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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF450R07ME4_B11
EconoDUAL™3モジュールトレンチ/フィールドストップIGBT4andエミッターコントロールdiode内蔵and
PressFIT/NTCサーミスタ
EconoDUAL™3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC
VCES = 650V
IC nom = 450A / ICRM = 900A
一般応用
• 商業車and　農耕車
• モーター駆動
• ソーラーアプリケーション
• UPSシステム
TypicalApplications
• CommercialAgricultureVehicles
• MotorDrives
• SolarApplications
• UPSSystems
電気的特性
• 650Vに増加したブロッキング電圧
• 増加されたDCリンク電圧
• 高い短絡電流耐量、自己抑制型短絡電流
ElectricalFeatures
• Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
• IncreasedDClinkVoltage
• High Short Circuit Capability, Self Limiting Short
CircuitCurrent
• HighCurrentDensity
• TrenchIGBT4
• Tvjop=150°C
• Highsurgecurrentcapability
•
•
•
•
高い電流密度
トレンチIGBT4
Tvjop=150°C
高いサージ電流耐量
機械的特性
• 高いパワー密度
• 内蔵されたNTCサーミスタ
• 絶縁されたベースプレート
• 銅ベースプレート
• PressFIT接合技術
• 丈夫な自動PressFITアセンブリー
• 標準ハウジング
MechanicalFeatures
• HighPowerDensity
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• IsolatedBasePlate
• CopperBasePlate
• PressFITContactTechnology
• RuggedselfactingPressFITassembly
• StandardHousing
BarcodeCode128
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ModuleLabelCode
DMX-Code
preparedby:KY
dateofpublication:2014-12-15
approvedby:KV
revision:3.1
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF450R07ME4_B11
IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
650
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 70°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
450
560
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
900
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
1450
W
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 450 A, VGE = 15 V
IC = 450 A, VGE = 15 V
IC = 450 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,55
1,70
1,75
1,95
V
V
V
5,80
6,40
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 7,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
4,80
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,67
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
27,5
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,82
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 450 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 450 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 450 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 450 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 450 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 4900 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
5,10
0,085
0,089
0,093
µs
µs
µs
0,082
0,087
0,088
µs
µs
µs
0,48
0,51
0,52
µs
µs
µs
0,067
0,093
0,099
µs
µs
µs
Eon
3,40
4,60
4,90
mJ
mJ
mJ
IC = 450 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,8 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
23,5
28,5
30,0
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
2400
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
Tvj op
preparedby:KY
dateofpublication:2014-12-15
approvedby:KV
revision:3.1
2
0,102 K/W
0,039
-40
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF450R07ME4_B11
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 650
V
IF
450
A
IFRM
900
A
I²t
15000
14500
電気的特性/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
1,95
VF
1,55
1,50
1,45
IF = 450 A, - diF/dt = 4900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
185
270
285
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 450 A, - diF/dt = 4900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
26,5
30,0
35,5
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 450 A, - diF/dt = 4900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
5,90
8,90
10,5
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
順電圧
Forwardvoltage
IF = 450 A, VGE = 0 V
IF = 450 A, VGE = 0 V
IF = 450 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
V
V
V
0,165 K/W
0,04
-40
K/W
150
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:KY
dateofpublication:2014-12-15
approvedby:KV
revision:3.1
3
kΩ
5
%
20,0
mW
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF450R07ME4_B11
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL 2,5
kV
Cu
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
14,5
13,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
12,5
10,0
mm
> 200
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
min.
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
20
nH
RCC'+EE'
1,00
mΩ
Tstg
-40
125
°C
6,00
Nm
6,0
Nm
取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,0
G
preparedby:KY
dateofpublication:2014-12-15
approvedby:KV
revision:3.1
4
max.
LsCE
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
質量
Weight
typ.
345
g
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF450R07ME4_B11
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
900
900
750
750
600
600
IC [A]
IC [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
450
450
300
300
150
150
0
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
VCE [V]
2,0
2,4
0
2,8
伝達特性IGBT-　インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.8Ω,RGoff=1.8Ω,VCE=300V
900
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
750
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
80
600
E [mJ]
IC [A]
60
450
40
300
20
150
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:KY
dateofpublication:2014-12-15
approvedby:KV
revision:3.1
5
0
150
300
450
IC [A]
600
750
900
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF450R07ME4_B11
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=450A,VCE=300V
過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
100
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
80
ZthJC : IGBT
0,1
E [mJ]
ZthJC [K/W]
60
40
0,01
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,00759 0,01554 0,07309 0,00565
τi[s]:
0,0003 0,00633 0,0367 1,67943
0
0
2
4
6
8
RG [Ω]
10
12
14
0,001
0,0001
16
0,001
0,01
0,1
1
t [s]
逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.8Ω,Tvj=150°C
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
1000
900
IC, Modul
IC, Chip
900
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
750
800
700
600
IF [A]
IC [A]
600
500
450
400
300
300
200
150
100
0
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
0
700
preparedby:KY
dateofpublication:2014-12-15
approvedby:KV
revision:3.1
6
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
VF [V]
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF450R07ME4_B11
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.8Ω,VCE=300V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=450A,VCE=300V
14
14
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
10
10
8
8
E [mJ]
12
E [mJ]
12
6
6
4
4
2
2
0
0
150
300
450
IF [A]
600
750
0
900
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
0
2
4
6
8
10
RG [Ω]
12
14
16
18
140
160
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
1
100000
ZthJC : Diode
Rtyp
10000
R[Ω]
ZthJC [K/W]
0,1
0,01
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,01757 0,03075 0,10847 0,00781
τi[s]:
0,00023 0,00599 0,03565 1,10676
0,001
0,0001
0,001
0,01
0,1
1
100
10
t [s]
preparedby:KY
dateofpublication:2014-12-15
approvedby:KV
revision:3.1
7
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF450R07ME4_B11
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
In fin e o n
preparedby:KY
dateofpublication:2014-12-15
approvedby:KV
revision:3.1
8
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF450R07ME4_B11
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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ー　リスク　及び　品質の評価
ー　品質契約
ー　アプリケーションの共同評価
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exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:KY
dateofpublication:2014-12-15
approvedby:KV
revision:3.1
9