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おすすめ！ 新商品
HybridMOS 登場！
IGBTとSJMOSのメリットを両立
R6 0 x x GNシリーズ
産業タイムズ社の
「第 20 回 半導体・オブ・ザ・イヤー 2014」において、
HybridMOS
半導体デバイス部門
「優秀賞」
を受賞しました !
は、
IGBT や SJMOS の
ウイークポイントを補った、新型トランジスタです。
です。
受動部品の小型化
Hybrid
Hybrid
MOS
MOS
省エネ効率指標の改善
高温動作・大電流が得意なIGBTと、高速スイッチング・低ON抵抗に優れた
高温動作
大電流
高速SW
線形出力
SJ(Super Junction) MOSFETの良さを兼ね備えた新構造トランジスタで
機器の省エネ化に貢献します。
IGBT
IGB
IG
BT
T
誕生!
HybridMOS
IGBT
MOSFET
並列動作
(SJMOS)
並列動作
並列動作
高温動作
SW
01
低電流
23
4
高温動作
高 動
高温
SW
W
01
5
23
SW
高温動作
0
1
23
45
低電流
流
高周波化による受動部品の小型化
スイッチングスピードの向上による高速駆動／高効率化でコイル・コンデンサなどの
受動部品の小型化を実現。ハイパワーの車載・産機から、
省エネ家電向けや民生機器まで、
幅広く省エネで貢献できます。
モノポーラデバイスの高速スイッチング性能
45
大電流
低電流
大電流
特長 1
IGBTとの比較
MOSFET
MOSFET
MOSFE
MO
ET
T
大電流
大電流
大電
特長 2
低電流域の効率アップで、省エネ指標の向上に貢献 !
HybridMOS は低電流域での高効率化と瞬間的に流れる大電流の双方に対応します。
低電流域の線形出力特性重視
定格効率だけでなく定常運転重視
FET SW 特性
出力 V-I 特性
VDS
IGBT
V
瞬間的な大電流
にも対応 !
MOSFET
(SJMOS)
定常運転時に
メリット
HybridMOS
Hy
Hy
ybridMOS
b
brid
rid
i MO
idMOS
OS
IGBT
ID
VDS
HybridMOS
Hy
ybri
y
brid
idMOS
dMOS
OS
ID
小型化
低電流域
定格保証域
I
IGBT
スーパージャンクション
MOSFET
HybridMOS
低電流特性
×
◎
◎
大電流特性
◎
高速スイッチング特性
△
△
◎
○
◎
エアコン•冷蔵庫などの年間消費電力削減
!! に貢献
絶対定格
温度特性
仕様 / 定常 / 定格（Ta=25℃/75℃/125℃）
定格状態
（Ta=125℃）
SJMOSFET
(SJ1)
10
20A 品
8
Qg=65nC
7
25A 品
6
46A 品
Hybrid
Hy
ybrid
MOS
MO
OS
Qg=160nC
Qg=88nC
5
4
9
(SJ1)
8
20A 品
4
2
1
1
15
20
25
30
35
40
45
Ta=
5
2
10
Qg=65nC
Ta=
3
5
Hybrid
Hy
Hy
ybrid
brid
MOS
MO
OS
S
6
3
0
SJMOSFET
7
VDS 電圧
VDS 電圧
9
10
50
0
5
10
15
20
ID 電流
25
30
35
40
45
50
ID 電流
SJMOSFET と比較して、
HybridMOS は高温環境でも性能は劣らない
SJMOSFET のデメリットである高温・大電流性能を改善
（最大負荷時の熱破壊など）
アプリケーション例
民生市場
車載・産機市場
小型化
・
DC/DC ：高速 SW & 高温・大電流
モーター：高温・大電流・高速 trr
4K
テレビ
PC
アダプター
小型化
DC/DC：高速 SW & 高温
電源
EV/HEV
高効率化
SOLAR
高速 SW
低ON抵抗
線形出力特性
線形出
出力特性
出力
高温・大電流
DC/DC ：高速 SW & 高温
インバータ：線形出力 &
高
高温・
大電流
工業機器
高効率化
洗濯機
エアコン
インバータ：低ON抵抗・
高温・大電流
冷蔵庫
省エネ家電
省エネ
モーター：線形出力 & 高温・大電流
2014
6
1
【O_043】Catalog No.57O6813J 06.2014 ROHM © ROHM