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複合素子
K1713-05/-08/-09
紫外から赤外域まで広い感度波長範囲のセンサ
透過型SiフォトダイオードとInGaAs PINフォトダイオードを同一光軸上に配置したセンサです。
特長
用途
広い感度波長範囲
分光光度計
同一光路での設計が可能
レーザモニタ
4ピンTO-5パッケージ
構成／絶対最大定格
型名
冷却
検出素子
受光面
サイズ
非冷却
Si
InGaAs
Si
InGaAs
Si
InGaAs
(mm)
2.4 × 2.4
ϕ0.5
2.4 × 2.4
ϕ1
2.4 × 2.4
ϕ1
パッケージ
K1713-05
K1713-08
TO-5
K1713-09
逆電圧
VR
(V)
5
20
5
2
5
10
絶対最大定格
動作温度
Topr
(°C)
保存温度
Tstg
(°C)
-40 ～ +70
-55 ～ +85
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性 (指定のない場合はTyp. Ta=25 °C)
型名
検出素子
感度
波長
範囲
(μm)
K1713-05
K1713-08
K1713-09
Si
InGaAs
Si
InGaAs
Si
InGaAs
0.32～1.7
0.32～2.6
0.32～1.7
最大
感度
波長
λp
受光
感度
S
λ=λp
(μm)
0.94
1.55
0.94
2.30
0.94
1.55
(A/W)
0.45
0.55
0.45
0.60
0.45
0.55
暗電流 ID
VR=10 mV
Typ.
(nA)
30 (pA)
0.5*1
30 (pA)
15 (μA)*2
30 (pA)
1*1
Max.
(nA)
100 (pA)
2.5*1
100 (pA)
75 (μA)*2
100 (pA)
5*1
並列
抵抗
Rsh
D*
λ=λp
(MΩ) (cm · Hz1/2/W)
1.4 × 1013
300
3.5 × 1012
300
1.4 × 1013
300
2.3 × 1010
3 (kΩ)
1.4 × 1013
300
3.5 × 1012
100
上昇時間
tr
VR=0 V
RL=1 kΩ
10～90%
(ns)
200*3
1.5*4
200*3
23*4
200*3
7*4
端子間
容量
Ct
VR=5 V
f=1 MHz
(pF)
60*5
12
60*5
200*2
60*5
90
*1: VR=5 V
*2: VR=1 V
*3: λ=655 nm
*4: VR=5 V, RL=50 Ω
*5: VR=0 V, f=10 kHz
浜松ホトニクス株式会社
1
K1713-05/-08/-09
複合素子
分光感度特性
Siフォトダイオード
InGaAs PINフォトダイオード
(Typ. Ta=25 °C)
0.6
0.6
0.5
0.5
0.4
0.3
0.4
K1713-05/-09
0.2
0.1
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
K1713-08
0.3
0.2
0
0.2
(Typ. Ta=25 °C)
0.7
਋࢕ۜഽ (A/W)
਋࢕ۜഽ (A/W)
0.7
0
0.8 1.0
1.2
1.2 1.4
෨ಿ (μm)
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
෨ಿ (μm)
KIRDB0199JA
KIRDB0211JA
暗電流－逆電圧
Siフォトダイオード
InGaAs PINフォトダイオード
(Typ. Ta=25 °C)
1 nA
(Typ. Ta=25 °C)
100 μA
10 μA
K1713-08
ճഩၠ
ճഩၠ
1 μA
100 pA
100 nA
10 nA
K1713-09
1 nA
K1713-05
10 pA
0.01
0.1
1
10
‫ݙ‬ഩգ (V)
100 pA
0.01
0.1
1
10
100
‫ݙ‬ഩգ (V)
KIRDB0200JA
KIRDB0201JA
2
K1713-05/-08/-09
複合素子
端子間容量－逆電圧
Siフォトダイオード
InGaAs PINフォトダイオード
(Typ. Ta=25 °C, f=10 kHz)
100 pF
(Typ. Ta=25 °C, f=1 MHz)
10 nF
K1713-08
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
1 nF
10 pF
100 pF
10 pF
K1713-09
K1713-05
1 pF
1 pF
0.01
0.1
1
100 fF
0.01
10
0.1
‫ݙ‬ഩգ (V)
1
10
100
‫ݙ‬ഩգ (V)
KIRDB0202JA
KIRDB0203JA
並列抵抗－素子温度
Siフォトダイオード
InGaAs PINフォトダイオード
(Typ. VR=10 mV)
10 TΩ
10 GΩ
1 TΩ
100 MΩ
໼Ⴅ೷ࢯ
10 GΩ
໼Ⴅ೷ࢯ
K1713-05
1 GΩ
100 GΩ
1 GΩ
100 MΩ
K1713-09
10 MΩ
1 MΩ
K1713-08
100 kΩ
10 MΩ
10 kΩ
1 MΩ
100 kΩ
-40
(Typ. VR=10 mV)
100 GΩ
1 kΩ
-20
0
20
40
60
80
100
ளঊ‫أ‬ഽ (°C)
100 Ω
-40
-20
0
20
40
60
80
100
ளঊ‫أ‬ഽ (°C)
KIRDB0204JA
KIRDB0205JA
3
K1713-05/-08/-09
複合素子
外形寸法図 (単位: mm)
ϕ9.1 ± 0.3
වৣௗ
ϕ6.3 ± 0.1
ϕ8.3 ± 0.2
ϕ0.43
ςȜΡ
30 min.
InGaAs
4.3 ± 0.3
3.2 ± 0.3
6.5 ± 0.3
Si
ϕ5.1 ± 0.2
Si (΃ΕȜΡ)
Si (ͺΦȜΡ)
InGaAs (΃ΕȜΡ)
InGaAs (ͺΦȜΡ)
KIRDA0147JB
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 注意事項とお願い
・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品／使用上の注意
技術情報
・ 赤外線検出素子／技術資料
・ 赤外線検出素子／用語の解説
本資料の記載内容は、平成26年8月現在のものです。
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Cat. No. KIRD1040J04 Aug. 2014 DN
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