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注意 : この日本語版文書は参考資料としてご利用ください。最新情報
は必ずオリジナルの英語版をご参照願います。
MCP6421/2/4
4.4 μA/90 kHz 耐 EMI オペアンプ
特長
概要
• 低無負荷時電流
- アンプあたり 4.4 µA (typ.)
• 低入力オフセット電圧
- ±1.0 mV (max.)
Microchip 社の MCP6421/2/4 オペアンプ ファミリは単
電源で最低 1.8 V まで動作し、無負荷時消費電流は
5.5 µA 以下と低く抑えられています。本ファミリは、
低入力オフセット電圧 ( 最大 ±1.0 mV) とレールツー
レール入出力動作といった特長も備えます。加えて、
MCP6421/2/4 ファミリはユニティゲインで安定動作
し、90 kHz (typ.) のゲイン帯域幅積を有します。以上
のような特長を持つ本ファミリの製品は、バッテリ駆
動型および携帯型アプリケーションをサポートしま
す。MCP6421/2/4 ファミリの EMI 保護性能は強化さ
れているため、外部電磁干渉源からの影響を最小限に
抑える事ができます。このため、EMI の影響を受けや
すい電力線、放送局、移動体通信等のアプリケーショ
ンに最適です。
• 強化された EMI 保護
- EMI 除去比 (EMIRR) @1.8 GHz: 97 dB
• 電源電圧レンジ : 1.8 ～ 5.5 V
• ゲイン帯域幅積 : 90 kHz (typ.)
• レールツーレール入出力
• スルーレート : 0.05 V/µs (typ.)
• ユニティゲインで安定動作
• 位相反転なし
• 小型パッケージ
- 1 回路入り : SC70-5、SOT-23-5
- 2 回路入り : MSOP-8、SOIC-8
- 4 回路入り : SOIC-14、TSSOP-14
MCP6421/2/4 ファミリには、1 回路入り (MCP6421)、
2 回路入り (MCP6422)、4 回路入り (MCP6424) パッ
ケージがあります。全てのデバイスは先進 CMOS プロ
セスの下に設計されており、全ての仕様値は拡張温度
レンジ (-40 ～ +125 ℃ ) での値です。
• 拡張温度レンジ
- -40 ～ +125 ℃
代表的なアプリケーション
VDD
R+¨R
R-¨R
アプリケーション
•
•
•
•
•
•
携帯型医療機器
安全監視
バッテリ駆動システム
遠隔計測
電源電流計測
アナログ アクティブ フィルタ
-
Va
Vb
VDD
-
R-¨R R+¨R
SPICE マクロモデル
FilterLab® ソフトウェア
Microchip Advanced Parts Selector (MAPS)
アナログ デモ / 評価用ボード
アプリケーション ノート
+
R3
MCP6421 100k
R1
1kŸ
+
設計支援
•
•
•
•
•
VDD
VDD
VOUT
-
+
R2
1kŸ
MCP6421
MCP6421
R5
100k
100k 
V OUT =  V a – V b   ---------------1k 
歪みゲージ
パッケージタイプ
MCP6421
SC70-5, SOT-23-5
VOUT 1
5 VDD
VSS 2
VIN+ 3
4 VIN–
 2014 Microchip Technology Inc.
MCP6424
SOIC, TSSOP
MCP6422
MSOP, SOIC
VOUTA 1
VINA– 2
VINA+ 3
VSS 4
8
7
6
5
VDD
VOUTB
VINB–
VINB+
1
2
3
4
VINB+ 5
VINB– 6
VOUTB 7
VOUTA
VINA–
VINA+
VDD
14
13
12
11
10
9
8
VOUTD
VIND–
VIND+
VSS
VINC+
VINC–
VOUTC
DS20005165B_JP - p. 1
MCP6421/2/4
NOTE:
DS20005165B_JP - p. 2
 2014 Microchip Technology Inc.
MCP6421/2/4
1.0
電気的特性
1.1
絶対最大定格 †
VDD – VSS.................................................................................................................................................. 6.5 V
アナログ入力ピン電流 (VIN+、VIN–)........................................................................................................ ±2 mA
アナログ入力 (VIN+、VIN-)††................................................................................... VSS – 1.0 V ～ VDD + 1.0 V
その他の入出力 ....................................................................................................... VSS – 0.3 V ～ VDD + 0.3 V
差動入力電圧 .................................................................................................................................... |VDD – VSS|
出力短絡電流 .............................................................................................................................................. 連続
入力ピン電流 ............................................................................................................................................ ±2 mA
出力および電源ピン電流 ......................................................................................................................... ±30 mA
保管温度 ...................................................................................................................................... –65 ～ +150 ℃
最高接合部温度 (TJ)................................................................................................................................. +150 ℃
全ピンの ESD 保護 (HBM/MM)  4 kV/400 V
全ピンの ESD 保護 (HBM/MM) (2/4 回路入り )................................................................................  4 kV/300 V
† 注 : 「絶対最大定格」を超える条件は、デバイスに恒久的な損傷を生じる可能性があります。これはストレス定格
です。本書の動作表に示す条件または上記から外れた条件でのデバイスの運用は想定していません。長期間にわたる
最大定格条件での動作や保管は、デバイスの信頼性に影響する可能性があります。
†† 4.1.2「入力電圧の制限」を参照してください。
1.2
仕様
表 1-1: DC 特性
電気的特性 : 明記のない場合、条件は TA= +25 ℃、vDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS= GND、VCM = VDD/2、
VOUT = VDD/2、VL = VDD/2、RL = 100 k( VL に対して )、CL = 30 pF です ( 図 1-1 参照 )。
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
VOS
-1.0
—
1.0
mV
VOS/TA
—
±3.0
—
PSRR
75
90
—
—
±1
50
pA
—
20
—
pA
TA = +85 ℃
—
800
—
pA
TA = +125 ℃
—
±1
—
pA
パラメータ
条件
入力オフセット
入力オフセット電圧
入力オフセットの温度ドリフト
電源電圧除去比
VDD = 3.0 V
VCM = VDD/4
µV/ ℃ TA= -40 ～ +125 ℃
VCM = VSS
dB
VCM = VSS
入力のバイアス電流とインピーダンス
入力バイアス電流
入力オフセット電流
IB
IOS
コモンモード入力インピーダンス
ZCM
—
1013||12
—
||pF
差動入力インピーダンス
ZDIFF
—
1013||12
—
|pF
コモンモード入力電圧レンジ
VCMR
VSS – 0.3
—
VDD + 0.3
V
コモンモード除去比
CMRR
75
90
—
dB
70
85
—
dB
コモンモード
 2014 Microchip Technology Inc.
VDD = 5.5 V
VCM = -0.3 ～ 5.8 V
VDD = 1.8 V
VCM = -0.3 ～ 2.1 V
DS20005165B_JP - p. 3
MCP6421/2/4
表 1-1: DC 特性 ( 続き )
電気的特性 : 明記のない場合、条件は TA= +25 ℃、vDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS= GND、VCM = VDD/2、
VOUT = VDD/2、VL = VDD/2、RL = 100 k( VL に対して )、CL = 30 pF です ( 図 1-1 参照 )。
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
AOL
95
115
—
dB
0.3 < VOUT < (VDD –0.3 V)
VCM= VSS
VDD = 5.5 V
HIGH レベル出力電圧
VOH
VDD – 4
VDD – 1
—
mV
VDD = 1.8 V
VDD – 5
VDD – 1
—
mV
VDD = 5.5 V
LOW レベル出力電圧
VOL
—
VSS + 1
VSS + 4
mV
VDD = 1.8 V
—
VSS + 1
VSS + 5
mV
VDD = 5.5 V
出力短絡電流
ISC
—
±6
—
mA
VDD = 1.8 V
—
±22
—
mA
VDD = 5.5 V
パラメータ
条件
開ループゲイン
DC 開ループゲイン ( 大信号 )
出力
電源
電源電圧
オペアンプ 1 回路あたりの
無負荷時電流
VDD
1.8
—
5.5
V
IQ
3
4.4
5.5
µA
IO = 0、VCM = VDD/4
表 1-2: AC 特性
電気的特性 : 明記のない場合、条件は TA= +25 ℃、vDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS= GND、VCM = VDD/2、
VOUT = VDD/2、VL = VDD/2、RL = 100 k(VL に対して )、CL = 30 pF です ( 図 1-1 参照 )。
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
利得帯域幅積
GBWP
—
90
—
kHz
位相マージン
PM
—
55
—
°
スルーレート
SR
—
0.05
—
V/µs
入力ノイズ電圧
Eni
—
15
—
µVP-P
入力ノイズ電圧密度
eni
—
95
—
nV/Hz
f = 0.1 ～ 10 Hz
f = 1 kHz
—
90
—
nV/Hz
f = 10 kHz
ini
—
0.6
—
fA/Hz
EMIRR
—
77
—
dB
—
92
—
VIN = 100 mVPK
900 MHz
-
97
—
VIN = 100 mVPK
1800 MHz
-
99
—
VIN = 100 mVPK
2400 MHz
パラメータ
条件
AC 応答
G = +1 V/V
ノイズ
入力ノイズ電流密度
EMI 除去比
DS20005165B_JP - p. 4
f = 1 kHz
VIN = 100 mVPK
400 MHz
 2014 Microchip Technology Inc.
MCP6421/2/4
表 1-3: 温度仕様
電気的特性 : 明記のない場合、条件は VDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS = GND です。
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
動作温度レンジ
TA
-40
—
+125
℃
保管温度レンジ
TA
-65
—
+150
℃
熱抵抗、5 ピン SC70
JA
—
331
—
℃ /W
熱抵抗、5 ピン SOT-23
JA
—
221
—
℃ /W
熱抵抗、8 ピン MSOP
JA
—
211
—
℃ /W
熱抵抗、8 ピン SOIC
JA
—
150
—
℃ /W
熱抵抗、14 ピン SOIC
JA
—
95
—
℃ /W
JA
—
パラメータ
条件
温度レンジ
Note 1
パッケージ熱抵抗
熱抵抗、14 ピン TSSOP
℃ /W
Note 1: 内部接合部温度 (TJ) は最大絶対定格温度 (+150 ℃ ) を超えない事が必要です。
1.3
100
—
試験回路
大部分の AC および DC 特性試験に使った回路を
図 1-1 に示します。この回路では、VCM と VOUT
を別々に設定できます ( 式 1-1 参照 )。VCM は回
路のコモンモード電圧 ((VP + VM)/2) ではない事
に注意してください。また、VOST は VOS に温
度、CMRR、PSRR、AOL による入力オフセット
エラーVOST への影響を加味した電圧である事に
も注意してください。
CF
6.8 pF
RG
100 k
RF
100 k
VP
VDD
VIN+
式 1-1:
CB1
100 nF
MCP6421
G DM = R F  R G
V OUT =  V DD  2  +  V P – V M  + V OST  1 + G DM 
GDM = 差動モードゲイン
(V/V)
VCM = オペアンプのコモンモード入力電圧 (V)
VOST = オペアンプの総入力オフセット電圧 (mV)
CB2
1 µF
VIN–
V CM =  V P + V DD  2   2
V OST = V IN– – V IN+
VDD/2
VM
RG
100 k
RF
100 k
CF
6.8 pF
RL
100 k
VOUT
CL
30 pF
VL
図 1-1: 主な仕様値の評価に使った AC および
DC 試験回路
 2014 Microchip Technology Inc.
DS20005165B_JP - p. 5
MCP6421/2/4
NOTE:
DS20005165B_JP - p. 6
 2014 Microchip Technology Inc.
MCP6421/2/4
2.0
代表的な性能データ
以下の図表は限られたサンプル数に基づく統計的な結果であり、あくまでも情報提供を目的としていま
す。ここに記載した性能特性は検証されておらず保証されません。以下の図表の一部には、仕様の動作
レンジ外で計測されたデータ ( 例 : 仕様レンジ外の電源を使用 ) が含まれている可能性があり、それらの
データは保証範囲外です。
Note:
1000
800
600
400
0
200
-200
-400
-600
-800
1253Samples
VDD = 3.0V
VCM = VDD/4
-1000
entage of Occurences
Perce
48%
44%
40%
36%
32%
28%
24%
20%
16%
12%
8%
4%
0%
Inputt Offset Voltage (μV)
Note: 明記のない 場合、条件は TA= +25 ℃、VDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS= GND、VCM = VDD/2、VOUT = VDD/2、
VL = VDD/2、RL = 100 kVL に対して )、CL = 30 pF です。
Input Offset Voltage (μV)
図 2-1: 入力オフセット電圧
1000
TA = +125°C
800
TA = +85°C
600
TA = +25°C
TA = -40°C
400
200
0
-200
-400
VDD = 5
5.5V
5V
-600
Representative Part
-800
-1000
-0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
Common Mode Input Voltage (V)
図 2-4: コモンモード入力電圧と入力オフセット
電圧の関係
8%
346 Samples
VDD = 3.0V
VCM = VDD/4
TA = -40°C to +125°C
6%
4%
2%
1000
800
600
400
200
0
-200
-400
-600
-800
-1000
Inputt Offset Voltage (μV)
Percentage of Occurances
10%
0%
図 2-3: コモンモード入力電圧と入力オフセット
VDD = 1.8V
0.5
1
1.5
2 2.5 3 3.5 4
Output Voltage (V)
4.5
5
5.5
図 2-5: 出力電圧と入力オフセット電圧の関係
1000
Input O
Offset Voltage (μV)
Inputt Offset Voltage (μV)
1000
800
TA = +125°C
600
TA = +85°C
T
A = +25°C
400
TA = -40°C
200
0
-200
-400
-600
VDD = 1.8V
-800 Representative
Part
-1000
-0.3 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 2.1
Common Mode Input Voltage (V)
VDD = 5.5V
0
-12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10 12
Input Offset Voltage Drift (μV/°C)
図 2-2: 入力オフセット電圧のドリフト
Representative Part
800
Representative Part
600
400
200
0
-200
-400
-600
-800
TA = +125°C
125 C
TA = +85°C
TA = +25°C
TA = -40°C
-1000
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5
Power Supply Voltage (V)
図 2-6: 電源電圧と入力オフセット電圧の関係
電圧の関係
 2014 Microchip Technology Inc.
DS20005165B_JP - p. 7
MCP6421/2/4
90
140
80
130
70
120
CM
MRR, PSRR (dB)
Input No
oise Voltage Density
(nV/¥Hz)
Note: 明記のない場合、条件は TA= +25 ℃、VDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS= GND、VCM = VDD/2、VOUT = VDD/2、
VL = VDD/2、RL = 100 k(VL に対して )、CL = 30 pF です。
60
50
40
30
20
PSRR
110
100
90
80
CMRR @ VDD = 5.5V
@ VDD = 1.8V
70
f = 10 kHz
VDD = 5.5 V
10
60
0
-0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
Common Mode Input Voltage (V)
図 2-7: コモンモード入力電圧と入力ノイズ電圧
50
-50
-25
0
25
50
75
100
Ambient Temperature (°C)
125
図 2-10: 周囲温度と CMRR/PSRR の関係
密度の関係
1000
1n
Input Bias and Offset Currents
(A)
VDD = 5.5V
100
100p
1,000
100
Input Bias Current
10p
10
1p
1
0.1p
0.1
Input Offset Current
Ambient Temperature (°C)
図 2-8: 周波数と入力ノイズ電圧密度の関係
125
1.E+5
100k
115
10k
105
1.E+4
95
1.E+2
1.E+3
10
100
1k
Frequency (Hz)
85
1.E+1
75
1
65
1.E+0
55
0.1
25
1.E-1
45
0.01p
0.01
10
35
Input No
oise Voltage Density
(nV/¥Hz)
10,000
図 2-11: 周囲温度と入力バイアス / オフセット電
流の関係
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
-100
100
CMRR
80
70
PSRR-
60
50
PSRR+
40
30
20
10
10
100
100
1000
1k
Frequency (Hz)
TA = +125°C
Input B
Bias Current (pA)
CMR
RR, PSRR (dB)
90
Representative Part
10000
10k
図 2-9: 周波数と CMRR/PSRR の関係
100000
100k
TA = +85°C
TA = +25°C
VDD = 5.5 V
0
0.5
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Common Mode Input Voltage (V)
5.5
図 2-12: コモンモード入力電圧と入力バイアス
電流の関係
DS20005165B_JP - p. 8
 2014 Microchip Technology Inc.
MCP6421/2/4
Note: 明記のない場合、条件は TA= +25 ℃、VDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS= GND、VCM = VDD/2、VOUT = VDD/2、
VL = VDD/2、RL = 100 k(VL に対して )、CL = 30 pF です。
6
VDD = 5.5V
VDD = 1.8V
5
Ou
uiescent Current
(μA/Amplifier)
Quiescent Current
(μA/Amplifier)
6
4
3
2
5
4
3
2
1
1
0
-0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Common Mode Input Voltage (V)
0
-50
-25
0
25
50
75
100
Ambient Temperature (°C)
125
図 2-13: 周囲温度と無負荷時電流の関係
VDD = 5.5V
G = +1 V/V
図 2-16: コモンモード入力電圧と無負荷時電流
の関係
6
120
0
4
3
TA = +125°C
TA = +85°C
TA = +25°C
25°C
TA = -40°C
2
1
0
60
-90
40
-120
20
-150
0
-180
1.0E+00
1
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
10 100 1k
Frequency (Hz)
1.0E+04
10k
-210
1.0E+05
100k
140
DC Open-Loop Gain (dB)
Ou
uiescent Current
(μA/Amplifier)
-60
Open-Loop Phase
図 2-17: 周波数と開ループゲイン / 位相の関係
6
5
4
3
2
1
-30
80
-201.0E-02 1.0E-01
0.01 0.1
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
Power Supply Voltage (V)
図 2-14: 電源電圧と無負荷時電流の関係
100
Open
n-Loop Phase (°)
5
Open
n-Loop Gain (dB)
Quiescent
Q
Current
(μA/Amplifier)
Open-Loop Gain
VDD = 1.8V
G = +1 V/V
0
-0.5 -0.2 0.1 0.4 0.7 1.0 1.3 1.6 1.9 2.2 2.5
Common Mode Input Voltage (V)
図 2-15: コモンモード入力電圧と無負荷時電流
VDD = 5.5V
130
120
VDD = 1.8V
110
100
90
80
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
図 2-18: 周囲温度と DC 開ループゲインの関係
の関係
 2014 Microchip Technology Inc.
DS20005165B_JP - p. 9
MCP6421/2/4
Note: 明記のない場合、条件は TA= +25 ℃、VDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS= GND、VCM = VDD/2、VOUT = VDD/2、
VL = VDD/2、RL = 100 k(VL に対して )、CL = 30 pF です。
Output Short Circuit Current
(mA)
DC--Open Loop Gain (dB)
150
140
130
120
110
100
VDD = 5.5V
VDD = 1.8V
90
80
70
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
40
Isc+@ TA = +125°C
TA = +85°C
TA = +25°C
TA = -40°C
30
20
10
0
-10
Isc-@ TA = +125°C
TA = +85°C
85°C
TA = +25°C
TA = -40°C
20
-20
-30
-40
0
Output Voltage Headroom (V)
VDD - VOH or VOL - VSS
図 2-19: 出力電圧ヘッドルームと DC 開ループ
0.5
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Power Supply Voltage (V)
5
5.5
図 2-22: 電源電圧と出力短絡電流の関係
ゲインの関係
180
140
80.0
120
Gain Bandwidth Product
70.0
100
80
60.0
60
50.0
VDD = 5.5V
12V
40.0
40
Phase Margin
20
30.0
Outputt Voltage Swing (VP-P)
10
160
90.0
Ph
hase Margin (°)
Gain B
Bandwidth Product
(MHz)
100.0
0
-50
VDD = 5.5V
VDD = 1.8V
1
0.1
1000
10000
10k
Frequency (Hz)
1k
-25
0
25
50
75 100 125
Ambient Temperature (°C)
図 2-20: 周囲温度とゲイン帯域幅積 / 位相マージ
100000
100k
図 2-23: 周波数と出力電圧振幅の関係
180
160
90.0
140
80.0
120
70.0
Gain Bandwidth Product
100
80
60.0
60
50.0
Phase Margin
40.0
VDD = 1.8V
30.0
Phase Margin (°)
Gain B
Bandwidth Product
(MHz)
100.0
40
20
0
-50
-25
0
25
50
75 100 125
Ambient Temperature (°C)
図 2-21: 周囲温度とゲイン帯域幅積 / 位相マージ
Output Voltage
V
Headroom (mV)
ンの関係
1000
VDD = 1.8V
100
VDD - VOH
10
VOL - VSS
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
Output Current (mA)
100
図 2-24: 出力電流と出力電圧ヘッドルームの関係
ンの関係
DS20005165B_JP - p. 10
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MCP6421/2/4
1000
0.09
VDD = 5.5V
100
VDD - VOH
10
VOL - VSS
1
0.06
0.05
0.04
0.03
Falling Edge, VDD = 1.8V
Rising
Ri
i Edge,
Ed
VDD = 1.8V
1 8V
0.02
0.00
0.1
1
10
Output Current (mA)
-50
100
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
図 2-25: 出力電流と出力電圧ヘッドルームの関係
図 2-28: 周囲温度とスルーレートの関係
0.9
0.8
Outputt Voltage (20 mV/div)
Output Voltage
V
Headroom (mV)
0.07
0.01
0.1
0.01
VDD - VOH
0.7
0.6
0.5
VOL - VSS
0.4
0.3
0.2
0.1
VDD = 1.8V
0
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature (°C)
100
VDD = 5.5V
5 5V
G = +1 V/V
125
Time (25 μs/div)
図 2-26: 周囲温度と出力電圧ヘッドルームの関係
図 2-29: 微弱信号の非反転パルス応答
1.2
Output Voltage (20 mV/div)
Output Voltage
V
Headroom (mV)
Falling Edge, VDD = 5.5V
Rising Edge, VDD = 5.5V
0.08
Slew
S
Rate (V/μs)
Output Voltage
V
Headroom (mV)
Note: 明記のない場合、条件は TA= +25 ℃、VDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS= GND、VCM = VDD/2、VOUT = VDD/2、
VL = VDD/2、RL = 100 k(VL に対して )、CL = 30 pF です。
VOL - VSS
1
0.8
VDD - VOH
0.6
0.4
0.2
VDD = 5.5V
VDD = 5.5 V
G = -1 V/V
0
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature (°C)
100
125
図 2-27: 周囲温度と出力電圧ヘッドルームの関係
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Time (25 μs/div)
図 2-30: 微弱信号の反転パルス応答
DS20005165B_JP - p. 11
MCP6421/2/4
10000
Ou
utput Voltage (V)
5
Clos
sed Loop Output
Im
mpedance (:)
6
1000
4
3
2
VDD = 5.5
55V
G = +1 V/V
100
GN:
101 V/V
11 V/V
1 V/V
10
1
1
0
1.0E+00
図 2-31: 大信号の非反転パルス応答
1.0E+01
1
Time (0.1 ms/div)
10
1.0E+02
1.0E+03
100
1k
Frequency (Hz)
1.0E+04
10k
1.0E+05
100k
図 2-34: 周波数と閉ループ出力インピーダンス
6
100μ
5
10μ
4
-IIN (A)
Output Voltage (V)
O
の関係
VDD = 5.5 V
G = -1 V/V
3
1μ
100n
2
10n
1
TA = +125°C
TA = +85°C
TA = +25°C
TA = -40°C
1n
-1.0 -0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0.0
0
VIN (V)
Time (0.1 ms/div)
図 2-32: 大信号の反転パルス応答
図 2-35: VSS 以下の入力電圧と実測入力電流の
関係
5
VOUT
4
3
EMIRR (dB)
Input, Output Voltages (V)
6
VIN
2
1
0
VDD = 5.5V
G = +2V/V
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
VIN = 100 mVPK
VDD = 5.5V
100k
-1
Time (1 ms/div)
図 2-33: MCP6421/2/4 では入力電圧が VDD を超
1M
10M
100M
1G
10G
Frequency (Hz)
図 2-36: 周波数と EMIRR の関係
えても位相反転しない事を示すグラフ
DS20005165B_JP - p. 12
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MCP6421/2/4
Note: 明記のない場合、条件は TA= +25 ℃、VDD = +1.8 ～ +5.5 V、VSS= GND、VCM = VDD/2、VOUT = VDD/2、
VL = VDD/2、RL = 100 k(VL に対して )、CL = 30 pF です。
120
EMIRR (dB)
100
80
60
EMIRR @ 2400 MHz
EMIRR @ 1800 MHz
EMIRR @ 900 MHz
EMIRR @ 400 MHz
40
20
0
0.01
0.1
1
RF Input Peak Voltage Voltage (VPK)
図 2-37: RF 入力ピークツーピーク電圧と
EMIRR の関係
Channel-to-Channel
Separation (dB)
140
130
Input Referred
120
110
100
90
80
70 100.00
100
1000.00
1k
10000.00
100000.00
10k
100k
Frequency (Hz)
1000000.00
1M
図 2-38: 周波数とチャンネル間分離の関係
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MCP6421/2/4
NOTE:
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MCP6421/2/4
3.0
ピンの説明
デバイスのピン機能の一覧を表 3-1 に示します。
表 3-1: ピン機能
MCP6421
MCP6422
MCP6424
SC70-5
SOT-23-5
MSOP、
SOIC
SOIC、
TSSOP
記号
1
1
1
VOUT、VOUTA
4
2
2
VIN–、VINA–
反転入力 ( オペアンプ A)
3
3
3
8
4
VIN+、VINA+
VDD
非反転入力 ( オペアンプ A)
5
—
5
5
VINB+
非反転入力 ( オペアンプ B)
—
6
6
VINB–
反転入力 ( オペアンプ B)
アナログ出力 ( オペアンプ B)
3.1
名称
アナログ出力 ( オペアンプ A)
正極性電源
—
7
7
VOUTB
—
—
8
VOUTC
アナログ出力 ( オペアンプ C)
—
—
9
VINC–
反転入力 ( オペアンプ C)
—
—
10
VINC+
2
4
11
VSS
—
—
12
VIND+
非反転入力 ( オペアンプ D)
—
—
13
VIND–
反転入力 ( オペアンプ D)
—
—
14
VOUTD
アナログ出力 ( オペアンプ D)
非反転入力 ( オペアンプ C)
負極性電源
アナログ出力
出力ピンは低インピーダンス電圧源です。
3.2
アナログ入力
非反転および反転入力は、低バイアス電流の高イン
ピーダンス CMOS 入力です。
3.3
電源ピン (VSS、VDD)
正極性電源電圧 (VDD) のレンジは 1.8 ～ 5.5 V です ( 負
極性電源電圧 VSS を基準とする )。通常動作時のその
他のピンの電圧レンジは VSS ～ VDD です。
一般的に、このようなオペアンプは単電源 ( 正極性 )
回路構成で使います。その場合、VSS をグランドに接
続し、VDD を電源に接続します。VDD にはバイパス コ
ンデンサが必要です。
 2014 Microchip Technology Inc.
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MCP6421/2/4
NOTE:
DS20005165B_JP - p. 16
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MCP6421/2/4
4.0
アプリケーション情報
MCP6421/2/4オペアンプは、Microchip社の先進CMOS
プロセスによって製造しています。このオペアンプは
ユニティゲインで安定に動作し、さまざまなアプリ
ケーションに幅広くお使い頂けます。
4.1
アプリケーションによっては、オペアンプ入力を過電
圧から保護する必要があります。図 4-2 に入力保護回
路の一例を示します。
VDD
レールツーレール入力
4.1.1
D1
位相反転
MCP6421/2/4 オペアンプは、入力ピン電圧が電源電圧
を超えても位相反転が生じないように設計されていま
す ( 図 2-33 参照 )。
4.1.2
入力電圧の制限
入力における静電放電 (ESD) 保護の概略を図 4-1 に示
します。入力トランジスタを大部分の過電圧条件 ( 全
てではない ) から保護すると共に、入力バイアス電流
(IB) を最小限に抑えるために、このような構造を採用
しています。
VDD Bond
Pad
Input
Stage
VOUT
MCP642X
V2
図 4-2: アナログ入力の保護
オペアンプの損傷や不適正動作を防ぐために、入力ピ
ン電圧を回路で制限する必要があります (1.1「絶対最
大定格 †」参照 )。
VIN+ Bond
Pad
D2
V1
Bond V –
IN
Pad
VSS Bond
Pad
コモンモード電圧 (VCM) がグランド (VSS) よりも低下
すると、入力から大電流が流れる可能性があります
( 図 2-35 参照 )。
4.1.3
入力電流の制限
オペアンプの損傷や不適正動作を防ぐために、入力ピ
ン電流を回路で制限する必要があります (1.1「絶対最
大定格 †」参照 )。
図 4-3 に、そのような入力保護回路の一例を示します。
抵抗 R1 と R2 により、入力ピン ( および ESD ダイオー
ド D1、D2) に流れる可能性のある電流を両方向に制限
します。ダイオード電流は VDD または VSS を通して
流れます。
VDD
D1
D2
V1
R1
図 4-1: アナログ入力 ESD 保護の概略構造図
VOUT
MCP642X
V2
入力 ESD ダイオードは、入力が VSS に対してダイオー
ド 1 段分より低くなると、入力をクランプします。ま
た、VDD を大きく超える電圧も全てクランプします。
これらのダイオードの降伏電圧は、通常動作を可能と
するには十分高いものの、VDD を超える低速の過電圧
イベントから保護するほどには低くありません。入力
ESD ダイオードは、仕様条件を満たす非常に短期間の
ESD イベントを制限し、これにより発生する損傷を防
ぎます。
 2014 Microchip Technology Inc.
R2
min(R1,R2) >
VSS – min(V1, V2)
2 mA
min(R1,R2) >
max(V1,V2) – VDD
2 mA
図 4-3: アナログ入力の保護
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MCP6421/2/4
標準的な動作
MCP6421/2/4 オペアンプの入力段は、2 つの差動入力
段を並列に使います。一方は低いコモンモード入力電
圧 (VCM) で動作し、他方は高い VCM で動作します。こ
の よ う な ト ポ ロ ジ に よ り、本 オ ペ ア ン プ は
VSS - 300 mV ～ VDD+ 300 mV の VCM で動作します。
適正な動作を保証する入力オフセット電圧は
VCM = VSS – 0.3 V～VDD + 0.3 Vの範囲で得られます。
VCM が VDD – 約 0.6 V の時に入力段が切り換わります
( 図 2-3 と図 2-4 参照 )。歪み特性とゲイン直線性 ( 非
反転ゲイン ) を良好に保つため、この領域での動作は
避ける必要があります。
4.2
容量性負荷
大きな容量性負荷を駆動すると、電圧帰還オペアンプ
の安定性に問題が生じる可能性があります。負荷容量
が増えるにつれて帰還ループの位相マージンが減少
し、閉ループ帯域幅が低下します。これにより周波数
応答にゲインのピークが生じ、ステップ応答にオー
バーシュートとリンギングが発生します。ユニティゲ
イン バッファ(G = +1 V/V) が容量性負荷に対して最も
敏感ですが、全てのゲインは同様の一般的挙動を示し
ます。
MCP6421/2/4 オペアンプで大きな容量性負荷 ( 例 :
G = +1 V/V で 60 pF 以上 ) を駆動する場合、出力に値
の低い直列抵抗 (RISO、図 4-5 参照 ) を取り付けて出力
負荷を抵抗性にする事により、高周波における帰還
ループの位相マージン ( 安定性 ) を改善できます。一
般的に帯域幅は容量性負荷の存在によって低下しま
す。
–
VIN
RISO
MCP642X
+
VDD = 5.5 V
RL = 100 kȍ
10000
1000
GN:
1 V/V
2 V/V
≥ 5 V/V
100
10
1
10p
100p
1n
10n
0.1μ
1.E-11
1.E-10
1.E-09
1.E-08
1.E-07
Normalized Load Capacitance; CL/GN (F)
図 4-5: 容量性負荷と推奨 RISO 値の関係
レールツーレール出力
MCP6421/2/4 オペアンプの出力電圧レンジは 0.001 ～
5.499 V (typ.) です ( 条件 : RL = 100 k を VDD/2 に接
続、VDD = 5.5 V)。詳細は図 2-24 と図 2-26 を参照し
てください。
4.3
100000
Reco
ommended R ISO (Ω)
4.1.4
VOUT
CL
上記に従って選択した RISO を実際の回路に取り付け
て、周波数応答のピークとステップ応答のオーバー
シュートを確認します。結果が好ましくない場合、妥
当な応答が得られるまで RISO の値を変更します。こ
の よ う な ベ ン チ 評 価 と シ ミ ュ レ ー シ ョ ン に は、
MCP6421/2/4 SPICE マクロモデルが非常に役立ちま
す。
4.4
電源バイパス
良好な高周波性能を得るため、MCP6421/2/4 オペアン
プの電源ピン ( 単電源の場合、VDD) にはローカルなバ
イパスコンデンサ (0.01 ～ 0.1µF) を 2 mm 以内の距離
で取り付ける必要があります。低周波の大電流を供給
する必要がある場合、バルクコンデンサ (1 µF 以上 )
を 100 mm 以内の距離で取り付けます。このバルクコ
ンデンサは他のアナログデバイスと共有可能です。
4.5
未使用オペアンプ
4 回路入りパッケージ (MCP6424) では、一部のオペア
ンプを使わない場合があります。そのような場合、未
使用のオペアンプを図 4-6 のように構成する必要があ
ります。これらの回路は、出力のトグリングとクロス
トークの発生を防ぎます。図中左側の回路 (A) は、オ
ペアンプのノイズゲインを最小限に抑えます。抵抗分
圧器は、オペアンプの出力電圧レンジ内で必要な参照
電圧を生成します。オペアンプはこの参照電圧をバッ
ファリングします。
図中右側の回路 (B) は最小限の部品点数でコンパレー
タとして動作しますが、消費電流は増加する可能性が
あります。
¼ MCP6424 (A)
図 4-4: 容量性負荷が大きい場合の出力抵抗 RISO
VDD
による安定性の改善
R1
図 4-5 に、ゲインをパラメータとして、容量性負荷に
対する推奨 RISO 値の関係を示します。X 軸は正規化し
た負荷容量 (CL/GN) です (GN は回路のノイズゲイン )。
非反転ゲインの場合、GN と信号ゲインは同じです。反
転ゲインの場合、GN は 1 + | 信号ゲイン | です
( 例 : -1 V/V の場合、GN = +2 V/V)。
¼ MCP6424 (B)
R2
VDD
VDD
VREF
R2
V REF = V DD  -------------------R1 + R2
図 4-6: 未使用オペアンプ
DS20005165B_JP - p. 18
 2014 Microchip Technology Inc.
MCP6421/2/4
4.6
プリント基板の表面リーク電流
入力バイアス電流を低く抑える事が重要となるアプリ
ケーションでは、プリント基板 (PCB) の表面リーク電
流の影響を考慮する必要があります。表面リーク電流
は湿気やほこり等の汚れによって発生します。低湿度
条 件 に お け る 隣 接 ト レ ー ス 間 の 抵 抗 は、一 般 的 に
1012 程度です。この場合、5 V の電圧差によって 5 pA
の電流が流れ、これは MCP6421/2/4 ファミリのバイ
アス電流 (+25 ℃で 1 pA、typ.) を上回ります。
表面リーク電流を低減するには、敏感なピン ( または
トレース ) の周囲にガードリングを設ける方法が最も
容易です。この場合、ガードリングを敏感なピンと同
電位にバイアスします。図 4-7 に、ガードリングのレ
イアウト例を示します。
Guard Ring
VIN– VIN+
4.7
EMI 除去比 (EMIRR) の定義
電磁干渉 (EMI) とは、電磁誘導または外部干渉源から
の電磁放射によって電気回路に影響を及ぼす外乱の事
です。
EMI 除去比 (EMIRR) はオペアンプの EMI 耐性を表す
パラメータです。この値は、RF 干渉信号がオペアン
プの性能に与える影響を定量的に示します。本オペア
ンプはパッシブ フィルタを内蔵するため、従来品に比
べて EMIRR が向上しています。従って、適切な方法
でプリント基板をレイアウトする事で EMC 性能が向
上します。
EMIRR は下式で定義されます。
式 4-1:
V RF
EMIRR  dB  = 20  log  -------------
 V OS
VSS
VRF = RF 干渉信号のピーク振幅 (VPK)
VOS = 入力オフセット電圧シフト (V)
図 4-7: 反転ゲイン用のガードリング レイアウト例
1.
2.
非反転ゲインおよびユニティゲイン バッファの
場合 :
a) プリント基板に接触しないジャンパ線を使っ
て、非反転ピン (VIN+) を入力に接続します。
b) ガードリングを反転入力ピン (VIN–) に接続し
ます。これにより、ガードリングをコモンモー
ド入力電圧までバイアスします。
非反転ゲインおよびトランス インピーダンス ゲイ
ンアンプ(光検出器等、
電流を電圧に変換する)場合:
a) ガードリングを非反転入力ピン (VIN+) に接続
します。これにより、ガードリングをオペア
ンプと同じ参照電圧 ( 例 : VDD/2 またはグラ
ンド ) までバイアスします。
b) プリント基板に接触しないジャンパ線を使っ
て、反転ピン (VIN-) を入力に接続します。
 2014 Microchip Technology Inc.
4.8
4.8.1
アプリケーション回路
CO センサ
一酸化炭素 (CO) 検知機は、空気中の一酸化炭素濃度
を検出します。この検知機はバッテリで動作し、音と
表示で警告を発します。
センサの抵抗は、内部エレメントに曝された空気中の
CO 濃度に比例して減少します。センサモジュールで
は、このセンサ抵抗 (CO 濃度によって変化 ) と R1 ポ
テンショメータによって分圧器を形成します。この分
圧器の出力は MCP6421 オペアンプの非反転入力に接
続します。オペアンプはユニティゲイン バッファとし
て構成し、センサ感度の無負荷テストポイントを提供
するために使います。
このセンサは寄生電磁信号によって破損する可能性が
あるため、MCP6421 オペアンプはこのセンサのコン
ディショニング用に使えます。
DS20005165B_JP - p. 19
MCP6421/2/4
図 4-8 では、環境の変化に応じてセンサを校正するた
めに可変抵抗を使っています。
VDD
VREF
VDD
-
+
R1
VOUT
MCP6421
図 4-8: CO センサ回路
圧力センサ用アンプ
4.8.2
MCP6421/2/4 オペアンプは、バッテリ駆動型アプリ
ケーションのセンサ信号コンディショニング用に最適
です。多くのセンサはホイートストン ブリッジとして
構成されます。代表例として、歪みゲージや圧力セン
サがあります。
図 4-9 に、EMI 保護が強化された MCP6421/2/4 によ
る歪みゲージアンプを示します。高 EMI 耐性オペアン
プによる差動アンプを使って、ホイートストン ブリッ
ジからの信号を増幅します。バッファとして構成した
2 個のオペアンプを圧力センサの出力に接続する事
で、抵抗 R1 および R2 によってブリッジに抵抗性負
荷が生じる事を防ぎます。CMRR のマッチングのため
に抵抗 R1、R2、R3、 R5 は非常に小さな許容誤差で選
択する必要があります。
VDD
R+¨R
R-¨R
VDD
-
Va
Vb
VDD
-
R-¨R R+¨R
+
MCP6421
図 4-10 に、ハイサイド バッテリ電流センサ回路を示
します。電力損失を最小限に抑えるため、10 の抵抗
を使っています。10 抵抗にバッテリ電流 (IDD) が流
れると、回路図内の抵抗の上端電圧は下端電圧よりも
負極性になります。これにより、オペアンプのコモン
モード入力は VDD より低く ( 許容レンジ内 ) に維持さ
れます。オペアンプの出力も VDD より低く ( 仕様の最
大出力電圧振幅レンジ内 ) に保たれます。
VDD
VDD
VOUT
10
1.8V
to
5.5V
MCP6421
IDD
VSS
100 k
1 M
V DD – V OUT
I DD = ----------------------------------------- 10 V/V    10 
High-Side Battery Current Sensor
VDD
-
+
R2
1kŸ
MCP6421/2/4 オペアンプのコモンモード入力電圧は
2 つの電源レール電圧を 0.3 V まで超える事ができる
( 入力レンジは VSS-0.3 ～ VDD+0.3 V である ) ため、ハ
イサイドおよびローサイドどちらの形式のバッテリ電
流計測アプリケーションでも使う事ができます。無負
荷時電流が低いためバッテリ寿命を延ばす事ができる
と共に、レールツーレール出力であるため低電流の検
出が可能です。
図 4-10: バッテリ電流計測
R3
MCP6421 100k
R1
1kŸ
+
バッテリ電流計測
4.8.3
VOUT
MCP6421
R5
100k
100 k 
V OUT =  V a – V b   ----------------1k
Strain Gauge
図 4-9: 圧力センサ用アンプ
DS20005165B_JP - p. 20
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MCP6421/2/4
5.0
設計支援
Microchip 社は、MCP6421/2/4 オペアンプ ファミリ向
けの基本的設計ツールを提供しています。
5.1
SPICE マクロモデル
MCP6421/2/4 オペアンプ用の最新の SPICE マクロモデ
ルは、Microchip 社のウェブサイト (www.microchip.com)
か ら 入 手 で き ま す。こ の マ ク ロ モ デ ル は OrCAD
(Cadence®) 社の PSpice® を使って作成および検証さ
れています。その他のシミュレータを使う場合、変換
が必要になる場合があります。
このモデルはオペアンプの各種電気的仕様に幅広く対
応し、オペアンプの電圧、電流、抵抗だけでなく、オ
ペアンプの挙動に対する温度とノイズの影響も考慮し
ます。このモデルは、オペアンプのデータシートに記
載した仕様レンジ外では検証されていません。仕様レ
ンジ外の条件におけるモデル挙動と実際のオペアンプ
動作の一致は保証できません。
このモデルは、初期段階の設計ツールとしての使用を
目的としています。どのような回路であれベンチ試験
は非常に重要であり、シミュレーションで代用する事
はできません。また、このマクロモデルから得られた
シミュレーション結果は、データシートの仕様値およ
び特性曲線と比較する事によって検証する必要があり
ます。
5.2
FilterLab® ソフトウェア
Microchip 社の FilterLab ソフトウェアは、オペアンプを
使ったアナログ アクティブ フィルタの設計を簡略化す
る革新的なソフトウェア ツールです。このツールは
Microchip 社のウェブページ (www.microchip.com/filterlab)
から無償で入手できます。FilterLab 設計ツールは、各
部品の値を含むフィルタ回路の完全な回路図を提供し
ます。さらに、このフィルタ回路を SPICE フォーマッ
トで出力してマクロモデルと併用すれば、実際のフィ
ルタ性能をシミュレートする事もできます。
5.3
Microchip Advanced Parts
Selector (MAPS)
MAPS を使うと、お客様の回路要件を満たす Microchip
社製デバイスを効率的に検索できます。このツールは
Microchip 社のウェブページ (www.microchip.com/maps)
から無償で入手できます。MAPS はアナログ、メモリ、
MCU、DSC を含む Microchip 社の全製品を対象とする
選択ツールです。このツールを使うと、デバイスのリ
ストを並べ換える事や、パラメータを指定してデバイ
スを検索する事ができます。また、選択したデバイス
を横並びの一覧にした技術対照レポートをエクスポー
トする事もできます。このツールは Microchip 社製品
のデータシート、購入先、サンプル品のリクエスト等、
便利なリンクも提供します。
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5.4
アナログ デモ / 評価用ボード
Microchip 社は、お客様の開発期間の短縮を支援する
ために、アナログ開発 / 評価用ボードを豊富に取り揃
えています。これらのボードの一覧と、関連するユー
ザガイド / 技術情報については、Microchip 社ウェブサ
イト (www.microchip.com/analog tools) をご覧くださ
い。
特に以下のボードを推奨します。
•
•
•
•
•
•
MCP6XXX アンプ評価用ボード 1
MCP6XXX アンプ評価用ボード 2
MCP6XXX アンプ評価用ボード 3
MCP6XXX アンプ評価用ボード 4
アクティブ フィルタ デモボードキット
5/6 ピン SOT-23 評価用ボード、P/N VSUPEV2
5.5
アプリケーション ノート
補足資料として、Microchip 社が提供する以下のアナ
ログ デザインノートとアプリケーションノートを推
奨 し ま す。こ れ ら は Microchip 社 の ウ ェ ブ サ イ ト
(www.microchip.com/appnotes) から入手できます。
• ADN003 – Select the Right Operational Amplifier
for your Filtering Circuits、DS21821
• AN722 – Operational Amplifier Topologies and
DC Specifications、DS00722
• AN723 – オペアンプの AC 仕様とアプリケー
ション、DS00723
• AN884 – オペアンプによる容量性負荷の駆動、
DS00884
• AN990 – Analog Sensor Conditioning Circuits –
An Overview、DS00990
• AN1177 – オペアンプを使用したデザインの精度
: DC 誤差、DS01177
• AN1228 – オペアンプを使用したデザインの精度
: ランダム ノイズ、DS01228
• AN1297 – Microchip’s Op Amp SPICE Macro
Models、DS01297
• AN1332 – 電流検出回路の概念と原理、DS01332
• AN1494 – MCP6491 オペアンプを利用した光検
出アプリケーション、DS01494
これらのアプリケーション ノートを含む各種資料の
一覧は、以下の設計ガイドに掲載されています。
• Signal Chain Design Guide、DS21825
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MCP6421/2/4
NOTE:
DS20005165B_JP - p. 22
 2014 Microchip Technology Inc.
MCP6421/2/4
6.0
パッケージ情報
6.1
パッケージのマーキング情報
5 ピン SC70 (MCP6421 のみ )
例:
DS25
5 ピン SOT-23 (MCP6421 のみ )
XXNN
8 ピン MSOP (3x3 mm) (MCP6422 のみ )
例:
3H25
例:
6422E
330256
凡例 :
XX...X お客様固有情報
Y
年コード ( 西暦の下 1 桁 )
YY
年コード ( 西暦の下 2 桁 )
WW
週コード (1 月の第 1 週を「01」とする )
NNN
英数字のトレーサビリティ コード
e3
つや消し錫 (Sn) の使用を示す鉛フリー JEDEC マーク
*
このパッケージは鉛フリーです。鉛フリー JEDC マーク (
は外箱に表記しています。
e3 )
Note: Microchip 社の製品番号が 1 行に収まりきらない場合、複数行を使います。
この場合、お客様固有情報に使える文字数が制限されます。
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DS20005165B_JP - p. 23
MCP6421/2/4
8 ピン SOIC (150 mil.) (MCP6422 のみ )
例:
MCP6422E
3
SN e^^1330
256
NNN
14 ピン SOIC (3.90 mm) (MCP6424 のみ )
例:
MCP6424
E/SL
1330256
14 ピン TSSOP (4.4 mm) (MCP6424 のみ )
XXXXXXXX
YYWW
NNN
DS20005165B_JP - p. 24
例:
6424E/ST
1330
256
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MCP6421/2/4
5-Lead Plastic Small Outine Transistor (LTY) [SC70]
Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
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MCP6421/2/4
5-Lead Plastic Small Outine Transistor (LTY) [SC70]
Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
DS20005165B_JP - p. 26
 2014 Microchip Technology Inc.
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MCP6421/2/4
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Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
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Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
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Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
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Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
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Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
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Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
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Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
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Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
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Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
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Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
 2014 Microchip Technology Inc.
DS20005165B_JP - p. 39
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Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
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MCP6421/2/4
補遺 A: 改訂履歴
リビジョン B (2013 年 8 月 )
変更内容
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
ファミリに 2 つの新しいデバイス (MCP6422 (2 回
路入り、8 ピン MSOP および 8 ピン SOIC パッ
ケージ ) と MCP6424 (4 回路入り、15 ピン SOIC
および 14 ピン TSSOP パッケージ ) が追加された
ため、本書全体にそれらの製品に関する情報を追
加しました。
パッケージタイプに新しいデバイスのピン配置図
を追加しました。
1.1「絶対最大定格 †」に、2/4 回路入りデバイス
の全ピン ESD 保護 (HBM/MM) を追加しました。
表 1-3 に、新しいパッケージの温度仕様を追加し
ました。
2.0「代表的な性能データ」の図 2-2 と図 2-37 を
更新しました。図 2-38 を追加しました。
3.0「ピンの説明」内のピンのリストと情報を更新
しました。
4.5「未使用オペアンプ」を追加しました。
6.0「パッケージ情報」内のマーキングとパッケー
ジ仕様の図を更新しました。
製品識別システムを更新しました。
リビジョン A (2013 年 3 月 )
• 本書の初版です。
 2014 Microchip Technology Inc.
DS20005165B_JP - p. 41
MCP6421/2/4
NOTE:
DS20005165B_JP - p. 42
 2014 Microchip Technology Inc.
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製品識別システム
ご注文や製品の価格 / 納期に関するお問い合わせは、弊社または販売代理店までお問い合わせください。
製品番号
-X
デバイス
温度レンジ
デバイス :
パッケージ
MCP6421T:
MCP6422:
MCP6422T:
MCP6424:
MCP6424T:
温度レンジ :
E
パッケージ :
LTY*
MS
OT
SL
SN
ST
例:
/XX
オペアンプ 1 回路入り ( テープ & リール )
(SC70、SOT-23)
オペアンプ 2 回路入り (MSOP、SOIC)
オペアンプ 2 回路入り ( テープ & リール )
(MSOP、SOIC)
オペアンプ 4 回路入り (SOIC、TSSOP)
オペアンプ 4 回路入り ( テープ & リール )
(SOIC、TSSOP)
= -40 ～ +125 ℃ ( 拡張レンジ )
= Plastic Package (SC70)、5 ピン
= Plastic Micro Small Outline Package (MSOP)、
8 ピン
= Plastic Small Outline Transistor (SOT-23)、5 ピン
= Plastic Small Outline - Narrow、3.90 mm ボディ、
14 ピン
= Plastic Small Outline - Narrow、3.90 mm ボディ、
8 ピン
= Plastic Thin Shrink Small Outline - 4.4 mm ボディ、
14 ピン
* Y = ニッケル パラジウム金メッキ製品を表します。これ
は TDFN パッケージでのみご利用頂けます。
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テープ & リール、
拡張温度レンジ、
5 ピン SC-70 パッケージ
テープ & リール、
拡張温度レンジ、
5 ピン SOT-23 パッケージ
a)
MCP6421T-E/LTY:
b)
MCP6421T-E/OT:
a)
MCP6422-E/MS:
b)
MCP6422T-E/MS:
c)
MCP6422-E/SN:
拡張温度レンジ、
8ピンSOICパッケージ
d)
MCP6422T-E/SN:
テープ & リール、
拡張温度レンジ、
8 ピン SOIC パッケージ
a)
MCP6424-E/SL:
b)
MCP6424T-E/SL:
拡張温度レンジ、
14 ピン SOIC パッケージ
テープ & リール、
拡張温度レンジ、
14 ピン SOIC パッケージ
c)
MCP6424-E/ST:
拡張温度レンジ、
14ピンTSSOPパッケージ
d)
MCP6424T-E/ST:
テープ & リール、
拡張温度レンジ、
14 ピン TSSOP パッケージ
拡張温度レンジ、
8 ピン MSOP パッケージ
テープ & リール、
拡張温度レンジ、
8 ピン MSOP パッケージ
DS20005165B_JP - p. 43
MCP6421/2/4
NOTE:
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 2014 Microchip Technology Inc.
Microchip 社製デバイスのコード保護機能に関して次の点にご注意ください。
•
Microchip 社製品は、該当する Microchip 社データシートに記載の仕様を満たしています。
•
Microchip 社では、通常の条件ならびに仕様に従って使用した場合、Microchip 社製品のセキュリティ レベルは、現在市場に流
通している同種製品の中でも最も高度であると考えています。
•
しかし、コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在する事もまた事実です。弊社の理解ではこうした手法は、
Microchip 社データシートにある動作仕様書以外の方法で Microchip 社製品を使用する事になります。このような行為は知的所
有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます。
•
Microchip 社は、コードの保全性に懸念を抱くお客様と連携し、対応策に取り組んでいきます。
•
Microchip 社を含む全ての半導体メーカーで、自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません。コード保護
機能とは、Microchip 社が製品を「解読不能」として保証するものではありません。
コード保護機能は常に進歩しています。Microchip 社では、常に製品のコード保護機能の改善に取り組んでいます。Microchip 社
のコード保護機能の侵害は、デジタル ミレニアム著作権法に違反します。そのような行為によってソフトウェアまたはその他の著
本書に記載されているデバイス アプリケーション等に関する
情報は、ユーザの便宜のためにのみ提供されているものであ
り、更新によって無効とされる事があります。お客様のアプ
リケーションが仕様を満たす事を保証する責任は、お客様に
あります。Microchip 社は、明示的、暗黙的、書面、口頭、法
定のいずれであるかを問わず、本書に記載されている情報に
関して、状態、品質、性能、商品性、特定目的への適合性を
は じ め と す る、い か な る 類 の 表 明 も 保 証 も 行 い ま せ ん。
Microchip 社は、本書の情報およびその使用に起因する一切の
責任を否認します。Microchip 社の明示的な書面による承認な
しに、生命維持装置あるいは生命安全用途に Microchip 社の製
品を使用する事は全て購入者のリスクとし、また購入者はこ
れによって発生したあらゆる損害、クレーム、訴訟、費用に
関して、Microchip 社は擁護され、免責され、損害をうけない
事に同意するものとします。暗黙的あるいは明示的を問わず、
Microchip社が知的財産権を保有しているライセンスは一切譲
渡されません。
商標
Microchip 社の名称と Microchip ロゴ、dsPIC、FlashFlex、
KEELOQ、KEELOQ ロゴ、MPLAB、PIC、PICmicro、PICSTART、
PIC32 ロゴ、rfPIC、SST、SST ロゴ、SuperFlash、UNI/O は、
米 国お よ びそ の 他の 国 にお け る Microchip
Technology
Incorporated の登録商標です。
FilterLab、Hampshire、HI-TECH C、Linear Active Thermistor、
MTP、SEEVAL、Embedded Control Solutions Company は、
米国における Microchip Technology Incorporated の登録商標
です。
Silicon Storage Technology は、
その他の国における Microchip
Technology Incorporated の登録商標です。
Analog-for-the-Digital Age、Application Maestro、BodyCom、
chipKIT、chipKIT ロゴ、CodeGuard、dsPICDEM、dsPICDEM.net、
dsPICworks、dsSPEAK、ECAN、ECONOMONITOR、FanSense、
HI-TIDE、In-Circuit Serial Programming、ICSP、Mindi、MiWi、
MPASM、MPF、MPLAB 認証ロゴ、MPLIB、MPLINK、mTouch、
Omniscient Code Generation、PICC、PICC-18、PICDEM、
PICDEM.net、PICkit、PICtail、REAL ICE、rfLAB、Select Mode、
SQI、Serial Quad I/O、Total Endurance、TSHARC、UniWinDriver、
WiperLock、ZENA、Z-Scale は、米国およびその他の国におけ
る Microchip Technology Incorporated の登録商標です。
SQTP は、米国における Microchip Technology Incorporated
のサービスマークです。
GestICとULPPは、その他の国におけるMicrochip Technology
Germany II GmbH & Co. & KG (Microchip Technology
Incorporated の子会社 ) の登録商標です。
その他、本書に記載されている商標は各社に帰属します。
©2013, Microchip Technology Incorporated, Printed in the
U.S.A., All Rights Reserved.
ISBN: 978-1-63276-654-0
QUALITY MANAGEMENT SYSTEM
CERTIFIED BY DNV
== ISO/TS 16949 ==
 2014 Microchip Technology Inc.
Microchip 社では、Chandler および Tempe ( アリゾナ州 )、Gresham
( オレゴン州 ) の本部、設計部およびウェハー製造工場そしてカリフォ
ルニア州とインドのデザインセンターが ISO/TS-16949:2009 認証を
取得しています。Microchip 社の品質システム プロセスおよび手順は、
PIC® MCU および dsPIC® DSC、KEELOQ® コード ホッピング デバイ
ス、シリアル EEPROM、マイクロペリフェラル、不揮発性メモリ、ア
ナログ製品に採用されています。さらに、開発システムの設計と製造
に関する Microchip 社の品質システムは ISO 9001:2000 認証を取得し
ています。
DS20005165B_JP - p. 45
各国の営業所とサービス
北米
アジア / 太平洋
アジア / 太平洋
ヨーロッパ
本社
2355 West Chandler Blvd.
Chandler, AZ 85224-6199
Tel:480-792-7200
Fax:480-792-7277
技術サポート :
http://www.microchip.com/
support
URL:
www.microchip.com
アジア太平洋支社
Suites 3707-14, 37th Floor
Tower 6, The Gateway
Harbour City, Kowloon
Hong Kong
Tel:852-2943-5100
Fax:852-2401-3431
インド - バンガロール
Tel:91-80-3090-4444
Fax:91-80-3090-4123
オーストリア - ヴェルス
Tel:43-7242-2244-39
インド - ニューデリー
Tel:91-11-4160-8631
Fax:91-11-4160-8632
デンマーク - コペンハーゲン
Tel:45-4450-2828
Fax:45-4485-2829
インド - プネ
Tel:91-20-3019-1500
フランス - パリ
Tel:33-1-69-53-63-20
Fax:33-1-69-30-90-79
アトランタ
Duluth, GA
Tel:678-957-9614
Fax:678-957-1455
中国 - 北京
Tel:86-10-8569-7000
Fax:86-10-8528-2104
オーストラリア - シドニー
Tel:61-2-9868-6733
Fax:61-2-9868-6755
オースティン (TX)
Tel:512-257-3370
中国 - 成都
Tel:86-28-8665-5511
Fax:86-28-8665-7889
ボストン
Westborough, MA
Tel:774-760-0087
Fax:774-760-0088
中国 - 重慶
Tel:86-23-8980-9588
Fax:86-23-8980-9500
シカゴ
Itasca, IL
Tel:630-285-0071
Fax:630-285-0075
クリーブランド
Independence, OH
Tel:216-447-0464
Fax:216-447-0643
ダラス
Addison, TX
Tel:972-818-7423
Fax:972-818-2924
デトロイト
Novi, MI
Tel:248-848-4000
中国 - 杭州
Tel:86-571-8792-8115
Fax:86-571-8792-8116
中国 - 香港 SAR
Tel:852-2943-5100
Fax:852-2401-3431
中国 - 南京
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03/25/14
DS20005165B_JP - p. 46
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