1. No category

< IGBT モジュール >
CM1000DUC-34NF
大電力スイッチング用
絶縁形
No
t
fo
R
r N ec
ew om
m
De e
sig nd
n
コレクタ電流 IC ....................................... 1 0 0 0 A
コレクタ・エミッタ間電圧 VCES ............... 1 7 0 0 V
最大接合温度 T jmax ...............................
1 5 0 °C
●フラットベース形
●銅ベース板（めっきレス）
●RoHS 指令対応
●UL Recognized under UL1557, File E323585
2素子入り
用途
インバータ装置，サーボアンプ，電源装置 など
外形及び接続図
接続図
Tolerance otherwise specified
Division of Dimension
0.5
to
over
3
over
6
over
Tolerance
3
±0.2
to
6
±0.3
to
30
±0.5
30
to 120
±0.8
over 120
to 400
±1.2
C2E1
C2
(Cs2)
G2
Di2
Tr2
E2
(Es2) E2
2014.02 作成
1
C1
(Cs1)
Di1
Tr1
E1
(Es1)
G1
C1
単位：mm
< IGBT モジュール >
CM1000DUC-34NF
大電力スイッチング用
絶縁形
最大定格（指定のない場合，Tj=25 °C）
記号
項目
条件
VCES
コレクタ・エミッタ間電圧
G-E 間短絡
VGES
ゲート・エミッタ間電圧
C-E 間短絡
IC
直流, TC=104 °C
コレクタ電流
ICRM
パルス, 繰返し
コレクタ損失
TC=25 °C
単位
1700
V
± 20
V
（注２, ４）
1000
（注３）
IE
（注１）
IERM
（注１）
直流
エミッタ電流
A
2000
（注２，４）
8925
No
t
fo
R
r N ec
ew om
m
De e
sig nd
n
Pt ot
定格値
（注２）
W
1000
パルス, 繰返し
（注３）
A
2000
Visol
絶縁耐電圧
全端子・ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間
Tj
接合温度
-
-40 ~ +150
Tst g
保存温度
（注７）
-40 ~ +125
3500
V
°C
電気的特性（指定のない場合，T j =25 °C）
記号
項目
規格値
条件
単位
最小
標準
最大
-
-
1.0
mA
ICES
コレクタ・エミッタ間遮断電流
VCE=VCES, G-E 間短絡
IGES
ゲート・エミッタ間漏れ電流
VGE=VGES, C-E 間短絡
-
-
5.0
μA
V G E (t h )
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
IC=100 mA, VCE=10 V
6
7
8
V
T j =25 °C
-
2.20
2.85
T j =125 °C
-
2.45
-
-
-
220
-
-
25
-
-
4.7
-
6000
-
-
-
600
-
-
200
-
-
1000
V C E sa t
コレクタ･エミッタ間飽和電圧
Cies
入力容量
Coes
出力容量
Cres
帰還容量
QG
ゲート電荷量
td(on)
ターンオン遅延時間
tr
上昇時間
td(off)
ターンオフ遅延時間
tf
下降時間
IC=1000 A, VGE=15 V,
試験回路図参照
（注５）
VCE=10 V, G-E 間短絡
VCC=1000 V, IC=1000 A, VGE=15 V
VCC=1000 V, IC=1000 A, VGE=±15 V,
RG=0.47 Ω, 誘導負荷
-
-
300
T j =25 °C
-
2.3
3.0
T j =125 °C
-
1.95
-
IE=1000 A, G-E 間短絡,
V
nF
nC
ns
VEC
（注１）
trr
（注１）
逆回復時間
VCC=1000 V, IE=1000 A, VGE=±15 V,
-
-
500
ns
Qrr
（注１）
逆回復電荷
RG=0.47 Ω, 誘導負荷
-
90
-
μC
Eon
ターンオンスイッチング損失
VCC=1000 V, IC=IE=1000 A,
-
272.4
-
E of f
ターンオフスイッチング損失
VGE=±15 V, RG=0.47 Ω, T j =125 °C,
-
250.2
-
誘導負荷, 1 パルスあたり
-
172.4
-
mJ
-
0.286
-
mΩ
-
0.67
-
Ω
Err
（注１）
エミッタ・コレクタ間電圧
逆回復損失
R CC'+EE'
内部配線インダクタンス
rg
内部ゲート抵抗
2014.02 作成
試験回路図参照
（注５）
主端子-チップ間, 1 素子あたり,
TC=25 °C
（注４）
1 素子あたり
2
V
mJ
< IGBT モジュール >
CM1000DUC-34NF
大電力スイッチング用
絶縁形
熱的特性
記号
項目
規格値
条件
接合・ケース間, インバータ部 IGBT,
1 素子あたり （注４）
接合・ケース間, インバータ部 FWD,
1 素子あたり
ケース・ヒートシンク間, 1/2 モジュールあたり,
Rt h(j -c)Q
熱抵抗
標準
最大
-
-
14
-
-
23
接触熱抵抗
Rt h(c-s)
熱伝導性グリース塗布
（注４，６）
単位
K/kW
No
t
fo
R
r N ec
ew om
m
De e
sig nd
n
Rt h(j -c)D
最小
-
12
-
K/kW
機械的特性
記号
項目
規格値
条件
最小
標準
最大
単位
Mt
締付けトルク
主端子
M 6 ねじ
3.5
4.0
4.5
N·m
Ms
締付けトルク
取付け
M 6 ねじ
3.5
4.0
4.5
N·m
ds
空間距離
da
沿面距離
m
質量
－
ec
ベース板平面度
X, Y1, Y2 各中心線上
端子間
24
-
-
端子・ベース板間
33
-
-
端子間
14
-
-
端子・ベース板間
33
-
-
-
1450
-
g
-50
-
+100
μm
（注８）
注 1.
2.
3.
4.
フリーホイールダイオード（FWD）の定格又は特性を示します。
接合温度は，最大接合温度（T j m a x ）以下です。
パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が，最大接合温度（T j m a x ）を越えない値とします。
ケース温度（T C ）及びヒートシンク温度（T s ）の定義点は，チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です。
チップ中心位置は，チップ配置図のとおりです。
5. パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が無視できる値とします。
6. 接触熱抵抗の標準値は，熱伝導率 λ=0.9 W/(m·K) の放熱用グリースを使用したときの値です。
7.
8. ベース板（取付面）平面度測定箇所（X, Y1 及び Y2）は，下図のとおりです。
39 mm
39 mm
Y2
-: 凹
+: 凸
Y1
X
取付面
-: 凹
取付面
ラベル側
取付面
+: 凸
9. 本書に記載されている会社名，商品名などは一般に各社の商標又は登録商標です。
2014.02 作成
3
mm
mm
< IGBT モジュール >
CM1000DUC-34NF
大電力スイッチング用
絶縁形
推奨動作条件
記号
項目
条件
規格値
最小
標準
最大
Unit
VCC
電源電圧
C1-E2 端子間
-
1000
1100
VGEon
ゲート（駆動）電圧
G1-Es1/G2-Es2 端子間
13.5
15.0
16.5
V
RG
外部ゲート抵抗
1 素子あたり
0.47
-
4.7
Ω
単位：mm, 公差：±1 mm
No
t
fo
R
r N ec
ew om
m
De e
sig nd
n
チップ配置図 (Top view)
Tr1/Tr2: IGBT, Di1/Di2: FWD
記号は，それぞれのチップの中心を示します。
2014.02 作成
V
4
< IGBT モジュール >
CM1000DUC-34NF
大電力スイッチング用
絶縁形
試験回路及び試験波形
vGE
Cs1
90 %
0V
iE
0
Q r r =0.5×I r r ×t r r
t
Load
G1
-VGE
～
～
iE
C1
IE
Es1
+
iC
VCC
trr
～
～
No
t
fo
R
r N ec
ew om
m
De e
sig nd
n
C2E1
90 %
vCE
Cs2
Irr
RG
+VGE
0
vGE
-VGE
G2
iC
0A
tf
tr
td(on)
E2
td(off)
t
スイッチング特性試験回路及び試験波形
逆回復特性試験波形
IEM
iE
iC
iC
ICM
VCC
0.1×ICM
VCC
vCE
0.1×VCC
0.02×ICM
0
t
vEC
ICM
VCC
0.1×VCC
0
0.5×I r r
10%
Es2
vCE
t
0A
t
ti
ti
IGBT ターンオンスイッチング損失
IGBT ターンオフスイッチング損失
0A
t
0V
t
ti
FWD 逆回復損失
ターンオン / ターンオフスイッチング損失及び逆回復損失試験波形（積分時間説明図）
試験回路
C1
C1
Cs1
Shortcircuited
VGE=15V
IC
G1
V
V
V
Cs2
Shortcircuited
IC
G2
E2
Tr2
Cs1
V
Shortcircuited
C2E1
Cs2
IE
G2
E2
E2
Es2
Di1
VEC 試験回路
5
Cs1
Es1
Es2
V C E s a t 試験回路
2014.02 作成
Es1
G2
E2
Es2
Tr1
Shortcircuited
G1
C2E1
VGE=15V
Es2
IE
C2E1
Cs2
G2
Cs1
G1
Es1
C2E1
Shortcircuited
Shortcircuited
G1
Es1
C1
C1
Cs1
Di2
< IGBT モジュール >
CM1000DUC-34NF
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
出力特性
（代表例）
コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性
（代表例）
（チップ）
T j =25 °C
（チップ）
VGE=15 V
2000
4
VGE=20 V
No
t
fo
R
r N ec
ew om
m
De e
sig nd
n
13 V
IC (A)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCEsat
12 V
1500
コレクタ電流
T j =125 °C
(V)
15 V
1000
11 V
500
10 V
9V
0
3
T j =25 °C
2
1
0
0
2
4
6
コレクタ・エミッタ間電圧
8
0
10
500
コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性
（代表例）
（チップ）
10000
IC=2000 A
8
IE (A)
IC=1000 A
6
IC=400 A
エミッタ電流
(V)
2000
G-E間短絡
10
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCEsat
1500
フリーホイールダイオード順特性
（代表例）
（チップ）
T j =25 °C
1000
コレクタ電流 IC (A)
VCE (V)
4
T j =125 °C
1000
T j =25 °C
2
0
100
6
8
10
12
14
ゲート・エミッタ間電圧
2014.02 作成
16
18
20
0.5
1
1.5
2
2.5
3
エミッタ・コレクタ間電圧 VEC (V)
VGE (V)
6
3.5
< IGBT モジュール >
CM1000DUC-34NF
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
スイッチング時間特性
（代表例）
スイッチング時間特性
（代表例）
VCC=1000 V, VGE=±15 V, RG=0.47 Ω, T j =125 °C, 誘導負荷
VCC=1000 V, IC=1000 A, VGE=±15 V, T j =125 °C, 誘導負荷
10000
td(off)
(ns)
td(off)
1000
スイッチング時間
スイッチング時間
(ns)
No
t
fo
R
r N ec
ew om
m
De e
sig nd
n
10000
tf
td(on)
tr
100
10
100
1000
td(on)
tf
tr
100
10
1000
コレクタ電流
10000
0.1
1
外部ゲート抵抗
IC (A)
RG
10
(Ω)
スイッチング損失特性
（代表例）
スイッチング損失特性
（代表例）
VCC=1000 V, VGE=±15 V, RG=0.47 Ω, 誘導負荷,
T j =125 °C, 1パルスあたり
VCC=1000 V, IC/IE=1000 A, VGE=±15 V, 誘導負荷,
T j =125 °C, 1パルスあたり
10000
1000
E off
スイッチング損失 (mJ)
逆回復損失 (mJ)
スイッチング損失 (mJ)
逆回復損失 (mJ)
Eon
Err
100
10
100
2014.02 作成
1000
Eon
E off
100
Err
10
1000
10000
コレクタ電流
IC (A)
エミッタ電流
IE (A)
0.1
1
外部ゲート抵抗
7
10
RG
(Ω)
< IGBT モジュール >
CM1000DUC-34NF
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
容量特性
（代表例）
フリーホイールダイオード逆回復特性
（代表例）
G-E間短絡, T j =25 °C
VCC=1000 V, VGE=±15 V, RG=0.47 Ω, 誘導負荷 ,T j =125 °C
10000
No
t
fo
R
r N ec
ew om
m
De e
sig nd
n
1000
Cies
(ns), I r r
(nF)
(A)
100
容量
10
Coes
1000
trr
Irr
Cres
1
trr
0.1
0.1
1
10
コレクタ・エミッタ間電圧
VCE
100
100
100
ゲート容量特性
（代表例）
Single pulse, TC=25°C
R t h ( j - c )Q =14 K/kW, R t h (j - c ) D =23 K/kW
20
NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
Zth(j-c)
1
VCC=800 V
VGE (V)
10000
最大過渡熱インピーダンス特性
IC=1000 A, T j =25 °C
ゲート・エミッタ間電圧
1000
エミッタ電流 IE (A)
(V)
15
VCC=1000 V
10
5
2000
4000
ゲート容量
2014.02 作成
6000
QG
8000
0.01
0.001
0.00001
0
0
0.1
10000
0.0001
0.001
時間
(nC)
8
0.01
(S)
0.1
1
10
< IGBT モジュール >
CM1000DUC-34NF
大電力スイッチング用
絶縁形
安全設計に関するお願い
No
t
fo
R
r N ec
ew om
m
De e
sig nd
n
弊 社 は 品 質 ，信 頼 性 の 向 上 に 努 め て お り ま す が ，半 導 体 製 品 は 故 障 が 発 生 し た り ，誤 動 作 す る 場 合 が あ り
ま す 。弊 社 の 半 導 体 製 品 の 故 障 又 は 誤 動 作 に よ っ て 結 果 と し て ，人 身 事 故 ，火 災 事 故 、社 会 的 損 害 な ど を 生
じ さ せ な い よ う な 安 全 性 を 考 慮 し た 冗 長 設 計 ，延 焼 対 策 設 計 ，誤 動 作 防 止 設 計 な ど の 安 全 設 計 に 十 分 ご 留 意
ください。
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2014.02 作成
9