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IECQ ITL Approval
IECQ-L JQAJP 13.0002
パワーデバイスの総合解析サービス
基本特性から個別要求試験までフレキシブルに対応
概要
◆ パワーデバイスの評価に必要な測定・試験・解析を実施します
特長
◆ 大電流及び広範囲な温度特性測定に対応
◆ 最新の解析ツール・手法で不具合解析も強力にサポート
◆ フレキシブルな信頼性試験（パワーサイクル試験など）
大電流
（max500A ）
及び広範囲温度
（-60∼+300℃ ）
の電気的特性測定
Power MOSFET 内蔵 Ｄｉの trr 測定
IGBT のtf 特性
SiC MOSFET のVg-Id特性（ -55∼250℃ ）
20
VG
15
Id[ A ]
VCE
10
5
tf
IC
0
0
Diの重要なスイッチング特性である
trr（ 逆回復時間 ）の正確な測定が可能
IGBTの重要な損失特性である
tf（ ターンオフ時間 ）の正確な測定が可能
5
10
Vg[ V ]
15
20
SiCデバイスの大電流/広範囲温度
（ -60∼300℃ ）の諸特性測定が可能
最新の設備による故障解析や測定評価
ロックイン発熱解析（重ね合せ像）
容量測定
断面SEM解析像
Capacitance Vs. VDS
C[pF]
10000
1000
100
10
500μｍ
10μｍ
1
ロックイン発熱解析装置を用いて、パワーMOSの
不具合位置を特定（非破壊でも検出可能）
不具合位置特定後はさまざまな物理解析で
故障発生原因を特定
0.1
10
1000 VDS[V]
ハイパワーカーブトレーサ
B1505Aによるパラメータ測定
フレキシブルな信頼性試験
アバランシェ耐量試験
パワーサイクル試験
ESD試験＋故障解析
側 部（
側）破壊
ゲート側壁部（ソース側）破壊
640usec
ID
VG
RG
BVDSS=430V
VG
VD
N（Nwell）
ID=60A
VD=100V
破壊
P-（Psuｂ）
P+
P
+
ゲート底面部（ソース側）破壊
ゲ
ト底面部（ソ ス側）破壊
ON/OFF
ジャンクションが最高温度となるようにＩＤ
（ドレイン電流 ）等を設定し断続動作試験を実施
1μｍ
N（Nwell）
アバランシェ耐量試験により
デバイスの実力を確認
ＥＳＤ試験＋故障解析による不具合原因を特定し、
改善策をご提案。ゲート側壁部
（ソース側）
の破壊に
加えてゲート底面部
（ドレイン側）
でも破壊が発生
C
Oki Engineering Co.,Ltd 2014.7