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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FZ600R65KE3
高絶縁型モジュール
highinsulatedmodule
VCES = 6500V
IC nom = 600A / ICRM = 1200A
一般応用
• 中圧コンバータ
• 電鉄駆動
TypicalApplications
• MediumVoltageConverters
• TractionDrives
電気的特性
• 低VCEsat飽和電圧
ElectricalFeatures
• LowVCEsat
機械的特性
• サーマルサイクル耐量を増加するAlSiCベースプレート
•
•
•
•
MechanicalFeatures
• AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling
Capability
Tstg=-55°Cまで拡張された保存温度
• Extended Storage Temperature down to Tstg =
-55°C
CTI(比較トラッキング指数）>600のモジュールパッケージ• PackagewithCTI>600
10.2kV AC
• Package with enhanced Insulation of 10.2kV AC
1分んまで拡張したモジュールパッケージ
1min
長い縁面/空間距離
• HighCreepageandClearanceDistances
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:DTH
dateofpublication:2015-02-13
approvedby:DTS
revision:3.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FZ600R65KE3
IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
Tvj = -50°C
VCES
6500
6500
5900
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
IC nom 600
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
1200
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Ptot
12,5
kW
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
3,00
3,70
3,40
4,30
V
V
6,00
6,60
V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 600 A, VGE = 15 V
IC = 600 A, VGE = 15 V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 105 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGEth
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 3600V
QG
25,0
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,75
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
160
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
2,50
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 6500 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
5,40
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 3600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,70
0,80
µs
µs
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 3600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,33
0,40
µs
µs
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 3600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
7,30
7,60
µs
µs
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 3600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,40
0,50
µs
µs
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 600 A, VCE = 3600 V, LS = 280 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 2400 A/µs
RGon = 1,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
3400
5200
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 600 A, VCE = 3600 V, LS = 280 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
2900
3400
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 4500 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
3600
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
ISC
Tvj op
preparedby:DTH
dateofpublication:2015-02-13
approvedby:DTS
revision:3.0
2
10,2 K/kW
9,20
-50
K/kW
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FZ600R65KE3
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
Tvj = -50°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
最大損失
Maximumpowerdissipation
Tvj = 125°C
最小ターンオン時間
Minimumturn-ontime
VRRM 6500
6500
5900
V
IF
600
A
IFRM
1200
A
I²t
300
kA²s
PRQM 2400
kW
ton min 10,0
µs
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
3,00
2,95
3,50
3,60
順電圧
Forwardvoltage
IF = 600 A, VGE = 0 V
IF = 600 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 600 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 3600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
900
1000
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 600 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 3600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Qr
700
1300
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 600 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 3600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Erec
1100
2400
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:DTH
dateofpublication:2015-02-13
approvedby:DTS
revision:3.0
3
V
V
22,0 K/kW
14,5
-50
K/kW
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FZ600R65KE3
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL 10,2
kV
部分放電電圧
Partialdischargeextinctionvoltage
RMS, f = 50 Hz, QPD typ 10 pC (acc. to IEC 1287)
VISOL 5,1
kV
DCスタビリティ
DCstability
Tvj = 25°C, 100 fit
VCE D 3800
V
AlSiC
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AlN
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
56,0
56,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
26,0
26,0
mm
> 600
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
min.
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
18
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
0,12
0,12
mΩ
Tstg
-55
125
°C
4,25
5,75
Nm
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
G
preparedby:DTH
dateofpublication:2015-02-13
approvedby:DTS
revision:3.0
4
max.
LsCE
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
質量
Weight
typ.
1,8
-
2,1
Nm
8,0
-
10
Nm
1400
g
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FZ600R65KE3
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
1200
1200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1100
900
900
800
800
700
700
IC [A]
1000
IC [A]
1000
600
600
500
500
400
400
300
300
200
200
100
100
0
0,0
1,0
2,0
VGE = 20 V
VGE = 15 V
VGE = 12 V
VGE = 10 V
1100
3,0
VCE [V]
4,0
5,0
0
6,0
伝達特性IGBT-　インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0 5,0
VCE [V]
6,0
7,0
8,0
9,0
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.3Ω,RGoff=8.2Ω,VCE=3600V
1200
14000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1100
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
12000
1000
900
10000
800
8000
E [mJ]
IC [A]
700
600
6000
500
400
4000
300
200
2000
100
0
6
7
8
9
10
VGE [V]
11
12
0
13
preparedby:DTH
dateofpublication:2015-02-13
approvedby:DTS
revision:3.0
5
0
200
400
600
IC [A]
800
1000
1200
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FZ600R65KE3
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=600A,VCE=3600V
過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
12000
100
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
ZthJC : IGBT
10000
10
E [mJ]
ZthJC [K/kW]
8000
6000
4000
1
2000
0
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 0,51 6,46 1,92 1,1
τi[s]:
0,004 0,044 0,405 3,93
0
1
2
3
4
5
6
7
RG [Ω]
8
9
0,1
0,001
10 11 12
0,01
0,1
1
10
100
4,0
5,0
t [s]
逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=8.2Ω,Tvj=125°C
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
1400
1200
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1100
1200
1000
900
1000
800
700
IF [A]
IC [A]
800
600
600
500
400
400
300
200
200
100
0
2000
3000
4000
5000
VCE [V]
6000
0
7000
0,0
1,0
2,0
3,0
VF [V]
preparedby:DTH
dateofpublication:2015-02-13
approvedby:DTS
revision:3.0
6
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FZ600R65KE3
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.3Ω,VCE=3600V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=600A,VCE=3600V
4000
3000
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
3500
2500
3000
2000
E [mJ]
E [mJ]
2500
2000
1500
1500
1000
1000
500
500
0
0
200
400
600
IF [A]
800
1000
0
1200
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
RG [Ω]
2,5
3,0
3,5
5000
6000
7000
安全動作領域Diode、インバータ(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
IR=f(VR)
Tvj=125°C
100
1400
ZthJC : Diode
IR, Modul
1200
1000
10
IR [A]
ZthJC [K/kW]
800
600
1
400
200
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 3,2
13,66 3,35 1,91
τi[s]:
0,005 0,048 0,313 3,348
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
0
100
t [s]
preparedby:DTH
dateofpublication:2015-02-13
approvedby:DTS
revision:3.0
7
0
1000
2000
3000 4000
VR [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FZ600R65KE3
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
preparedby:DTH
dateofpublication:2015-02-13
approvedby:DTS
revision:3.0
8
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FZ600R65KE3
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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ー　品質契約
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-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:DTH
dateofpublication:2015-02-13
approvedby:DTS
revision:3.0
9