２）
エミッタ電流
パルス, 繰返し
A
800
W
350 *
（注３）
A
800
Visol
絶縁耐電圧
全端子・ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間
2500
Tj m ax
最大接合温度
瞬時動作（過負荷等）
175
Tcmax
最大ケース温度
（注４）
125
Tjop
動作接合温度
連続動作
-40 ~ +150
Tst g
保存温度
-
-40 ~ +125
V
°C
°C
電気的特性（指定のない場合，T j =25 °C）
記号
項目
規格値
条件
最小
標準
最大
単位
ICES
コレクタ・エミッタ間遮断電流
VCE=VCES, G-E 間短絡
-
-
1.0
mA
IGES
ゲート・エミッタ間漏れ電流
VGE=VGES, C-E 間短絡
-
-
0.5
μA
V G E (t h )
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
IC=40 mA, VCE=10 V
5.4
6.0
6.6
V
2.30
IC=400 A, VGE=15 V,
V C E sa t
(Terminal)
コレクタ･エミッタ間飽和電圧
V C E sa t
(Chip)
Cies
入力容量
Coes
出力容量
Cres
帰還容量
QG
ゲート電荷量
td(on)
ターンオン遅延時間
tr
上昇時間
td(off)
ターンオフ遅延時間
tf
下降時間
(Terminal)
エミッタ・コレクタ間電圧
（注１）
VEC
-
1.85
T j =125 °C
-
2.05
-
（注５）
T j =150 °C
-
2.10
-
IC=400 A ,
T j =25 °C
-
1.70
2.15
VGE=15 V,
T j =125 °C
-
1.90
-
（注５）
T j =150 °C
-
1.95
-
-
-
40
-
-
8.0
-
-
0.66
-
934
-
-
-
800
VCE=10 V, G-E 間短絡
VCC=600 V, IC=400 A, VGE=15 V
VCC=600 V, IC=400 A, VGE=±15 V,
RG=0 Ω, 誘導負荷
(Chip)
-
-
200
-
-
600
-
-
300
T j =25 °C
-
1.85
2.30
試験回路図参照
T j =125 °C
-
1.85
-
（注５）
T j =150 °C
-
1.85
-
T j =25 °C
-
1.70
2.15
G-E 間短絡,
T j =125 °C
-
1.70
-
（注５）
T j =150 °C
-
1.70
-
IE=400 A, G-E 間短絡,
（注１）
VEC
T j =25 °C
試験回路図参照
IE=400 A ,
V
V
nF
nC
ns
V
V
trr
（注１）
逆回復時間
VCC=600 V, IE=400 A, VGE=±15 V,
-
-
300
ns
Qrr
（注１）
逆回復電荷
RG=0 Ω, 誘導負荷
-
21.4
-
μC
Eon
ターンオンスイッチング損失
VCC=600 V, IC=IE=400 A,
-
39.8
-
E of f
ターンオフスイッチング損失
VGE=±15 V, RG=0 Ω, T j =150 °C,
-
44.9
-
逆回復損失
誘導負荷, 1 パルスあたり
-
35.2
-
mJ
内部ゲート抵抗
1 素子あたり
-
4.9
-
Ω
Err
rg
（注１）
2014.06 作成
2
mJ
<IGBTモジュール>
CM400C1Y-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
熱的特性
記号
項目
Rt h(j -c)Q
熱抵抗
Rt h(j -c)D
規格値
条件
最小
標準
最大
単位
接合・ケース間, IGBT 1 素子あたり
（注４）
-
-
56
K/kW
接合・ケース間, FWD 1 素子あたり
（注４）
-
-
95
K/kW
-
18
-
K/kW
ケース・ヒートシンク間,
1/2 モジュールあたり,
接触熱抵抗
Rt h(c-s)
（注４，６）
熱伝導性グリース塗布
機械的特性
記号
項目
Mt
締付けトルク
Ms
規格値
条件
最小
標準
最大
単位
主端子
M 6 ねじ
3.5
4.0
4.5
N·m
取付け
M 6 ねじ
3.5
4.0
4.5
N·m
-
580
-
g
-100
-
+100
μm
m
質量
－
ec
ベース板平面度
X, Y 各中心線上
（注７）
フリーホイールダイオード（FWD）の定格又は特性を示します。
接合温度は，最大接合温度（T j m a x =150 °C）以下です。
パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が，最大接合温度（T j m a x =150 °C）を越えない値とします。
ケース温度（T C ）及びヒートシンク温度（T S ）の定義点は，チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です。
チップ中心位置は，チップ配置図のとおりです。
5. パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が無視できる値とします。
6. 接触熱抵抗の標準値は，熱伝導率 λ=0.9 W/(m·K) の放熱用グリースを使用したときの値です。
7. ベース板（取付面）平面度測定箇所は，下図のとおりです。
+:Convex
-:Concave
注 1.
2.
3.
4.
X
取付面
3 mm
Y
-:Concave
取付面
取付面
+:Convex
*. 直流コレクタ電流定格は，主端子で制限されます。
推奨動作条件
記号
項目
条件
VCC
電源電圧
C1-E2 端子間
VGEon
ゲート（駆動）電圧
G1-Es1/G2-Es2 端子間
RG
外部ゲート抵抗
1 素子あたり
2014.06 作成
3
規格値
最小
標準
最大
-
600
850
13.5
15.0
16.5
0
-
10
Unit
V
Ω
<IGBTモジュール>
CM400C1Y-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
チップ配置図 (Top view)
単位：mm, 公差：±1 mm
Tr1/Tr2: IGBT, Di1/Di2: FWD。記号は，それぞれのチップの中心を示します。
試験回路
Es1
Es1
C1
C1
G1
G1
IC
VGE=15V
Es1
Es1
G1
G1
Shortcircuited
C1
C1
Shortcircuited
IE
Shortcircuited
V
C2E1
Shortcircuited
V
C2E1
V
C2E1
Shortcircuited
VGE=15V
IC
G2
G2
Tr1
G2
Tr2
Di1
E2
Di2
VEC 試験回路
4
IE
Es2
E2
Es2
V C E s a t 試験回路
2014.06 作成
Shortcircuited
G2
E2
Es2
E2
Es2
V
C2E1
<IGBTモジュール>
CM400C1Y-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
E
Es
+
-VGE
iC
t
90 %
RG
vGE
VCC
0
C
DUT
0
90 %
0V
Load
G
-VGE
+VGE
vGE
C
～
～
CM450DY-24S
～
～
試験回路及び試験波形
vCE
G
10%
iC
0A
E
Es
tr
td(on)
tf
t
td(off)
スイッチング特性試験回路及び試験波形
iE
DUT
C
iE
Q r r =0.5×I r r ×t r r
vCE
G
-VGE
IE
E
Es
+
t
0A
Load
C
CM450DY-24S
trr
VCC
Irr
+VGE
RG
0
0.5×I r r
vGE
-VGE
G
E
Es
逆回復特性 (t r r , Q r r ) 試験回路及び試験波形
iE
iC
iC
ICM
vCE
VCC
IEM
vEC
ICM
VCC
vCE
VCC
t
0A
0.1×ICM
0.1×VCC
0
0.1×VCC
t
0.02×ICM
0
t
ti
ti
IGBT ターンオンスイッチング損失
IGBT ターンオフスイッチング損失
0V
t
ti
FWD 逆回復損失
ターンオン / ターンオフスイッチング損失及び逆回復損失試験波形（積分時間説明図）
2014.06 作成
5
<IGBTモジュール>
CM400C1Y-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
出力特性
（代表例）
コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性
（代表例）
（チップ）
T j =25 °C
13.5
VGE=20 V
700
15
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCEsat
(V)
12
コレクタ電流 IC (A)
600
500
11
400
300
10
200
9
100
0
2
4
6
8
10
T j =150 °C
2.5
2.0
T j =25 °C
1.5
1.0
0.5
0
100
200
300
400
500
600
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (A)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性
（代表例）
フリーホイールダイオード順特性
（代表例）
（チップ）
T j =25 °C
700
800
（チップ）
G-E間短絡
10
1000
8
T j =150 °C
エミッタ電流 IE (A)
(V)
T j =125 °C
3.0
0.0
0
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCEsat
（チップ）
VGE=15 V
3.5
800
6
IC=160A
IC=400A
IC=800A
4
T j =125 °C
100
T j =25 °C
2
0
6
8
10
12
14
ゲート・エミッタ間電圧
2014.06 作成
16
18
10
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
エミッタ・コレクタ間電圧 VEC (V)
VGE (V)
6
3.0
<IGBTモジュール>
CM400C1Y-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
スイッチング時間特性
（代表例）
スイッチング時間特性
（代表例）
VCC=600 V, VGE=±15 V, RG=0 Ω, 誘導負荷
VCC=600 V, IC=400 A, VGE=±15 V, 誘導負荷
1000
1000
10000
Tj=125 °C
Tj=150 °C
Tj=125 °C
Tj=150 °C
td(off)
スイッチング時間 t d ( o f f ) , t f
スイッチング時間 (ns)
tf
tr
100
10
tf
100
1000
td(on)
tr
10
10
100
1000
100
0.1
1
コレクタ電流 IC (A)
10
外部ゲート抵抗 RG
100
(Ω)
スイッチング損失特性
（代表例）
スイッチング損失特性
（代表例）
VCC=600 V, VGE=±15 V, RG=0 Ω,
誘導負荷, 1パルスあたり
VCC=600 V, IC/IE=400 A, VGE=±15 V,
誘導負荷, 1パルスあたり
100
1000
1000
(ns)
td(on)
スイッチング時間 t d ( o n ) , t r
(ns)
td(off)
100
Eon
1
10
Err
(mJ)
E off
Eon
100
10
Err
Tj=125 °C
Tj=150 °C
0.1
1
10
100
10
1000
コレクタ電流 IC (A)
1
外部ゲート抵抗 RG
エミッタ電流 IE (A)
2014.06 作成
1
0.1
7
10
100
(Ω)
スイッチング損失 Eo f f
100
スイッチング損失 Eo n , 逆回復損失 (mJ)
E off
10
逆回復損失 (mJ)
スイッチング損失
(mJ)
Tj=125 °C
Tj=150 °C
<IGBTモジュール>
CM400C1Y-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
容量特性
（代表例）
フリーホイールダイオード逆回復特性
（代表例）
VCC=600 V, VGE=±15 V, RG=0 Ω, 誘導負荷
G-E間短絡, T j =25 °C
100
1000
Tj=125 °C
Tj=150 °C
Cies
Irr
trr
(ns)
100
Irr
Coes
trr
容量
(A)
(nF)
10
1
Cres
0.1
10
0.1
1
10
100
10
100
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
ゲート容量特性
（代表例）
最大過渡熱インピーダンス特性
Single pulse, TC=25°C
R t h ( j - c )Q =56 K/kW, R t h (j - c ) D =95 K/kW
V C C = 600 V, I C = 400 A, T j =25 °C
1
NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
Zth(j-c)
20
ゲート・エミッタ間電圧 VGE (V)
1000
エミッタ電流 IE (A)
15
10
5
0
0
500
ゲート容量 QG
2014.06 作成
1000
0.1
0.01
0.001
0.00001
1500
0.0001
0.001
0.01
時間 (S)
(nC)
8
0.1
1
10
<IGBTモジュール>
CM400C1Y-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
安全設計に関するお願い
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じ さ せ な い よ う な 安 全 性 を 考 慮 し た 冗 長 設 計 ，延 焼 対 策 設 計 ，誤 動 作 防 止 設 計 な ど の 安 全 設 計 に 十 分 ご 留 意
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2014.06 作成
9